JP2001103370A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
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- JP2001103370A JP2001103370A JP27680599A JP27680599A JP2001103370A JP 2001103370 A JP2001103370 A JP 2001103370A JP 27680599 A JP27680599 A JP 27680599A JP 27680599 A JP27680599 A JP 27680599A JP 2001103370 A JP2001103370 A JP 2001103370A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ラインにより受光している時間が異なる。
【解決手段】 二次元状に配列された撮像素子にて像信
号を所定の蓄積時間蓄積し、蓄積された該像信号をライ
ン毎に読み出す撮像装置において、データとして採用す
るラインは全ラインのうち一部のライン＃５〜＃１０で
あって、像信号を形成するための光源の点灯期間の開始
を、一部のラインのうちの指定したライン＃１０の蓄積
開始と同時とした。
号を所定の蓄積時間蓄積し、蓄積された該像信号をライ
ン毎に読み出す撮像装置において、データとして採用す
るラインは全ラインのうち一部のライン＃５〜＃１０で
あって、像信号を形成するための光源の点灯期間の開始
を、一部のラインのうちの指定したライン＃１０の蓄積
開始と同時とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置に係わり、
特に撮像手段の画像情報から位置情報を検出する位置検
出装置用の撮像装置に好適に用いられるものである。
特に撮像手段の画像情報から位置情報を検出する位置検
出装置用の撮像装置に好適に用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】撮像素子に２次元ＭＯＳ型センサを使用
した撮像装置が実用化されている。ＭＯＳ型センサはＣ
ＣＤと比較して構造が簡単、消費電力が少ない、同時読
み出しが可能、非破壊読出しが可能などの数々の利点が
ある。
した撮像装置が実用化されている。ＭＯＳ型センサはＣ
ＣＤと比較して構造が簡単、消費電力が少ない、同時読
み出しが可能、非破壊読出しが可能などの数々の利点が
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、２次元ＭＯＳ
型センサは各画素のフォトダイオードに蓄積された電荷
が転送部に転送されるタイミングが全水平ラインで一括
ではなく、第一ラインから最終ラインまで逐次転送され
るものが普通である。このため、ラインによって光量が
蓄積される時間にずれが生じ、不都合が生じる場合があ
る。例えばテレビ画像のように連続した撮像においては
動きのある被写体の歪みとして現われる。
型センサは各画素のフォトダイオードに蓄積された電荷
が転送部に転送されるタイミングが全水平ラインで一括
ではなく、第一ラインから最終ラインまで逐次転送され
るものが普通である。このため、ラインによって光量が
蓄積される時間にずれが生じ、不都合が生じる場合があ
る。例えばテレビ画像のように連続した撮像においては
動きのある被写体の歪みとして現われる。
【０００４】また、特に閃光あるいは蓄積時間に対して
短い照明光を使用した１フレーム単発のデータを採用す
る装置では、ラインにより受光している時間が異なるこ
とになり、実用上の問題が生じる。
短い照明光を使用した１フレーム単発のデータを採用す
る装置では、ラインにより受光している時間が異なるこ
とになり、実用上の問題が生じる。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】本発明の撮像
