JPS58143594A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置Info
- Publication number
- JPS58143594A JPS58143594A JP2597482A JP2597482A JPS58143594A JP S58143594 A JPS58143594 A JP S58143594A JP 2597482 A JP2597482 A JP 2597482A JP 2597482 A JP2597482 A JP 2597482A JP S58143594 A JPS58143594 A JP S58143594A
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- JP
- Japan
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- laser
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、縦モード単一で発振する半導体レーザー装置
において、素子温度の変化や印加電流の変化に伴う縦壁
−ドホッピングによって生ずるノイズ、及びレーず一装
置外部を反射された出力光がレーザー素子に＃Ｉ遺する
時に縦モードが不安定状１１になって発生するノイズの
低減化に関するものである。
において、素子温度の変化や印加電流の変化に伴う縦壁
−ドホッピングによって生ずるノイズ、及びレーず一装
置外部を反射された出力光がレーザー素子に＃Ｉ遺する
時に縦モードが不安定状１１になって発生するノイズの
低減化に関するものである。
従来、この種の毫−ドホッピングや、モード不安定状１
１に伴うノイズを避けるためには、印加電流に高ｍ５ｉ
ｖ重畳し、縦モードを安定なマルチモード化して、モー
ドの変動をスムーズに行なわせる方法や、構造的にマル
チモード発振ｔしや丁い、いわゆる狭ストライプレーザ
ー装置を用いないようにする方法が知られていた。しか
し、前者の方法は、半導体レーザー装置【応用した機器
に、新たに高周波発振器を付加せねばならず、経済的に
−のあること、及び、発ＩＩ器からのスプリアスに対す
る、米国などでの厳しい規制に対処せねばならぬことな
どの欠点がある。また、後者の方法は、狭ストライプレ
ーザー装置は、横モードが双峰性をもちやす（、光学系
との結合上間−が起こりやすい事などの欠点をもつ。
１に伴うノイズを避けるためには、印加電流に高ｍ５ｉ
ｖ重畳し、縦モードを安定なマルチモード化して、モー
ドの変動をスムーズに行なわせる方法や、構造的にマル
チモード発振ｔしや丁い、いわゆる狭ストライプレーザ
ー装置を用いないようにする方法が知られていた。しか
し、前者の方法は、半導体レーザー装置【応用した機器
に、新たに高周波発振器を付加せねばならず、経済的に
−のあること、及び、発ＩＩ器からのスプリアスに対す
る、米国などでの厳しい規制に対処せねばならぬことな
どの欠点がある。また、後者の方法は、狭ストライプレ
ーザー装置は、横モードが双峰性をもちやす（、光学系
との結合上間−が起こりやすい事などの欠点をもつ。
本発明は、上述した欠点を解消するためになされたもの
〒、その目的は新たな付加回路を用いることなくノイズ
の発生を軽減し、かつ、光学系との納会が、従来の単−
峰−ドレーザーと同様に高効率で行なえる方法を援供す
るものである。
〒、その目的は新たな付加回路を用いることなくノイズ
の発生を軽減し、かつ、光学系との納会が、従来の単−
峰−ドレーザーと同様に高効率で行なえる方法を援供す
るものである。
上記の目的な達成するために、本発明では、半導体レー
ザー素子の近傍に外部共振ｔｔ’設け、縦モードＶ固定
化する事によって、モードホッピングや、モード不安定
化に伴うノイズを低減化させている。また、外部共振器
用の鏡面としては、光出力モニター用の受元素子表１１
ｖ用いているのでレーザー光の出力をモニターする機能
を損なうことなく共ＩＩｊｌ器Ｙ作り込むことができる
。
ザー素子の近傍に外部共振ｔｔ’設け、縦モードＶ固定
化する事によって、モードホッピングや、モード不安定
化に伴うノイズを低減化させている。また、外部共振器
用の鏡面としては、光出力モニター用の受元素子表１１
ｖ用いているのでレーザー光の出力をモニターする機能
を損なうことなく共ＩＩｊｌ器Ｙ作り込むことができる
。
以下、実施例により本発明ｖａ＠する。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザー装置の
豐ｓｖ示す断面図である。同図に示すように、銅勢の熱
伝導性の良好な金属からなる７ランジ１の上面中央には
、−からなるステム２が垂設されている。ステム２は上
部の一部が高（突出し、この央出部３の一〇ａ１ＭＫシ
リコンのサブ！ウン）４Ｖ介して半導体レーザー素子（
チップ）５が固定されている。テップ５のレーザー光６
ｖ出射する出射面は上面と下面となり、下面の出射面の
真下にはレーザー党６ｖ受光する出力モニター用受光素
子７が配設されて（・る。受光素子７はステム２の低い
上面に固定されている。また受ＪＪｔ、ｆｌＡ子７の上
ｔｈ（受光面）とチップ５の下面の出射面との間隔ｄは
ｌ！負的に下記式で与えられる畏さの整数倍の長さとな
っている。
豐ｓｖ示す断面図である。同図に示すように、銅勢の熱
伝導性の良好な金属からなる７ランジ１の上面中央には
、−からなるステム２が垂設されている。ステム２は上
部の一部が高（突出し、この央出部３の一〇ａ１ＭＫシ
リコンのサブ！ウン）４Ｖ介して半導体レーザー素子（
チップ）５が固定されている。テップ５のレーザー光６
ｖ出射する出射面は上面と下面となり、下面の出射面の
