JP2002344063A - 半導体レーザ装置、サブマウントの製造方法、及び半導体レーザチップのマウント方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＤ及びＤＶＤを互換再生するためのピック
アップ光源の半導体レーザ装置において、発光波長の異
なる半導体レーザチップをサブマウントの最適な位置に
マウントし、光学系を共用して小型化、低コスト化を図
る。 【解決手段】 サブマウント１は、外形の一部に凹部５
を有する。サブマウント１の窒化アルミニウム基板表面
の所定位置には、下地金属層３，３、ハンダ層４，４が
製膜されており、凹部５に発光波長の異なる半導体レー
ザチップ６，７の少なくとも一方の半導体レーザチップ
７の発光部が位置するように突出させてマウントする。
サブマウント１での光ビームの蹴られを防止しながら、
２つの半導体レーザチップ６，７の出射端位置をずらし
てマウントすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置、
その製造方法、及び半導体レーザチップのマウント方法
に関し、より詳しくは、複数の半導体レーザチップを１
つのパッケージに収めた半導体レーザ装置、その製造方
法、及び半導体レーザチップのマウント方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、次世代の記録メディアとしてＤＶ
Ｄが注目されている。一般に、１台のＤＶＤプレーヤで
はＤＶＤとＣＤとの両者を互換再生できることが望まれ
る。そのためには、ＤＶＤ再生用に波長の短い６３５ｎ
ｍあるいは６５０ｎｍの赤色半導体レーザチップとＣＤ
再生用に波長７８０ｎｍの近赤外半導体レーザチップを
搭載する光ピックアップが必要とされている。さらに、
装置の小型化のためには、２種類の半導体レーザチップ
を１つのパッケージの中に組み込んだ集積型光ピックア
ップの実現が期待されている。しかし、２つの光源を１
つのパッケージに組み込んで、光学系を共通化するため
には、２つの半導体レーザチップの発光点間隔をできる
だけ接近させる必要があり、その間隔としては３００μ
ｍ以下、望ましくは１００μｍ以下が期待されている。

【０００３】従来、上記技術課題を解決するための方法
は種々提案されている。図９は、特開平１１−９７８０
４号公報に開示された半導体レーザダイオードを示す斜
視図である。１つのサブマウント１０１上に発光波長の
異なる２つの半導体レーザチップ１０２，１０３を接近
して配置する方法が開示されている。シリコン基板をサ
ブマウント１０１に採用し、発光波長の異なる第１の半
導体レーザチップ１０２と第２の半導体レーザチップ１
０３が、出射光が平行となるように、かつ接近させて配
置されている。さらに、この従来技術では、シリコンの
サブマウント１０１にレーザパワーモニタ用のホトダイ
オード１０４が作り込まれている。

【０００４】しかし、２つの異なる波長に対して１つの
光学系で対応する場合には発光点間隔の問題の他に、波
長の違いによる問題が起こる。一般に、光ピックアップ
光学系の結像系としては、半導体レーザチップの光をコ
リメータを使用して平行光として対物レンズに入射させ
る無限仕様型が用いられる。そして、２種類の光源を使
った場合の光路長は以下のようになる。コリメータレン
ズの材料はＢＫ７とし、波長６５０ｎｍ及び７８０ｎｍ
の光に対する屈折率ｎは、それぞれ１.５１４５２、１.
５１１１８３とする。このＢＫ７を用い６５０ｎｍの光
に合わせて焦点距離ｆ＝１７ｍｍのコリメータレンズを
設計すれば、７８０ｎｍの光での焦点距離が０.１１０
９７ｍｍ長くなる。つまり、この光学系で２つの半導体
レーザチップの能力を最大限に利用するためには、発光
波長７８０ｎｍの半導体レーザチップは６５０ｎｍの位
置よりも１１１μｍ後退させて配置することが望ましい
ことになる。

