JPS61174688A - 半導体レ−ザ用発光性半導体チツプのダイボンデング位置設定方法 - Google Patents
半導体レ−ザ用発光性半導体チツプのダイボンデング位置設定方法Info
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- JPS61174688A JPS61174688A JP1493785A JP1493785A JPS61174688A JP S61174688 A JPS61174688 A JP S61174688A JP 1493785 A JP1493785 A JP 1493785A JP 1493785 A JP1493785 A JP 1493785A JP S61174688 A JPS61174688 A JP S61174688A
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- light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光性半導体チップを用いてレーザ光を発生
させるモニタ用フォトダイ゛オード内蔵型半導体レーザ
において、その発光性半導体チップをブロックにダイボ
ンデングする場合に、そのダイボンデング位置を設定す
るための方法に関するものである。
させるモニタ用フォトダイ゛オード内蔵型半導体レーザ
において、その発光性半導体チップをブロックにダイボ
ンデングする場合に、そのダイボンデング位置を設定す
るための方法に関するものである。
一般に、発光性半導体チップを用いてレーザ光を発生さ
せるモニタ用フォトダイオード内蔵型半導体レーザにお
いて、第２図及び第３図に示すようにこのモニタ用フォ
トダイオード内蔵型半導体レーザ１を電気機器に取付け
るためのステム２から突出するブロック３の上面に、発
光性半導体チップ４をサブマウント５を介してダイボン
デングする場合、当該発光性半導体チップからのレーザ
光が、前記ステム２における基準定点（０）を通る軸線
（Ｃ）に沿って発信されるように正確に位置を設定する
ことが必要である。
せるモニタ用フォトダイオード内蔵型半導体レーザにお
いて、第２図及び第３図に示すようにこのモニタ用フォ
トダイオード内蔵型半導体レーザ１を電気機器に取付け
るためのステム２から突出するブロック３の上面に、発
光性半導体チップ４をサブマウント５を介してダイボン
デングする場合、当該発光性半導体チップからのレーザ
光が、前記ステム２における基準定点（０）を通る軸線
（Ｃ）に沿って発信されるように正確に位置を設定する
ことが必要である。
すなわち、発光性半導体チップから発信されるレーザ光
の光軸線が、前記ステム２における基準定点（０）を通
る軸線（Ｃ）に対してずれていると、電気機器に取付く
半導体レーザを交換した場合にレーザ光の出射位置がず
れることになるから、半導体レーザの交換に際しては、
レーザ光の出射位置が元の位置になるように位置調整す
ることを、交換の都度グ行なわねばならないことになる
。
の光軸線が、前記ステム２における基準定点（０）を通
る軸線（Ｃ）に対してずれていると、電気機器に取付く
半導体レーザを交換した場合にレーザ光の出射位置がず
れることになるから、半導体レーザの交換に際しては、
レーザ光の出射位置が元の位置になるように位置調整す
ることを、交換の都度グ行なわねばならないことになる
。
なお、前記半導体レーザ１における発光性半導体チップ
４付きブロック３の外側は、二点鎖線で示すようにガラ
ス窓６付きキャップ７にてカバーされ、また、前記フレ
ーム２の他側面からは、ＰＮ端子１ａ、ｌｂが突出する
と共に、モニタ用フォトダイオード８に対する端子ＩＣ
が突出している。
４付きブロック３の外側は、二点鎖線で示すようにガラ
ス窓６付きキャップ７にてカバーされ、また、前記フレ
ーム２の他側面からは、ＰＮ端子１ａ、ｌｂが突出する
と共に、モニタ用フォトダイオード８に対する端子ＩＣ
が突出している。
そこで、従来は、ステム３の上面に発光性半導体チップ
４をダイボンデングする場合において、当該発光性半導
体チップ４から発信されるレーザ光の光軸線がステム２
における基準定点（０）を通る軸線（Ｃ）に一致するよ
うに発光性半導体チップ４のブロック３に対するダイボ
ンデング位置を設定するには次のような方法を採用して
いた。
４をダイボンデングする場合において、当該発光性半導
体チップ４から発信されるレーザ光の光軸線がステム２
における基準定点（０）を通る軸線（Ｃ）に一致するよ
うに発光性半導体チップ４のブロック３に対するダイボ
ンデング位置を設定するには次のような方法を採用して
いた。
すなわち、第５図に示すように前記ブロック３付きのス
テム２を保持用治具９に固定する一方、前記ブロック３
の上面に載置した半導体チップ４の前端面を、作業者が
顕微鏡１０で拡大して目視し、半導体チップ４を、当該
