JPH0267903A - 光量調節装置 - Google Patents

光量調節装置

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JPH0267903A
JPH0267903A JP63218523A JP21852388A JPH0267903A JP H0267903 A JPH0267903 A JP H0267903A JP 63218523 A JP63218523 A JP 63218523A JP 21852388 A JP21852388 A JP 21852388A JP H0267903 A JPH0267903 A JP H0267903A
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light emitting
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Naoto Abe
直人 阿部
Koji Uda
宇田　幸二
Isamu Shimoda
下田　勇
Shunichi Uzawa
鵜澤　俊一
Tetsushi Nose
哲志 野瀬
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    • H01S5/06216—Pulse modulation or generation

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ａ業上の利用分野］ 本発明は、光量調節装置に関し、特に高精度光学測定装
置において発光素子から光学系を介して光電変換素子に
入射する光束の光量を制御する光量調節装置に関する。
［従来の技術〕 従来、高精度光学測定装置の光量調節は、発光素子（例
えば、半導体レーザ等の光源）の発光光量すなわち発光
出力をアナログ的に可変して光電変換素子に入射させる
ことにより行なっていた。
第６図は、従来の光学測定装置の構成の一例を示す概略
ブロック図である。同図において、１０１は発光素子で
ある半導体レーザ、６０１は半導体レーザ１０１を駆動
するＬＤドライバ、６０２は半導体レーザ１０１の発光
出力を調節する光出力調節器、１０３は高精度光学測定
を行なう光学系、１０４は、光学系１０３を通過した光
束を受光するＣＣＤ等のラインセンサ、１０６は、ライ
ンセンサ１０４により光電変換された電気信号を処理す
る信号処理部である。Ｓはラインセンサ１０４に入射す
る光束の光量を示す。
半導体レーザ１０１は、光出力調節器６０２により設定
された光量でＬＤドライバ６０１により駆動される。そ
して、半導体レーザ１０１より発光した光束は、光学系
１０３を通過して光学情報（例えば、位置情報）を持っ
た光束となり、ラインセンサ１０４により光電変換され
る。ラインセンサ１０４の出力は信号処理部１０６で処
理され、各種の光学情報（例えば、位置情報）となる。
かかる光学測定装置において、ラインセンサ１０４に入
射する光束の光量が少ない場合は、ラインセンサ１０４
により光電変換された電気信号の振幅が小さくなり電気
的ノイズ等によりＳ／Ｎが悪化し、信号処理部１０６の
処理結果の精度が悪化する。また、逆にラインセンサ１
０４に入射する光束の光量が多い場合は、ラインセンサ
１０４により光電変換された電気信号が飽和してしまい
、やはり信号処理部１０６の処理結果の精度が悪化する
。
そのため、従来このような測定系で測定を行なう際に光
学系の透過率、反射率、屈折率および回折効率等が変化
する場合は、光源である発光素子の発光光量すなわち発
光出力をアナログ的に可変して光電変換素子に入射する
光量を最適になるように制御していた。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の方式では、半導体レーザ１０１に
流す電流を変化させてその発光出力をアナログ的に変化
させていたため、発熱等により発振モードや発振波長、
コヒーレント長、発光点位置およびファーフィールドパ
ターン等が変化してしまうという問題点があった。そし
て、光学系の透過率や反射率、屈折率、回折効率等がそ
れらの影響を受け、高精度光学測定装置では重大な問題
となっていた。
本発明の目的は、上述の従来形における問題点に鑑み、
光源の発振モードや発振波長、コヒーレント長、発光点