【０００５】しかし、１つのサブマウント上で、２つの
半導体レーザチップの一方を後退させて実装することは
難しい。一般に半導体レーザチップは放熱性を考慮し
て、ジャンクションダウンでＡｕ−Ｓｎ共晶ハンダを介
して絶縁性のサブマウントにダイボンディングされる。
この時、半導体レーザチップの発光層はダイボンド面か
ら数μｍと極めて接近したところに位置しているため、
一方の半導体レーザチップを後退させた場合には、出射
光はサブマウントで蹴られてしまう不具合が発生してし
まう。逆に、一方の半導体レーザチップの主出射端面を
出射方向にサブマウント端部から１００μｍ突き出して
配置すれば、その半導体レーザチップの放熱特性は著し
く劣化し、発光層温度が上昇し発光波長の変動が起こっ
たり、また、ハンドリング時にレーザチップを破損する
可能性が増大する。

【０００６】上記問題を解決するためには、半導体レー
ザチップを後退させてマウントできるように、凹型ある
いはＬ型に特殊加工されたサブマウントを用意する方法
がある。図１０は、特開平１１−３９６８１号公報に開
示された光学式信号読取装置を示す平面図である。この
従来の光学式信号読取装置は、本発明とは主たる目的が
異なるが、２つの半導体レーザチップ１１２，１１３を
光軸方向にずらして配置したサブマウント構造を有して
おり、半導体レーザチップ１１２，１１３から出射した
レーザ光はマイクロプリズム１１４の４５゜面１１４ａ
で反射され、対物レンズによって光ディスクの信号記録
面に集光される。信号記録面からの戻り光は、対物レン
ズを経てマイクロプリズム１１４内に４５゜面１１４ａ
から入り、ＩＣ基板１１１上に形成されたフォトダイオ
ード１１５ａ，１１５ｂ，１１６ａ，１１６ｂで受光さ
れる。しかし、このような形状のサブマウントを実際に
実現することは難しい。一般にサブマウントは熱伝導率
の高い絶縁性部材、例えば窒化アルミニュウム（Ａｌ
Ｎ）等を用い、所定のメタライジングを行った後、ダイ
シングソー等で直線的に切り出されるため、凹型やＬ型
形状は切り出すことができない。そのため、このような
特殊形状は切削加工を行う必要があり、サブマウントの
コストを上昇させるため実用性は低い。

【０００７】図１１は、先の従来技術、特開平１１−９
７８０４号公報に他の実施例として開示された半導体レ
ーザダイオードを示す斜視図である。図１１に示すよう
なサブマウント１２１，１２２を二段に積み上げた実施
例が開示されている。この実施例では二つの半導体レー
ザチップ１２３，１２４間の距離は調整できるものの、
下段の半導体レーザチップ共振器長以下ので調整はでき
ない不具合がある。さらに、上段にマウントされた半導
体レーザチップ１２４から出射された光ビームが下段の
半導体レーザチップ１２３に蹴られて有効に利用されな
い不具合もあった。この従来技術では、サブマウント１
２１，１２２にレーザパワーモニタ用のホトダイオード
１２５，１２６が作り込まれている。また、さらに他の
方法としては、別々のサブマウントにマウントする方法
が提案されている。しかし、サブマウントを分けること
は、材料費および製造費を増加させる欠点があった。

【０００８】これらの理由から、従来の半導体レーザ装
置においては、性能を犠牲にして、二つの半導体レーザ
チップを一つのサブマウント上にほぼ出射端面をそろえ
てマウントされていた。波長の異なる半導体レーザチッ
プを実装する場合の別の問題として、共振器長の違いに
よる後方出射光の蹴られの問題がある。一般に、発光波
長６５０ｎｍの半導体レーザチップは利得を確保するた
め共振器長が７８０ｎｍのものよりも長い。そのため、
サブマウント外形を共振器長の長い方に合わせて作った
場合、短い半導体レーザチップの後方出射ビームがサブ
マウントに蹴られ、正確なパワーモニタができなかった
り、蹴られた光がノイズの原因となる不具合が発生す
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、ＣＤ
及びＤＶＤを互換再生するためのピックアップ光源の半
導体レーザ装置において、光学系を共用して装置の小型
化、低コスト化を図る場合に、半導体レーザチップ性能
を最大限に引出すために、各半導体レーザチップを最適
な位置にマウントした半導体レーザ装置を提供すること
を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は従来技術の欠点
を解決するためになされたものであって、請求項１の発
明は、サブマウントの同一平面上に２つの半導体レーザ
チップをそれぞれの出射光軸同士が平行に接近し、かつ
前記２つの半導体レーザチップの主出射端面が光軸方向
に所定の距離離して固定し、さらに少なくとも１つの前
記半導体レーザチップの発光点直下領域は前記サブマウ
ントから突出している半導体レーザ装置であることを特
徴とする。

