JPS6220716B2 - - Google Patents
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- JPS6220716B2 JPS6220716B2 JP57027603A JP2760382A JPS6220716B2 JP S6220716 B2 JPS6220716 B2 JP S6220716B2 JP 57027603 A JP57027603 A JP 57027603A JP 2760382 A JP2760382 A JP 2760382A JP S6220716 B2 JPS6220716 B2 JP S6220716B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
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- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光半導体装置の構造に関する。
一般に光半導体装置に於いては、光半導体素子
より発光した光を、その伝達媒体となる光フアイ
バー端面に効率よく集め、光フアイバーでの結合
出力を大きくすることが重要である。この結合出
力を大きくする為、光半導体素子より広がりをも
つて発光した光をレンズで集光したり、略平行光
線にかえ、光フアイバー端面に入光させている。
このような光学系においては、光半導体素子の発
光面より光フアイバー端面までの全ての部材の光
軸を合わせることが不可欠となる。
より発光した光を、その伝達媒体となる光フアイ
バー端面に効率よく集め、光フアイバーでの結合
出力を大きくすることが重要である。この結合出
力を大きくする為、光半導体素子より広がりをも
つて発光した光をレンズで集光したり、略平行光
線にかえ、光フアイバー端面に入光させている。
このような光学系においては、光半導体素子の発
光面より光フアイバー端面までの全ての部材の光
軸を合わせることが不可欠となる。
また、光半導体装置動作時に光半導体素子より
発生する熱を効率よく放熱させることも重要であ
る。この為、従来の光半導体装置に於いては、モ
ニター光取出し用の貫通孔を有するステムに、高
熱伝導性の金属よりなる矩形あるいは半円柱状を
した金属ブロツクを接合し、該金属ブロツク上に
光半導体素子を固定してなる構造を有していた。
発生する熱を効率よく放熱させることも重要であ
る。この為、従来の光半導体装置に於いては、モ
ニター光取出し用の貫通孔を有するステムに、高
熱伝導性の金属よりなる矩形あるいは半円柱状を
した金属ブロツクを接合し、該金属ブロツク上に
光半導体素子を固定してなる構造を有していた。
このような従来の光半導体装置に於いては、光
半導体装置動作中に、温度が変化すると金属ブロ
ツクとステムベースの熱膨張差で生じる熱応力に
より金属ブロツクが変形し光半導体素子固定部が
変位する。このため光フアイバー端面での結合効
率が低下するという欠点を有していた。このこと
は特にコアー径の小さいシングルモードフアイバ
ーを使用する場合は顕著である。
半導体装置動作中に、温度が変化すると金属ブロ
ツクとステムベースの熱膨張差で生じる熱応力に
より金属ブロツクが変形し光半導体素子固定部が
変位する。このため光フアイバー端面での結合効
率が低下するという欠点を有していた。このこと
は特にコアー径の小さいシングルモードフアイバ
ーを使用する場合は顕著である。
本発明は従来の光半導体装置のかかる欠点を除
去し光半導体装置動作中の温度変化に対し、結合
出力の安定した、かつ放熱性の優れた信頼度の高
い光半導体装置を提供することを目的とするもの
である。
去し光半導体装置動作中の温度変化に対し、結合
出力の安定した、かつ放熱性の優れた信頼度の高
い光半導体装置を提供することを目的とするもの
である。
即ち、本発明は、ほぼリング形状をしたステム
ベースとの接合部を有し、かつそのリングのほぼ
中心部に突出した、光半導体素子載置部を有する
金属ブロツクをステムに接合し、光半導体素子を
固定したことを特徴とするものである。
ベースとの接合部を有し、かつそのリングのほぼ
中心部に突出した、光半導体素子載置部を有する
金属ブロツクをステムに接合し、光半導体素子を
固定したことを特徴とするものである。
このような本発明の光半導体装置に於いては、
金属ブロツクとステムの接合部が略リング形状で
かつ光半導体素子が略リングの中心部で固定され
ている為金属ブロツクとステムの熱膨張差で生じ
る熱応力を、リング半径方向にほぼ均一に作用さ
せることができる為金属ブロツクの光半導体素子
載置部で、熱変形を小さくすることができる。こ
の為、光半導体装置動作中の温度変化に対し光半
導体素子固定部が移動することなく、光フアイバ
ー端面での結合出力の安定した光半導体装置を提
供することが可能である。
金属ブロツクとステムの接合部が略リング形状で
かつ光半導体素子が略リングの中心部で固定され
ている為金属ブロツクとステムの熱膨張差で生じ