装置は、二次元状に配列された撮像素子にて像信号を所
定の蓄積時間蓄積し、蓄積された該像信号をライン毎に
読み出す撮像装置において、データとして採用するライ
ンは全ラインのうち一部のラインであって、前記像信号
を形成するための光源の点灯期間の開始を、該一部のラ
インのうちの指定したラインの蓄積開始と同時としたこ
とを特徴とする。なお、同時とは実質的に同時であれば
よく、実用上問題とならない時間のズレを含むものとす
る。
装置は、二次元状に配列された撮像素子にて像信号を所
定の蓄積時間蓄積し、蓄積された該像信号をライン毎に
読み出す撮像装置において、データとして採用するライ
ンは全ラインのうち一部のラインであって、前記像信号
を形成するための光源の点灯期間の開始を、該一部のラ
インのうちの指定したラインの蓄積開始と同時としたこ
とを特徴とする。なお、同時とは実質的に同時であれば
よく、実用上問題とならない時間のズレを含むものとす
る。
【０００６】また本発明の撮像装置は、二次元状に配列
された撮像素子にて像信号を所定の蓄積時間蓄積し、蓄
積された該像信号をライン毎に読み出す撮像装置におい
て、全ラインのうちｎラインから（ｎ＋ｍ）ラインまで
の像信号を検出するときに、前記像信号を形成するため
の光源の点灯期間を前記（ｎ＋ｍ）ラインの蓄積開始か
ら前記ｎラインの蓄積終了まで又は蓄積終了時の期間内
としたことを特徴とする。
された撮像素子にて像信号を所定の蓄積時間蓄積し、蓄
積された該像信号をライン毎に読み出す撮像装置におい
て、全ラインのうちｎラインから（ｎ＋ｍ）ラインまで
の像信号を検出するときに、前記像信号を形成するため
の光源の点灯期間を前記（ｎ＋ｍ）ラインの蓄積開始か
ら前記ｎラインの蓄積終了まで又は蓄積終了時の期間内
としたことを特徴とする。
【０００７】本発明によれば、データを採用するライン
においては同じタイミングで蓄積を行なったのと同等の
効果が得られる。
においては同じタイミングで蓄積を行なったのと同等の
効果が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。 （第１実施例）本実施例では、Ｘ線光源の半導体露光装
置のマスクとウエハの相対位置ずれ検出に用いる、位置
検出装置の撮像装置に関するものである。
詳細に説明する。 （第１実施例）本実施例では、Ｘ線光源の半導体露光装
置のマスクとウエハの相対位置ずれ検出に用いる、位置
検出装置の撮像装置に関するものである。
【０００９】図１に本発明の第１実施例に係わる位置検
出装置の構成を示す。まず、各構成要素について説明す
る。
出装置の構成を示す。まず、各構成要素について説明す
る。
【００１０】図１に示すように、メインコントローラ６
は計測コントローラ５に対してネットワークＳ６を介し
て計測コマンドの発行、パラメータの設定を行なう。
は計測コントローラ５に対してネットワークＳ６を介し
て計測コマンドの発行、パラメータの設定を行なう。
【００１１】計測コントローラ５は計測コマンドを受取
るとセンサドライバ２に対して計測指令信号Ｓ５を出力
する。また、計測結果が格納された画像メモリ４から必
要なデータを読み出して、信号処理を行なう。それによ
りマスク１１とウエハ１２の位置ずれ量を算出し、計測
結果としてメインコントローラ６に通知する。
るとセンサドライバ２に対して計測指令信号Ｓ５を出力
する。また、計測結果が格納された画像メモリ４から必
要なデータを読み出して、信号処理を行なう。それによ
りマスク１１とウエハ１２の位置ずれ量を算出し、計測
結果としてメインコントローラ６に通知する。
【００１２】センサドライバ２は、計測指令信号Ｓ５に
より計測動作を開始する。２次元センサ１のドライブタ
イミングを生成し、ＬＤドライバ８の点灯タイミングを
制御する。また、センサ出力のタイミング仕様に合わせ
てＡ／Ｄコンバータ３の変換タイミングＳ１０と画像メ
モリ４の書込みタイミングＳ９を制御する。本実施例に
おけるセンサドライバ２のタイミングは、後に図２を用
いて説明する。
より計測動作を開始する。２次元センサ１のドライブタ