位置、ファーフィールドパターン等の変化を生じずに光
量調節を行なうことができ、これにより光学系の透過率
や反射率、屈折率、回折効率等に対する影響を無くして
、高精度の光学測定を可能とする光量調節装置を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するため、本発明は、発光素子と光学
系および発光素子から発光され光学系を通過した光束を
受光する充電変換素子を有する光学測定装置において、
発光素子が光電変換素子の光電変換開始時刻以前に発光
を開始し光電変換素子の光電変換時間内に発光を終了す
るようにし、光電変換素子の充電変換開始時刻から発光
素子の発光終了時刻までの時間を可変することによって
、上記光電変換素子に入射する光束の光量を最適に制御
するようにしている。
かかる制御は、例えば発光素子の発光時間と光電変換素
子の受光時間の周期をとるタイミング回路と、発光素子
の発光強度が一定になるように駆動しさらに発光の点燈
および消燈を制御できる発光素子駆動回路と、タイミン
グ回路の信号によって光電変換素子の受光時間を制御で
きる光電変換素子駆動回路とを具備することにより実現
される。
［作　用］ 上記構成によれば、光電変換素子の受光する光量をアナ
ログ的でなく発光時間を最適に制御することができ、発
光素子の発振モードや発振波長、コヒーレント長、発光
点位置、ファーフィールドパターン等の変化が無い光量
調節が可能になる。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る光量調節装置を用い
た光学測定装置の概略ブロック図である。同図において
、１０１は発光素子である半導体レーザ、１０２は半導
体レーザ１０１を駆動するＬＤドライバ、１０３は光学
系である。この光学系１０３は、例えば特願昭８３−３
３２０３号に示されるような高精度光学測定を行なう光
学系である。１０４は光学系１０３を通過した光束を受
光するＣＯＤ等の蓄積型ラインセンサ、１０５はライン
センサ１０４の蓄積時間等のタイミングを作りラインセ
ンナ１０４を駆動するラインセンサドライバ、１０６は
ラインセンサ１０４の出力を処理し例えば位置情報を持
つ光束の重心等を計算する信号処理部、１０７はＬＤド
ライバ１０２とラインセンサドライバ１０５の同期をと
りさらに半導体レーザ１０１の発光の点燈および消燈を
制御するタイミング回路である。Ｓはラインセンサ１０
４に入射する光束の光量を示す。１０８はタイミング回
路１０７のタイミングを設定するタイミング設定器であ
る。
第２図は、本実施例の装置の動作を示すためのタイミン
グ図である。
第１図において、半導体レーザ１０１の点燈時間Ｔ１お
よび消燈時間Ｔｄのタイミング並びにラインセンサの蓄
積時間Ｔｃおよび転送時間Ｔｔのタイミングは、第２図
のタイミング図に示すようにタイミング回路１０７で同
期がとられる。ここで、タイミング回路１０７は、 Ｔｃ＋Ｔｔ−ＴＪ２＋Ｔｄ となるようにこれらのタイミングを制御する。
第２図において、点燈時間ＴｆＬはラインセンサの転送
時間Ｔｔと蓄積時間Ｔｃにまたがっている。この点燈時
間ＴＪ２のうち、転送時間Ｔｔの側をプリ発光時間”ｒ
ｐ、蓄積時間Ｔｃの側を有効発光時間Ｔｅとする。
プリ発光時間”ｒｐは半導体レーザの構造により決定さ
れる。第３図は、半導体レーザの構造を示す斜視図であ
る。
すなわち同図に示される半導体レーザにおいて、レーザ
チップ３０１の温度変化は、レーザチップ３０１とヒー
トシンク（図示せず）と熱的に結合されたステム３０２
との熱抵抗および熱伝導率、熱容量により決まる。そし
て、レーザチップ３０１の温度が安定するまでの時間Ｔ
ｓよりもプリ発光時間Ｔｐの方が長い時間となるように
、プリ発光時間Ｔｐを決定する。
第４図は、半導体レーザの点燈に伴なうレーザチップ３
０１の温度変化を示すグラフである。レーザチップ３０
１の温度は、熱抵抗および熱伝導率、熱容量によりこの
ような変化を示す。すなわち、半導体レーザを点燈する
と、外温ｔａに対してレーザチップ３０１の温度が上昇
し、ステム３０２に熱伝導することによりてｔａ’　な
る温度に安定する。このような変化は、半導体レーザの
ステム３０２やキャップ３０４の構造や材質によっても
変わる。現在の半導体レーザの構成では、ｔａ’の温度
に対しその１０％以内の範囲に収束するまでの時間Ｔｓ
は０．１〜５　［ｍ５ａｃ］であり、それ以後はレーザ