半導体チップ４の前端面における外形輪郭が所定の基準
線の中に入るところまで真空チャックキャピラリー１１
にて移動することによって、ダイボンデング位置を設定
し、その設定位置の状態でダイボンデングを行うように
していた。
テム２を保持用治具９に固定する一方、前記ブロック３
の上面に載置した半導体チップ４の前端面を、作業者が
顕微鏡１０で拡大して目視し、半導体チップ４を、当該
半導体チップ４の前端面における外形輪郭が所定の基準
線の中に入るところまで真空チャックキャピラリー１１
にて移動することによって、ダイボンデング位置を設定
し、その設定位置の状態でダイボンデングを行うように
していた。
しかし、半導体レーザに使用される発光性半導体子ツブ
４は、例えば第４図に示すように中間に活性層４ａを有
する多層結晶体に形成し、その上面にストライプ４ｂを
形成することにより、前記活性層４ａのうち前記ストラ
イプ４ｂの箇所における発光部分４ａ′からレーザ光を
、ストライプ４ｂの長手方向に延びる光軸線に沿って矢
印（Ａ）、 （Ａ’）のように発信するものであって
、この半導体チップ４における幅寸法（Ｓ）の中心に対
する前記ストライプ４ｂの位置のずれ、つまりへき開位
置精度、及び半導体チップ４の底面から前記発光部分４
ａ′までの高さ寸法（Ｈ）の精度には、半導体チップ４
の製造に際して可成りのバ・う付きが存在するし、また
、ステム２に対するブロック３の取付位置にバラ付き誤
差が存在する。
４は、例えば第４図に示すように中間に活性層４ａを有
する多層結晶体に形成し、その上面にストライプ４ｂを
形成することにより、前記活性層４ａのうち前記ストラ
イプ４ｂの箇所における発光部分４ａ′からレーザ光を
、ストライプ４ｂの長手方向に延びる光軸線に沿って矢
印（Ａ）、 （Ａ’）のように発信するものであって
、この半導体チップ４における幅寸法（Ｓ）の中心に対
する前記ストライプ４ｂの位置のずれ、つまりへき開位
置精度、及び半導体チップ４の底面から前記発光部分４
ａ′までの高さ寸法（Ｈ）の精度には、半導体チップ４
の製造に際して可成りのバ・う付きが存在するし、また
、ステム２に対するブロック３の取付位置にバラ付き誤
差が存在する。
従って、半導体チップ４のブロック３に対するダイボン
デング位置を、前記従来のように半導体チップ４の前端
面を作業者が顕微鏡１０で拡大して目視し、半導体チッ
プ４の前端面における外形輪郭が所定の基準線の中に入
るようにして設定したとしても、半導体チップ４から発
信されるレーザ光の光軸線と、ステム２における基準定
点（０）を通る軸線（Ｃ）との間には、前記ブロック３
のステム２に対する位置精度と、前記半導体チップ４の
製造時におけるへき開位置精度及び高さ寸法（Ｈ）’＄
ｉ度のバラ付きのために、ずれが必然的に発生するので
あり、従来の実績では、前記軸線（Ｃ）に対する光軸線
のずれは、各製品について５０ミクロン程度のバラ付き
があり、製品についてのバラ付きをこれ以下にすること
は極めて困難であって、電気機器に取付く半導体レーザ
を交換する度毎における取付は位置の調整が必要であっ
た。
デング位置を、前記従来のように半導体チップ４の前端
面を作業者が顕微鏡１０で拡大して目視し、半導体チッ
プ４の前端面における外形輪郭が所定の基準線の中に入
るようにして設定したとしても、半導体チップ４から発
信されるレーザ光の光軸線と、ステム２における基準定
点（０）を通る軸線（Ｃ）との間には、前記ブロック３
のステム２に対する位置精度と、前記半導体チップ４の
製造時におけるへき開位置精度及び高さ寸法（Ｈ）’＄
ｉ度のバラ付きのために、ずれが必然的に発生するので
あり、従来の実績では、前記軸線（Ｃ）に対する光軸線
のずれは、各製品について５０ミクロン程度のバラ付き
があり、製品についてのバラ付きをこれ以下にすること
は極めて困難であって、電気機器に取付く半導体レーザ
を交換する度毎における取付は位置の調整が必要であっ
た。
本発明は、前記半導体レーザにおける発光性半導体チッ
プのブロックに対するダイボンデング位置を、ブロック
のステムに対する取り付は精度及び当該半導体チップの
製造時におけるへき開位置精度及び高さ寸法（Ｈ）精度
のバラ付きとは無関係に正確に設定できる方法を提供す
るものである。
プのブロックに対するダイボンデング位置を、ブロック
のステムに対する取り付は精度及び当該半導体チップの
製造時におけるへき開位置精度及び高さ寸法（Ｈ）精度
のバラ付きとは無関係に正確に設定できる方法を提供す
るものである。
このため本発明は、モニタ用フォトダイオード内蔵型半
導体レーザにおけるステムから突出するブロックの上面
に載置した発光性半導体チップの前端面に対して、当該
発光性半導体チップにおける活性層に吸収されない波長
のレーザ光を、前記半導体レーザにおけるステムの基準
定点を通る軸線に沿って照射する一方、前記発光性半導
体チップを、°前記半導体レーザにおけるモニタ用フォ
