JP2006041085A - 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006041085A JP2006041085A JP2004217103A JP2004217103A JP2006041085A JP 2006041085 A JP2006041085 A JP 2006041085A JP 2004217103 A JP2004217103 A JP 2004217103A JP 2004217103 A JP2004217103 A JP 2004217103A JP 2006041085 A JP2006041085 A JP 2006041085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- laser chip
- stem
- submount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
【課題】高出力化することができる半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基準面2となる平面を有する板形状のステム本体1と、ステム本体1と一体に設けられ、基準面2に対して略垂直な搭載面11を有するステムブロック8と、ステムブロック8の搭載面11に固定されたサブマウント7と、サブマウント7におけるステムブロック8とは反対側の表面に固定された半導体レーザチップ5と、半導体レーザチップ5を覆うキャップ3とを備えている。半導体レーザチップ5の共振器長はサブマウント7のレーザ出射方向の長さと同じである。
【選択図】図1
【解決手段】半導体レーザ装置は、基準面2となる平面を有する板形状のステム本体1と、ステム本体1と一体に設けられ、基準面2に対して略垂直な搭載面11を有するステムブロック8と、ステムブロック8の搭載面11に固定されたサブマウント7と、サブマウント7におけるステムブロック8とは反対側の表面に固定された半導体レーザチップ5と、半導体レーザチップ5を覆うキャップ3とを備えている。半導体レーザチップ5の共振器長はサブマウント7のレーザ出射方向の長さと同じである。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置に関する。
従来、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置としては、特許文献1(特開2001−332804号公報)に記載されたものがある。
以下、上記特許文献1と同様の構造を有する5.6Φ半導体レーザ装置の概略を図11を参照して説明する。
上記半導体レーザ装置は、ステム本体101、キャップ103、半導体レーザチップ105およびサブマウント107を備えている。
上記ステム本体101は低融点ガラスなどで接着されたリードピン109を2〜4本有している。また、上記ステム本体101には一体成型または銀ロウ等で後付けでステムブロック108が形成されている。
上記キャップ103は、ステム本体101とは反対側の端部に窓110を有している。この窓110には、厚さ0.25mmのキャップガラス104を低融点ガラスなどの接着剤で取り付けられている。
上記半導体レーザチップ105のレーザ出射方向の長さはサブマウント107のレーザ出射方向の長さより短くなっている。つまり、上記半導体レーザチップ105は、サブマウント107のレーザ出射方向の長さよりも短い共振器長を有している。
なお、図11において、102はステム基準面であり、106は半導体レーザチップ発光点である。また、図11中においては簡略化のため、ステムリードピン109と半導体レーザチップ105及びサブマウント107とを電気的に結合するワイヤは省略してある。
上記構成の5.6Φ半導体レーザ装置によれば、ステム基準面102と半導体レーザチップ発光点106との間においてZ軸方向の距離は1.27mmで標準化されている。つまり、図11の発光点高さH0が1.27mmとなっている。
ところで、上記半導体レーザチップ105及びサブマウント107をステムステムブロック108にダイボンドする際のダイボンド精度は0mm〜0.05mmの範囲内である。また、上記半導体レーザチップ105を製造すると、半導体レーザチップ105の共振器長は0mm〜0.03mmの範囲内でばらつく。このようなダイボンド精度や共振器長ばらつきが存在するため、半導体レーザチップ105の共振器長は最長でも1.19mm(=1.27mm−0.05mm−0.03mm)にしかできない。したがって、上記半導体レーザチップ105を高出力化することができないという問題がある。
また、他の従来の半導体レーザ装置としては図12に示すようなものがある。この半導体レーザ装置は、基準面202となる平面を有する板形状のステム本体201を備えている。このステム本体201には凹部234が設けられている。また、上記凹部234の底面にはステムステムブロック208が設けられている。
なお、図12において、図11に示した構成部と同一構成部は、図11における構成部の参照番号と同一参照番号を付して説明を省略する。
また、他の従来の半導体レーザ装置としては図13に示すようなものもある。この半導体レーザ装置は、基準面302となる平面を有する板形状のステム本体301を備えている。このステム本体301には凹部334が設けられている。また、上記ステム本体301に関して凹部334とは反対側には凸部336が設けられている。
なお、図13において、図11に示した構成部と同一構成部は、図11における構成部の参照番号と同一参照番号を付して説明を省略する。
特開2001−332804号公報
そこで、本発明の課題は、半導体レーザチップを高出力化することができる半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、
基準面となる平面を有するステム本体と、
上記ステム本体と一体に設けられ、上記基準面に対して略垂直な搭載面を有するステムブロックと、
上記ステムブロックの搭載面に固定されたサブマウントと、
上記サブマウントにおける上記ステムブロックとは反対側の表面に固定された半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップを覆うキャップと
を備え、
上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さと同じ、または、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長いことを特徴としている。
基準面となる平面を有するステム本体と、
上記ステム本体と一体に設けられ、上記基準面に対して略垂直な搭載面を有するステムブロックと、
上記ステムブロックの搭載面に固定されたサブマウントと、
上記サブマウントにおける上記ステムブロックとは反対側の表面に固定された半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップを覆うキャップと
を備え、
上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さと同じ、または、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長いことを特徴としている。
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザチップの共振器長をサブマウントのレーザ出射方向の長さと同じまたはその長さより長くするので、半導体レーザチップを高出力化することができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長い。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記キャップは、上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光が通過する中空の開口を有する。
上記実施形態の半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光がキャップにおける中空の開口を通過するので、ステム本体の基準面に対する半導体レーザチップの発光点の高さを高くしても、光ピックアップ装置の光学系の設計変更を行わなくてもよい。したがって、上記光ピックアップ装置の製造コストの増大を防止できる。
より詳しく説明すると、レーザ光がある厚みのガラスを通過した場合と、レーザ光がそのガラスと同じ厚みの空気を通過した場合とを比較すると、ガラスの屈折率が空気の屈折率よりも大きいため、光学的距離は、レーザ光がガラスを通過したときの方が、レーザ光が空気を通過したときよりも長くなる。
光学的距離がどの程度長くなるかは下記式によって求まる。
光学的距離差=L{1−(1/n)}
光学的距離差=L{1−(1/n)}
ここで、Lはガラスの厚さ、nはガラスの屈折率である。
例えば5.6Φ半導体レーザ装置において、厚さが0.25mm、屈折率が1.49のキャップガラスをキャップの窓に取り付ける場合と、そのようなキャップガラスをキャップの窓に取り付けない場合(キャップの窓が開口である場合)とを比べると、光学的距離差は0.082mmとなる。
したがって、上記5.6Φ半導体レーザ装置では、厚さが0.25mm、屈折率が1.49のキャップガラスをキャップの窓に取り付ける場合の発光点高さは1.27mmであるが、キャップガラスをキャップの窓に取り付けない場合の発光点高さは1.35mmである。
すなわち、上記窓を開口にした場合は、窓にキャップガラスを取り付けたときよりも、ステム本体の基準面と半導体レーザチップの発光点との距離が高くなるので、半導体レーザチップの共振器長をより長くすることができる。
また、上記半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、窓を中空の開口にすることにより、ステム本体の基準面に対する半導体レーザチップの発光点の高さが高くなっても、光ピックアップ装置の光学系の設計変更を引き起こさない。したがって、上記光ピックアップ装置の製造コストの増大を防止できる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム本体には、上記半導体レーザチップの一部が入る凹部が設けられている。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザチップの一部が入る凹部をステム本体に設けることにより、半導体レーザチップの共振器長をより長くすることができる。
また、上記半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、上記半導体レーザチップの一部が入る凹部をステム本体に設けることにより、光ピックアップ装置の光学系の設計変更を引き起こさない。したがって、上記光ピックアップ装置の製造コストの増大を防止できる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップにおける上記サブマウントとは反対側の表面は、Au(金)とNi(ニッケル)とのうちの少なくとも一方を含む金属で覆われている。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザチップにおけるサブマウントとは反対側の表面を、AuとNiとのうちの少なくとも1つを含む金属で覆うことにより、キャップの窓が開口であっても、その表面が酸化するのを防止できる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム本体には、上記凹部内の空間と上記キャップ外の空間とを連通する溝が設けられている。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記凹部内の空間とキャップ外の空間とを連通する溝をステム本体に設けることにより、キャップ内の熱をキャップ外に効率よく放出することができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステムブロックと上記サブマウントとの固定は第1のロウ材で行われている。