JPS60246688A - 光帰還型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
光帰還型半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS60246688A JPS60246688A JP10291784A JP10291784A JPS60246688A JP S60246688 A JPS60246688 A JP S60246688A JP 10291784 A JP10291784 A JP 10291784A JP 10291784 A JP10291784 A JP 10291784A JP S60246688 A JPS60246688 A JP S60246688A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical fiber
- laser element
- beams
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｒ楽土の利用分与’ｆ
本発明は、光ファイバ通信用光源、志して用いることが
できる１′力体レーサ装置ａに（ｙ、１ノーるものであ
る。
できる１′力体レーサ装置ａに（ｙ、１ノーるものであ
る。
従来列の構成とその問題Ｉ八
以下に従来の雀ファイバと結合した牢・ｈ体し−サ装置
について説明する。第１１ズ１はＬＬ来の゛ｒ−導体レ
ーザ装置のＮ’ｊ／）成因てあり、１蒐り体レーザ素ｒ
−１の共振器端面４からの出射レー→ノ光５・汀、九フ
ァイバ６に結合さハるか出射レーリ丸５の一部；１ｉ
＊。
について説明する。第１１ズ１はＬＬ来の゛ｒ−導体レ
ーザ装置のＮ’ｊ／）成因てあり、１蒐り体レーザ素ｒ
−１の共振器端面４からの出射レー→ノ光５・汀、九フ
ァイバ６に結合さハるか出射レーリ丸５の一部；１ｉ
＊。
ファイバ６からの反射光９として゛１′導体し〜ザ素Ｐ
１に帰還さノする。
１に帰還さノする。
半導体レーザ素ｆ−に位相の乱′ＩＬＡ−反射光が帰還
されると半導体レーザ素ｆ−の特性に大きな影ｌ＆ｆを
与え、半導体レーザ素子の雑音増加、縦モードスペクト
ルの変化などが誘起され 、、！ｆ、導体レ−リ素子の
安定化、高品質化への一つの障害となっている０ これを解決する一つの方法として、第２図に示すような
半導体レーザ素子への帰還光を積極的に利用したいわゆ
る複合共振器構成の半導体レーザ装置がある。半導体レ
ーザ素子１０の一方の共振器端面１３から出射したレー
ザ光１４はレンズ１６を通過し、反射体１６により反射
され、反射光１７は再びレンズ１５を通過し、半導体レ
ーザ素子１゜に入射する。他方の共振器端面１８から出
射したレーザ光１ｇ１ｄ、光ファイバ２０に結合される
。
されると半導体レーザ素ｆ−の特性に大きな影ｌ＆ｆを
与え、半導体レーザ素子の雑音増加、縦モードスペクト
ルの変化などが誘起され 、、！ｆ、導体レ−リ素子の
安定化、高品質化への一つの障害となっている０ これを解決する一つの方法として、第２図に示すような
半導体レーザ素子への帰還光を積極的に利用したいわゆ
る複合共振器構成の半導体レーザ装置がある。半導体レ
ーザ素子１０の一方の共振器端面１３から出射したレー
ザ光１４はレンズ１６を通過し、反射体１６により反射
され、反射光１７は再びレンズ１５を通過し、半導体レ
ーザ素子１゜に入射する。他方の共振器端面１８から出
射したレーザ光１ｇ１ｄ、光ファイバ２０に結合される
。
このような構成では、光帰還によって反射雑音を抑圧し
、同時に単−縦モート発振が可能となるが、反射体１６
の反射率が小さい場合には、光ファイバ２０からの反射
光２３の影待を除去し得ないという問題があった。
、同時に単−縦モート発振が可能となるが、反射体１６
の反射率が小さい場合には、光ファイバ２０からの反射
光２３の影待を除去し得ないという問題があった。
発明の目的
本発明は、上記従来の問題点を解消するもので、光帰還
によって半導体レーザ素子の反射雑音を抑圧し、同時に
単−縦モード発振を図った光通信用光源に好適な半導体
レーザ装置を供給−することを目的とする。
によって半導体レーザ素子の反射雑音を抑圧し、同時に
単−縦モード発振を図った光通信用光源に好適な半導体
レーザ装置を供給−することを目的とする。
発明の構成
本発明は、半導体レーザ素子に対向して九ファイバを配
置し、前記光ファイバのクラッド部の［）？Ｉ記半導体
レしザ素子側のＣ−高面を凹面として前記半導体レーザ
素子からの出射光の一部を前記半導体レーザ素子へ輻還
し、前記出射光の一部を肖ファイバに結合することを特
徴とする半導体レーザ装置市であり、前記九ファイバの
コア部の前記士、冴体レーザ素子９ＩＩＩの端面を凸面
としてもよく、前記尤ファイバのクラッド部の前記゛ｔ