トダイオードの出力が最大となる位置まで移動させるよ
うにしたものである。
導体レーザにおけるステムから突出するブロックの上面
に載置した発光性半導体チップの前端面に対して、当該
発光性半導体チップにおける活性層に吸収されない波長
のレーザ光を、前記半導体レーザにおけるステムの基準
定点を通る軸線に沿って照射する一方、前記発光性半導
体チップを、°前記半導体レーザにおけるモニタ用フォ
トダイオードの出力が最大となる位置まで移動させるよ
うにしたものである。
このようにすると、発光性半導体チップの活性層におけ
る発光部分が、半導体レーザにおけるステムの基準定点
を通る軸線に一致していないときは、当該半導体チップ
の前端面に照射したレーザ光は、半導体チップによって
遮られることにより、当該モニタ用フォトダイオードに
よる光出力の検出はないが、半導体チップの移動に伴っ
て、発光性半導体チップの活性層における発光部分が、
半導体レーザにおけるステムの基準定点を通る軸線に一
致すると、当該半導体チップの前端面に照射したレーザ
光が発光性半導体チップの活性層における発光部分を透
過してモニタ用フォトダイオードに届き、当該モニタ用
フォトダイオードにおける出力が最大となるので、この
ときをもって、発光半導体チップのブロックに対するダ
イボンデング位置を、当該発光半導体チップから発信さ
れるレーザ光の光軸線がステムの基準定点を通る軸線に
一致した位置に正確に設定することができるのである。
る発光部分が、半導体レーザにおけるステムの基準定点
を通る軸線に一致していないときは、当該半導体チップ
の前端面に照射したレーザ光は、半導体チップによって
遮られることにより、当該モニタ用フォトダイオードに
よる光出力の検出はないが、半導体チップの移動に伴っ
て、発光性半導体チップの活性層における発光部分が、
半導体レーザにおけるステムの基準定点を通る軸線に一
致すると、当該半導体チップの前端面に照射したレーザ
光が発光性半導体チップの活性層における発光部分を透
過してモニタ用フォトダイオードに届き、当該モニタ用
フォトダイオードにおける出力が最大となるので、この
ときをもって、発光半導体チップのブロックに対するダ
イボンデング位置を、当該発光半導体チップから発信さ
れるレーザ光の光軸線がステムの基準定点を通る軸線に
一致した位置に正確に設定することができるのである。
このように本発明は、発光性半導体チップの前端面に照
射したレーザ光が、発光性半導体チップの活性層におけ
る発光部分を透過してモニタ用フォトダイオードに届く
ことを利用して、半導体チップのダイボンデング位置を
設定するもので、そのダイボンデング位置の設定には、
前記従来のように半導体チップを製作するときにおける
へき開位置精度及び高さ寸法（Ｈ）精度のバラ付き及び
ブロックのステムに対する取り付は精度のバラ付きが入
ることはないから、半導体チップのダイボンデング位置
のバラ付きを、数ミクロンの範囲にして、製品の互換性
を、電気機器に取付く半導体レーザの交換に際しての取
付は位置の調整が殆ど必要でなくなるところまで向上で
きると共に、半導体チップのダイボンデング位置を、モ
ニタ用フォトダイオードにおける出力が最大となること
によって瞬間的に設定できるから、設定に要する時間を
短縮できる効果を有する。
射したレーザ光が、発光性半導体チップの活性層におけ
る発光部分を透過してモニタ用フォトダイオードに届く
ことを利用して、半導体チップのダイボンデング位置を
設定するもので、そのダイボンデング位置の設定には、
前記従来のように半導体チップを製作するときにおける
へき開位置精度及び高さ寸法（Ｈ）精度のバラ付き及び
ブロックのステムに対する取り付は精度のバラ付きが入
ることはないから、半導体チップのダイボンデング位置
のバラ付きを、数ミクロンの範囲にして、製品の互換性
を、電気機器に取付く半導体レーザの交換に際しての取
付は位置の調整が殆ど必要でなくなるところまで向上で
きると共に、半導体チップのダイボンデング位置を、モ
ニタ用フォトダイオードにおける出力が最大となること
によって瞬間的に設定できるから、設定に要する時間を
短縮できる効果を有する。
以下本発明の実施例を、図面（第１図）について説明す
る。
る。
第１図において２は、モニタ用フォトダイオード内蔵型
半導体レーザ１を電気機器に対して取付けるための金属
製のステムで、該ステム２は、保持用治具９に取付いて
おり、且つその前面には発光性、半導体チップ４をダイ
ボンデングするための金属製のブロック３が突出し、該
ブロック３の上面には、シリコン製のサブマウント５を
介して発光性半導体チップ４が載置され、また、前記ス
テム２には、前記発光性半導体チップ４の後端面に対応
する位置にモニタ用フォトダイオード８が予めダイボン
デングされ、このモニタ用フォトダイオード８に結線さ
れた端子ＩＣには、電流計又哄電圧計等の出力検出器１
２が接続されている。
半導体レーザ１を電気機器に対して取付けるための金属
