JP2002043679A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2002043679A JP2002043679A JP2000229298A JP2000229298A JP2002043679A JP 2002043679 A JP2002043679 A JP 2002043679A JP 2000229298 A JP2000229298 A JP 2000229298A JP 2000229298 A JP2000229298 A JP 2000229298A JP 2002043679 A JP2002043679 A JP 2002043679A
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- Japan
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱特性および強度を改善すること。
【構成】 半導体レーザ素子４と、前記素子を配置する
フレーム６と、前記フレーム６に密着した樹脂５を備え
る半導体レーザ装置１において、前記フレーム６は厚肉
部分６ｅと薄肉部分６ｆとを備え、前記厚肉部分６ｅ
は、少なくとも前記樹脂５の幅方向にこの幅と同等の長
さ範囲に亙って形成されていることを特徴とする。
フレーム６と、前記フレーム６に密着した樹脂５を備え
る半導体レーザ装置１において、前記フレーム６は厚肉
部分６ｅと薄肉部分６ｆとを備え、前記厚肉部分６ｅ
は、少なくとも前記樹脂５の幅方向にこの幅と同等の長
さ範囲に亙って形成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】フレームおよび樹脂からなるパッケージ
を用いた半導体レーザ装置は価格、量産性に優れ、注目
されている。しかし、従来広く用いられている金属製の
キャンパッケージに比較すると放熱性が悪く、現在は温
度特性の良い赤外レーザに使用されているのみであり、
ＣＤ−Ｒ／Ｗ用の高出力レーザ、ＤＶＤ用などの赤色レ
ーザ、或いは動作電圧が高い青色系レーザには用いられ
ていない。また、放熱性を改善するためにフレームのレ
ーザ素子を配置する部分のみを厚くし、その部分を露出
させるように周囲を樹脂で囲む構造が提案されている
（特開平１１−３０７８７１）。
を用いた半導体レーザ装置は価格、量産性に優れ、注目
されている。しかし、従来広く用いられている金属製の
キャンパッケージに比較すると放熱性が悪く、現在は温
度特性の良い赤外レーザに使用されているのみであり、
ＣＤ−Ｒ／Ｗ用の高出力レーザ、ＤＶＤ用などの赤色レ
ーザ、或いは動作電圧が高い青色系レーザには用いられ
ていない。また、放熱性を改善するためにフレームのレ
ーザ素子を配置する部分のみを厚くし、その部分を露出
させるように周囲を樹脂で囲む構造が提案されている
（特開平１１−３０７８７１）。
【０００３】上記のようにフレームのレーザ素子を配置
する部分のみを厚くしても、この部分はピックアップ装
置に組み込まれた場合にその一部（ボディ）に接触させ
て使用されることが少ないので、放熱に寄与する割合は
少ない。また、フレームの周囲を完全に樹脂を囲むと、
樹脂を位置きめ基準に用いなければならず、位置きめ基
準が変化しやすい。また、フレームの厚肉部分は半導体
レーザ装置の幅方向の一部の領域にしか配置されていな
いので、半導体レーザ装置の強度増加には殆ど寄与して
いない。
する部分のみを厚くしても、この部分はピックアップ装
置に組み込まれた場合にその一部（ボディ）に接触させ
て使用されることが少ないので、放熱に寄与する割合は
少ない。また、フレームの周囲を完全に樹脂を囲むと、
樹脂を位置きめ基準に用いなければならず、位置きめ基
準が変化しやすい。また、フレームの厚肉部分は半導体
レーザ装置の幅方向の一部の領域にしか配置されていな
いので、半導体レーザ装置の強度増加には殆ど寄与して
いない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、放熱
特性および強度を改善することを課題の１つとする。ま
た、位置きめ基準面を安定させ、取り付け時の精度を向
上させることを課題の１つとする。また、簡単な構造で
量産性に優れたフレームパッケージを提供することを課
題の１つとする。
特性および強度を改善することを課題の１つとする。ま
た、位置きめ基準面を安定させ、取り付け時の精度を向
上させることを課題の１つとする。また、簡単な構造で
量産性に優れたフレームパッケージを提供することを課
