JP2003304022A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステムの製造コストを低減できて、しかもレ
ーザ素子の寿命特性や温度特性が低下するのを阻止でき
る半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置は、レーザチップ１
と、このレーザチップ１を搭載するブロック部２ａを有
するステム２と、ブロック部２ａを覆うようにステム２
に取り付けられたキャップ４とを備えている。ブロック
部２ａの一部が入る切り欠き部４ｂをキャップ４に設け
ている。これにより、ブロック部２ａを拡大できるの
で、例えば鍛造によりブロック部２ａとステム２とを一
体に形成して、ステム２の製造コストを低減することが
できる。
ーザ素子の寿命特性や温度特性が低下するのを阻止でき
る半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置は、レーザチップ１
と、このレーザチップ１を搭載するブロック部２ａを有
するステム２と、ブロック部２ａを覆うようにステム２
に取り付けられたキャップ４とを備えている。ブロック
部２ａの一部が入る切り欠き部４ｂをキャップ４に設け
ている。これにより、ブロック部２ａを拡大できるの
で、例えば鍛造によりブロック部２ａとステム２とを一
体に形成して、ステム２の製造コストを低減することが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザ装置としては、図４
に示すように、キャンパッケージタイプのものがある。
図４の半導体レーザ装置は、ステム１０２とキャップ１
０３との２体構造となっている。上記ステム１０２は、
レーザチップ１０１を搭載するブロック部１０３を有し
ている。このブロック部１０３はレーザチップ１０１を
搭載する土台であると同時に、動作時にレーザチップ１
０１から出る熱をステム１０２の本体に効率的に伝える
役割を果たす。また、上記レーザチップ１０１が出射し
たレーザ光は、キャップ１０４の窓１０４ｃを介して外
部に出る。その窓１０４ｃには窓ガラス１０８を取り付
けている。
に示すように、キャンパッケージタイプのものがある。
図４の半導体レーザ装置は、ステム１０２とキャップ１
０３との２体構造となっている。上記ステム１０２は、
レーザチップ１０１を搭載するブロック部１０３を有し
ている。このブロック部１０３はレーザチップ１０１を
搭載する土台であると同時に、動作時にレーザチップ１
０１から出る熱をステム１０２の本体に効率的に伝える
役割を果たす。また、上記レーザチップ１０１が出射し
たレーザ光は、キャップ１０４の窓１０４ｃを介して外
部に出る。その窓１０４ｃには窓ガラス１０８を取り付
けている。
【０００３】近年、光ディスクドライブの薄型化のため
に、光ピックアップ装置の薄型化が求められ、さらに半
導体レーザ装置の小型化が求められています。具体的に
は、半導体レーザ装置のパッケージは、現在標準とされ
ているサイズで直径５．６ミリメートルであるが、直径
３．５ミリメートル以下のサイズに小型化することが求
められている。
に、光ピックアップ装置の薄型化が求められ、さらに半
導体レーザ装置の小型化が求められています。具体的に
は、半導体レーザ装置のパッケージは、現在標準とされ
ているサイズで直径５．６ミリメートルであるが、直径
３．５ミリメートル以下のサイズに小型化することが求
められている。
【０００４】上記パッケージの小型化を行うために、パ
ッケージの寸法を単純に小さくすると、図４の従来例の
ように、レーザチップ１０１を搭載するブロック部１０
３が細長い形状になる。上記ブロック部１０３が細長く
なる理由を以下に説明する。
ッケージの寸法を単純に小さくすると、図４の従来例の
ように、レーザチップ１０１を搭載するブロック部１０
３が細長い形状になる。上記ブロック部１０３が細長く
なる理由を以下に説明する。
【０００５】近年の書き込み用光ディスクドライブの高
速化対応で、レーザ出力の高出力化を求められている。
これに答えるため、レーザチップ１０１の寸法は０．８
ミリメートル程度以上の大きさに設定している。これ
は、電流密度低減や放熱性の向上のためである。そし