製のステムで、該ステム２は、保持用治具９に取付いて
おり、且つその前面には発光性、半導体チップ４をダイ
ボンデングするための金属製のブロック３が突出し、該
ブロック３の上面には、シリコン製のサブマウント５を
介して発光性半導体チップ４が載置され、また、前記ス
テム２には、前記発光性半導体チップ４の後端面に対応
する位置にモニタ用フォトダイオード８が予めダイボン
デングされ、このモニタ用フォトダイオード８に結線さ
れた端子ＩＣには、電流計又哄電圧計等の出力検出器１
２が接続されている。
１３は、前記発光性半導体チップ４の前端面に対して、
当該発光性半導体チップ４における活性層に吸収されな
い波長のレーザ光を収束レンズ１４を介して照射するた
めの位置設定用半導体レーザを示し、該位置設定用半導
体レーザ１３は、当該位置設定用半導体レーザ１３から
発信されるレーザ光の光軸線が前記ステム２における基
準定点（０）を通る軸線（Ｃ）上に位置するように配設
されている。なお１５は、前記位置設定用半導体レーザ
１３におけるＰＮ端子に電流を印加するためのＡＰＣ電
源回路である。
当該発光性半導体チップ４における活性層に吸収されな
い波長のレーザ光を収束レンズ１４を介して照射するた
めの位置設定用半導体レーザを示し、該位置設定用半導
体レーザ１３は、当該位置設定用半導体レーザ１３から
発信されるレーザ光の光軸線が前記ステム２における基
準定点（０）を通る軸線（Ｃ）上に位置するように配設
されている。なお１５は、前記位置設定用半導体レーザ
１３におけるＰＮ端子に電流を印加するためのＡＰＣ電
源回路である。
前記位置設定用半導体レーザ１３から発光性半導体チッ
プ４の前端面に対して照射されたレーザ光は、ブロック
３上面の発光性半導体チップ４活性層における発光部分
が、ステム２の基準定点（０）を通る軸線（Ｃ）に一致
していないときは、半導体チップ４によって遮られるこ
とにより、当該モニタ用フォトダイオード８に届かない
から、その出力検出器１２によって検出される出力は小
さい値であるが、前記ステム３上面における半導体チッ
プ４を、真空チャックキャピラリー１１により吸着して
、軸線（Ｃ）に対して上下及び左右方向に移動すると、
発光性半導体チップ４の活性層における発光部分が、ス
テム２の基準定点（０）を通る軸線（Ｃ）に一致したと
き、当該半導体チップ４の前端面に照射したレーザ光が
発光性半導体チップ４の活性層における発光部分を透過
してモニタ用フォトダイオード８に届き、その出力検小
器１２によって最高出力が検出される。
プ４の前端面に対して照射されたレーザ光は、ブロック
３上面の発光性半導体チップ４活性層における発光部分
が、ステム２の基準定点（０）を通る軸線（Ｃ）に一致
していないときは、半導体チップ４によって遮られるこ
とにより、当該モニタ用フォトダイオード８に届かない
から、その出力検出器１２によって検出される出力は小
さい値であるが、前記ステム３上面における半導体チッ
プ４を、真空チャックキャピラリー１１により吸着して
、軸線（Ｃ）に対して上下及び左右方向に移動すると、
発光性半導体チップ４の活性層における発光部分が、ス
テム２の基準定点（０）を通る軸線（Ｃ）に一致したと
き、当該半導体チップ４の前端面に照射したレーザ光が
発光性半導体チップ４の活性層における発光部分を透過
してモニタ用フォトダイオード８に届き、その出力検小
器１２によって最高出力が検出される。
従って、発光半導体チップ４を、出力検出器１２に最高
出力が検出されるところまで移動することにより、発光
性半導体チップ４のダイボンデング位置を、当該発光性
半導体チップ４から発信されるレーザ光の光軸線がフレ
ーム２の基準定点（Ｏ）を通る軸線（Ｃ）に一致した位
置に正確に設定することができるから、この状態で、発
光性半導体チップ４をブロック３に対してダイボンデン
グすれば良いのである。
出力が検出されるところまで移動することにより、発光
性半導体チップ４のダイボンデング位置を、当該発光性
半導体チップ４から発信されるレーザ光の光軸線がフレ
ーム２の基準定点（Ｏ）を通る軸線（Ｃ）に一致した位
置に正確に設定することができるから、この状態で、発
光性半導体チップ４をブロック３に対してダイボンデン
グすれば良いのである。
なお、前記実施例は、位置設定用半導体レーザ１３によ
って発光性半導体チップ４にレーザ光を照射する場合で
あったが、この位置設定用半導体レーザ１３に代えて他
のレーザ光発信手段を使用しても良いことは言うまでも
ない。
って発光性半導体チップ４にレーザ光を照射する場合で
あったが、この位置設定用半導体レーザ１３に代えて他
のレーザ光発信手段を使用しても良いことは言うまでも
ない。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図はモニタ用フ
ォトダイオード内蔵型半導体レーザの拡大縦断正面図、
第３図は第２図のｍ−ｎ視測面図、第４図は発光性半導