題の１つとする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、請求項１に記載のように、半導体レーザ素子と、
前記素子を配置するフレームと、前記フレームに密着し
た樹脂を備える半導体レーザ装置において、前記フレー
ムは厚肉部分と薄肉部分とを備え、前記厚肉部分は、少
なくとも前記樹脂の幅方向にこの幅と同等の長さ範囲に
亙って形成されていることを特徴とする。
置は、請求項１に記載のように、半導体レーザ素子と、
前記素子を配置するフレームと、前記フレームに密着し
た樹脂を備える半導体レーザ装置において、前記フレー
ムは厚肉部分と薄肉部分とを備え、前記厚肉部分は、少
なくとも前記樹脂の幅方向にこの幅と同等の長さ範囲に
亙って形成されていることを特徴とする。
【０００６】また、本発明の半導体レーザ装置は、請求
項２に記載のように、請求項１記載の半導体レーザ装置
において、前記フレームは、前記樹脂の両側に突出した
翼部を備え、この翼部を含むフレームの全幅にわたって
前記厚肉部分が形成されていることを特徴とする。
項２に記載のように、請求項１記載の半導体レーザ装置
において、前記フレームは、前記樹脂の両側に突出した
翼部を備え、この翼部を含むフレームの全幅にわたって
前記厚肉部分が形成されていることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の半導体レーザ装置は、請求
項３に記載のように、請求項１あるいは２に記載の半導
体レーザ装置において、前記厚肉部分はフレームの前端
部に形成されていることを特徴とする。
項３に記載のように、請求項１あるいは２に記載の半導
体レーザ装置において、前記厚肉部分はフレームの前端
部に形成されていることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の半導体レーザ装置は、請求
項４に記載のように、請求項１〜３のいずれかに記載の
半導体レーザ装置において、前記厚肉部分は前記半導体
レーザ素子を配置する領域に形成され、薄肉部分はリー
ド部に形成されていることを特徴とする。
項４に記載のように、請求項１〜３のいずれかに記載の
半導体レーザ装置において、前記厚肉部分は前記半導体
レーザ素子を配置する領域に形成され、薄肉部分はリー
ド部に形成されていることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の半導体レーザ装置は、請求
項５に記載のように、請求項１〜３のいずれかに記載の
半導体レーザ装置において、前記厚肉部分は前記半導体
レーザ素子を配置する領域を備えない他のフレームにも
形成されていることを特徴とする また、本発明の半導体レーザ装置は、請求項６に記載の
ように、半導体レーザ素子と、前記素子を配置するフレ
ームと、前記フレームに密着した樹脂を備える半導体レ
ーザ装置において、前記フレームは厚肉部分と薄肉部分
とを備え、前記厚肉部分は、少なくとも前記樹脂の幅方
向にこの幅と同等の長さ範囲に亙って形成され、前記厚
肉部分にフレームの表裏を連絡する孔を形成したことを
特徴とする。
項５に記載のように、請求項１〜３のいずれかに記載の
半導体レーザ装置において、前記厚肉部分は前記半導体
レーザ素子を配置する領域を備えない他のフレームにも
形成されていることを特徴とする また、本発明の半導体レーザ装置は、請求項６に記載の
ように、半導体レーザ素子と、前記素子を配置するフレ
ームと、前記フレームに密着した樹脂を備える半導体レ
ーザ装置において、前記フレームは厚肉部分と薄肉部分
とを備え、前記厚肉部分は、少なくとも前記樹脂の幅方
向にこの幅と同等の長さ範囲に亙って形成され、前記厚
肉部分にフレームの表裏を連絡する孔を形成したことを
特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態について、
図面を参照して説明する。図１に半導体レーザ装置１の
斜視図を、図２に正面図を、図3に背面図を、図4にレー
ザ光の出射方向Ｘ（光軸Ｘ）に沿った断面図を示す。
図面を参照して説明する。図１に半導体レーザ装置１の
斜視図を、図２に正面図を、図3に背面図を、図4にレー
ザ光の出射方向Ｘ（光軸Ｘ）に沿った断面図を示す。
【００１１】この実施形態の半導体レーザ装置１は、フ
レーム２の上面にサブマウント３を配置固定し、このサ
ブマウント３の上面に半導体レーザ素子４を配置固定
し、フレーム２は密着した樹脂５で固定されている。
レーム２の上面にサブマウント３を配置固定し、このサ
ブマウント３の上面に半導体レーザ素子４を配置固定
し、フレーム２は密着した樹脂５で固定されている。