て、上記レーザチップ１０１を搭載するブロック部１０
３の下部のアール等のために、ステム１０２のブロック
部１０３の高さが１．０ミリメートル以上必要になりま
す。さらに、上記ブロック部１０３とキャップ部１０４
とが干渉しないようにすると、ブロック部１０３は細長
い形状になる。
速化対応で、レーザ出力の高出力化を求められている。
これに答えるため、レーザチップ１０１の寸法は０．８
ミリメートル程度以上の大きさに設定している。これ
は、電流密度低減や放熱性の向上のためである。そし
て、上記レーザチップ１０１を搭載するブロック部１０
３の下部のアール等のために、ステム１０２のブロック
部１０３の高さが１．０ミリメートル以上必要になりま
す。さらに、上記ブロック部１０３とキャップ部１０４
とが干渉しないようにすると、ブロック部１０３は細長
い形状になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
半導体レーザ装置では、ブロック部１０３が細長いた
め、鍛造でステムを作製することができない。したがっ
て、銅などの材料で製作したブロック部１０３をステム
１０２にロウ付けすることが必要となって、ステム１０
２の製造コストが高くなるという問題がある。
半導体レーザ装置では、ブロック部１０３が細長いた
め、鍛造でステムを作製することができない。したがっ
て、銅などの材料で製作したブロック部１０３をステム
１０２にロウ付けすることが必要となって、ステム１０
２の製造コストが高くなるという問題がある。
【０００７】また、上記ブロック部１０３は細長くなる
と、放熱が悪くなり、動作時にレーザチップ１０１の温
度が上昇してしまう。その結果、上記レーザチップ１０
１において、寿命特性や温度特性の劣化が生じるという
問題がある。
と、放熱が悪くなり、動作時にレーザチップ１０１の温
度が上昇してしまう。その結果、上記レーザチップ１０
１において、寿命特性や温度特性の劣化が生じるという
問題がある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、ステムの製造コ
ストを低減できて、しかもレーザチップの寿命特性や温
度特性が低下するのを阻止できる半導体レーザ装置を提
供することにある。
ストを低減できて、しかもレーザチップの寿命特性や温
度特性が低下するのを阻止できる半導体レーザ装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体レーザ装置は、レーザ素子と、この
レーザ素子を搭載するブロック部を有するステムと、上
記ブロック部を覆うように上記ステムに取り付けられた
キャップとを備えた半導体レーザ装置において、上記キ
ャップに、上記ブロック部の一部が入る切り欠き部を設
けたことを特徴としている。
め、本発明の半導体レーザ装置は、レーザ素子と、この
レーザ素子を搭載するブロック部を有するステムと、上
記ブロック部を覆うように上記ステムに取り付けられた
キャップとを備えた半導体レーザ装置において、上記キ
ャップに、上記ブロック部の一部が入る切り欠き部を設
けたことを特徴としている。
【００１０】上記構成の半導体レーザ装置によれば、上
記ブロック部の一部が入る切り欠き部をキャップに設け
ているので、ブロック部を拡大することができる。した
がって、例えば鍛造によりブロック部とステムとを一体
に形成して、ステムの製造コストを低減することができ
る。
記ブロック部の一部が入る切り欠き部をキャップに設け
ているので、ブロック部を拡大することができる。した
がって、例えば鍛造によりブロック部とステムとを一体
に形成して、ステムの製造コストを低減することができ
る。
【００１１】また、上記ブロック部を拡大することによ
り、ブロック部の放熱性が向上し、動作時にレーザ素子
の温度が上昇しない。その結果、上記レーザ素子の寿命
特性や温度特性が低下するのを阻止できる。
り、ブロック部の放熱性が向上し、動作時にレーザ素子
の温度が上昇しない。その結果、上記レーザ素子の寿命
特性や温度特性が低下するのを阻止できる。
【００１２】また、上記ブロック部を例えば銅で形成し
た場合、ブロック部の放熱性をより向上させることがで
きる。
た場合、ブロック部の放熱性をより向上させることがで
