JP3806586B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3806586B2 JP3806586B2 JP2000225602A JP2000225602A JP3806586B2 JP 3806586 B2 JP3806586 B2 JP 3806586B2 JP 2000225602 A JP2000225602 A JP 2000225602A JP 2000225602 A JP2000225602 A JP 2000225602A JP 3806586 B2 JP3806586 B2 JP 3806586B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- frame
- resin
- laser device
- submount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
フレームおよび樹脂からなるパッケージを用いた半導体レーザ装置は価格、量産性に優れ、注目されている。このような半導体レーザ装置を光ピックアップ等に使用する場合、パッケージをレーザ光の出射方向と同方向に挿入してセットすることが多い。そのため、挿入時に光ピックアップボディの挿入口に半導体レーザ装置の樹脂部が当たったり、引っかかったりすることが多い。
【0003】
また、フレームの一部を樹脂の外にレーザ光の出射方向と垂直方向に突出させて、その出射側の端面を光ピックアップに組み込む時の基準面に使用している。そのため、半導体レーザ装置が小型になり幅が小さくなった場合、その基準面も小さくなる問題がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、光ピックアップ等への装着をスムースに行なうことのできる構造を提供することを課題の1つとする。また、パッケージを小型にしても基準面を大きく取れる構造を提供することを課題の1つとする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ装置は、請求項1に記載のように、半導体レーザ素子と、前記素子を配置する素子配置部と位置決め用の左右の翼部を有するフレームと、素子配置部の周囲を囲む樹脂を備える半導体レーザ装置において、前記樹脂は、前方に前記半導体レーザ素子のレーザ出射窓を備えるとともに、その両側前端部にテーパー面を備え、前記テーパー面は、位置決め基準として利用される前記翼部の前端面よりも前側から前記翼部の前端面よりも後側に至る範囲に形成されていることを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図1に半導体レーザ装置1の斜視図を、図2に正面図を、図3に背面図を、図4にレーザ光の出射方向X(光軸X)に沿った断面図を示す。
【0008】
この実施形態の半導体レーザ装置1は、フレーム2の上面にサブマウント3を配置固定し、このサブマウント3の上面に半導体レーザ素子4を配置固定し、フレーム2は密着した樹脂5で固定されている。
【0009】
フレーム2は、熱伝導性、導電性が良い金属製で、銅や鉄やその合金などを加工して板状に形成している。また、フレーム2は半導体レーザ素子を搭載する主フレーム6とこのフレーム6とは独立した配線用の副フレーム7,8の複数のフレームからなり、これらを前記樹脂5によって一体化することによりフレームパッケージを構成している。
【0010】
主フレーム6は、素子配置部6aと電流通路となるリード部6bと放熱用並びに位置決め用となる左右の翼部6c、6dを一体に備えている。そして、主フレーム6の厚さは、半導体レーザ素子3を搭載する素子配置部6a及び翼部6c,6dの一部が厚く、翼部6c,6dの一部とリード部6bが薄くなっている。この例では、リード部6bの付根部分、すなわち素子配置部6aとリード部6bの接続部分近傍を境界として、その境界線よりも前方を厚肉部6e、後方を薄肉部6fとしている。副フレーム7,8は、リード部6bと同様に薄肉に構成されているので、フレームをプレス加工によって打ち抜いて形成する際の微細加工を容易に行なうことができる。そのため、リード部分の間隔を狭く保って装置の小型化を図ることができる。
【0011】
このように、レーザ光の出射方向に沿ってフレーム2の厚さが変化しており、それに伴って、レーザの出射方向と直交する方向に段差9が形成される。この段差9は、半導体レーザ素子4が搭載されている面とは反対側のフレーム裏面にあるが、素子4を搭載する面と同じ側の面に形成することもできる。
【0012】
主フレーム6の厚肉部6eは、素子配置部6aと左右翼部6c,6dに跨って主フレーム6の全幅に亙って形成されているので、フレーム2の強度増加を図ることができる。そのため、左右翼部6c、6dを溝に差し込んで装着する際に翼部6c,6dが変形するのを防止することができる。また、素子配置部6aと左右の翼部6c,6dの間に図2に破線で丸く示すように、樹脂5を上下に連絡するための孔6iを形成しているが、この孔を肉厚部6eに形成することができるので、前記樹脂連絡用の孔6iを大きく確保することができる。
【0013】
樹脂5は、フレーム2の表と裏側の面を挟むように、例えばインサート成型して形成される。樹脂5の表側は、レーザ光の出射用の窓5aを備えていて前方が開いたU字状の枠5b形態をしている。この枠5bの前側の幅Aは後側の幅Bに比べて狭くなっている。枠5bの両側前端部分には、テーパー面5cを形成している。このテーパー面5cの存在によって、半導体レーザ装置1を所定位置に配置する際の挿入をスムーズに行なうことができる。前記樹脂連絡用の円形の孔6iは、樹脂の幅が広い部分に配置するために、前記テーパー面5cよりも後方に配置している。
【0014】
樹脂5の裏側は、素子配置部6aを覆うようにべた平坦面5dとなっており、表側の樹脂の外形と同等の外形形状をなしている。すなわち、前側の幅Aは後側の幅Bに比べて狭くなっている。樹脂の裏面の両側前端部分には、テーパー面5eを形成している。このテーパー面5eの存在によって、半導体レーザ装置を所定位置に配置する際の挿入をスムーズに行なうことができる。また、レーザ装置1の裏面を構成するこの樹脂裏面5dは、厚肉の素子配置部6aよりも広面積な支持平面となっているので、レーザ装置1を所定の平面に配置する場合の安定性を高めることができる。
【0015】
樹脂5の先端部分の幅が狭くなっているので、樹脂の両側に位置する翼部6c,6dの前端面の長さをテーパー5cが存在しない場合に比べて長くすることができる。そのため、翼部6c、6dの前端面を位置きめ基準として利用する際の基準面を広く確保することができる。特に、翼部の前端面は、リード部6bないし副フレーム7,8に比べて厚肉であり、位置決め基準を広く確保することができるので、この部分の長さを長くすることは位置きめを行なう上で有用である。
【0016】
主フレーム6の素子配置部6a、副フレーム7,8の樹脂5が存在しない部分は露出している。そして、この露出した素子配置部6aの上に、サブマウント3を介在して半導体レーザ素子4が配置固定される。その後、前記半導体レーザ素子4、サブマウント3、副フレーム7,8の間でワイヤーボンド線などによる配線が施される。
【0017】
サブマウント3はSiを母材とした受光素子であり、半導体レーザ素子4の後面出射光をモニタすることができる。その他にも、例えばAlN、SiC、Cuなど、熱伝導性の優れたセラミック、金属材料等を用いることができる。受光素子をサブマウントに内蔵できない場合は、別に受光素子を搭載する。サブマウント3は、Au−Sn、Pb−Sn等の半田材やAgペースト等を用いてフレーム2に固定される。
【0018】
半導体レーザ素子4は、Au−Sn、Pb−Sn等の半田材やAgペースト等を用いてサブマウント3の所定の位置に固定される。
【0019】
上記実施形態は、樹脂5の表側もしくは裏側の両側前端部にテーパー面5c,5eを形成した例を示したが、図5に示すように、翼部6c、6dにも同様のテーパー面6gを形成することができる。このテーパー面6g、6gは、主フレーム6の両側面前端部に形成される。また、図6に示すように、翼部6c、6dの前端面にも、その上下の少なくとも一方の側に、テーパー面6hを形成することができる。これらのテーパー面の存在によって、上記実施形態と同様に、装置1を挿入する際の動作をよりスムーズに行なうことができる。
【0020】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、半導体レーザ装置を光ピックアップなどに挿入する際の作業性を良好にすることができる。また、フレームの一部を位置決め基準に用いる際にその面積を広く確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を示す斜視図である。
【図2】同実施形態の正面図である。
【図3】同実施形態の背面図である。
【図4】同実施形態の断面図である。
【図5】他の実施形態の背面図である。
【図6】他の実施形態の側面図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ装置
2 フレーム
4 半導体レーザ素子
5 樹脂
6 主フレーム
7 副フレーム
8 副フレーム
9 段差
Claims (1)