【００１２】フレーム２は、熱伝導性、導電性が良い金
属製で、銅や鉄やその合金などを加工して板状に形成し
ている。また、フレーム２は半導体レーザ素子を搭載す
る主フレーム６とこのフレーム６とは独立した配線用の
副フレーム７，８の複数のフレームからなり、これらを
前記絶縁性の樹脂５によって一体化することによりフレ
ームパッケージを構成している。
属製で、銅や鉄やその合金などを加工して板状に形成し
ている。また、フレーム２は半導体レーザ素子を搭載す
る主フレーム６とこのフレーム６とは独立した配線用の
副フレーム７，８の複数のフレームからなり、これらを
前記絶縁性の樹脂５によって一体化することによりフレ
ームパッケージを構成している。
【００１３】主フレーム６は、素子配置部６ａと電流通
路となるリード部６ｂと放熱用並びに位置決め用となる
左右の翼部６ｃ、６ｄを一体に備えている。そして、主
フレーム６の厚さは、半導体レーザ素子３を搭載する素
子配置部６ａ及び翼部６ｃ，６ｄの一部が厚くて厚肉部
６ｅ、翼部６ｃ，６ｄの一部とリード部６ｂが薄くて薄
肉部６ｆとなっている。この例では、リード部６ｂの付
根部分、すなわち素子配置部６ａとリード部６ｂの接続
部分近傍を境界として、その境界線よりも前方を厚さが
０．５〜１．５ｍｍ程度の厚肉部６ｅ、後方を厚さが
０．３〜０．５ｍｍ程度の薄肉部６ｆとしている。厚肉
部６ｅは、薄肉部６ｆよりも厚く、１．２から３倍程度
の厚さに設定している。
路となるリード部６ｂと放熱用並びに位置決め用となる
左右の翼部６ｃ、６ｄを一体に備えている。そして、主
フレーム６の厚さは、半導体レーザ素子３を搭載する素
子配置部６ａ及び翼部６ｃ，６ｄの一部が厚くて厚肉部
６ｅ、翼部６ｃ，６ｄの一部とリード部６ｂが薄くて薄
肉部６ｆとなっている。この例では、リード部６ｂの付
根部分、すなわち素子配置部６ａとリード部６ｂの接続
部分近傍を境界として、その境界線よりも前方を厚さが
０．５〜１．５ｍｍ程度の厚肉部６ｅ、後方を厚さが
０．３〜０．５ｍｍ程度の薄肉部６ｆとしている。厚肉
部６ｅは、薄肉部６ｆよりも厚く、１．２から３倍程度
の厚さに設定している。
【００１４】副フレーム７，８は、リード部６ｂと同様
に薄肉に構成されているので、フレーム２をプレス加工
によって打ち抜いて形成する際の微細加工を容易に行な
うことができる。そのため、リード部分の間隔を狭く保
って装置の小型化を図ることができる。
に薄肉に構成されているので、フレーム２をプレス加工
によって打ち抜いて形成する際の微細加工を容易に行な
うことができる。そのため、リード部分の間隔を狭く保
って装置の小型化を図ることができる。
【００１５】このように、レーザ光の出射方向Ｘに沿っ
てフレーム２の厚さが変化しており、それに伴って、レ
ーザの出射方向と直交する方向に段差９が形成される。
この段差９は、半導体レーザ素子４が搭載されている面
とは反対側のフレーム裏面にあるが、素子３を搭載する
面と同じ側の面に形成することもできる。
てフレーム２の厚さが変化しており、それに伴って、レ
ーザの出射方向と直交する方向に段差９が形成される。
この段差９は、半導体レーザ素子４が搭載されている面
とは反対側のフレーム裏面にあるが、素子３を搭載する
面と同じ側の面に形成することもできる。
【００１６】主フレーム６の厚肉部６ｅは、素子配置部
６ａと左右翼部６ｃ，６ｄに跨って主フレーム６の全幅
に亙って形成されているので、フレーム２の放熱効率を
高めると同時に、強度増加を図ることができる。そのた
め、左右翼部６ｃ、６ｄを溝に差し込んで装着する際に
翼部６ｃ，６ｄが変形するのを防止することができる。
また、主フレーム６の厚肉部分は、樹脂５の幅方向に樹
脂５の幅と同等の長さ以上に亙って形成されているの
で、樹脂５の補強を行なうことができ、もって装置１の
強度増加を図ることができる。また、素子配置部６ａと
左右の翼部６ｃ，６ｄの間に図２に破線で丸く示すよう
に、樹脂５を上下（フレームの表裏）に連絡するための
孔６ｉを形成しているが、この孔６ｉを肉厚部６ｅに形
成することができるので、前記樹脂連絡用の孔６ｉを大
きく確保することができる。
６ａと左右翼部６ｃ，６ｄに跨って主フレーム６の全幅
に亙って形成されているので、フレーム２の放熱効率を
高めると同時に、強度増加を図ることができる。そのた
め、左右翼部６ｃ、６ｄを溝に差し込んで装着する際に
翼部６ｃ，６ｄが変形するのを防止することができる。
また、主フレーム６の厚肉部分は、樹脂５の幅方向に樹
脂５の幅と同等の長さ以上に亙って形成されているの
で、樹脂５の補強を行なうことができ、もって装置１の
強度増加を図ることができる。また、素子配置部６ａと
左右の翼部６ｃ，６ｄの間に図２に破線で丸く示すよう
に、樹脂５を上下（フレームの表裏）に連絡するための
孔６ｉを形成しているが、この孔６ｉを肉厚部６ｅに形
成することができるので、前記樹脂連絡用の孔６ｉを大
きく確保することができる。
【００１７】樹脂５は、フレーム２の表と裏側の面を挟
むように、例えばインサート成型して形成される。樹脂
５の表側は、レーザ光の出射用の窓５ａを備えていて前
方が開いたＵ字状の枠５ｂ形態をしている。この枠５ｂ
の前側の幅Ａは後側の幅Ｂに比べて狭くなっている。枠
５ｂの両側前端部分には、テーパー面５ｃを形成してい
る。このテーパー面５ｃの存在によって、半導体レーザ
装置１を所定位置に配置する際の挿入をスムーズに行な
うことができる。前記樹脂連絡用の円形の孔６ｉは、樹
脂の幅が広い部分に配置するために、前記テーパー面５
ｃよりも後方に配置している。
むように、例えばインサート成型して形成される。樹脂
５の表側は、レーザ光の出射用の窓５ａを備えていて前
方が開いたＵ字状の枠５ｂ形態をしている。この枠５ｂ
の前側の幅Ａは後側の幅Ｂに比べて狭くなっている。枠
５ｂの両側前端部分には、テーパー面５ｃを形成してい
る。このテーパー面５ｃの存在によって、半導体レーザ
装置１を所定位置に配置する際の挿入をスムーズに行な
うことができる。前記樹脂連絡用の円形の孔６ｉは、樹
脂の幅が広い部分に配置するために、前記テーパー面５
ｃよりも後方に配置している。
【００１８】樹脂５の裏側は、素子配置部６ａを覆うよ
うにべた平坦面５ｄとなっており、表側の樹脂枠５ｂの
外形と同等の外形形状（６角形状）をなしている。すな
わち、前側の幅Ａは後側の幅Ｂに比べて狭くなってい
る。その両側前端部分には、テーパー面５ｅを形成して
いる。このテーパー面５ｅの存在によって、半導体レー
ザ装置１を所定位置に配置する際の挿入をスムーズに行
なうことができる。また、レーザ装置１の裏面を構成す
るこの樹脂５の裏面（平坦面５ｄ）は、厚肉の素子配置
部６ａよりも広面積な支持平面となっているので、レー
ザ装置１を所定の平面に配置する場合の安定性を高める
ことができる。
うにべた平坦面５ｄとなっており、表側の樹脂枠５ｂの
外形と同等の外形形状（６角形状）をなしている。すな
わち、前側の幅Ａは後側の幅Ｂに比べて狭くなってい
る。その両側前端部分には、テーパー面５ｅを形成して
いる。このテーパー面５ｅの存在によって、半導体レー
ザ装置１を所定位置に配置する際の挿入をスムーズに行
なうことができる。また、レーザ装置１の裏面を構成す
るこの樹脂５の裏面（平坦面５ｄ）は、厚肉の素子配置
部６ａよりも広面積な支持平面となっているので、レー
ザ装置１を所定の平面に配置する場合の安定性を高める
ことができる。
【００１９】主フレーム６の前半部分が厚肉であるの
で、その前端面が幅広となっている。そのため、樹脂５
から突出した素子配置部６ａや翼部６ｃ，６ｄの前端面
を位置きめ基準として利用する際、基準面を広く確保す
ることができる。特に、主フレーム６の前端面は、リー
ド部６ｂないし副フレーム７，８に比べて厚肉であるの
で、通常のフレーム（リード部６ｂないし副フレーム
７，８と同等）に比べて位置決め基準を広く確保するこ
とができる。
で、その前端面が幅広となっている。そのため、樹脂５
から突出した素子配置部６ａや翼部６ｃ，６ｄの前端面
を位置きめ基準として利用する際、基準面を広く確保す
ることができる。特に、主フレーム６の前端面は、リー
ド部６ｂないし副フレーム７，８に比べて厚肉であるの
で、通常のフレーム（リード部６ｂないし副フレーム
７，８と同等）に比べて位置決め基準を広く確保するこ
とができる。
【００２０】樹脂枠５ｂによって囲まれた主フレーム６
の素子配置部６ａ、副フレーム７，８は、樹脂５が存在
しないので表面が露出している。そして、この露出した
素子配置部６ａの上に、サブマウント３を介在して半導
体レーザ素子４が配置固定される。その後、前記半導体
レーザ素子４、サブマウント３、副フレーム７，８の間
でワイヤーボンド線などによる配線が施される。
の素子配置部６ａ、副フレーム７，８は、樹脂５が存在
しないので表面が露出している。そして、この露出した
素子配置部６ａの上に、サブマウント３を介在して半導
体レーザ素子４が配置固定される。その後、前記半導体
レーザ素子４、サブマウント３、副フレーム７，８の間
でワイヤーボンド線などによる配線が施される。
【００２１】サブマウント３はＳｉを母材とした受光素
子であり、半導体レーザ素子４の後面出射光をモニタす
ることができる。サブマウント３には、Ｓｉ以外にも例
えばＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕなど、熱伝導性の優れたセラ
ミック、金属材料等を用いることができる。受光素子を
サブマウント３に内蔵できない場合は、別に受光素子を
搭載する。サブマウント３は、Ａｕ−Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓ
ｎ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｂｉ等の半田材やＡｇペースト
等を用いてフレーム２に固定される。
子であり、半導体レーザ素子４の後面出射光をモニタす
ることができる。サブマウント３には、Ｓｉ以外にも例
えばＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕなど、熱伝導性の優れたセラ
ミック、金属材料等を用いることができる。受光素子を
サブマウント３に内蔵できない場合は、別に受光素子を
搭載する。サブマウント３は、Ａｕ−Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓ
ｎ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｂｉ等の半田材やＡｇペースト
等を用いてフレーム２に固定される。
【００２２】半導体レーザ素子４は、Ａｕ−Ｓｎ、Ｐｂ
−Ｓｎ等の半田材やＡｇペースト等を用いてサブマウン
ト３の所定の位置に固定される。
−Ｓｎ等の半田材やＡｇペースト等を用いてサブマウン
ト３の所定の位置に固定される。
【００２３】上記実施例では、副フレーム７，８の厚さ
をリード部６ｂと同様に薄肉としたが、主フレーム６と
同様に、厚肉部と薄肉部が混在する構成とすることもで
きる。この場合、樹脂枠５ｂの内側に位置する領域内に
厚肉部を形成し、それ以外を薄肉部とすることが好まし
い。このようにすれば、主フレーム６と同様に、樹脂５
からフレーム２が抜けるのを阻止する抜け止めに厚肉部
分を利用することができる。
をリード部６ｂと同様に薄肉としたが、主フレーム６と
同様に、厚肉部と薄肉部が混在する構成とすることもで
きる。この場合、樹脂枠５ｂの内側に位置する領域内に
厚肉部を形成し、それ以外を薄肉部とすることが好まし
い。このようにすれば、主フレーム６と同様に、樹脂５
からフレーム２が抜けるのを阻止する抜け止めに厚肉部
分を利用することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、放熱特
性および強度を改善することができる。また、位置きめ
基準面を安定させ、取り付け時の精度を向上させること
ができる。また、簡単な構造で量産性に優れたフレーム
パッケージを提供することができる。
性および強度を改善することができる。また、位置きめ
基準面を安定させ、取り付け時の精度を向上させること
ができる。また、簡単な構造で量産性に優れたフレーム
パッケージを提供することができる。
【図１】本発明の実施形態を示す斜視図である。
【図２】同実施形態の正面図である。
【図３】同実施形態の背面図である。
【図４】同実施形態の断面図である。
１ 半導体レーザ装置 ２ フレーム ４ 半導体レーザ素子 ５ 樹脂 ６ 主フレーム ７ 副フレーム ８ 副フレーム ９ 段差
フロントページの続き (72)発明者 渡部 泰弘 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 (72)発明者 別所 靖之 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 (72)発明者 田中 堅太郎 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 BA04 FA02 FA13 FA22 FA27 FA28 FA30
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子と、前記素子を配置す
るフレームと、前記フレームに密着した樹脂を備える半
導体レーザ装置において、前記フレームは厚肉部分と薄
肉部分とを備え、前記厚肉部分は、少なくとも前記樹脂
の幅方向にこの幅と同等の長さ範囲に亙って形成されて
いることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記フレームは、前記樹脂の両側に突出
した翼部を備え、この翼部を含むフレームの全幅にわた
って前記厚肉部分が形成されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記厚肉部分はフレームの前端部に形成
されていることを特徴とする請求項１あるいは請求項2
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記厚肉部分は前記半導体レーザ素子を
配置する領域に形成され、薄肉部分はリード部に形成さ
れていることを特徴とする請求項１から請求項３記載の
いずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記厚肉部分は前記半導体レーザ素子を
配置する領域を備えない他のフレームにも形成されてい
ることを特徴とする請求項１から請求項３記載のいずれ
かに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 半導体レーザ素子と、前記素子を配置す
るフレームと、前記フレームに密着した樹脂を備える半
導体レーザ装置において、前記フレームは厚肉部分と薄
肉部分とを備え、前記厚肉部分は、少なくとも前記樹脂
の幅方向にこの幅と同等の長さ範囲に亙って形成され、
前記厚肉部分にフレームの表裏を連絡する孔を形成した
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229298A JP3723426B2 (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 半導体レーザ装置 |
| KR1020037000719A KR100542336B1 (ko) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | 반도체 레이저장치 |
| CNB018129641A CN1258252C (zh) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | 半导体激光器件 |
| DE60129991T DE60129991T2 (de) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Halbleiterlaservorrichtung |
| PCT/JP2001/005340 WO2002007275A1 (fr) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Dispositif laser a semi-conducteur |
| EP01943807A EP1313184B1 (en) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Semiconductor laser device |
| US10/333,072 US6885076B2 (en) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Semiconductor laser device |
| HK04100396A HK1057654A1 (en) | 2000-07-17 | 2004-01-19 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229298A JP3723426B2 (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005212683A Division JP2005311401A (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体レーザ装置 |
| JP2005212682A Division JP3806725B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043679A true JP2002043679A (ja) | 2002-02-08 |
| JP3723426B2 JP3723426B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=18722442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000229298A Expired - Lifetime JP3723426B2 (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
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