JP7509339B1 - 半導体レーザモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。図2は、実施の形態1に係る半導体レーザ装置の内部を示す正面図である。図3は、実施の形態1に係る半導体レーザ装置のステム、ブロック、キャップを示す斜視図である。本実施の形態に係る半導体レーザ装置はTO-CAN型の半導体レーザ装置である。
図6は、実施の形態2に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。ブロック2は、半導体レーザチップ6からレーザ光12が出射するz方向に延伸している。このブロック2のZ方向の長さを制限して、半導体レーザチップ6とレンズ10との間においてブロック2の先端部がレーザ光12に干渉しないようにする。これによりレーザ光12のレンズ10への光結合を改善することができる。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
図7は、実施の形態3に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。図8は、実施の形態3に係る半導体レーザ装置の内部を示す正面図である。図9は、実施の形態3に係る半導体レーザ装置のステム、ブロック、キャップを示す斜視図である。
図10は、実施の形態4に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。図11は、実施の形態4に係る半導体レーザ装置の内部を示す正面図である。図12は、実施の形態4に係る半導体レーザ装置のステム、ブロック、キャップを示す斜視図である。
図13は、実施の形態5に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。図14は、実施の形態5に係る半導体レーザ装置を示す上面図である。図15は、実施の形態5に係る半導体レーザ装置の内部を示す正面図である。図16は、実施の形態5に係る半導体レーザ装置のステム、ブロック、キャップを示す斜視図である。
図17は、実施の形態6に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。図18は、実施の形態6に係る半導体レーザ装置の内部を示す正面図である。図19は、実施の形態6に係る半導体レーザ装置のステム、ブロック、キャップを示す斜視図である。
図20は、実施の形態7に係る半導体レーザモジュールを示す断面図である。半導体レーザ装置100は、この図では実施の形態1に係る半導体レーザ装置であるが、実施の形態2~6の何れかに係る半導体レーザ装置でもよい。円筒状のホルダ101は、半導体レーザ装置100を保持し、レセプタクル102の光ファイバに光結合させる。ホルダ101の下端の湾曲面の一部に、半導体レーザ装置100のブロック2の形状に合わせて開口101aが形成されている。ブロック2の放熱面2bが、ホルダ101に覆われることなく、開口101aから露出している。これにより、半導体レーザチップ6からの熱を効率的に放熱することができる。また、半導体レーザ装置100とホルダ101を組み合わせた半導体レーザモジュールの形状は従来とほぼ同等となるため、光トランシーバ実装の際も光軸調芯が容易である。
Claims (7)
- TO-CAN型の半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置を保持して光ファイバに光結合させるホルダとを備え、
前記半導体レーザ装置は、
円板状の金属ステムと、
前記金属ステムの主面に形成され、実装面と、前記実装面とは反対側の放熱面とを有する金属製のブロックと、
前記ブロックの前記実装面に実装された半導体レーザチップと、
前記半導体レーザチップから出射されたレーザ光を集光するレンズと、前記レンズを保持し前記金属ステム又は前記ブロックに固定された鏡筒とを有するキャップとを備え、
前記ブロックの前記放熱面は、前記鏡筒で覆われておらず、前記金属ステムの側面と面一であり、
前記ホルダの一部に開口が形成され、
前記ブロックの前記放熱面が前記開口から露出していることを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記鏡筒には前記ブロックの前記放熱面の形状に合わせて切り欠きが形成され、
前記鏡筒の前記切り欠きが前記ブロックに嵌合され、
前記ブロックの前記放熱面は前記切り欠きから露出していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記半導体レーザチップと前記レンズとの間において前記ブロックの先端部は前記レーザ光に干渉しないことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記レーザ光の通過経路において前記ブロックの前記先端部に窪みが形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記ブロックの前記実装面に半円形の彫り込みが形成され、
円板状の前記鏡筒の外周部が前記彫り込みに嵌合されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記ブロックは、下段ブロックと、前記下段ブロックの上面に形成され前記下段ブロックよりも幅が狭い上段ブロックとを有し、
前記鏡筒は、前記金属ステムの前記主面と前記下段ブロックの前記上面に固定されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記ブロックは、前記金属ステムの前記主面に対して傾斜した傾斜面を有し、
前記傾斜面の外周部に凹部が形成され、
円筒状の前記鏡筒の端部が前記傾斜面に対応する角度で切り取られ、
前記鏡筒の前記端部が前記傾斜面の前記凹部に嵌合されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
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