る熱応力を、リング半径方向にほぼ均一に作用さ
せることができる為金属ブロツクの光半導体素子
載置部で、熱変形を小さくすることができる。こ
の為、光半導体装置動作中の温度変化に対し光半
導体素子固定部が移動することなく、光フアイバ
ー端面での結合出力の安定した光半導体装置を提
供することが可能である。
また、本発明の光半導体装置によれば、従来の
光半導体装置の矩形ないし半円柱状の金属ブロツ
クと比較し、ほぼリング形状をしたステムとの接
合部を有している為、ステムとの接合面積を大き
くすることができる為、光半導体素子より発生す
る熱を有効に放散させることができる為、信頼度
の高い、光半導体装置を提供することが可能であ
る。
光半導体装置の矩形ないし半円柱状の金属ブロツ
クと比較し、ほぼリング形状をしたステムとの接
合部を有している為、ステムとの接合面積を大き
くすることができる為、光半導体素子より発生す
る熱を有効に放散させることができる為、信頼度
の高い、光半導体装置を提供することが可能であ
る。
次に本発明を更に詳細に説明する為、従来の光
半導体装置ならびに本発明の光半導体装置の一実
施例につき図面を参照して説明する。
半導体装置ならびに本発明の光半導体装置の一実
施例につき図面を参照して説明する。
第1図は、従来の光半導体装置の蓋部材をとり
除いた上面図、第2図は、その縦断面図である。
第3図は、本発明の光半導体装置の一実施例の蓋
部材をとり除いた上面図、第4図は、その縦断面
図である。
除いた上面図、第2図は、その縦断面図である。
第3図は、本発明の光半導体装置の一実施例の蓋
部材をとり除いた上面図、第4図は、その縦断面
図である。
第1図、第2図に於いて、100はステムでス
テムベース101に外部導出リード102がガラ
ス103で気密封着されている。また、ステムベ
ース101の中心部にはモニター光取出し用の貫
通孔104が設けられ、貫通孔104はガラスあ
るいはサフアイア等よりなるモニター窓部材10
5で気密封止されている。ステムベース101に
は、高熱伝導性の金属よりなり、上部が貫通孔1
04のほぼ中心部に突出した光半導体素子111
の載置部106を有する、略矩形ないし半円柱状
をした金属ブロツク107が接合されている。光
半導体素子111は金属ブロツク107の光半導
体素子111の載置部106に固定され、光半導
体素子111の電極(図示せず)は、外部導出リ
ード102と、金属細線108で電気的に接続さ
れている。また、ステムベース101には中央に
ガラスあるいはサフアイア等よりなる窓部材10
9の固定された蓋部材110が光半導体装置内部
が気密になるよう取付けられている。
テムベース101に外部導出リード102がガラ
ス103で気密封着されている。また、ステムベ
ース101の中心部にはモニター光取出し用の貫
通孔104が設けられ、貫通孔104はガラスあ
るいはサフアイア等よりなるモニター窓部材10
5で気密封止されている。ステムベース101に
は、高熱伝導性の金属よりなり、上部が貫通孔1
04のほぼ中心部に突出した光半導体素子111
の載置部106を有する、略矩形ないし半円柱状
をした金属ブロツク107が接合されている。光
半導体素子111は金属ブロツク107の光半導
体素子111の載置部106に固定され、光半導
体素子111の電極(図示せず)は、外部導出リ
ード102と、金属細線108で電気的に接続さ
れている。また、ステムベース101には中央に
ガラスあるいはサフアイア等よりなる窓部材10
9の固定された蓋部材110が光半導体装置内部
が気密になるよう取付けられている。
このような従来の光半導体装置に於ては、金属
ブロツク107とステムベース101の熱膨張差
で生じる熱応力により金属ブロツク107が変形
し、光半導体装置動作中に温度が変化すると、光
半導体素子111の載置部106が移動し、光フ
アイバー(図示せず)端面での結合出力が変動す
るといつた欠点を有していた。
ブロツク107とステムベース101の熱膨張差
で生じる熱応力により金属ブロツク107が変形
し、光半導体装置動作中に温度が変化すると、光
半導体素子111の載置部106が移動し、光フ
アイバー(図示せず)端面での結合出力が変動す
るといつた欠点を有していた。
本発明は従来の光半導体装置のかかる欠点を除
去し、光半導体装置動作中の温度変化に対し結合
出力の安定した、かつ放熱性の優れた、信頼度の
高い光半導体装置を提供することを目的とするも
のである。
去し、光半導体装置動作中の温度変化に対し結合
出力の安定した、かつ放熱性の優れた、信頼度の
高い光半導体装置を提供することを目的とするも
のである。
次に本発明の光半導体装置の一実施例につき図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
第3図、第4図に於いて、207は高熱伝導性
の金属よりなる金属ブロツクで、ほぼリング形状
をしたステムベース201との接合部212を有
し、かつ該リングの中心部に突出した光半導体素