チップ３０１の温度は安定する。そこで、 Ｔｓ＜Ｔｐ となるようにプリ発光時間Ｔｐの最小値を半導体レーザ
の構造により決定する。
有効発光時間Ｔｅは、ユーザの所望により、０　＜Ｔ　
ｅ　＜Ｔ　ｃ の間で可変することができ、ラインセンサ１０４に対し
て実効的な光量を制御することができる。
すなわち、本実施例ではタイミング回路１０７によって
有効発光時間Ｔｅを制御することができ、これによりラ
インセンサ１０４に入射する光束の実効的な光量を最適
値にすることができる。
例えば、タイミング回路１０７が、蓄積時間Ｔｃの時間
を１００等分した時間を単位として有効発光時間Ｔｅを
制御するとすれば、ラインセンサ１０４に入射する光束
の実効的な光量を１／１００ステツプで制御でき、ライ
ンセンサ１０４に入射する光束の実効的な光量を最適値
に調節することができる。
次に、本発明の第２の実施例を説明する。第２の実施例
の構成を示すブロック図は第１図と同じであるが、第５
図に示すタイミングで動作することを特徴とする。
この実施例では第５図に示すように、有効発光時間Ｔｅ
と蓄積時間Ｔｃを同じ時間として同時に制御することに
よって、ラインセンサ１０４に入射する光束の実効的な
光量を最適値に調節する。
すなわち、 Ｔｃ＋Ｔｔ＝ＴｆＬ＋Ｔｄ　　　ＴｅｘＴｃなる関係で
有効発光時間Ｔｅと蓄積時間Ｔｃを同時に制御して光量
調節する。
基本的な光量制御の方法は、上述した第１の実施例と同
様な理由によって行なうことができる。
さらに、第１の実施例によれば半導体レーザ１０１が発
光していない時間においてもラインセンサ１０４が入射
する光束を受光するという問題があフたか、第２の実施
例によればそのような問題は無くなる。そのため、第１
の実施例と同様に、ラインセンサ１０４に入射する光束
の実効的な光量を最適値に調節することが可能となる上
に、第１の実施例に比べさらにＳ／Ｎの良い信号をライ
ンセンサ１０４から得ることができる。
なお、上述の第１お−よび第２の実施例では、充電変換
素子としてＣＣＤラインセンサを用いた場合を示したが
、本発明においてはラインセンサに限るものでは無い。
例えば光電変換素子としてＣＣＤエリアセンサ等を用い
ることもできる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、光電変換素子の
受光する光束の光量をアナログ的に制御するのではなく
、一定出力の発光素子の発光時間を最適に制御するよう
にしているので、発光素子の発振モードや発振波長、コ
ヒーレント長、発光点位置、ファーフィールドパターン
等の変化を無くして光電変換素子に入射する光束の光量
調節を行なうことが可能になる。
さらに、点燈開始時に発光素子が温度変化する時間にお
いてはセンサが光束を受光しないように制御することが
できるので、発掘モードや発振波長、コヒーレント長、
発光点位置、ファーフィールドパターン等の変化が無い
光束のみを光電変換素子は受光することができる。
そのため、本発明の光量調整装置によって、光源の発振
モードや発振波長、コヒーレント長、発光点位置、ファ
ーフィールドパターン等の変化の影響が生じない光量調
節が可能となった。そして、光学系の透過率や反射率、
屈折率、回折効率等が設計した光源のパラメータから変
化しないので、高精度光学測定が高精度で行なえるよう
になった。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に係る光量調節装置を用い
た光学測定装置の概略ブロック図、第２図は、本実施例
の装置の動作を示すためのタイミング図、 第３図は、半導体レーザの構成を示す斜視図、第４図は
、半導体レーザの電源投入時のレーザチップ温度変化を
示すグラフ、 第５図は、本発明の第２の実施例の動作タイミングを示
すタイミング図、 第６図は、従来の光学測定装置の構成の一例を示す概略
ブロック図である。 １０１：半導体レーザ、 １０２；ＬＤドライバ、 １０３：光学系、 １０４：蓄積型ラインセンサ、 １０５ニラインセンサドライバ、 １０６：信号処理部、 １０７：タイミング回路、 ３０１：レーザチップ、 ３０２：ステム、 ３０３：ＰＩＮチップ、 ３０４：キャップ、 ３０５ニガラス、 ６０１：ＬＤドライバ、 ６０２：光出力調節機。 特許出願人　　　キャノン株式会社 代理人　弁理士　　　伊　東　哲　也 代理人　弁理士　　　伊　東　辰　雄 第 因

