KR100333027B1

KR100333027B1 - 반도체 레이저 장치

Info

Publication number: KR100333027B1
Application number: KR1020007002638A
Authority: KR
Inventors: 시오모또다께히로; 고하시이꾸오
Original assignee: 마찌다 가쯔히꼬; 샤프 가부시키가이샤
Priority date: 1998-07-14
Filing date: 1999-07-13
Publication date: 2002-04-15
Also published as: KR20010023938A; DE69920653T2; EP1033793B1; WO2000004614A1; CN1273703A; EP1033793A4; EP1033793A1; CN1118911C; US6456635B1; DE69920653D1

Abstract

반도체 레이저 장치(100)는 방열용 블럭(2)에 직접 혹은 서브마운트를 통하여 탑재된 출사 파장이 다른 제1 반도체 레이저 소자(31)와 제2 반도체 레이저 소자(32)를 구비한다. 이들의 반도체 레이저 소자 각각의 출사광축(A, B)은 서로 대략 평행하다. 제1 반도체 레이저 소자(31)의 출사광축(A)과, 반도체 레이저 장치의 전방(반도체 레이저 소자의 전방 출사 단면측)에 배치되는 집광 렌즈(71)의 중심축(O) 간의 거리를 d1, 제2 반도체 레이저 소자(32)의 출사광축(B)과 상기 집광 렌즈의 중심축 간의 거리를 d2로 하고, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리를 L로 하면, 관계식 0 ≤L ≤d1+d2 ≤160㎛를 만족하도록, 제1 및 제2 반도체 레이저 소자(31, 32)가 방열용 블럭(2)에 탑재되어 있다.

Description

반도체 레이저 장치{SEMICONDUCTOR LASER DEVICE}

광 디스크는 기록 용량이 큰 것이나 정보 기록 위치에 의해서 판독까지 요하는 시간이 변화하지 않는다는 랜덤 액세스 특성을 위해 영상·음성의 기록뿐만아니라 컴퓨터의 외부 기억 등에도 널리 이용되고 있다. 그러나, 용도에 따라 다른 광 디스크가 이용되며 광 디스크마다 정보를 기록 및 판독하기 위한 광픽업에 요구되는 특성이 다르다.

통상, 음성 정보의 기록에 이용되고 있는 컴팩트 디스크(CD) 또는 CD를 컴퓨터의 외부 기억용에 포맷한 CD-ROM을 판독하는 광픽업에서는 광 스폿 직경이 커도 좋으므로, 광원으로서 파장 780㎚ 부근의 적외 반도체 레이저 장치가 이용되며 집광 렌즈에는 개구율(NA)이 0.45 정도가 이용되고 있다.

한편, 기억 용량이 크며 영상 정보 등의 기록에 이용되고 있는 디지털 다용도 디스크(DVD)를 판독하는 광픽업에서는 광 스폿을 작게할 필요가 있으므로, 광원으로서 파장 630 ∼ 680㎚의 적색 반도체 레이저 장치가 이용되며 집광 렌즈에는 NA가 0.6 정도가 이용되고 있다. DVD용 광 픽업에서는 개구 조절 등을 이용하여집광 렌즈의 NA를 조정하면 CD, CD-ROM의 정보을 판독하는 것도 가능하다.

또한, CD와 정보 기록 포맷이 공통으로 한번만 정보의 기록이 가능한 CD-R이라고 불리는 광 디스크가 최근, 폭발적으로 보급되고 있다. CD-R은 통상의 CD용 광픽업으로 신호를 판독하는 것이 가능하며, 광 디스크 자체의 가격이 염가라는 특징이 있다. CD-R에서는 CD와의 호환성을 고려하여, 파장 780㎚ 부근의 빛에 대하여 정보의 기록, 판독이 바람직해지도록 설계된 유기재료의 기록막이 이용되고 있다. 이 때문에 CD-R은 광원에 적외 레이저를 이용한 광픽업을 이용하지 않으면 정보를 판독할 수 없다.

상기한 바와 같이 대량으로 사용되고 있는 CD, CD-ROM, CD-R, DVD 등이 다른 광 디스크의 정보를 1개의 광픽업으로 읽기 위해서는 광원으로서 적색 반도체 레이저와 적외 반도체 레이저가 필요해진다.