子211の載置部206を有している。金属ブロ
ツク207は、ステムベース201の中心部に設
けられたモニター光取出し用の貫通孔204の周
囲を囲むように、接合部211でステムベース2
01と接合されている。なお、その他の構成につ
いては、従来の光半導体装置と同一であるので、
ここでは説明を省略する。
の金属よりなる金属ブロツクで、ほぼリング形状
をしたステムベース201との接合部212を有
し、かつ該リングの中心部に突出した光半導体素
子211の載置部206を有している。金属ブロ
ツク207は、ステムベース201の中心部に設
けられたモニター光取出し用の貫通孔204の周
囲を囲むように、接合部211でステムベース2
01と接合されている。なお、その他の構成につ
いては、従来の光半導体装置と同一であるので、
ここでは説明を省略する。
このような本発明の光半導体装置によれば、金
属ブロツク207とステムベース201の接合部
212がほぼリング形状で、かつ光半導体素子2
11がリングの中心部に相当する位置で固定され
ている為、金属ブロツク207とステムベース2
01の熱膨張差で生じる熱応力を、リング半径方
向にほぼ均一に作用させることができる為、金属
ブロツク207の光半導体素子211の載置部2
06の熱変形を小さくすることができる。この
為、光半導体装置動作中の温度変化に対し、光半
導体素子205の載置部206が移動することな
く、光フアイバー端面での結合出力の変動のない
安定した光半導体装置を提供することが可能であ
る。
属ブロツク207とステムベース201の接合部
212がほぼリング形状で、かつ光半導体素子2
11がリングの中心部に相当する位置で固定され
ている為、金属ブロツク207とステムベース2
01の熱膨張差で生じる熱応力を、リング半径方
向にほぼ均一に作用させることができる為、金属
ブロツク207の光半導体素子211の載置部2
06の熱変形を小さくすることができる。この
為、光半導体装置動作中の温度変化に対し、光半
導体素子205の載置部206が移動することな
く、光フアイバー端面での結合出力の変動のない
安定した光半導体装置を提供することが可能であ
る。
また、このような本発明の光半導体装置によれ
ば従来の光半導体装置の矩形ないし半円柱状の金
属ブロツク107と比較し、ほぼリング形状をし
たステムベース201との接合部212を有して
いる為ステムベース201との接合面積を大きく
することができる。この為、光半導体素子より発
生する熱を有効に放散させることができ、信頼度
の高い光半導体装置を提供することが可能であ
る。
ば従来の光半導体装置の矩形ないし半円柱状の金
属ブロツク107と比較し、ほぼリング形状をし
たステムベース201との接合部212を有して
いる為ステムベース201との接合面積を大きく
することができる。この為、光半導体素子より発
生する熱を有効に放散させることができ、信頼度
の高い光半導体装置を提供することが可能であ
る。
以上、本発明の一実施例につき、図面を参照し
て説明したが、本発明の効果は、特許請求範囲に
記す、全ての光半導体装置に及ぶことは明らかで
ある。
て説明したが、本発明の効果は、特許請求範囲に
記す、全ての光半導体装置に及ぶことは明らかで
ある。
第1図は従来の光半導体装置の蓋部材をとり除
いた上面図であり、第2図は従来の光半導体装置
の縦断面図である。第3図は本発明の光半導体装
置の一実施例の蓋部材をとり除いた上面図であ
り、第4図は本発明の光半導体装置の一実施例を
示す縦断面図である。
いた上面図であり、第2図は従来の光半導体装置
の縦断面図である。第3図は本発明の光半導体装
置の一実施例の蓋部材をとり除いた上面図であ
り、第4図は本発明の光半導体装置の一実施例を
示す縦断面図である。
Claims (1)
- 1 ステムベースの中央部にモニター光取出し用
の貫通孔を有するステム上に、高熱伝導性を有す
る金属ブロツクを固定し、該金属ブロツクに光半
導体素子を塔載してなる光半導体装置において、
該金属ブロツクは、ステムベースと接合する為
の、ほぼリング形状をした接合部とリングの中心
部まで突出した光半導体素子載置部を有し、該接
合部で、前記モニター光取出し用の貫通孔を囲み
ステムベースに接合されていることを特徴とする
光半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57027603A JPS58145169A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 光半導体装置 |
US06/468,316 US4567598A (en) | 1982-02-23 | 1983-02-22 | Optoelectronic semiconductor devices in hermetically sealed packages |
EP83101770A EP0087167B1 (en) | 1982-02-23 | 1983-02-23 | Hermetically sealed package for optoelectronic semiconductor devices |