イミングを生成し、ＬＤドライバ８の点灯タイミングを
制御する。また、センサ出力のタイミング仕様に合わせ
てＡ／Ｄコンバータ３の変換タイミングＳ１０と画像メ
モリ４の書込みタイミングＳ９を制御する。本実施例に
おけるセンサドライバ２のタイミングは、後に図２を用
いて説明する。
【００１３】次に２次元センサ１について説明する。２
次元センサとしては、例えばＢＡＳＩＳを用いることが
できる。ＢＡＳＩＳとは Base Stored Image Sensor の
略であり、センサ上のＮＰＮトランジスタのベース−コ
レクタ間の空乏領域に電荷を蓄積する構造をもってい
る。蓄積した電荷を転送部に転送するタイミングは、Ｍ
ＯＳ型センサと同様で、第一ラインから最終ラインまで
逐次転送される。すなわち、全水平ラインで一括ではな
い。本実施例で使用しているセンサは横３８０画素、縦
２４４画素で、合計１０万画素弱である。その駆動クロ
ック周波数は２〜８ＭＨｚの範囲である。
次元センサとしては、例えばＢＡＳＩＳを用いることが
できる。ＢＡＳＩＳとは Base Stored Image Sensor の
略であり、センサ上のＮＰＮトランジスタのベース−コ
レクタ間の空乏領域に電荷を蓄積する構造をもってい
る。蓄積した電荷を転送部に転送するタイミングは、Ｍ
ＯＳ型センサと同様で、第一ラインから最終ラインまで
逐次転送される。すなわち、全水平ラインで一括ではな
い。本実施例で使用しているセンサは横３８０画素、縦
２４４画素で、合計１０万画素弱である。その駆動クロ
ック周波数は２〜８ＭＨｚの範囲である。
【００１４】Ａ／Ｄコンバータ３は２次元センサ１から
出力されるセンサ信号Ｓ２をＡ／Ｄ変換するもので、サ
ンプルホールドアンプをチップ内に内蔵している。階調
は１２ビットであり、信号帯域は１０ＭＨｚである。
出力されるセンサ信号Ｓ２をＡ／Ｄ変換するもので、サ
ンプルホールドアンプをチップ内に内蔵している。階調
は１２ビットであり、信号帯域は１０ＭＨｚである。
【００１５】画像メモリ４はＡ／Ｄコンバータ３の出力
Ｓ３を格納するものであり、本実施例では４Ｍｂｉｔの
ＳＲＡＭを使用している。
Ｓ３を格納するものであり、本実施例では４Ｍｂｉｔの
ＳＲＡＭを使用している。
【００１６】ＬＤドライバ８はレーザーダイオード（Ｌ
Ｄ）７を所定の光出力でドライブするものである。ＬＤ
７の内蔵フォトダイオード出力電流をフィードバックし
て光出力を制御している。点灯開始、終了のタイミング
はセンサドライバ２からの点灯制御信号Ｓ７に従う。
Ｄ）７を所定の光出力でドライブするものである。ＬＤ
７の内蔵フォトダイオード出力電流をフィードバックし
て光出力を制御している。点灯開始、終了のタイミング
はセンサドライバ２からの点灯制御信号Ｓ７に従う。
【００１７】ＬＤ７はここでは可視あるいは赤外領域の
波長をもつが、どの波長のＬＤを使用するかは、計測対
象物の条件によって選定する。本実施例の場合、例えば
７８５ｎｍの波長をもつ、定格出力５０ｍＷのものを使
用している。ＬＤドライバ８の制御応答周波数としては
数１０ｋＨｚ程度までの帯域をもっている。
波長をもつが、どの波長のＬＤを使用するかは、計測対
象物の条件によって選定する。本実施例の場合、例えば
７８５ｎｍの波長をもつ、定格出力５０ｍＷのものを使
用している。ＬＤドライバ８の制御応答周波数としては
数１０ｋＨｚ程度までの帯域をもっている。
【００１８】プリズム９はＬＤ７から出射された光をマ
スク１１方向に導入するとともに、マスク１１から反射
された信号光を２次元センサ１に導入する。
スク１１方向に導入するとともに、マスク１１から反射
された信号光を２次元センサ１に導入する。
【００１９】鏡筒光学系１０はＬＤ７による照明光と信
号光のための光学系である。
号光のための光学系である。
【００２０】マスク１１はウエハ１２を露光するために
使用する原版である。マスク１１上には転写する回路パ
ターンとともに位置検出用のアライメントマークが描画
されている。