광 디스크마다 광픽업을 교환하는 것은 불편함과 동시에 장치가 커지기 때문에 어느쪽 광 디스크라도 광픽업을 교환하지 않고 정보의 기록 및 판독이 가능하며 종래의 CD용 광픽업과 크기면에서나 만들기 쉬운면에서 바뀌지 않는 광픽업의 개발이 되고 있다.

다른 광 디스크에 대하여, 정보를 기록 및 판독할 수 있는 광픽업을 실현하기 위해서는 상술한 바와 같이 적외 반도체 레이저와 적색 반도체 레이저의 2종류의 레이저 광원이 필요해진다. 이들 레이저 광원의 크기가 광픽업의 크기를 제한하고 있다. 즉, 종래의 반도체 레이저 장치의 내부 구조는 예를 들면, 도 6과 같이 되어 있다.

도 6에서 반도체 레이저 소자(3)는 금속제의 원반으로 이루어지는 다이 시트(1)와 일체적으로 형성된 방열용 블럭(2)에 도전성 접착재 또는 금속 납재 등(도시하지 않음)을 이용하여 고정되어 있다. 반도체 레이저 소자는 통상, 폭 200㎛, 길이250㎛, 두께 100㎛ 정도이다. 방열용 블럭(2)은 성형에 의해 평탄면을 만들기 위하여 한변을 2㎜ 이상으로 하고 있다.

다이 시트(1)의 오목부(1a)에는 반도체 레이저 소자(3)의 후방 단면에서 출사되는 빛의 강도를 감시하기 위한 모니터용 포토 다이오드(PD ; 6)가 설치되고 있다. 모니터용 PD(6)는 미리 다이 시트의 오목부(1a)의 저면과 모니터용 PD(6)의 하면에 실시된 도전성 접착재 또는 금속 납재 등(도시하지 않음)으로써 고정되어 있다.

상기 반도체 레이저 소자(3), 방열용 블럭(2), 모니터용 PD(6)를 1개의 패키지에 수납하기 위하여, 레이저광 출사용 창을 갖는 갭(도시하지 않음)을 씌운 후, 해당갭을 다이 시트(1)에 용접한다. 갭의 용접은 질소, 아르곤 등의 불활성 가스 또는 건조 공기 중에서 행하여, 패키지 내부에 습기가 남지 않도록 하고 있다. 패키지 내부를 기밀하게 유지하도록 간극없이 용접하고, 외부로부터의 습기의 침입도 방지하여 반도체 레이저 소자(3), 모니터용 PD(6) 등의 반도체 소자가 장기적인 열화를 방지하고 있다.

반도체 소자와 외부와의 전기적인 접속을 행하기 위하여, 다이 시트(1)와 절연된 상태에서 다이 시트 1을 관통하는 리드핀이 복수 설치되고 있다. 즉, 반도체 레이저 소자(3)의 상부 전극(3a)과, 직경 약 0.2㎜의 리드핀(51)의 평탄부(51a)와는 금와이어(501)에서 전기적으로 접속되어 있다. 모니터용 PD(6)의 표면 전극(6a)과 리드핀(52)의 선단도 금와이어(502)에 의해 접속되고 있다. 절연을 위하여 다이 시트(1)와 리드핀(51, 52)은 0.1㎜ 이상의 간극을 설치하고 절연물에서 서로 고정하고 있다.

상기 캡은 상기 리드핀과 접촉하지 않도록 같은 내부 직경을 가지며, 기밀을 유지하기 위하여, 다이 시트(1)와 접촉하는 부분은 폭 0.5㎜ 정도의 평탄부를 가진다. 이 때문에 다이 시트(1)의 크기로서는 직경 3.8㎜ 이상이 필요하였다.

반도체 레이저 소자(3)의 출사광축 C는 발광점(301)을 통하여 전방 단면에 수직인 방향으로 되어 있다. 한편, 광원으로서 이용하는 반도체 레이저의 출사광축과 집광 렌즈의 중심축과의 거리가 충분히 가까운 경우, 바람직하게는 80㎛ 이하이면 광 디스크로부터 정보를 판독하는 것이 가능하다. 즉, 반도체 레이저의 출사광축과 집광 렌즈의 중심축과의 거리가 커짐에 따라서, 2차 함수적으로 구면 수차가 증가하고, 그 결과, 집광 스폿 직경이 커져 정보가 읽을 수 없게 된다. 예를 들면, 광 디스크 시스템에서는 구면 수차를 허용할 수 있는 한계로서, 머레셜 한계(0.07λ, λ는 레이저광의 파장)가 되고 있다. 통상의 광픽업에 이용되는 집광 렌즈에서는 집광 렌즈의 중심축과 반도체 레이저 소자의 출사광축이 80㎛ 정도 어긋나면 머레셜 한계를 넘게 된다.