′：導体レーザし了側の端面に反射増加膜をコートして
も」、く、斗だ、前記光ファイバのクラッド部の前記士
−！４体し−ザ素子側の端面を凹面グレーティ７グとし
てもよい構成である。
置し、前記光ファイバのクラッド部の［）？Ｉ記半導体
レしザ素子側のＣ−高面を凹面として前記半導体レーザ
素子からの出射光の一部を前記半導体レーザ素子へ輻還
し、前記出射光の一部を肖ファイバに結合することを特
徴とする半導体レーザ装置市であり、前記九ファイバの
コア部の前記士、冴体レーザ素子９ＩＩＩの端面を凸面
としてもよく、前記尤ファイバのクラッド部の前記゛ｔ
′：導体レーザし了側の端面に反射増加膜をコートして
も」、く、斗だ、前記光ファイバのクラッド部の前記士
−！４体し−ザ素子側の端面を凹面グレーティ７グとし
てもよい構成である。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。第３
図は第１の実施例であり、Ｖ・導体レーザ素子２４の共
振器端面２７から出射したレーザ光のうち、レーザ光２
８は光ファイバ２９のコア部３０に結合さ７１５ レー
ザ光３１は光ファイバ２９のクラッド部３２の半導体レ
ーザ素子２４ＩｌｌｌＩの凹面状の端面によって反射さ
れ、反射光３３は古び半導体レーザ素子２４に入射する
。この時、半導体レーザ素子２４内のレーザ光と反射光
３３の位相が合致するように光ファイバ２９の位置を微
調整する。
図は第１の実施例であり、Ｖ・導体レーザ素子２４の共
振器端面２７から出射したレーザ光のうち、レーザ光２
８は光ファイバ２９のコア部３０に結合さ７１５ レー
ザ光３１は光ファイバ２９のクラッド部３２の半導体レ
ーザ素子２４ＩｌｌｌＩの凹面状の端面によって反射さ
れ、反射光３３は古び半導体レーザ素子２４に入射する
。この時、半導体レーザ素子２４内のレーザ光と反射光
３３の位相が合致するように光ファイバ２９の位置を微
調整する。
このようにすれば、半導体レーザ素子２４自身の共振器
に加えて、共振器端面２７とクラッド部３２の凹面上の
端面で外部共振器を構成する複合共振器構成の半導体レ
ーザ装置となり、光ファイバ２９の位置を微調整するこ
とにより、半導体レーザ素子２４に光を帰還すると、位
相条件が整えらＪｌ。た時、半導体レーザ素子２４は単
−縦モード発振を行い、光ファイバ２９を反射体とする
ため、反射体以外からの位相の乱れた反射光がなくなり
、反射雑音を完全に抑圧することかできる。また、外部
に反射体を用いることなく、複合共振器を構ｔ、Ｖ−Ｊ
″ノ、ご夫ｈ；でへ一部・ｊφ着刑半導体レしザ誌、冒
を小ノ〜１ノ化するこにかてきゐ。
に加えて、共振器端面２７とクラッド部３２の凹面上の
端面で外部共振器を構成する複合共振器構成の半導体レ
ーザ装置となり、光ファイバ２９の位置を微調整するこ
とにより、半導体レーザ素子２４に光を帰還すると、位
相条件が整えらＪｌ。た時、半導体レーザ素子２４は単
−縦モード発振を行い、光ファイバ２９を反射体とする
ため、反射体以外からの位相の乱れた反射光がなくなり
、反射雑音を完全に抑圧することかできる。また、外部
に反射体を用いることなく、複合共振器を構ｔ、Ｖ−Ｊ
″ノ、ご夫ｈ；でへ一部・ｊφ着刑半導体レしザ誌、冒
を小ノ〜１ノ化するこにかてきゐ。
第４図Ｖ支、第２の実施例てあり、４４フアイバ２９の
コア部３４の′ｌ″−導体レーザ素子２４側の端面を凸
面としたものである。このようにすれは、高い結合効率
を得ることができ、この半導体レーザ装置を光通信用光
源とした場合、（４躇離伝送が［可能となる。
コア部３４の′ｌ″−導体レーザ素子２４側の端面を凸
面としたものである。このようにすれは、高い結合効率
を得ることができ、この半導体レーザ装置を光通信用光
源とした場合、（４躇離伝送が［可能となる。
第５図は、第３の実施例であり、九ファイバ２９のクラ
ッド部３２の半導体レ−→）素子２４１則の端面に反射
増加膜３５をコートしたものである。このようにすれば
、半導体レーづ素子２４−＼の反射光量を多くすること
ができ、゛を導体レーザ装置を・より安定に・ｄ＋イ乍
することができる。
ッド部３２の半導体レ−→）素子２４１則の端面に反射
増加膜３５をコートしたものである。このようにすれば
、半導体レーづ素子２４−＼の反射光量を多くすること
ができ、゛を導体レーザ装置を・より安定に・ｄ＋イ乍
することができる。
第６図は第４の実施例であり、光ファイバ２９のクラッ
ド部３６の）１′・ｑ体し−ザ素ｆ−２４側の端面を凹
面クレーティング３７としだものである。
ド部３６の）１′・ｑ体し−ザ素ｆ−２４側の端面を凹
面クレーティング３７としだものである。
このように−ｊ ；ｈば、九ファイバ２９の位置を微調
整することにより、第７１．、ｆｆ１（ａ）に示すよう
な光帰還のない場合の多十−ト発振周波数のうち第７図
（ｂ）に小すように、発振周波数を選択して申−縦モー