使用する原版である。マスク１１上には転写する回路パ
ターンとともに位置検出用のアライメントマークが描画
されている。
【００２１】ウエハ１２は前工程にてあらかじめアライ
メントマークが転写されている。
メントマークが転写されている。
【００２２】本実施例の位置検出方式では、マスク１
１、ウエハ１２上のアライメントマークはグレーティン
グレンズとなっており、両方のマークの物理回折効果に
より相対位置ずれに対して１００〜２００倍程度の光学
倍率をもった信号光が得られる。本実施例のアライメン
ト方式は特開平２−１００３１１号公報に記載されてい
るのと同様のものである。この方式においては、光源と
して、ある程度の波長分布の広がりを持ったレーザーダ
イオード（ＬＤ）が求められる。ＬＤの通常使用領域で
ある安定発振領域においては、たとえ光源光量が強くて
も、反射光、透過光が干渉しあって、Ｓ／Ｎのよい信号
光が得られない。このため、本実施例のＬＤ７はレーザ
ー発振をしていない低出力領域のある決まった出力で使
用している。また、ＬＤのＯＮ／ＯＦＦを蓄積時間中に
頻繁に行なうと、発光の立上がり成分と立下がり成分が
蓄積時間中に積分された信号光に含まれることになり、
精度を悪化させることが懸念される。よって、蓄積時間
中のＬＤのＯＮ／ＯＦＦはそれぞれ１回ずつに限定して
いる。
１、ウエハ１２上のアライメントマークはグレーティン
グレンズとなっており、両方のマークの物理回折効果に
より相対位置ずれに対して１００〜２００倍程度の光学
倍率をもった信号光が得られる。本実施例のアライメン
ト方式は特開平２−１００３１１号公報に記載されてい
るのと同様のものである。この方式においては、光源と
して、ある程度の波長分布の広がりを持ったレーザーダ
イオード（ＬＤ）が求められる。ＬＤの通常使用領域で
ある安定発振領域においては、たとえ光源光量が強くて
も、反射光、透過光が干渉しあって、Ｓ／Ｎのよい信号
光が得られない。このため、本実施例のＬＤ７はレーザ
ー発振をしていない低出力領域のある決まった出力で使
用している。また、ＬＤのＯＮ／ＯＦＦを蓄積時間中に
頻繁に行なうと、発光の立上がり成分と立下がり成分が
蓄積時間中に積分された信号光に含まれることになり、
精度を悪化させることが懸念される。よって、蓄積時間
中のＬＤのＯＮ／ＯＦＦはそれぞれ１回ずつに限定して
いる。
【００２３】次に、図３を用いて２次元センサ１上の信
号光の分布を説明する。例えば図３におけるようにセン
サのある位置を中心としてスポット状に信号光が分布す
る。信号光のピーク光量位置を通るＡ−Ａ′とＢ−Ｂ′
の断面における信号光の強度分布は図３に示すようにほ
ぼＳｉｎｃ関数に近い形になっている。この図において
実際の位置ずれ量の算出に用いるデータはライン番号Ｌ
１からＬ２の間だけである。ただしＬ１≦Ｌ２とする。
号光の分布を説明する。例えば図３におけるようにセン
サのある位置を中心としてスポット状に信号光が分布す
る。信号光のピーク光量位置を通るＡ−Ａ′とＢ−Ｂ′
の断面における信号光の強度分布は図３に示すようにほ
ぼＳｉｎｃ関数に近い形になっている。この図において
実際の位置ずれ量の算出に用いるデータはライン番号Ｌ
１からＬ２の間だけである。ただしＬ１≦Ｌ２とする。
【００２４】図２にセンサドライバ２のタイミングチャ
ートを示す。
ートを示す。
【００２５】センサ出力Ｓ２０１で示している数字は出
力されている水平ライン番号である。垂直同期信号Ｓ１
０１を与えると、センサ出力Ｓ２０１は１ライン目にリ
セットされる。以降、水平同期信号Ｓ１０２を与えるご
とに、センサ出力Ｓ２０１は１ラインずつインクリメン
トされて出力される。実際のセンサ出力Ｓ２０１は、不
図示のセンサ駆動クロックの立上がりと立ち下がりで１
画素ずつ出力される。
力されている水平ライン番号である。垂直同期信号Ｓ１
０１を与えると、センサ出力Ｓ２０１は１ライン目にリ
セットされる。以降、水平同期信号Ｓ１０２を与えるご
とに、センサ出力Ｓ２０１は１ラインずつインクリメン
トされて出力される。実際のセンサ出力Ｓ２０１は、不