- 半導体レーザ素子と、前記素子を配置する素子配置部と位置決め用の左右の翼部を有するフレームと、素子配置部の周囲を囲む樹脂を備える半導体レーザ装置において、前記樹脂は、前方に前記半導体レーザ素子のレーザ出射窓を備えるとともに、その両側前端部にテーパー面を備え、前記テーパー面は、位置決め基準として利用される前記翼部の前端面よりも前側から前記翼部の前端面よりも後側に至る範囲に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000225602A JP3806586B2 (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 半導体レーザ装置 |
DE60129991T DE60129991T2 (de) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Halbleiterlaservorrichtung |
PCT/JP2001/005340 WO2002007275A1 (fr) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Dispositif laser a semi-conducteur |
US10/333,072 US6885076B2 (en) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Semiconductor laser device |
CNB018129641A CN1258252C (zh) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | 半导体激光器件 |
EP01943807A EP1313184B1 (en) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Semiconductor laser device |
KR1020037000719A KR100542336B1 (ko) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | 반도체 레이저장치 |
HK04100396A HK1057654A1 (en) | 2000-07-17 | 2004-01-19 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000225602A JP3806586B2 (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 半導体レーザ装置 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005212681A Division JP4446938B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体レーザ装置 |
JP2005212680A Division JP4148963B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002043672A JP2002043672A (ja) | 2002-02-08 |
JP3806586B2 true JP3806586B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=18719347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000225602A Expired - Fee Related JP3806586B2 (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-26 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3806586B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013551A (ja) * | 2002-03-25 | 2006-01-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP3737769B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-01-25 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
JP4031748B2 (ja) | 2003-10-06 | 2008-01-09 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
KR100785203B1 (ko) * | 2003-10-15 | 2007-12-11 | 산요덴키가부시키가이샤 | 2빔 반도체 레이저 장치 |
JP2007324407A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
JP4310352B2 (ja) | 2007-06-05 | 2009-08-05 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 |
JP4948436B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2012-06-06 | 新光電気工業株式会社 | レーザ素子用フレームパッケージおよびその製造方法 |
JP4668299B2 (ja) | 2008-06-17 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000225602A patent/JP3806586B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002043672A (ja) | 2002-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100542336B1 (ko) | 반도체 레이저장치 | |
US7282785B2 (en) | Surface mount type semiconductor device and lead frame structure thereof | |
JP3806586B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP3723426B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4446938B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4148963B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2006339212A (ja) | 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 | |
JP2007012979A (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
US20060093284A1 (en) | Semiconductor laser diode | |
JP3970293B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP3723425B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2005311401A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2008283228A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2008283227A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP3806725B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2009016794A (ja) | キャップレスパッケージ及びその製造方法 | |
WO2021059805A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3723424B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP3970292B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP3973348B2 (ja) | レーザ装置及びその製造方法 | |
JP4362411B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 | |
JP2007116078A (ja) | 発光素子の外囲器 | |
JP3330752B2 (ja) | 面実装型混成集積回路装置用リードフレーム | |
JP4785642B2 (ja) | レーザ装置 | |
JPH04352377A (ja) | 半導体レーザ素子用サブマウント |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050722 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060515 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |