JPS6220716B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6220716B2
JPS6220716B2 JP57027603A JP2760382A JPS6220716B2 JP S6220716 B2 JPS6220716 B2 JP S6220716B2 JP 57027603 A JP57027603 A JP 57027603A JP 2760382 A JP2760382 A JP 2760382A JP S6220716 B2 JPS6220716 B2 JP S6220716B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
semiconductor device
metal block
semiconductor element
stem
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57027603A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58145169A (ja
Inventor
Shozo Noguchi
Yasunobu Ooshima
Tooru Kamata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP57027603A priority Critical patent/JPS58145169A/ja
Priority to US06/468,316 priority patent/US4567598A/en
Priority to EP83101770A priority patent/EP0087167B1/en
Priority to DE8383101770T priority patent/DE3379305D1/de
Publication of JPS58145169A publication Critical patent/JPS58145169A/ja
Publication of JPS6220716B2 publication Critical patent/JPS6220716B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光半導体装置の構造に関する。
一般に光半導体装置に於いては、光半導体素子
より発光した光を、その伝達媒体となる光フアイ
バー端面に効率よく集め、光フアイバーでの結合
出力を大きくすることが重要である。この結合出
力を大きくする為、光半導体素子より広がりをも
つて発光した光をレンズで集光したり、略平行光
線にかえ、光フアイバー端面に入光させている。
このような光学系においては、光半導体素子の発
光面より光フアイバー端面までの全ての部材の光
軸を合わせることが不可欠となる。
また、光半導体装置動作時に光半導体素子より
発生する熱を効率よく放熱させることも重要であ
る。この為、従来の光半導体装置に於いては、モ
ニター光取出し用の貫通孔を有するステムに、高
熱伝導性の金属よりなる矩形あるいは半円柱状を
した金属ブロツクを接合し、該金属ブロツク上に
光半導体素子を固定してなる構造を有していた。
このような従来の光半導体装置に於いては、光
半導体装置動作中に、温度が変化すると金属ブロ
ツクとステムベースの熱膨張差で生じる熱応力に
より金属ブロツクが変形し光半導体素子固定部が
変位する。このため光フアイバー端面での結合効
率が低下するという欠点を有していた。このこと
は特にコアー径の小さいシングルモードフアイバ
ーを使用する場合は顕著である。
本発明は従来の光半導体装置のかかる欠点を除
去し光半導体装置動作中の温度変化に対し、結合
出力の安定した、かつ放熱性の優れた信頼度の高
い光半導体装置を提供することを目的とするもの
である。
即ち、本発明は、ほぼリング形状をしたステム
ベースとの接合部を有し、かつそのリングのほぼ
中心部に突出した、光半導体素子載置部を有する
金属ブロツクをステムに接合し、光半導体素子を
固定したことを特徴とするものである。
このような本発明の光半導体装置に於いては、
金属ブロツクとステムの接合部が略リング形状で
かつ光半導体素子が略リングの中心部で固定され
ている為金属ブロツクとステムの熱膨張差で生じ
る熱応力を、リング半径方向にほぼ均一に作用さ
せることができる為金属ブロツクの光半導体素子
載置部で、熱変形を小さくすることができる。こ
の為、光半導体装置動作中の温度変化に対し光半
導体素子固定部が移動することなく、光フアイバ
ー端面での結合出力の安定した光半導体装置を提
供することが可能である。
また、本発明の光半導体装置によれば、従来の
光半導体装置の矩形ないし半円柱状の金属ブロツ
クと比較し、ほぼリング形状をしたステムとの接
合部を有している為、ステムとの接合面積を大き
くすることができる為、光半導体素子より発生す
る熱を有効に放散させることができる為、信頼度
の高い、光半導体装置を提供することが可能であ
る。
次に本発明を更に詳細に説明する為、従来の光
半導体装置ならびに本発明の光半導体装置の一実
施例につき図面を参照して説明する。
第1図は、従来の光半導体装置の蓋部材をとり
除いた上面図、第2図は、その縦断面図である。
第3図は、本発明の光半導体装置の一実施例の蓋
部材をとり除いた上面図、第4図は、その縦断面
図である。
第1図、第2図に於いて、100はステムでス
テムベース101に外部導出リード102がガラ
ス103で気密封着されている。また、ステムベ
ース101の中心部にはモニター光取出し用の貫
通孔104が設けられ、貫通孔104はガラスあ
るいはサフアイア等よりなるモニター窓部材10
5で気密封止されている。ステムベース101に
は、高熱伝導性の金属よりなり、上部が貫通孔1
04のほぼ中心部に突出した光半導体素子111
の載置部106を有する、略矩形ないし半円柱状
をした金属ブロツク107が接合されている。光
半導体素子111は金属ブロツク107の光半導
体素子111の載置部106に固定され、光半導
体素子111の電極(図示せず)は、外部導出リ
ード102と、金属細線108で電気的に接続さ
れている。また、ステムベース101には中央に
ガラスあるいはサフアイア等よりなる窓部材10
9の固定された蓋部材110が光半導体装置内部
が気密になるよう取付けられている。
このような従来の光半導体装置に於ては、金属
ブロツク107とステムベース101の熱膨張差