真下にはレーザー党６ｖ受光する出力モニター用受光素
子７が配設されて（・る。受光素子７はステム２の低い
上面に固定されている。また受ＪＪｔ、ｆｌＡ子７の上
ｔｈ（受光面）とチップ５の下面の出射面との間隔ｄは
ｌ！負的に下記式で与えられる畏さの整数倍の長さとな
っている。
コ
ココテ、λはレーザー光の線長、ｎは空気の屈折率であ
る。
る。
なお、受光素子７の上部には通常の受光素子が有し【い
る反射防止膜は４１に設けずにシリコンが露出した面と
しておくことが、受光素子７の受光面での反射量が多い
ことがら■ましい。しかし、反射防止膜Ｖ有していても
、受光面での反射は夛。
る反射防止膜は４１に設けずにシリコンが露出した面と
しておくことが、受光素子７の受光面での反射量が多い
ことがら■ましい。しかし、反射防止膜Ｖ有していても
、受光面での反射は夛。
るため、反射防止膜ｖ′４Ｉｉシていてもよい。
また、受光素子７の受光１１１に中って反射し１こレー
ザー光は、チップ５０下−の出射面に当接するよ５に１
チツプ５の出射面と受光素子７の受光面は平行となって
いる。
ザー光は、チップ５０下−の出射面に当接するよ５に１
チツプ５の出射面と受光素子７の受光面は平行となって
いる。
一方、ステム２等は透光性の窓ガラス８を天井部ＫＮｉ
ｌり付けたキ今ツブによって被われる。キャップ曾は下
縁部分ｔ′□７ランジ１ ｔｃｆａ＊されるた〆一、テ
ップ５．受党素子７％は気密的に＃止さｉする。
ｌり付けたキ今ツブによって被われる。キャップ曾は下
縁部分ｔ′□７ランジ１ ｔｃｆａ＊されるた〆一、テ
ップ５．受党素子７％は気密的に＃止さｉする。
なお、図示はしないが、７ランジにはり一部が導電的、
））るいは絶縁的に固定され絶縁的に固定されたリード
には、チップ５および受光素子７の各電極に接続される
ワイヤが接続される。
））るいは絶縁的に固定され絶縁的に固定されたリード
には、チップ５および受光素子７の各電極に接続される
ワイヤが接続される。
このような半導体レーザー装置は、所定の電圧ヲ１」加
″ｆると、チップ６の上下の出射面からレーザー光６ｖ
出射する。上方に向かうレーザー光６は窓ガラス８ｖ通
ってキ今ツブ９外に進み、たとえばオーディオ・ディス
ク１１ｉｖＮ４射する。また、彼方に向う党は、受光素
子７に人射し出力ｑニターされ、一部は１ｍ！面で反射
されて再度レーず一素子５にもどるっチップ５０後方端
面の出射面は、チップ５の内部共振器と、チップ５と受
光素子７で構成される外部共振器の共通の端面となって
おり、内部共振器に立つ定在波と、外部共＃ｉ！器に立
つ定在波は、胸肢数が等しく、シかもいずれもチップ５
の後方端面の出射面で節とならねばならず、ために、外
部共ＩｔＩ器長ｔ、肩折率【考慮した内部共振器機に比
べて短（しておけば、生ずる定在波すなわち縦モードの
選択性が強くなり、モードがロックされるうチップ５と
受光素子７間の距離（ｄ）はｌＯμ諷から２００μ議ぐ
らいにした時に、モードロック効果の大きい事を実験的
Ｋ１１ｌ！してある。
″ｆると、チップ６の上下の出射面からレーザー光６ｖ
出射する。上方に向かうレーザー光６は窓ガラス８ｖ通
ってキ今ツブ９外に進み、たとえばオーディオ・ディス
ク１１ｉｖＮ４射する。また、彼方に向う党は、受光素
子７に人射し出力ｑニターされ、一部は１ｍ！面で反射
されて再度レーず一素子５にもどるっチップ５０後方端
面の出射面は、チップ５の内部共振器と、チップ５と受
光素子７で構成される外部共振器の共通の端面となって
おり、内部共振器に立つ定在波と、外部共＃ｉ！器に立
つ定在波は、胸肢数が等しく、シかもいずれもチップ５
の後方端面の出射面で節とならねばならず、ために、外
部共ＩｔＩ器長ｔ、肩折率【考慮した内部共振器機に比
べて短（しておけば、生ずる定在波すなわち縦モードの
選択性が強くなり、モードがロックされるうチップ５と
受光素子７間の距離（ｄ）はｌＯμ諷から２００μ議ぐ
らいにした時に、モードロック効果の大きい事を実験的
Ｋ１１ｌ！してある。
したがって、オーディオ・ディスク向てＢＬ引【たレー
ず一部が再びチップ５内のオプティカル・キャビティ（
導波Ｍ）に帰還したり、テップ温度や印加電流が変化し
ても、レーザー光のモードはロックされていることから
縦モードは安定し、ノイズは発生しにくくなる。
ず一部が再びチップ５内のオプティカル・キャビティ（
導波Ｍ）に帰還したり、テップ温度や印加電流が変化し
ても、レーザー光のモードはロックされていることから
縦モードは安定し、ノイズは発生しにくくなる。
また、この笑施例では阜−モードレーサー光を発振する
ため、光学系との接合効率も向上Ｔる。
ため、光学系との接合効率も向上Ｔる。
なお、本発明は前配夾施例に＠足されない。たとえば、
第２図に示すよ５に、受ｊｔ素子７の受光面に高周波特
性を向上させるため設けらｒｔたアル建ガードリング（
反射重大）の一部な外部共シ器の反射１１に使えば受光
−でのレーダー光６０反射率は高まり、峰−ドロッキン
グの効果をさらに高めることができる。なお、ガードリ
ングとは別に受′ｙｔＩｉの一部に反射率を大きくする
ようなコーティングＶ施して建ツーと同じ効果をもたせ
てもよい＠また、チップ５の中間Ｓ分Ｖ横切るような週
、元板１１４キャップ９の内＊に堆り付けてお（ことに
よ）て、後方（−Ｆ ｌｉｌ ’）から出射したレーザ
ー光６０反射光がチップ５の前方に回り込まなくなり、
レーザー光６のファーフィールド・パターンを乱さなく
なる。
第２図に示すよ５に、受ｊｔ素子７の受光面に高周波特
性を向上させるため設けらｒｔたアル建ガードリング（
反射重大）の一部な外部共シ器の反射１１に使えば受光
−でのレーダー光６０反射率は高まり、峰−ドロッキン
グの効果をさらに高めることができる。なお、ガードリ
ングとは別に受′ｙｔＩｉの一部に反射率を大きくする