ド発振とすることができる。また、本実施例では、実効
的な格子溝本数を多くするため、光ファイバ２９の半導
体レーザ素子２４側の端部を大きくしている。
整することにより、第７１．、ｆｆ１（ａ）に示すよう
な光帰還のない場合の多十−ト発振周波数のうち第７図
（ｂ）に小すように、発振周波数を選択して申−縦モー
ド発振とすることができる。また、本実施例では、実効
的な格子溝本数を多くするため、光ファイバ２９の半導
体レーザ素子２４側の端部を大きくしている。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体レーザ素子に対向して光
ファイバを配置し、前記光ファイバのクラッド部の前記
半導体レーザ素子側の端面を外部共＃ＦＲ器端面端面た
複合共振器を構成することにより、反射雑音を完全に抑
圧し、同時に単−縦モード発賑とすることができ、また
、外部に反射体を必要とせず、小型化が可能であり、光
通信用光源あるいは光フアイバセンサー用光源等に用い
る場合に極めて有利な光帰還型半導体レーザ装置を実現
できるものである。
ファイバを配置し、前記光ファイバのクラッド部の前記
半導体レーザ素子側の端面を外部共＃ＦＲ器端面端面た
複合共振器を構成することにより、反射雑音を完全に抑
圧し、同時に単−縦モード発賑とすることができ、また
、外部に反射体を必要とせず、小型化が可能であり、光
通信用光源あるいは光フアイバセンサー用光源等に用い
る場合に極めて有利な光帰還型半導体レーザ装置を実現
できるものである。
第１図は従来の半導体レーザ装置の断面図、第２図は従
来提案されている光帰還型半導体レーザ装置の概略断面
図、第３図〜第６図は本発明の具体的な実施例の断面図
、第７図（ａ）は第１図の半導体レーザ装置の縦モード
スペクトル図、第７図（ｂ）は第６図光帰還型士導体レ
−サ装置の縦モートスペクトル図である。 ２４・・・・・・半導体レーザ素−ト、２５・ 半導体
レーザの活性層、２６・・・・半導体レーザのクラット
層、２了・・・半導体レーザの共振器端面、２８゜３１
・・・・・出射レーザ光、２９・・・・・光ファイバ、
３０・・・・・光ファイバのコア部、３２・・・・光フ
ァイバのクラッド部、３３・・反射光、３４・ 光ファ
イバのコア部、３５ ・ 反射増加膜、３６ 九ファイ
バのクラッド部、３７・ 凹面グレーティ７グ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 Ｂ 第４図 第５し１ ３５ 第６図 第７図 ＶｏＶ。
来提案されている光帰還型半導体レーザ装置の概略断面
図、第３図〜第６図は本発明の具体的な実施例の断面図
、第７図（ａ）は第１図の半導体レーザ装置の縦モード
スペクトル図、第７図（ｂ）は第６図光帰還型士導体レ
−サ装置の縦モートスペクトル図である。 ２４・・・・・・半導体レーザ素−ト、２５・ 半導体
レーザの活性層、２６・・・・半導体レーザのクラット
層、２了・・・半導体レーザの共振器端面、２８゜３１
・・・・・出射レーザ光、２９・・・・・光ファイバ、
３０・・・・・光ファイバのコア部、３２・・・・光フ
ァイバのクラッド部、３３・・反射光、３４・ 光ファ
イバのコア部、３５ ・ 反射増加膜、３６ 九ファイ
バのクラッド部、３７・ 凹面グレーティ７グ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 Ｂ 第４図 第５し１ ３５ 第６図 第７図 ＶｏＶ。
Claims (4)
- （１） 半導体レーザふ子に対向してコア部およびクラ
ット部を有する光ファイバを配置し、前記光ファイバの
クラッド部の前記半導体レーザ素子１１′１１］の端面
を凹面どして前記十愕体レーザ素子からの出射光の一部
を反射させて前記半導体レーザ素子に帰還し、前記出射
光の一部を前記光ファイバに結合することを特徴とする
光帰還型半導体レーザ装置。 - （２）光ファイバのコア部の半導体レーザ素子＋ｌ］１
１の端面を凸面とすることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光帰還型半導体レーザ装置。 - （３）九ファイバのクラッド部の半導体レーザ素子側の
端面に反射増加膜をコートすることを特徴とする特許請
求の範囲第１項又は第２項記載の光帰還型半導体レーザ
装置。 - （４）光ファイバのクラット部の半導体レーザ素子側の
端面を凹ｔ？Ｌｉクレーティングと吏ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又（ｒ、１第２項１．［）・ｉ