図示のセンサ駆動クロックの立上がりと立ち下がりで１
画素ずつ出力される。
【００２６】図２においてＬ１をライン＃５，Ｌ２をラ
イン＃１０の場合について、ＬＤの点灯タイミングを説
明する。
イン＃１０の場合について、ＬＤの点灯タイミングを説
明する。
【００２７】この場合、ＬＤの点灯開始はライン＃１０
の水平同期と同時にする。このタイミング生成するため
に、メインコントローラ６から計測コントローラ５を経
て、センサドライバ２にＬ２をセットする。センサドラ
イバ２は垂直同期Ｓ１０１のタイミングから水平同期信
号Ｓ１０２の数、またはセンサ駆動クロックから算出さ
れる実時間をカウントする、などの方法によりＬ２であ
るライン＃１０の水平同期タイミングを得る。
の水平同期と同時にする。このタイミング生成するため
に、メインコントローラ６から計測コントローラ５を経
て、センサドライバ２にＬ２をセットする。センサドラ
イバ２は垂直同期Ｓ１０１のタイミングから水平同期信
号Ｓ１０２の数、またはセンサ駆動クロックから算出さ
れる実時間をカウントする、などの方法によりＬ２であ
るライン＃１０の水平同期タイミングを得る。
【００２８】ＬＤを点灯する長さは本実施例の場合、セ
ンサ面上の信号光量が適切な範囲になるように決める。
したがって、マスク１１またはウエハ１２のプロセスが
異なる場合には違った点灯時間となる。しかし、その点
灯時間の最大値は次フレームのＬ１の水平同期までに制
限される。ＬＤ点灯時間の最大値ＬＤｔmaxは次の式で
表される。
ンサ面上の信号光量が適切な範囲になるように決める。
したがって、マスク１１またはウエハ１２のプロセスが
異なる場合には違った点灯時間となる。しかし、その点
灯時間の最大値は次フレームのＬ１の水平同期までに制
限される。ＬＤ点灯時間の最大値ＬＤｔmaxは次の式で
表される。
【００２９】ＬＤｔmax＝蓄積時間−｛（Ｌ２−Ｌ１＋
１）×（蓄積時間）／（全水平ライン数）｝ 例えば、蓄積時間を５０ｍｓ、全水平ライン数が２４４
ラインで、Ｌ１＝５，Ｌ２＝１０の場合、ＬＤｔmaxは
４７．９５ｍｓとなる。
１）×（蓄積時間）／（全水平ライン数）｝ 例えば、蓄積時間を５０ｍｓ、全水平ライン数が２４４
ラインで、Ｌ１＝５，Ｌ２＝１０の場合、ＬＤｔmaxは
４７．９５ｍｓとなる。
【００３０】図２に示すように、ライン＃１０の蓄積開
始からライン＃５の蓄積終了までの間でレーザーダイオ
ードＬＤを点灯することで、ライン＃５〜ライン＃１０
の各蓄積時間内でのＬＤの点灯時間は同じとなる。すな
わち、データを採用するラインにおいて同じタイミング
で蓄積を行ったのと同様な効果が得られる。
始からライン＃５の蓄積終了までの間でレーザーダイオ
ードＬＤを点灯することで、ライン＃５〜ライン＃１０
の各蓄積時間内でのＬＤの点灯時間は同じとなる。すな
わち、データを採用するラインにおいて同じタイミング
で蓄積を行ったのと同様な効果が得られる。
【００３１】なお、ＬＤの点灯時間はライン＃１０の蓄
積開始からライン＃５の蓄積終了までの期間内で行われ
ていればよく、必ずしも図２に示すように、ＬＤの点灯
開始はライン＃１０の蓄積開始と同時でなくともよい。 （第２実施例）本発明の第２の実施例を以下に説明す
る。
積開始からライン＃５の蓄積終了までの期間内で行われ
ていればよく、必ずしも図２に示すように、ＬＤの点灯
開始はライン＃１０の蓄積開始と同時でなくともよい。 （第２実施例）本発明の第２の実施例を以下に説明す
る。
【００３２】第１の実施例ではＬＤ点灯時間とＬ１，Ｌ
２の三つのパラメータをメインコントローラ６からあら
かじめ設定していた。これに対して、本実施例ではセン
サ面上の信号光量および位置がよりダイナミックに変化
する場合に、ＬＤ点灯時間とＬ１，Ｌ２を自動的に設定
可能にする。
２の三つのパラメータをメインコントローラ６からあら
かじめ設定していた。これに対して、本実施例ではセン
サ面上の信号光量および位置がよりダイナミックに変化
する場合に、ＬＤ点灯時間とＬ１，Ｌ２を自動的に設定