ようなコーティングＶ施して建ツーと同じ効果をもたせ
てもよい＠また、チップ５の中間Ｓ分Ｖ横切るような週
、元板１１４キャップ９の内＊に堆り付けてお（ことに
よ）て、後方（−Ｆ ｌｉｌ ’）から出射したレーザ
ー光６０反射光がチップ５の前方に回り込まなくなり、
レーザー光６のファーフィールド・パターンを乱さなく
なる。
以上のように、本発明によれば、縦単一モードＬＤのモ
ードホッピング又はモード不安定に伴うノイズを、光字
特性を劣化させることなく、かつ、何等かの低減用回路
を必要とすることな（、低減することができる。また、
レーザー光は単一モード光となるため、各光学系との接
合効率も高（なる。
ードホッピング又はモード不安定に伴うノイズを、光字
特性を劣化させることなく、かつ、何等かの低減用回路
を必要とすることな（、低減することができる。また、
レーザー光は単一モード光となるため、各光学系との接
合効率も高（なる。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザー装置の
費部を示ｊｌｌｆｒｉ１図、＠２図は同じく他の集施例
による断面図である。 符号の説― １・・・フランジ、２・・・ステム、４・・・サブマウ
ント、５・・・チップ、６・・・レーザー光、７・・・
受光素子、ｌＯ・・・ガードリング、１１・・・鐘光板
。 第 １ 図
費部を示ｊｌｌｆｒｉ１図、＠２図は同じく他の集施例
による断面図である。 符号の説― １・・・フランジ、２・・・ステム、４・・・サブマウ
ント、５・・・チップ、６・・・レーザー光、７・・・
受光素子、ｌＯ・・・ガードリング、１１・・・鐘光板
。 第 １ 図
Claims (1)
- １、半導体レーザーチップと、このチップの出射面から
出射されるレーザーｙｔ、ｖ受光する受光素子と、ｔ−
有する半導体レーザー装置において、前記受光素子の受
光−でのレーザー反射光を上記レーザーチップの出射１
ｉＫ当接するようにしたことを＊１とする半導体レーザ
ー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2597482A JPS58143594A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 半導体レ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2597482A JPS58143594A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 半導体レ−ザ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58143594A true JPS58143594A (ja) | 1983-08-26 |
Family
ID=12180695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2597482A Pending JPS58143594A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 半導体レ−ザ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58143594A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173051A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバの試験装置 |
| JPS62118467U (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-28 | ||
| US4811350A (en) * | 1986-08-05 | 1989-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus |
| JPH01291479A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Fujitsu Ltd | 光共振器 |
| JPH0277186A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置及び受光素子 |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2597482A patent/JPS58143594A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173051A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバの試験装置 |
| JPS62118467U (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-28 | ||
| US4811350A (en) * | 1986-08-05 | 1989-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus |
| JPH01291479A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Fujitsu Ltd | 光共振器 |
| JPH0277186A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置及び受光素子 |
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