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第1のロウ材はAgペーストまたはAuSn合金である。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記サブマウントと上記半導体レーザチップとの固定は第2のロウ材で行われている。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第2のロウ材はAgペーストまたはAuSn合金である。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記サブマウントは誘電体または半導体から成っている。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム基準面に対する上記半導体レーザチップの発光点の高さは略1.35mmである。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップの共振器長が1.20mm〜1.5mmの範囲内である。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記キャップの材質がFe(鉄)を主成分とする金属である。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記凹部の深さは0.4mm以下である。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光は上記窓で略遮光されない。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記キャップの形状は円筒形状である。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム本体の形状はDカット形状である。
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム本体の形状はIカット形状である。
本発明の光ピックアップ装置は、上記発明の半導体レーザ装置を備えたことを特徴としている。
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記本発明の半導体レーザ装置を備えているから、例えば光ディスクに対して情報の記録を高速に行うことができる。
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザチップの共振器長をサブマウントのレーザ出射方向の長さと同じまたはその長さより長くするので、半導体レーザチップを高出力化することができる。
また、本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザチップによるレーザ光が中空の開口を通過するか、または、半導体レーザチップの一部が入る凹部をステム本体に設けることにより、1.19mmを超える長さの共振器長のレーザチップを用いながらも、外径寸法や光学的距離を変更することなく、5.6Φ標準パッケージの半導体レーザ装置と置き換えることができる。
また、本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザチップによるレーザ光が中空の開口を通過するか、または、半導体レーザチップの一部が入る凹部をステム本体に設けることにより、特殊な専用生産装置を用いなくても生産することができ、短いタクトでの生産ができる。
本発明の光ピックアップ装置は、上記発明の半導体レーザ装置を備えているから、例えば光ディスクに対して情報の記録を高速に行うことができる。
以下、本発明の半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1に、本発明の第1実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図を示す。
図1に、本発明の第1実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図を示す。
上記半導体レーザ装置は、基準面2となる平面を有する板形状のステム本体1と、このステム本体1と一体に設けられ、基準面2に対して略垂直な搭載面11を有するステムブロック8と、このステムブロック8の搭載面11に固定されたサブマウント7と、このサブマウント7におけるステムブロック8とは反対側の表面に固定された半導体レーザチップ5と、この半導体レーザチップ5、サブマウント7およびステムブロック8を覆う円筒形状のキャップ3とを備えている。
上記ステム本体1には2〜4本のリードピン9が接着されている。このステム本体1とリードピン9との接着は低融点ガラスなどが用いられる。
上記キャップ3は、Feを主成分とする金属から成って、ステム本体1とは反対側の端部に窓10を有している。この窓10は中空の開口であり、キャップガラスなどの光学部品が取り付けられていない。つまり、上記半導体レーザ装置のパッケージはいわゆるオープンパッケージ(開口を有するキャップを用いたパッケージ)である。また、上記キャップ3のステム本体1側の端部には、ステム本体1に固定するためのフランジを設けている。
上記半導体レーザチップ5は、窓10側の端面に半導体レーザチップ発光点6を有している。この半導体レーザチップ発光点6は、ステム本体1の基準面2に対する高さH1が略1.35mmとなっている。上記半導体レーザチップ発光点6の高さH1は、キャップガラスを有する標準の半導体レーザチップ発光点の高さ略1.27mmと光学位置が合致している。つまり、上記半導体レーザチップ発光点6と、図11の従来の半導体レーザチップ発光点106とは、光学的な位置が一致している。
図2に、上記サブマウント7および半導体レーザチップ5の拡大図を示す。