可能にする。
【００３３】本実施例では第１の実施例において、デー
タを採用する計測前に一度上記パラメータを設定するた
めの予備計測を行なう。そのフローを図４を用いて説明
する。
タを採用する計測前に一度上記パラメータを設定するた
めの予備計測を行なう。そのフローを図４を用いて説明
する。
【００３４】まず、メインコントローラ６または計測コ
ントローラ５からセンサドライバ２に対して、予備計測
用のＬＤパワーを設定する（Ｆ１）。本実施例における
予備計測では、２次元センサ１の全ラインにおけるデー
タを取得する。このため、ＬＤ７を全ラインの蓄積時間
に対してフルに発光させた状態にする。その分センサ出
力は大きくなるので、予備計測でのＬＤ設定パワーはご
く小さな値にする。これにより、既に述べた理由から位
置検出精度は悪化することが想定される。しかし、予備
計測に要求される位置制度は本計測に比べて低いので、
仕様を満たすことが可能である。
ントローラ５からセンサドライバ２に対して、予備計測
用のＬＤパワーを設定する（Ｆ１）。本実施例における
予備計測では、２次元センサ１の全ラインにおけるデー
タを取得する。このため、ＬＤ７を全ラインの蓄積時間
に対してフルに発光させた状態にする。その分センサ出
力は大きくなるので、予備計測でのＬＤ設定パワーはご
く小さな値にする。これにより、既に述べた理由から位
置検出精度は悪化することが想定される。しかし、予備
計測に要求される位置制度は本計測に比べて低いので、
仕様を満たすことが可能である。
【００３５】設定したパラメータで予備計測を行なう
（Ｆ２）。その結果により信号スポットの最大値を求
め、この最大値が規定された範囲内に収まっているかど
うかを判断する（Ｆ３，Ｆ４）。この最大値が規定され
た範囲内に収まっていない場合は、予備計測のリトライ
動作が規定回数内ならば、再度ＬＤパワーを設定し直し
て予備計測を行なう（Ｆ６，Ｆ７）。予備計測のリトラ
イ動作が規定回数を超えた場合は、エラー終了させる
（Ｆ６）。予備計測の光量がＯＫであればＬ１，Ｌ２の
設定を行なう（Ｆ５）。信号スポット中で光量が最大に
なる画素が属するラインを求める。そのラインを中心と
して、あらかじめ決めてあるライン幅だけ上下にとって
Ｌ１とＬ２を決める方法が考えられる。
（Ｆ２）。その結果により信号スポットの最大値を求
め、この最大値が規定された範囲内に収まっているかど
うかを判断する（Ｆ３，Ｆ４）。この最大値が規定され
た範囲内に収まっていない場合は、予備計測のリトライ
動作が規定回数内ならば、再度ＬＤパワーを設定し直し
て予備計測を行なう（Ｆ６，Ｆ７）。予備計測のリトラ
イ動作が規定回数を超えた場合は、エラー終了させる
（Ｆ６）。予備計測の光量がＯＫであればＬ１，Ｌ２の
設定を行なう（Ｆ５）。信号スポット中で光量が最大に
なる画素が属するラインを求める。そのラインを中心と
して、あらかじめ決めてあるライン幅だけ上下にとって
Ｌ１とＬ２を決める方法が考えられる。
【００３６】また、本計測用のＬＤ発光時間ＬＤtimeは
予備計測のＬＤパワーＬＤPp，信号スポットの最大光量
Ｓmaxより１次の関係により計算することにより求める
（Ｆ８）。その関係は以下の式で求められる。Ｓｉは本
計測の信号スポットの最大光量の調光目標値、Ｔｃはセ
ンサの蓄積時間、ＬＤPmは本計測時のＬＤパワーであ
る。
予備計測のＬＤパワーＬＤPp，信号スポットの最大光量
Ｓmaxより１次の関係により計算することにより求める
（Ｆ８）。その関係は以下の式で求められる。Ｓｉは本
計測の信号スポットの最大光量の調光目標値、Ｔｃはセ
ンサの蓄積時間、ＬＤPmは本計測時のＬＤパワーであ
る。
【００３７】ＬＤtime＝Ｔｃ×（Ｓｉ／Ｓmax）×（Ｌ
ＤPp／ＬＤPm） 以上の処理により設定された本計測用のＬ１，Ｌ２，Ｌ
Ｄtimeを用いて本計測を行なう（Ｆ９）。
ＤPp／ＬＤPm） 以上の処理により設定された本計測用のＬ１，Ｌ２，Ｌ
Ｄtimeを用いて本計測を行なう（Ｆ９）。
【００３８】その他の実施例として、以下の方法を取る