で生じる熱応力により金属ブロツク107が変形
し、光半導体装置動作中に温度が変化すると、光
半導体素子111の載置部106が移動し、光フ
アイバー(図示せず)端面での結合出力が変動す
るといつた欠点を有していた。
本発明は従来の光半導体装置のかかる欠点を除
去し、光半導体装置動作中の温度変化に対し結合
出力の安定した、かつ放熱性の優れた、信頼度の
高い光半導体装置を提供することを目的とするも
のである。
次に本発明の光半導体装置の一実施例につき図
面を参照して説明する。
第3図、第4図に於いて、207は高熱伝導性
の金属よりなる金属ブロツクで、ほぼリング形状
をしたステムベース201との接合部212を有
し、かつ該リングの中心部に突出した光半導体素
子211の載置部206を有している。金属ブロ
ツク207は、ステムベース201の中心部に設
けられたモニター光取出し用の貫通孔204の周
囲を囲むように、接合部211でステムベース2
01と接合されている。なお、その他の構成につ
いては、従来の光半導体装置と同一であるので、
ここでは説明を省略する。
このような本発明の光半導体装置によれば、金
属ブロツク207とステムベース201の接合部
212がほぼリング形状で、かつ光半導体素子2
11がリングの中心部に相当する位置で固定され
ている為、金属ブロツク207とステムベース2
01の熱膨張差で生じる熱応力を、リング半径方
向にほぼ均一に作用させることができる為、金属
ブロツク207の光半導体素子211の載置部2
06の熱変形を小さくすることができる。この
為、光半導体装置動作中の温度変化に対し、光半
導体素子205の載置部206が移動することな
く、光フアイバー端面での結合出力の変動のない
安定した光半導体装置を提供することが可能であ
る。
また、このような本発明の光半導体装置によれ
ば従来の光半導体装置の矩形ないし半円柱状の金
属ブロツク107と比較し、ほぼリング形状をし
たステムベース201との接合部212を有して
いる為ステムベース201との接合面積を大きく
することができる。この為、光半導体素子より発
生する熱を有効に放散させることができ、信頼度
の高い光半導体装置を提供することが可能であ
る。
以上、本発明の一実施例につき、図面を参照し
て説明したが、本発明の効果は、特許請求範囲に
記す、全ての光半導体装置に及ぶことは明らかで
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の光半導体装置の蓋部材をとり除
いた上面図であり、第2図は従来の光半導体装置
の縦断面図である。第3図は本発明の光半導体装
置の一実施例の蓋部材をとり除いた上面図であ
り、第4図は本発明の光半導体装置の一実施例を
示す縦断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ステムベースの中央部にモニター光取出し用
    の貫通孔を有するステム上に、高熱伝導性を有す
    る金属ブロツクを固定し、該金属ブロツクに光半
    導体素子を塔載してなる光半導体装置において、
    該金属ブロツクは、ステムベースと接合する為
    の、ほぼリング形状をした接合部とリングの中心
    部まで突出した光半導体素子載置部を有し、該接
    合部で、前記モニター光取出し用の貫通孔を囲み
    ステムベースに接合されていることを特徴とする
    光半導体装置。
JP57027603A 1982-02-23 1982-02-23 光半導体装置 Granted JPS58145169A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57027603A JPS58145169A (ja) 1982-02-23 1982-02-23 光半導体装置
US06/468,316 US4567598A (en) 1982-02-23 1983-02-22 Optoelectronic semiconductor devices in hermetically sealed packages
EP83101770A EP0087167B1 (en) 1982-02-23 1983-02-23 Hermetically sealed package for optoelectronic semiconductor devices
DE8383101770T DE3379305D1 (en) 1982-02-23 1983-02-23 Hermetically sealed package for optoelectronic semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57027603A JPS58145169A (ja) 1982-02-23 1982-02-23 光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58145169A JPS58145169A (ja) 1983-08-29
JPS6220716B2 true JPS6220716B2 (ja) 1987-05-08

Family

ID=12225494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57027603A Granted JPS58145169A (ja) 1982-02-23 1982-02-23 光半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4567598A (ja)
EP (1) EP0087167B1 (ja)
JP (1) JPS58145169A (ja)
DE (1) DE3379305D1 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4661959A (en) * 1984-02-17 1987-04-28 Ricoh Company, Ltd. Lasing device
DE3413748A1 (de) * 1984-04-12 1985-10-17 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Optisches system
GB2166003B (en) * 1984-10-18 1989-06-07 Sean Noone Photo-electric switch