上記半導体レーザチップ5の共振器長はサブマウント7のレーザ出射方向の長さと同じになっている。また、上記半導体レーザチップ5の窓10側の端部はサブマウント7の窓10側の端部から突出している。つまり、上記半導体レーザチップ5の窓10側の端面はサブマウント7の窓10側の端面よりも窓10の近くに位置している。
上記構成の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザチップ発光点6の高さH1が略1.35mmであるから、ダイボンド精度0mm〜0.05mm及び半導体レーザチップ5の共振器長ばらつき0mm〜0.03mmを考慮して、最長で略1.27mm(=略1.35mm−0.05mm−0.03mm)の共振器長の半導体レーザチップをステムブロック8に搭載することができる。したがって、上記半導体レーザチップ5の共振器長を例えば1.20mm〜1.27mmにして、半導体レーザチップ5を高出力化することができる。
また、上記半導体レーザチップ発光点6の高さH1を変えることにより、半導体レーザチップ5の共振器長を1.28mm以上にすることができる。
上記窓10が中空の開口であることによって、ステム本体1及びキャップ3は、図11の従来のステム本体101及びキャップ103と同じ大きさにしても、半導体レーザチップ5を高出力化することができる。
本実施形態の半導体レーザ装置は、これと同様の光出力を有する従来の半導体レーザ装置よりも実質的に小型化することができる。
キャップガラスを有するキャップは、熱膨張係数の観点から、高価なコバールで形成されるが、キャップガラスを有さないキャップ3は、安価なFeを含む金属で形成することができる。
本実施形態の半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に組み込む場合、半導体レーザチップ発光点6の高さH1が、キャップガラスを有する標準の半導体レーザチップ発光点の高さ略1.27mmと光学位置が合致しているので、光ピックアップ装置の光学系の設計に変更を加えなくてもよい。したがって、上記光ピックアップ装置の製造コストの増大を防止できる。
また、上記半導体レーザ装置でオープンパッケージを用いる場合、半導体レーザチップ5、サブマウント7およびステムブロック8が空気にさらされるため、次の点を考慮する必要がある。
本発明の半導体レーザ装置が備える半導体レーザチップの電極の材料としては、Al(アルミ)等のように酸化しやすい物質を使用せずに、AuやNi等のように酸化しにくい物質を使用する。例えば、AuとNiのうちの少なくとも一方を含む物質を本発明の半導体レーザ装置における半導体レーザチップの電極の材料として使用する。本実施形態では半導体レーザチップ5の電極の材料としてAuを使用した。
また、上記半導体レーザチップ5及びサブマウント7のダイボンドには、In等のロウ材を用いるのではなく、AgペーストやAuSn合金等の酸化しないロウ材を用いる。本実施形態ではAgペーストによるダイボンド方式を採用した。
上記第1実施形態では、半導体レーザチップ5をサブマウント7に取り付けていたが、図3に示すように、半導体レーザチップ45をサブマウント7に取り付けてもよい。この半導体レーザチップ45は、図4に示すように、サブマウント7のレーザ出射方向の長さよりも長い共振器長を有している。また、上記半導体レーザチップ45は、両端部がサブマウント7から突出するようにサブマウント7の表面に固定されている。
なお、図3において、46は半導体レーザチップ発光点である。
(第2実施形態)
図5に、本発明の第2実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図を示す。図5において、図1に示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1における構成部の参照番号と同一参照番号を付している。
図5に、本発明の第2実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図を示す。図5において、図1に示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1における構成部の参照番号と同一参照番号を付している。
上記半導体レーザ装置は、基準面22となる平面を有する板形状のステム本体21と、このステム本体21と一体に設けられ、基準面22に対して略垂直な搭載面31を有するステムブロック28と、このステムブロック28の搭載面31に固定されたサブマウント27と、このサブマウント27におけるステムブロック28とは反対側の表面に固定された半導体レーザチップ25と、この半導体レーザチップ25、サブマウント27およびステムブロック28を覆う円筒形状のキャップ3とを備えている。
上記ステム本体21には、低融点ガラスなどによって2〜4本のリードピン9が接着されている。また、上記ステム本体21には凹部34が設けられていて、半導体レーザチップ25およびサブマウント27のリードピン9側の端部が凹部34内に入っている。
上記ステムブロック28は凹部34の底面から窓10へ向かって延びている。
上記半導体レーザチップ25は、窓10側の端面に半導体レーザチップ発光点26を有している。この半導体レーザチップ発光点26は、ステム本体21の基準面22に対する高さH2が略1.35mmとなっている。上記半導体レーザチップ発光点26の高さH2は、キャップガラスを有する標準の半導体レーザチップ発光点の高さ略1.27mmと光学位置が合致している。つまり、上記半導体レーザチップ発光点26と、図11の従来の半導体レーザチップ発光点106とは、光学的な位置が一致している。また、上記半導体レーザチップ25の共振器長はサブマウント27のレーザ出射方向の長さよりも長くなっている。
上記構成の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザチップ発光点26の高さH2が略1.35mmであることによって、特殊な製造装置を用いなくても、サブマウント27をステムブロック28に容易にダイボンドすることができる。