体チップの拡大斜視図、第５図は従来の方法を示す図で
ある。 ■・・・・モニタ用フォトダイオード内蔵型半導体レー
ザ、２・・・・ステム、３・・・・ブロック、４・・・
・発光性半導体チップ、９・・・・保持用治具、８・団
モニタ用フォトダイオード、１２・・・・出力検出器、
１３・・・・位置設定用半導体レーザ。
ォトダイオード内蔵型半導体レーザの拡大縦断正面図、
第３図は第２図のｍ−ｎ視測面図、第４図は発光性半導
体チップの拡大斜視図、第５図は従来の方法を示す図で
ある。 ■・・・・モニタ用フォトダイオード内蔵型半導体レー
ザ、２・・・・ステム、３・・・・ブロック、４・・・
・発光性半導体チップ、９・・・・保持用治具、８・団
モニタ用フォトダイオード、１２・・・・出力検出器、
１３・・・・位置設定用半導体レーザ。
Claims (1)
- （１）、モニタ用フォトダイオード内蔵型半導体レーザ
におけるステムから突出するブロックの上面に載置した
発光性半導体チップの前端面に対して、当該発光性半導
体チップにおける活性層に吸収されない波長のレーザ光
を、前記半導体レーザにおけるステムの基準定点を通る
軸線に沿って照射する一方、前記発光性半導体チップを
、前記半導体レーザにおけるモニタ用フォトダイオード
の出力が最大となる位置まで移動させるようにしたこと
を特徴とする半導体レーザ用発光性半導体チップのダイ
ボンデング位置設定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1493785A JPS61174688A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 半導体レ−ザ用発光性半導体チツプのダイボンデング位置設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1493785A JPS61174688A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 半導体レ−ザ用発光性半導体チツプのダイボンデング位置設定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174688A true JPS61174688A (ja) | 1986-08-06 |
| JPH0476238B2 JPH0476238B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=11874878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1493785A Granted JPS61174688A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 半導体レ−ザ用発光性半導体チツプのダイボンデング位置設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174688A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4811350A (en) * | 1986-08-05 | 1989-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus |
| US4817849A (en) * | 1986-09-09 | 1989-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for bonding semiconductor laser element and apparatus therefor |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1493785A patent/JPS61174688A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4811350A (en) * | 1986-08-05 | 1989-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus |
| US4817849A (en) * | 1986-09-09 | 1989-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for bonding semiconductor laser element and apparatus therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476238B2 (ja) | 1992-12-03 |
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