きる。
【００１３】一実施形態の半導体レーザ装置は、上記キ
ャップにおいて上記ステムと反対側の端部に設けられた
窓には、封止ガラスが取り付けられていると共に、上記
切り欠き部と上記ブロック部との間の隙間は、熱硬化性
の樹脂で塞がれている。
ャップにおいて上記ステムと反対側の端部に設けられた
窓には、封止ガラスが取り付けられていると共に、上記
切り欠き部と上記ブロック部との間の隙間は、熱硬化性
の樹脂で塞がれている。
【００１４】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記キャップの窓に封止ガラスを取り付けると共
に、切り欠き部とブロック部との間の隙間を熱硬化性の
樹脂で塞ぐので、キャップを密閉することができる。し
たがって、例えば湿気がキャップ内に入らず、レーザ素
子が湿気で劣化するのを防ぐことができる。
ば、上記キャップの窓に封止ガラスを取り付けると共
に、切り欠き部とブロック部との間の隙間を熱硬化性の
樹脂で塞ぐので、キャップを密閉することができる。し
たがって、例えば湿気がキャップ内に入らず、レーザ素
子が湿気で劣化するのを防ぐことができる。
【００１５】一実施形態の半導体レーザ装置は、上記キ
ャップにおいて上記ステムと反対側の端部に設けられた
窓には、封止ガラスが取り付けられていると共に、上記
切り欠き部と上記ブロック部とは電気溶接で接合されて
いる。
ャップにおいて上記ステムと反対側の端部に設けられた
窓には、封止ガラスが取り付けられていると共に、上記
切り欠き部と上記ブロック部とは電気溶接で接合されて
いる。
【００１６】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記キャップの窓に封止ガラスを取り付けると共
に、切り欠き部とブロック部とを電気溶接で接合するの
で、キャップを密閉することができる。したがって、例
えば湿気がキャップ内に入らず、レーザ素子が湿気で劣
化するのを防ぐことができる。
ば、上記キャップの窓に封止ガラスを取り付けると共
に、切り欠き部とブロック部とを電気溶接で接合するの
で、キャップを密閉することができる。したがって、例
えば湿気がキャップ内に入らず、レーザ素子が湿気で劣
化するのを防ぐことができる。
【００１７】一実施形態の半導体レーザ装置は、上記ス
テムと上記ブロック部とは一体に形成されている。
テムと上記ブロック部とは一体に形成されている。
【００１８】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記ステムとブロック部とが一体であるから、ステ
ムの製造コストを低減することができる。
ば、上記ステムとブロック部とが一体であるから、ステ
ムの製造コストを低減することができる。
【００１９】一実施形態の半導体レーザ装置は、上記ブ
ロック部は高熱伝導材料からなる。
ロック部は高熱伝導材料からなる。
【００２０】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記ブロック部は高熱伝導材料からなるので、ブロ
ック部の放熱性をより向上させることができる。
ば、上記ブロック部は高熱伝導材料からなるので、ブロ
ック部の放熱性をより向上させることができる。
【００２１】一実施形態の半導体レーザ装置は、上記ブ
ロック部のレーザ出射方向の高さが１．０ミリメートル
〜１．７ミリメートルである。
ロック部のレーザ出射方向の高さが１．０ミリメートル
〜１．７ミリメートルである。
【００２２】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記ブロック部とステムとを例えば鍛造で一体に形
成する観点上、ブロック部のレーザ出射方向の高さが
１．０ミリメートル〜１．７ミリメートルであるのが好
ましい。
ば、上記ブロック部とステムとを例えば鍛造で一体に形
成する観点上、ブロック部のレーザ出射方向の高さが
１．０ミリメートル〜１．７ミリメートルであるのが好
ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体レーザ装置
を図示の実施の形態により詳細に説明する。
を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２４】図１は本発明の実施の一形態の半導体レー
ザ装置をレーザ光の出射側から見た図であり、図２は上
記半導体レーザ装置を側方から見た図である。
ザ装置をレーザ光の出射側から見た図であり、図２は上
記半導体レーザ装置を側方から見た図である。
【００２５】上記半導体レーザ装置は、図１，図２に示
すように、レーザ素子としてのレーザチップ１と、この
レーザチップ１を搭載するブロック部２ａを有するステ
ム２と、ブロック部２ａを覆うようにステム２に取り付
けられた有底円筒形状のキャップ４とを備えている。
すように、レーザ素子としてのレーザチップ１と、この
レーザチップ１を搭載するブロック部２ａを有するステ
ム２と、ブロック部２ａを覆うようにステム２に取り付
けられた有底円筒形状のキャップ４とを備えている。
【００２６】上記ステム２においてキャップ４と反対側
には、リードピン６を設けている。上記ステム２は鍛造
で作製されて、ステム２とブロック部２ａとが一体化し
いている。また、上記ステム２とブロック部２ａとは高
熱伝導材料からなっている。そして、上記ブロック部２
ａの幅（図１中の左右方向の長さ）は、半径方向外側に
向かって拡大している。上記ブロック部２ａの半径方向
内側の端面はレーザチップ１の搭載面である。このた
め、上記ブロック部２ａの半径方向内側の端面は平面に
している。また、上記ブロック部２ａの半径方向外側の
端面は円弧面になっている。そして、上記ブロック部２
ａの高さ（光出射方向の長さ）は１．０ミリメートル〜
１．７ミリメートルになっている。
には、リードピン６を設けている。上記ステム２は鍛造
で作製されて、ステム２とブロック部２ａとが一体化し
いている。また、上記ステム２とブロック部２ａとは高
熱伝導材料からなっている。そして、上記ブロック部２
ａの幅（図１中の左右方向の長さ）は、半径方向外側に
向かって拡大している。上記ブロック部２ａの半径方向
内側の端面はレーザチップ１の搭載面である。このた
め、上記ブロック部２ａの半径方向内側の端面は平面に
している。また、上記ブロック部２ａの半径方向外側の
端面は円弧面になっている。そして、上記ブロック部２
ａの高さ（光出射方向の長さ）は１．０ミリメートル〜
１．７ミリメートルになっている。
【００２７】上記キャップ４は、ステム２のブロック部
２ａに干渉する部分を切り欠いた構造になっている。具
体的には、上記キャップ４の側部には、ブロック部２ａ
の一部が入る切り欠き部４ｂを設けている。またキャッ
プ４のステム２側の端部には、円弧を有するつば部４ａ
を設けている。上記キャップ４の切り欠き部４ｂから
は、ブロック部２ａの半径方向外側の端面が露出してい
る。また、上記切り欠き部４ｂにおいてキャップ４とブ
ロック部２との間の隙間は熱硬化性の樹脂５で塞いでい
る。そして、図３に示すように、上記キャップ４におい
てステム２と反対側の端部には窓４ｃを設けていて、レ
ーザチップ１から出射されたレーザ光が窓４ｃを通過す
る。
２ａに干渉する部分を切り欠いた構造になっている。具
体的には、上記キャップ４の側部には、ブロック部２ａ
の一部が入る切り欠き部４ｂを設けている。またキャッ
プ４のステム２側の端部には、円弧を有するつば部４ａ
を設けている。上記キャップ４の切り欠き部４ｂから
は、ブロック部２ａの半径方向外側の端面が露出してい
る。また、上記切り欠き部４ｂにおいてキャップ４とブ
ロック部２との間の隙間は熱硬化性の樹脂５で塞いでい
る。そして、図３に示すように、上記キャップ４におい
てステム２と反対側の端部には窓４ｃを設けていて、レ
ーザチップ１から出射されたレーザ光が窓４ｃを通過す
る。
【００２８】上記構成の半導体レーザ装置によれば、ブ
ロック部２ａの一部が入る切り欠き部４ｂをキャップ４
に設けているので、ブロック部２ａはキャップ４つば部
４ａの直径部分まで広げることができる。つまり、上記
ブロック部２ａの半径方向の長さを延ばすことができ
る。したがって、上記ブロック部２ａを拡大できるの
で、例えば鍛造によりブロック部２ａとステム２とを一
体に形成して、ステム２の製造コストを低減することが
できる。
ロック部２ａの一部が入る切り欠き部４ｂをキャップ４
に設けているので、ブロック部２ａはキャップ４つば部
４ａの直径部分まで広げることができる。つまり、上記
ブロック部２ａの半径方向の長さを延ばすことができ
る。したがって、上記ブロック部２ａを拡大できるの
で、例えば鍛造によりブロック部２ａとステム２とを一
体に形成して、ステム２の製造コストを低減することが
できる。
【００２９】また、上記ブロック部２ａを拡大すること
により、ブロック部２ａの放熱性が向上し、動作時にレ
ーザチップ１の温度が上昇しない。その結果、上記レー
ザチップ１の寿命特性や温度特性が低下するのを阻止で
きる。
により、ブロック部２ａの放熱性が向上し、動作時にレ
ーザチップ１の温度が上昇しない。その結果、上記レー
ザチップ１の寿命特性や温度特性が低下するのを阻止で
きる。
【００３０】また、上記ブロック部２ａを例えば銅で形
成した場合、ブロック部２ａの放熱性をより向上させる
ことができる。
成した場合、ブロック部２ａの放熱性をより向上させる
ことができる。
【００３１】上記実施の形態では、切り欠き部４ｂにお
いてキャップ４とブロック部２ａとの間の隙間を熱硬化
性の樹脂５で塞いでいたが、切り欠き部４ｂとブロック
部２ａとの間の隙間を電気溶接で塞いでもよい。この電
気溶接は、切り欠き部４ｂとブロック部２ａとの間の隙
間が狭い場合に使用するのが好ましい。
いてキャップ４とブロック部２ａとの間の隙間を熱硬化
性の樹脂５で塞いでいたが、切り欠き部４ｂとブロック
部２ａとの間の隙間を電気溶接で塞いでもよい。この電
気溶接は、切り欠き部４ｂとブロック部２ａとの間の隙
間が狭い場合に使用するのが好ましい。
【００３２】また、上記実施の形態では、封止ガラスと
しての窓ガラスをキャップ４の窓４ｃに取り付けてなか
ったが、窓ガラスをキャップ４の窓４ｃに取り付けても
よい。例えば、上記レーザチップ１が湿度などにより劣
化する場合は、窓４ｃが封止ガラスとしての窓ガラスで
塞がれたキャップ、つまり封止ガラス付キャップをステ
ム２に取り付けた後、乾燥空気中や窒素雰囲気中で、ブ
ロック部２ａと切り欠き部４ｂとの間の隙間を熱硬化性
の樹脂等で塞いでもよい。
しての窓ガラスをキャップ４の窓４ｃに取り付けてなか
ったが、窓ガラスをキャップ４の窓４ｃに取り付けても
よい。例えば、上記レーザチップ１が湿度などにより劣
化する場合は、窓４ｃが封止ガラスとしての窓ガラスで
塞がれたキャップ、つまり封止ガラス付キャップをステ
ム２に取り付けた後、乾燥空気中や窒素雰囲気中で、ブ
ロック部２ａと切り欠き部４ｂとの間の隙間を熱硬化性
の樹脂等で塞いでもよい。
【００３３】以下に、本発明の半導体レーザ装置の製造
方法の一例について述べておく。
方法の一例について述べておく。
【００３４】まず、上記レーザチップ１をステム２のブ
ロック部２ａにマウントする。上記レーザチップ１をマ
ウントする際には、ロウ材としてＩｎロウ材を用いる。
また、上記ブロック部２ａがサブマウントを有する場合
は、レーザチップ１とサブマウトとをロウ材で接合して
もよい。このときに使用するロウ材としては、例えばＡ
ｕＳｎ等がある。そして、上記サブマウントは、銀ペー
ストや金属ロウ材（ＩｎやＡｕＳｎ等）を用いてブロッ
ク部２ａと接合してもよい。
ロック部２ａにマウントする。上記レーザチップ１をマ
ウントする際には、ロウ材としてＩｎロウ材を用いる。
また、上記ブロック部２ａがサブマウントを有する場合
は、レーザチップ１とサブマウトとをロウ材で接合して
もよい。このときに使用するロウ材としては、例えばＡ
ｕＳｎ等がある。そして、上記サブマウントは、銀ペー
ストや金属ロウ材（ＩｎやＡｕＳｎ等）を用いてブロッ
ク部２ａと接合してもよい。
【００３５】その後、上記レーザチップ１とステム２の
リードピン６とをＡｕ線で接合する。
リードピン６とをＡｕ線で接合する。
【００３６】次に、上記ブロック部２ａと干渉しないよ
うにキャップ４を回転方向に位置合わせし、ブロック部
２ａをキャップ４で覆い、ステム２とキャップ４とを電
気溶接により接合して、半導体レーザ装置が完成する。
うにキャップ４を回転方向に位置合わせし、ブロック部
２ａをキャップ４で覆い、ステム２とキャップ４とを電
気溶接により接合して、半導体レーザ装置が完成する。
【００３７】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の半導