上記半導体レーザチップ26の共振器長が1.27mmを超えた場合にも、オープンパッケージによるダイボンド位置の変更は有効である。つまり、上記オープンパッケージを用いることによって、半導体レーザチップ発光点26の高さを高くできるから、サブマウント27をステムブロック28に容易にダイボンドすることができる。
図11の従来の5.6Φ半導体レーザ装置において、例えば、放熱特性に悪影響が出ないようにステム本体101の厚さを1.2mmとし、ステム本体101に、深さ0.3mmの凹部を設けたとしても、半導体レーザチップ105の共振器長は最長で1.49mm(=1.19mm+0.3mm)にしかできない。
これに対して、本実施形態の半導体レーザ装置は、凹部34の深さを0.3mmに設定すると、半導体レーザチップ25の共振器長は最長で1.57mm(=1.27mm+0.3mm)にすることができる。
したがって、上記半導体レーザチップ25は図11の従来の半導体レーザチップ105よりも高出力化することができる。
本実施形態の半導体レーザ装置を小型化するためには、図6に示すように、Dカット形状のステム本体61を用いたり、または、図7に示すように、Iカット形状のステム本体71を用いるのが好ましい。
本発明の半導体レーザ装置は、図11の従来の5.6Φ半導体レーザ装置と外形を全く同一にすることができるので、図11の従来の5.6Φ半導体レーザ装置と材料を共用することができると共に、図11の従来の5.6Φ半導体レーザ装置の製造ラインで製造することできる。
上記第2実施形態では、半導体レーザチップ発光点26の高さH2を略1.35mmにしていたが、半導体レーザチップ発光点26の高さH2を略1.35mm未満にしてもよい。
上記第2実施形態では、ステム本体21を用いていたが、図8に示すようなステム41を用いてもよい。このステム本体41は基準面42となる平面を有している。また、上記ステム本体41には、半導体レーザチップ25およびサブマウント27のリードピン9側の端部が入る凹部34が設けられている。さらに、上記ステム本体41には、凹部34内の空間とキャップ3外の空間とを連通する溝35が設けられている。
上記ステム41を用いた場合であっても、半導体レーザチップ25のリードピン9側の端部を凹部34に入れることにより、半導体レーザチップ25の共振器長を例えば1.20mm以上にして、半導体レーザチップ25を高出力化することができる。
なお、図8において、図5に示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図5における構成部の参照番号と同一参照番号を付している。
図9に、本発明の一実施の形態の光ピックアップの概略構成図を示す。
上記光ピックアップ装置は本発明の一実施の形態の半導体レーザ装置81を備えている。この半導体レーザ装置81から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ82により平行光にされた後、光軸変換ミラー(立ち上げミラー)82で立ち上げられて、対物レンズ(可動レンズ)84により光ディスク85の表面に集光される。
上記光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置81として第1,第2実施形態の半導体レーザ装置を用いることにより、従来の光ピックアップ装置と同じ光学系を使用できる。
上記半導体レーザ装置81のステム本体として、図6に示すようなDカット形状のステム本体61を用いたり、または、図7に示すようなIカット形状のステム本体71を用いることにより、光ピックアップ装置のY軸方向の厚さを薄くすることができるので好ましい。特に、上記光ピックアップ装置が光軸変換ミラー82を備えている場合は、Dカット形状のステム本体61を用いたり、または、図7に示すようなIカット形状のステム本体71を用いるのが好ましい。
本発明の半導体レーザ装置が備える半導体レーザチップとしては、図10に示すように、発光層より1μm程度のところに電極金属が設けられていることにより、放熱性を高くしたものが好ましい。
図10の半導体レーザチップは、n型GaAs基板1001上に順次積層されたn型GaAlAsクラッド層1002、GaAlAs活性層1003、p型GaAlAsクラッド層1004およびp型GaAsエッチングストップ層1005を備えている。上記GaAlAs活性層1003のAlの割合はクラッド層1002,1004のAlの割合よりも少ない。つまり、上記GaAlAsクラッド層1002,1004はGaAlAs活性層1003よりも多くのAlを含んでいる。
また、上記エッチング停止層1005上には、p型GaAlAsクラッド層1014とp型GaAsキャップ層1006とから成るストライプ状のリッジ部1011を設けている。そして、上記リッジ部1011の両側には、リッジ部1011が受ける機械的ダメージを軽減するためにストライプ状のテラス部1012を設けている。このテラス部1012は、リッジ部1011と同様に、p型GaAlAs層とp型GaAs層とから成っている。このようなリッジ部1011及びテラス部1012は図10の紙面に対して垂直方向に延びている。
また、上記リッジ部1011の側面は誘電体膜1021で覆っている。また、上記リッジ部1011上には、AuおよびZnでストライプ状のp側電極金属1031を設けている。このp側電極金属1031の材料はp型GaAsキャップ層1006に対してオーミックコンタクできる材料であればAuやZnに限定されない。
また、上記誘電体膜1021及びp側電極金属1031上には、Mo膜とAu膜とから成る厚さ〜0.1μmのバリアメタル層1032を設けている。さらに、上記バリアメタル層1032上にはAuから成る厚さ〜数μmAu電極層1033を設けている。上記バリアメタル層1032は、Au電極層1033のAuがリッジ部1011やこれより下層に拡散するのを防ぐことができる。