US4763334A (en) * 1985-01-30 1988-08-09 Ricoh Company, Ltd. Laser beam emitting apparatus
JPS6340387A (ja) * 1986-08-05 1988-02-20 Sharp Corp 半導体レ−ザ装置
US4805177A (en) * 1988-04-25 1989-02-14 Laser Diode Products, Inc. Laser construction
US4910741A (en) * 1988-06-06 1990-03-20 Massachusetts Institute Of Technology Laser diode source assembly
US4953006A (en) * 1989-07-27 1990-08-28 Northern Telecom Limited Packaging method and package for edge-coupled optoelectronic device
US5296724A (en) * 1990-04-27 1994-03-22 Omron Corporation Light emitting semiconductor device having an optical element
US5156999A (en) * 1990-06-08 1992-10-20 Wai-Hon Lee Packaging method for semiconductor laser/detector devices
US5268922A (en) * 1991-10-31 1993-12-07 International Business Machines Corporation Laser diode assembly
JPH06314857A (ja) * 1993-03-04 1994-11-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
US5521932A (en) * 1994-05-03 1996-05-28 Light Solutions Corporation Scalable side-pumped solid-state laser
US5511085A (en) * 1994-09-02 1996-04-23 Light Solutions Corporation Passively stabilized intracavity doubling laser
US5982789A (en) * 1995-11-22 1999-11-09 Light Solutions Corporation Pulsed laser with passive stabilization
US5663979A (en) * 1995-11-22 1997-09-02 Light Solutions Corporation Fiber stub end-pumped laser
US6141143A (en) * 1998-05-01 2000-10-31 Light Solutions Corporation CW laser amplifier
JP3914670B2 (ja) * 1999-11-18 2007-05-16 パイオニア株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールの半導体レーザ素子の取り付け方法
JP3682221B2 (ja) * 2000-11-28 2005-08-10 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
US6834154B2 (en) 2001-07-24 2004-12-21 3M Innovative Properties Co. Tooling fixture for packaged optical micro-mechanical devices
US6798954B2 (en) 2001-07-24 2004-09-28 3M Innovative Properties Company Packaged optical micro-mechanical device
US6771859B2 (en) 2001-07-24 2004-08-03 3M Innovative Properties Company Self-aligning optical micro-mechanical device package
CN100435438C (zh) * 2002-02-14 2008-11-19 菲尼萨公司 具有集成的冷却装置的头装置
CN1327581C (zh) * 2002-03-25 2007-07-18 三洋电机株式会社 半导体激光器件
TW540816U (en) * 2002-05-30 2003-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Semiconductor package
US7061949B1 (en) 2002-08-16 2006-06-13 Jds Uniphase Corporation Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth
JP2004152845A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Sharp Corp 半導体レーザ装置
WO2008103678A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-28 Efw Inc. Temperature controlled photodetector

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51126783A (en) * 1975-04-01 1976-11-05 Int Standard Electric Corp Laser bolt mounting stool and laser device
JPS566494A (en) * 1979-06-26 1981-01-23 Philips Nv Semiconductor laser device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5422115B2 (ja) * 1972-05-19 1979-08-04