【００１１】請求項２の発明は、請求項１の発明の半導
体レーザ装置において、前記半導体レーザチップは、ジ
ャンクションダウンで前記サブマウントに固定されてい
ることを特徴とする。

【００１２】請求項３の発明は、請求項１の発明の半導
体レーザ装置において、前記２つの半導体レーザチップ
の発光点は、他方の半導体レーザチップ側にチップ中心
から偏った位置に形成されていることを特徴とする。

【００１３】請求項４の発明は、請求項１の発明の半導
体レーザ装置において、前記サブマウントの形状は、そ
の端面部に凹部を有することを特徴とする。

【００１４】請求項５の発明は、請求項１の発明の半導
体レーザ装置において、前記サブマウントの主材料は、
窒化アルミニウムであることを特徴とする。

【００１５】請求項６の発明は、請求項１の発明の半導
体レーザ装置において、前記２つの半導体レーザチップ
の発光波長は、異なることを特徴とする。

【００１６】請求項７の発明は、請求項４の発明の半導
体レーザ装置において、少なくとも１つの前記半導体レ
ーザチップの主出射端部は、前記サブマウントに形成さ
れた凹部上に配置されることを特徴とする。

【００１７】請求項８の発明は、請求項１の発明の半導
体レーザ装置において、前記サブマウントは、少なくと
も最表面の一層にスルーホールが形成された多層基板を
切り出して形成したものであること特徴とする。

【００１８】請求項９の発明は、請求項１の発明の半導
体レーザ装置において、前記サブマウントにおいて、前
記２つの半導体レーザチップのうち共振器長の短い半導
体レーザチップの後方出射端部直下に凹部が形成されて
いることを特徴とする。

【００１９】請求項１０の発明は、基板へのスルーホー
ル形成工程、メタライズ工程、ハンダ層形成工程、ダイ
シングにより前記スルーホールを分断してチップ分離す
る工程を経て形成されるサブマウントの製造方法である
ことを特徴とする。

【００２０】請求項１１の発明は、半導体レーザチップ
を端面部に凹部を有するサブマウント上にマウントする
際に、両者の相対的位置を規定するため、基準治具に前
記半導体レーザチップ及び前記サブマウントの端面部を
突き当てて位置決めしてマウントする半導体レーザチッ
プのマウント方法であることを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１〜図８に示す実施例に基づいて説明する。 （実施例１）図１は、本発明の半導体レーザ装置に用い
るサブマウントが縦横に並列している様子を示す図であ
り、図１（Ａ）はダイシングで分離した後の様子を示す
平面図、図１（Ｂ）はその側面図である。実施例１の半
導体レーザ装置に用いるサブマウント１は、四角形状の
外形の一部が凹型に窪んだ、凹部５を有する形状となっ
ている。この凹部５に一方の半導体レーザチップの発光
部が突出するようにマウントすれば、サブマウント１で
の光ビームの蹴られを防止しながら、２つの半導体レー
ザチップの出射端位置をずらしてマウントすることがで
きる。このような特殊なサブマウント形状は、一般に知
られたセラミック多層基板作製における型抜き技術を用
いて容易に形成することができる。

【００２２】サブマウント１の製造方法について説明す
る。まず、材料として熱伝導率が良好でＧａＡｓの熱膨
張係数に近い窒化アルミニウムを用いる。焼結前の窒化
アルミニウムはグリーンシートと呼ばれ、この状態のグ
リーンシートに所望径のスルーホールをパンチングによ
り型抜き形成する。スルーホール径としては最小で５０
μｍ径まで開口することが可能である。次に、グリーン
シートを窒素雰囲気中１５００〜１８００℃で焼成し、
窒化アルミニウム基板２を得る。次に、窒化アルミニウ
ム基板２上の所定位置に下地金属層３、ハンダ層４を順
次成膜し、最後にスルーホールを分割するようにダイシ
ングすることで、円弧状の凹部５を形成したサブマウン
ト１を得ることができる。この製造方法は、セラミック
パッケージの製造法に準じており、量産性に優れ低コス
トで製造することができる。なお、下地金属層３として
は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、ハンダ層４としてはＡｕ−Ｓｎ
（３０ｗｔ％）が用いられる。