上記バリアメタル層1032は、1回目Mo/Au膜1032aおよび2回目Mo/Au膜1032bから成っている。上記1回目Mo/Au膜1032aは、リッジ部1011の左斜め上方から金属粒子をリッジ部1011に向けて照射して得られる。上記2回目Mo/Au膜1032bは、1回目Mo/Au膜1032aを得た後、リッジ部1011の右斜め上方から金属粒子をリッジ部1011に向けて照射して得られる。
また、n型GaAs基板1001下には、Au、GeおよびNi等から成るn側電極1034を設けている。
上記構成の半導体レーザチップは、発熱源である発光部(GaAlAs活性層3においてリッジ部1011下に位置する部分)からAu電極層1033までの距離が近く、また、Au電極層1033の厚みが厚いので、良好な放熱性を得ている。
また、上記Au電極層1033内での熱の拡散が早いので、サブマウントから外れたレーザ出射端面近傍で発生した熱も、速やかにサブマウントに接触している内部側に拡散させることができる。
図10に示すような半導体レーザチップを第1,第2実施形態で用いるのが好ましい。
本発明の光ピックアップ装置は、光ディスクに対して情報の記録を高速に行うことができる。
上記第1実施形態において、Dカット形状またはIカット形状のステム本体を使用してもよいのは言うまでもない。
上記第1,第2実施形態では、ステムブロックの全部がキャップで覆われていたが、ステムブロックの一部が入る切欠きをキャップの側壁に設けて、その切欠きからステムブロックの一部を露出させてもよい。
本発明の半導体レーザ装置が備えるステムブロックは、ステム本体と一体成型で形成されたものであってもよいし、または、ステム本体に銀ロウなどで後付けされたものでもよい。
1,21,41,61,71 ステム本体
2,22,42 基準面
3 キャップ
5,25,45,46 半導体レーザチップ
6,26 半導体レーザチップ発光点
7 サブマウント
8,28 ステムブロック
9 リードピン
10 窓
11,31 搭載面
34 凹部
35 溝
81 半導体レーザ装置
2,22,42 基準面
3 キャップ
5,25,45,46 半導体レーザチップ
6,26 半導体レーザチップ発光点
7 サブマウント
8,28 ステムブロック
9 リードピン
10 窓
11,31 搭載面
34 凹部
35 溝
81 半導体レーザ装置
Claims (7)
- 基準面となる平面を有するステム本体と、
上記ステム本体と一体に設けられ、上記基準面に対して略垂直な搭載面を有するステムブロックと、
上記ステムブロックの搭載面に固定されたサブマウントと、
上記サブマウントにおける上記ステムブロックとは反対側の表面に固定された半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップを覆うキャップと
を備え、
上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さと同じ、または、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長いことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長いことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記キャップは、上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光が通過する中空の開口を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記ステム本体には、上記半導体レーザチップの一部が入る凹部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップにおける上記サブマウントとは反対側の表面は、AuとNiとのうちの少なくとも一方を含む金属で覆われていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項3に記載の半導体レーザ装置において、
上記ステム本体には、上記凹部内の空間と上記キャップ外の空間とを連通する溝が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004217103A JP2006041085A (ja) | 2004-07-26 | 2004-07-26 | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004217103A JP2006041085A (ja) | 2004-07-26 | 2004-07-26 | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006041085A true JP2006041085A (ja) | 2006-02-09 |
Family
ID=35905778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004217103A Pending JP2006041085A (ja) | 2004-07-26 | 2004-07-26 | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006041085A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7869480B2 (en) | 2007-05-24 | 2011-01-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
US7907652B2 (en) | 2007-04-25 | 2011-03-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
US8121163B2 (en) | 2007-03-16 | 2012-02-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser diode apparatus and method of fabricating the same |