体レーザ装置は、ブロック部の一部が入る切り欠き部を
キャップに設けていることにより、ブロック部を拡大す
ることができるので、例えば鍛造によりブロック部とス
テムとを一体に形成して、ステムの製造コストを低減す
ることができる。
体レーザ装置は、ブロック部の一部が入る切り欠き部を
キャップに設けていることにより、ブロック部を拡大す
ることができるので、例えば鍛造によりブロック部とス
テムとを一体に形成して、ステムの製造コストを低減す
ることができる。
【００３８】また、上記ブロック部を拡大することによ
り、ブロック部の放熱性が向上するので、動作時にレー
ザ素子の温度が上昇せず、レーザ素子の寿命特性や温度
特性が低下するのを阻止できる。
り、ブロック部の放熱性が向上するので、動作時にレー
ザ素子の温度が上昇せず、レーザ素子の寿命特性や温度
特性が低下するのを阻止できる。
【００３９】また、本発明の半導体レーザ装置は、ブロ
ック部とステムとを一体に形成できるので、量産に優
れ、小型でかつ放熱性のよいステムを作製できる。
ック部とステムとを一体に形成できるので、量産に優
れ、小型でかつ放熱性のよいステムを作製できる。
【図１】 図１は本発明の実施の一形態の半導体レーザ
装置の正面図である。
装置の正面図である。
【図２】 図２は上記半導体レーザ装置の側面図であ
る。
る。
【図３】 図３は上記半導体レーザ装置の一部を断面で
示した模式側面図である。
示した模式側面図である。
【図４】 図４は従来の半導体レーザ装置の一部を断面
で示した模式側面図である。
で示した模式側面図である。
１ レーザチップ
２ ステム
２ａ ブロック部
４ キャップ
４ｂ 切り欠き部
５ 樹脂
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザ素子と、このレーザ素子を搭載す
るブロック部を有するステムと、上記ブロック部を覆う
ように上記ステムに取り付けられたキャップとを備えた
半導体レーザ装置において、 上記キャップに、上記ブロック部の一部が入る切り欠き
部を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記キャップにおいて上記ステムと反対側の端部に設け
られた窓には、封止ガラスが取り付けられていると共
に、 上記切り欠き部と上記ブロック部との間の隙間は、熱硬
化性の樹脂で塞がれていることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記キャップにおいて上記ステムと反対側の端部に設け
られた窓には、封止ガラスが取り付けられていると共
に、 上記切り欠き部と上記ブロック部とは電気溶接で接合さ
れていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置において、 上記ステムと上記ブロック部とは一体に形成されている
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置において、 上記ブロック部は高熱伝導材料からなることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記ブロック部のレーザ出射方向の高さが１．０ミリメ
ートル〜１．７ミリメートルであることを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002110431A JP2003304022A (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | 半導体レーザ装置 |
| US10/410,304 US6996143B2 (en) | 2002-04-12 | 2003-04-10 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002110431A JP2003304022A (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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