ことができる。
ことができる。
【００３９】第２の実施例と同様、予備計測により信号
スポット中で光量が最大になる画素を求める。次にその
画素と同じ水平座標をもつ縦のラインを考える。その縦
ラインの信号分布において、最大値からある比α以上の
値（光量閾値）を持つ画素の範囲を求める。その画素の
範囲を水平ラインの幅に直すと、水平ラインのＬ１から
Ｌ２までの幅になる。
スポット中で光量が最大になる画素を求める。次にその
画素と同じ水平座標をもつ縦のラインを考える。その縦
ラインの信号分布において、最大値からある比α以上の
値（光量閾値）を持つ画素の範囲を求める。その画素の
範囲を水平ラインの幅に直すと、水平ラインのＬ１から
Ｌ２までの幅になる。
【００４０】また、第２の実施例においては、本計測用
のＬＤ発光時間ＬＤtimeをＬＤPp，Ｓmaxより１次の関
係により計算することにより求めたが、これをより厳密
に多次式またはデータどりにより得られたテーブルを使
用して求めてもよい。
のＬＤ発光時間ＬＤtimeをＬＤPp，Ｓmaxより１次の関
係により計算することにより求めたが、これをより厳密
に多次式またはデータどりにより得られたテーブルを使
用して求めてもよい。
【００４１】以上説明した本発明の実施例では、センサ
面上のスポットが１個の場合について説明したが、実際
にはスポットが２個、４個など複数個の場合もある。そ
の場合には、Ｌ１，Ｌ２を求める方法をどれか１個のス
ポットで代表させるか、複数スポットの情報を加味して
決めるなどすれば対応可能である。
面上のスポットが１個の場合について説明したが、実際
にはスポットが２個、４個など複数個の場合もある。そ
の場合には、Ｌ１，Ｌ２を求める方法をどれか１個のス
ポットで代表させるか、複数スポットの情報を加味して
決めるなどすれば対応可能である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
データを採用するラインについて同じ蓄積時間でのデー
タを得ようとする場合、光源のパワーを変更することな
く点灯時間のみで調光することが可能になる。
データを採用するラインについて同じ蓄積時間でのデー
タを得ようとする場合、光源のパワーを変更することな
く点灯時間のみで調光することが可能になる。
【図１】本発明の第１実施例の位置決め装置の構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１実施例の位置決め装置のセンサ駆
動タイミングチャートである。
動タイミングチャートである。
【図３】本発明の第１実施例の位置決め装置のセンサ面
上の光量分布を示す図である。
上の光量分布を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例の位置決め装置の計測フロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図５】本発明の第２実施例の位置決め装置のＬ１，Ｌ
２の設定方法を示す図である。
２の設定方法を示す図である。
１ ２次元センサ ２ センサドライバ ３ Ａ／Ｄコンバータ ４ 画像メモリ ５ 計測コントローラ ６ メインコントローラ ７ レーザーダイオード（ＬＤ） ８ ＬＤドライバ ９ プリズム １０ 鏡筒光学系 １１ マスク １２ ウエハ
Claims (6)
- 【請求項１】 二次元状に配列された撮像素子にて像信
号を所定の蓄積時間蓄積し、蓄積された該像信号をライ
ン毎に読み出す撮像装置において、 データとして採用するラインは全ラインのうち一部のラ
インであって、前記像信号を形成するための光源の点灯
期間の開始を、該一部のラインのうちの指定したライン
の蓄積開始と同時としたことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の撮像装置において、前
記指定したラインは、前記一部のラインのうち最後に蓄