JP2020161805A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | シャープ株式会社 | レーザ素子 |
US10804675B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-10-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package |
JP2020178038A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
-
2004
- 2004-07-26 JP JP2004217103A patent/JP2006041085A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8121163B2 (en) | 2007-03-16 | 2012-02-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser diode apparatus and method of fabricating the same |
US7907652B2 (en) | 2007-04-25 | 2011-03-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
US7869480B2 (en) | 2007-05-24 | 2011-01-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
US10804675B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-10-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package |
JP2020161805A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | シャープ株式会社 | レーザ素子 |
US11462887B2 (en) | 2019-03-27 | 2022-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Laser element |
JP2020178038A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
JP7398877B2 (ja) | 2019-04-18 | 2023-12-15 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10581219B2 (en) | Semiconductor laser device | |
JP5324894B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100333027B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
JP3802896B2 (ja) | 半導体レーザ | |
KR100965946B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
JP2013084810A (ja) | 発光装置 | |
JP2004072072A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2006352105A (ja) | 光送信デバイスおよびそれを用いた光源装置 | |
US10594107B2 (en) | Semiconductor laser device | |
JP2006041085A (ja) | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 | |
US20210336411A1 (en) | Method of manufacturing laser light source | |
JP3947495B2 (ja) | モールド型半導体レーザ | |
US11349278B2 (en) | Stem for semiconductor package, and semiconductor package | |
JP4786350B2 (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
US8509278B2 (en) | Light emitting device and optical apparatus using the same | |
JP2011216583A (ja) | 半導体レーザー装置及びそれを用いた光ピックアップ装置 | |
US20050074043A1 (en) | Semiconductor laser | |
JP2006324409A (ja) | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 | |
JP4917704B2 (ja) | 半導体レーザの製法 | |
JPH05175614A (ja) | 光半導体装置 | |
JP4974563B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP2004031708A (ja) | 半導体レーザーパッケージ | |
JPH04280487A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
KR101136161B1 (ko) | 레이저 다이오드 | |
JP2002344063A (ja) | 半導体レーザ装置、サブマウントの製造方法、及び半導体レーザチップのマウント方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091027 |