【００２３】図２は、図１に示したサブマウント１に第
１の半導体レーザチップ６及び第２の半導体レーザチッ
プ７をマウントした実施例１の半導体レーザ装置を示す
平面図である。図２に示すように、第１の半導体レーザ
チップ６をサブマウント１の端部に、第２の半導体レー
ザチップ７を凹部５に対応させてマウントすれば、第
１、第２の半導体レーザチップ６，７を最適な光路長で
マウントすることが可能になる。

【００２４】より具体的に、実施例１の半導体レーザ装
置を説明する。２つの半導体レーザ６，７の発光波長は
６５０ｎｍ及び７８０ｎｍ、コリメータレンズの材料に
ＢＫ７を考え、その屈折率は６５０ｎｍ及び７８０ｎｍ
の光に対しそれぞれ１.５１４５２、１.５１１１８３と
する。このＢＫ７材料で６５０ｎｍの光に合わせて焦点
距離ｆ＝１７ｍｍのコリメータレンズを設計すれば、７
８０ｎｍの光での焦点距離が０.１１０９７ｍｍ長くな
るので、二つの半導体レーザチップの能力を最大限に利
用するためには、発光波長７８０ｎｍの半導体レーザチ
ップは発光波長６５０ｎｍの半導体レーザチップの位置
よりも１１１μｍ後退させて配置する。そのためには、
本発明のサブマウントのスルーホールとしては、直径３
００μｍの円形のスルーホールを形成後、スルーホール
中心を８０μｍのダイシングブレードで切り出すこと
で、約１１０μｍの窪みを持つサブマウント構造を形成
することができる。実施例１では、スルーホールを円形
として説明したが、スルーホールであればどの様な形状
でも本発明の効果を期待することができることは言うま
でもない。

【００２５】（実施例２）図３は、実施例２のサブマウ
ントが縦横に並列している様子を示し、ダイシングで分
離した後の様子を示す平面図であり、図４は、図３に示
すサブマウントに半導体レーザをマウントした後の半導
体レーザ装置を示す平面図である。実施例２の半導体レ
ーザ装置では、図３，４から明らかなように、図１，２
に示す実施例１の半導体レーザ装置と相違して、共振長
の短い半導体レーザチップ７の後方出射端面側にも凹部
５を形成することで、後方での光ビームの蹴られを防止
し、レーザパワーモニタの安定検出及び迷光成分の低減
の効果が得られる。このサブマウント１も実施例１のサ
ブマウントと同様な工程により容易に形成されることは
言うまでもない。

【００２６】また、図５は、第１、第２の半導体レーザ
チップ６，７の出射端付近のサブマウント１の端部に凹
部を設けて、２つの半導体レーザチップ６，７をそれぞ
れマウントすることも可能である。このような構成で
は、サブマウント端部（最大外形）から二つの半導体レ
ーザチップを自由に配置することが可能となり、半導体
レーザ装置の設計および実装の自由度が増加する利点が
ある。

【００２７】（実施例３）図６は、実施例３の半導体レ
ーザ装置を示す平面図である。図６に示すように、サブ
マウントの凹部５上に第１の半導体レーザチップ６及び
第２の半導体レーザチップ７の出射端が位置するように
マウントされる。この様な構成であっても、他の実施例
と同様な効果が得られることは言うまでもない。

【００２８】（実施例４）図７は、実施例４の半導体レ
ーザ装置を示す斜視図である。図７に示すように、窒化
アルミニウム基板は下層８と表面層９からなる２層構造
であり、表面層９にのみスルーホールを形成した後、両
者を接着して焼結し、所定のメタライズ処理を行った
後、ダイシングして図７のような表面層９に凹部５を形
成したサブマウント１を形成しても、他の実施例と同様
な効果を得ることができる。この様な構成は、サブマウ
ントが厚い場合に有効であり、機械的強度を確保したい
場合などに有効である。なお、この場合には、スルーホ
ールを形成する表面層９の厚さは、マウントする半導体
レーザのビーム広がりを考慮して設定する必要があるこ
とは言うまでもない。

【００２９】（実施例５）図８は、実施例５の半導体レ
ーザ装置の高精度マウント法を説明するための図で、図
８（Ａ）は、高精度マウント法を実施するマウント装置
の側面図、図８（Ｂ）はマウント装置の基準治具とサブ
マウントの関係を半導体レーザチップを省略して示す平
面図である。マウント装置１０は、サブマウント１を吸
引口１２を介して真空吸引によって固定するヒータステ
ージ１１、ヒータステージ１１の上方に配置され吸引口
１２を介して半導体レーザチップ６または７を真空吸引
するコレット１３、ヒータステージ１１と熱的に絶縁さ
れた基準治具１５を備えている。このような構成におい
て、半導体レーザチップ６または７及びサブマウント１
の相対的位置を規定する基準治具１５に、半導体レーザ
チップ６または７の端面及びサブマウント１の端面を突
き当てて位置決めすることにより、高精度な位置決めが
実現できる。その場合、本発明のサブマウント１を用い
ることで、周囲から飛来した異物、さらにはサブマウン
ト１上の半導体レーザから落下した異物がサブマウント
端部付近に付着しても、凹型形状をしていることからサ
ブマウントと基準治具１５の間に挟まれる確立は低く、
突き当て不良が発生しにくいため高精度な実装を行うこ
とができる。また、従来のようにサブマウントに対応し
て基準治具を交換する必要がないため、他の種類のサブ
マウントとダイボンダーを共用することが可能であるか
ら生産性が高い利点もある。

【００３０】以上説明したように、本発明の半導体レー
ザ装置では、二つの半導体レーザチップを光軸方向にず
らして配置するための凹部を有するサブマウントを提案
し、その製作方法としてセラミック多層基板で使用され
ている型抜き技術を応用してサブマウントにスルーホー
ルを形成し、それを分断するようにダイシングすること
で容易に凹型形状サブマウントを低コストで形成できる
利点がある。例えば、スルーホール径を、半導体レーザ
チップの後退量とダイシングの切代から見積もると、発
光波長７８０ｎｍのレーザチップを約１００μｍ後退さ
せてマウントするサブマウントを作るには、切代を８０
μｍとした場合、円形のスルーホールの大きさは２８０
μｍ以上で形成すれば良いことになる。この程度の大き
さでは、問題なくスルーホールを形成することが可能で
あり、より小さくは５０μｍ径でも形成が可能であり、
その加工精度も高い。また、型抜きであるため量産性に
優れていることは言うまでもない。

【００３１】また、共振器長の短い半導体レーザチップ
後方出射端部にもスルーホールを形成すれば、サブマウ
ントで光ビームが蹴られことが防止でき、レーザパワー
モニタの安定化及び迷光によるノイズの低減が期待でき
る利点がある。また、他の作用としては、半導体レーザ
チップとサブマウントの相対的位置決めを行う際にも本
発明のサブマウント構造は有効である。従来、半導体レ
ーザチップとサブマウントを位置決めする機構として特
開平１１−１３４７０７号公報（チップ位置決め装置）
の発明が開示されていた。これは、サブマウントと半導
体レーザチップ端面を、それぞれの基準面に突き当てて
位置決めする装置において、サブマウント側の基準面の
中央に逃げ部を設けたことが特徴で、この逃げ部を設け
ることにより、サブマウント端面に付着した異物などで
の突き当て不良による角度誤差の発生が押さえられる。
しかし、この方法ではサブマウント形状に対応して突き
当て治具を用意する必要があり、生産効率が悪かった。