改の光帰還型半導体レーザ装ｆ〆１″。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10291784A JPS60246688A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10291784A JPS60246688A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246688A true JPS60246688A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14340206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10291784A Pending JPS60246688A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246688A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135421U (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-18 | ||
| FR2685096A1 (fr) * | 1991-12-16 | 1993-06-18 | Commissariat Energie Atomique | Miroir optique integre et son procede de fabrication. |
| US6996311B1 (en) | 2002-11-07 | 2006-02-07 | Pentax Corporation | Optical communication device |
| US7043118B2 (en) | 2002-05-22 | 2006-05-09 | Pentax Corporation | Optical communication apparatus |
| US7050677B2 (en) | 2002-11-05 | 2006-05-23 | Pentax Corporation | Optical fiber and method for producing the same |
| KR100775413B1 (ko) | 2006-04-06 | 2007-11-12 | 한국정보통신대학교 산학협력단 | 외부 공진기를 가지는 단일 모드 광원 장치 |
| JP2011155194A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置および光ファイバ |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP10291784A patent/JPS60246688A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135421U (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-18 | ||
| FR2685096A1 (fr) * | 1991-12-16 | 1993-06-18 | Commissariat Energie Atomique | Miroir optique integre et son procede de fabrication. |
| US5323407A (en) * | 1991-12-16 | 1994-06-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Integrated optical mirror and its production process |
| US7043118B2 (en) | 2002-05-22 | 2006-05-09 | Pentax Corporation | Optical communication apparatus |
| US7050677B2 (en) | 2002-11-05 | 2006-05-23 | Pentax Corporation | Optical fiber and method for producing the same |
| US6996311B1 (en) | 2002-11-07 | 2006-02-07 | Pentax Corporation | Optical communication device |
| KR100775413B1 (ko) | 2006-04-06 | 2007-11-12 | 한국정보통신대학교 산학협력단 | 외부 공진기를 가지는 단일 모드 광원 장치 |
| JP2011155194A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置および光ファイバ |
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