GB1403801A (en) * 1973-01-30 1975-08-28 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor device stud mount
US3946416A (en) * 1973-04-24 1976-03-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low impedance diode mounting structure and housing
DE2741700A1 (de) * 1977-09-16 1979-03-22 Siemens Ag Einrichtung zum ueberwachen der emission eines halbleiterstrahlers
JPS54101296A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Nec Corp Photo semiconductor device
US4167744A (en) * 1978-03-23 1979-09-11 Rca Corporation Electroluminescent semiconductor device having optical fiber window
JPS54158890A (en) * 1978-06-06 1979-12-15 Nec Corp Semiconductor light emitting device
JPS54162986A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Sharp Corp Fitting structure of semiconductor laser unit
NL178376C (nl) * 1978-06-19 1986-03-03 Philips Nv Koppelelement met een lichtbron en een lens.
US4240098A (en) * 1978-09-28 1980-12-16 Exxon Research & Engineering Co. Semiconductor optoelectronic device package
JPS5837713B2 (ja) * 1978-12-01 1983-08-18 富士通株式会社 半導体レ−ザ−装置の製造方法
US4267559A (en) * 1979-09-24 1981-05-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Low thermal impedance light-emitting diode package
US4394679A (en) * 1980-09-15 1983-07-19 Rca Corporation Light emitting device with a continuous layer of copper covering the entire header
DE3048533C2 (de) * 1980-12-22 1985-01-10 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München Anordnung zur Temperaturstabilisierung von Halbleiterlasern

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51126783A (en) * 1975-04-01 1976-11-05 Int Standard Electric Corp Laser bolt mounting stool and laser device
JPS566494A (en) * 1979-06-26 1981-01-23 Philips Nv Semiconductor laser device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0087167B1 (en) 1989-03-01
EP0087167A3 (en) 1986-03-19
US4567598A (en) 1986-01-28
JPS58145169A (ja) 1983-08-29
DE3379305D1 (en) 1989-04-06
EP0087167A2 (en) 1983-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6220716B2 (ja)
US4167744A (en) Electroluminescent semiconductor device having optical fiber window
JPH07202091A (ja) ヒートシンクの留め具
JPS5831735B2 (ja) コウガクテキハンドウタイソウチ
JP2001358398A (ja) 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール
JP3469304B2 (ja) 半導体装置
US6646291B2 (en) Advanced optical module which enables a surface mount configuration
JPH059689Y2 (ja)
JP2616671B2 (ja) 光学モジュール装置
JP2768852B2 (ja) 半導体光デバイス及びその組立方法
JPS5925284A (ja) 光半導体装置
JP3420406B2 (ja) 光通信用モジュール
JPS584836B2 (ja) 光半導体素子パッケ−ジ
JPH0459791B2 (ja)
JP2001168447A (ja) レーザーダイオード光モジュール
JP2002329920A (ja) 光モジュール
JPS5949708B2 (ja) 光半導体装置
JP3453989B2 (ja) 光半導体素子モジュール
JP3501257B2 (ja) 半導体装置
JP3560571B2 (ja) 半導体装置
JPH08179170A (ja) 熱電子冷却素子付半導体レーザモジュール
JPS61153360U (ja)
JPH0617260U (ja) 気密封止ケース一体型ペルチェクーラー
JPH1140896A (ja) 光ファイバモジュール
JPS6390185A (ja) 半導体発光装置