【００３２】本発明では、サブマウント自身に逃げ部と
なる凹部が形成されているため、位置決め治具を多数用
意する必要がなく、ダイボンダーを共用して多品種の製
品を製造することが可能であり生産効率が高い利点があ
る。なお、サブマウント凹部は１個に限らず、放熱性、
機械的強度を考慮して適当な形状、大きさ、個数を設定
してすることができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、発光波長の異なる半導
体レーザチップからなる半導体レーザ装置において、光
学系を共用して装置の小型化、低コスト化を図る場合
に、半導体レーザチップ性能を最大限に引出すために、
各半導体レーザチップを最適な位置にマウントした半導
体レーザ装置を提供することができる。また、本発明に
よれば、端部に凹型の窪みを設けたサブマウントを安価
に製造して提供することができる。また、本発明によれ
ば、端部に凹部を有するサブマウントを用いるととも
に、サブマウントの構成に適応したマウント装置を用い
ることにより、半導体レーザチップとサブマウントとを
高精度に位置決めしてマウントすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１のサブマウントを示す平面図及び側
面図である。

【図２】 実施例１の半導体レーザ装置を示す平面図で
ある。

【図３】 実施例２のサブマウントを示す平面図であ
る。

【図４】 実施例２の半導体レーザ装置を示す平面図で
ある。

【図５】 実施例２の異なる半導体レーザ装置を示す平
面図である。

【図６】 実施例３の半導体レーザ装置を示す平面図で
ある。

【図７】 実施例４の半導体レーザ装置を示す斜視図で
ある。

【図８】 実施例５のマウント装置の側面図及び平面図
である。

【図９】 従来の半導体レーザダイオードを示す斜視図
である。

【図１０】 従来の光学式信号読取装置を示す平面図で
ある。

【図１１】 従来の半導体レーザダイオードを示す斜視
図である。

【符号の説明】

１…サブマウント、２…窒化アルミニウム、３…下地金
属層、４…ハンダ層、５…凹部、６…第１の半導体レー
ザチップ、７…第２の半導体レーザチップ、８…窒化ア
ルミニウムからなる下層、９…窒化アルミニウムからな
る表面層、１０…マウント装置、１１…ヒータステー
ジ、１２，１４…吸引口、１３…コレット、１５…基準
治具。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 サブマウントの同一平面上に２つの半導
   体レーザチップをそれぞれの出射光軸同士が平行に接近
   し、かつ前記２つの半導体レーザチップの主出射端面が
   光軸方向に所定の距離離して固定し、さらに少なくとも
   １つの前記半導体レーザチップの発光点直下領域は前記
   サブマウントから突出していることを特徴とする半導体
   レーザ装置。
2. 【請求項２】 前記半導体レーザチップは、ジャンクシ
   ョンダウンで前記サブマウントに固定されていることを
   特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 前記２つの半導体レーザチップの発光点
   は、他方の半導体レーザチップ側にチップ中心から偏っ
   た位置に形成されていることを特徴とする請求項１記載
   の半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 前記サブマウントの形状は、その端面部
   に凹部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体
   レーザ装置。
5. 【請求項５】 前記サブマウントの主材料は、窒化アル
   ミニウムであることを特徴とする請求項１記載の半導体
   レーザ装置。
6. 【請求項６】 前記２つの半導体レーザチップの発光波
   長は、異なることを特徴とする請求項１記載の半導体レ
   ーザ装置。
7. 【請求項７】 少なくとも１つの前記半導体レーザチッ
   プの主出射端部は、前記サブマウントに形成された凹部
   上に配置されることを特徴とする請求項４記載の半導体
   レーザ装置。
8. 【請求項８】 前記サブマウントは、少なくとも最表面
   の一層にスルーホールが形成された多層基板を切り出し
   て形成したものであること特徴とする請求項１記載の半
   導体レーザ装置。
9. 【請求項９】 前記サブマウントにおいて、前記２つの
   半導体レーザチップのうち共振器長の短い半導体レーザ
   チップの後方出射端部直下に凹部が形成されていること
   を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
10. 【請求項１０】 基板へのスルーホール形成工程、メタ
    ライズ工程、ハンダ層形成工程、ダイシングにより前記
    スルーホールを分断してチップ分離する工程を経て形成
    されることを特徴とするサブマウントの製造方法。
11. 【請求項１１】 半導体レーザチップを端面部に凹部を
    有するサブマウント上にマウントする際に、両者の相対
    的位置を規定するため、基準治具に前記半導体レーザチ
    ップ及び前記サブマウントの端面部を突き当てて位置決
    めしてマウントすることを特徴とする半導体レーザチッ
    プのマウント方法。