DE8383101770T DE3379305D1 (en) | 1982-02-23 | 1983-02-23 | Hermetically sealed package for optoelectronic semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57027603A JPS58145169A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58145169A JPS58145169A (ja) | 1983-08-29 |
JPS6220716B2 true JPS6220716B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=12225494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57027603A Granted JPS58145169A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 光半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4567598A (ja) |
EP (1) | EP0087167B1 (ja) |
JP (1) | JPS58145169A (ja) |
DE (1) | DE3379305D1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4661959A (en) * | 1984-02-17 | 1987-04-28 | Ricoh Company, Ltd. | Lasing device |
DE3413748A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-10-17 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Optisches system |
GB2166003B (en) * | 1984-10-18 | 1989-06-07 | Sean Noone | Photo-electric switch |
US4763334A (en) * | 1985-01-30 | 1988-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Laser beam emitting apparatus |
JPS6340387A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
US4805177A (en) * | 1988-04-25 | 1989-02-14 | Laser Diode Products, Inc. | Laser construction |
US4910741A (en) * | 1988-06-06 | 1990-03-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Laser diode source assembly |
US4953006A (en) * | 1989-07-27 | 1990-08-28 | Northern Telecom Limited | Packaging method and package for edge-coupled optoelectronic device |
US5296724A (en) * | 1990-04-27 | 1994-03-22 | Omron Corporation | Light emitting semiconductor device having an optical element |
US5156999A (en) * | 1990-06-08 | 1992-10-20 | Wai-Hon Lee | Packaging method for semiconductor laser/detector devices |
US5268922A (en) * | 1991-10-31 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Laser diode assembly |
JPH06314857A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
US5521932A (en) * | 1994-05-03 | 1996-05-28 | Light Solutions Corporation | Scalable side-pumped solid-state laser |
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