積を開始するラインであることを特徴とする撮像装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の撮像装置において、デ
ータを採用する撮像前に、前発光による予備撮像を行な
い、 該予備撮像の結果から画像の光量が最大になる光量ピー
クラインを求め、 該光量ピークラインの上下の所定の幅に含まれる複数の
ラインを、データを採用する前記一部のラインとするこ
とを特徴とする撮像装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の撮像装置において、デ
ータを採用する撮像前に、前発光による予備撮像を行な
い、 該予備撮像の結果から画像の光量が最大になる光量ピー
クラインを求め、 該光量ピークラインの光量に対して所定の関係をもつ光
量閾値を設定し、 該光量ピークラインの上下のラインにおいて該光量閾値
を上回る光量を持つラインを、データとして採用する前
記一部のラインとすることを特徴とする撮像装置。 - 【請求項５】 請求項２に記載の撮像装置において、前
記光源の点灯期間は、データを採用する前記一部のライ
ンのうち最初に蓄積を開始したラインの蓄積終了まで又
は蓄積終了と同時に終了することを特徴とする撮像装
置。 - 【請求項６】 二次元状に配列された撮像素子にて像信
号を所定の蓄積時間蓄積し、蓄積された該像信号をライ
ン毎に読み出す撮像装置において、 全ラインのうちｎラインから（ｎ＋ｍ）ラインまでの像
信号を検出するときに、前記像信号を形成するための光
源の点灯期間を前記（ｎ＋ｍ）ラインの蓄積開始から前
記ｎラインの蓄積終了まで又は蓄積終了時の期間内とし
たことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27680599A JP2001103370A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27680599A JP2001103370A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001103370A true JP2001103370A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17574640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27680599A Pending JP2001103370A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001103370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005109863A1 (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | 撮像システム及び撮像方法 |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP27680599A patent/JP2001103370A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005109863A1 (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | 撮像システム及び撮像方法 |
| JP2005323190A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 撮像システムおよび撮像方法 |
| US8254688B2 (en) | 2004-05-10 | 2012-08-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Imaging system and imaging method |
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