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）発光素子、光学系および該発光素子から発光され
    該光学系を通過した光束を受光する光電変換素子を有す
    る光学測定装置における該光電変換素子への入射光量を
    調節する光量調節装置であって、 上記発光素子が上記光電変換素子の光電変換開始時刻以
    前に発光を開始し上記光電変換素子の光電変換時間内に
    発光を終了するようにし、上記光電変換素子の光電変換
    開始時刻から上記発光素子の発光終了時刻までの時間を
    可変することによって、上記光電変換素子に入射する光
    束の光量を制御する手段を具備することを特徴とする光
    量調節装置。
  2. （２）前記光電変換素子が、蓄積型光電変換素子である
    特許請求の範囲第１項記載の光量調節装置。
  3. （３）前記発光素子が、半導体レーザである特許請求の
    範囲第１項または第２項記載の光量調節装置。
  4. （４）前記発光素子の発光出力が一定であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載
    の光量調節装置。
JP63218523A 1988-09-02 1988-09-02 光量調節装置 Pending JPH0267903A (ja)

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EP89308824A EP0357426B1 (en) 1988-09-02 1989-08-31 Light quantity controlling apparatus
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008045926A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Omron Corp 光学式変位センサおよびその制御方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6063196A (en) * 1998-10-30 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber calibration tool
US7023587B2 (en) * 1999-11-12 2006-04-04 Nikon Corporation Image scanning apparatus, recording medium which stores image scanning programs, and data structure
JP2003304022A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Sharp Corp 半導体レーザ装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1559810A (en) * 1975-11-05 1980-01-30 Nat Res Dev Device for measuring light received from an illuminated material
GB1559511A (en) * 1976-09-14 1980-01-23 Post Office Injection lasers
JPS54143109A (en) * 1978-04-28 1979-11-08 Hitachi Ltd Optical information device
FR2436967A1 (fr) * 1978-09-19 1980-04-18 Thomson Csf Procede d'alignement optique de motifs dans deux plans rapproches et dispositif d'alignement mettant en oeuvre un tel procede
JPS57139607A (en) * 1981-02-23 1982-08-28 Hitachi Ltd Position measuring equipment
JPS5882248A (ja) * 1981-11-12 1983-05-17 Canon Inc 自動整合装置
JPS5999721A (ja) * 1982-11-29 1984-06-08 Canon Inc マーク検出装置
FR2538923A1 (fr) * 1982-12-30 1984-07-06 Thomson Csf Procede et dispositif d'alignement optique de motifs dans deux plans rapproches dans un appareil d'exposition comprenant une source de rayonnement divergent
US4634876A (en) * 1983-05-13 1987-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Object position detecting apparatus using accumulation type sensor
US4653903A (en) * 1984-01-24 1987-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPS60163110A (ja) * 1984-02-06 1985-08-26 Canon Inc 位置合わせ装置
JPS60216667A (ja) * 1984-04-11 1985-10-30 Sharp Corp 画像読取装置のｃｃｄセンサ出力回路
CA1210070A (en) * 1984-10-26 1986-08-19 Northern Telecom Limited Laser transmitter
US4685775A (en) * 1985-11-15 1987-08-11 Teradyne, Inc. Light beam positioning apparatus
US4815854A (en) * 1987-01-19 1989-03-28 Nec Corporation Method of alignment between mask and semiconductor wafer
JPS63198387A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Hitachi Ltd 半導体レ−ザアレイ装置
US4864123A (en) * 1987-05-08 1989-09-05 Nikon Corporation Apparatus for detecting the level of an object surface
JPH0810124B2 (ja) * 1987-07-03 1996-01-31 株式会社ニコン 露光装置
DE3743363A1 (de) * 1987-12-21 1989-07-06 Zeiss Carl Fa Verfahren und einrichtung zur regelung der emissionslichtmenge in einem optischen tastkopf
JP2546364B2 (ja) * 1988-02-16 1996-10-23 キヤノン株式会社 位置合わせ装置
US5008797A (en) * 1989-12-20 1991-04-16 Sundstrand Corporation Power converter utilizing line replaceable units

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008045926A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Omron Corp 光学式変位センサおよびその制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0357426A3 (en) 1991-01-23
DE68919179D1 (de) 1994-12-08
EP0357426A2 (en) 1990-03-07
DE68919179T2 (de) 1995-03-30
US5459573A (en) 1995-10-17
EP0357426B1 (en) 1994-11-02

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