그런데, 광원에 적외 반도체 레이저와 적색 반도체 레이저를 이용하여 단순하게 나란히 하여 사용하면, 상기한 바와 같이 다이 시트(1)의 직경이 3.8㎜ 이상이기 때문에, 적외 레이저광과 적색 레이저광의 광축간 거리 L도 3.8㎜ 이상이 되게 된다. 이 경우, 각 레이저광의 광축과 집광 렌즈의 중심축과의 거리는 완전하게 80㎛를 넘게 된다. 따라서, 집광 렌즈를 이동하지 않으면 다른 광 디스크에 대하여 정보를 기록 및 판독할 수는 없다.

상기 과제를 해결하기 위하여, 도 7에 도시한 바와 같은 광픽업이 일경 일렉트로닉스, 1997년 4월 21일 발행, No. 687,138페이지에 기재되어 있다. 본 광픽업에서는 도 6에 기재한 구조의 적색 및 적외 반도체 레이저 장치를 광원(101, 102)으로서 이용하고 있지만, 이들 2개의 레이저광의 출사광축간 거리를 충분히 작아지도록 프리즘(76)을 이용하여 조정하고, 집광 렌즈(71)를 이동하지 않고 다른 광 디스크(81, 82)에 대하여 정보의 기록 및 판독을 가능하게 하고 있다.

도 7의 광 픽업의 동작에 대하여 자세하게 설명한다. 본 광픽업에서는 빛의 이용 효율을 높이기 위하여, 프리즘(76)으로서 편광 빔 분할기를 이용하고 있다. 적외 레이저광의 편광 방향과 적색 레이저광의 편광 방향은 서로 직교하고 있으며, 편광빔 분할기로서는 각각의 출사광은 완전하게 투과, 반사된다. 이들의 빛은 1/4파장판(72)을 통과함으로써 보다 서로 회전 방향이 역방향의 원편광으로 변환되며, 광 디스크(81, 82)으로 반사되어, 다시 1/4 파장판(72)을 통과함으로써 서로 직교하는 직선 편광으로 변환되며 편광빔 분할기(76)에서 적외광은 완전하게 반사, 적색광은 완전히 투과하여 각각의 반도체 레이저 장치로 복귀하여 검출된다.

콜리메이터 렌즈(75)는 반도체 레이저 장치(101, 102)로부터 나온 빛을 평행 광으로 변환하는 기능을 가지고 있으며 이상적이지 않아도 문제는 없고 실용상은 있는 쪽이 광픽업의 특성을 안정시킬 수 있다.

반도체 레이저 장치(102)로부터의 적색 레이저광은 편광 홀로그램(73)에 의해 빔 직경이 확대되며, 집광 렌즈(71)의 실효적인 NA가 커지도록 되어 집광 스폿 직경을 DVD의 정보를 판독하는데 적당한 크기가 되도록 되어 있다. 이 편광 홀로그램(73)은 편광 방향의 직교하는 적외 레이저광에 대해서는 어떤 영향도 부여받지 않으므로, 적외광에 대해서는 집광 렌즈(71)의 실효적인 NA는 작으며 집광 스폿 직경이 CD의 정보를 판독하는데 적당한 크기가 된다.

적외 반도체 레이저 장치(101)에 부착된 홀로그램 소자(77)는 트랙 제어용 3빔을 발생함과 동시에, 광 디스크(81)로 반사되어 돌아온 신호광의 방향을 신호용 PD(도시하지 않음)에 입사하도록 변환하는 기능을 가진다.

본 광픽업의 조립은 개략 다음과 같은 순서가 된다. 우선, 집광 렌즈(71)의 중심축 O에 대하여, 프리즘(76), 콜리메이터 렌즈(75), 입상 미러(74), 편광 홀로그램(73), 1/4 파장판(72)의 각 광학 소자를 소정의 위치에 조정, 설치한다. 적색 반도체 레이저 장치(102)는 그 출사광축 B가 집광 렌즈(71)의 중심축 O와 대략 일치하도록 설치한다. 다음에 적외 반도체 레이저 장치(101)의 출사광축 A를, 프리즘(76)으로써 90° 방향을 변환한 후에 집광 렌즈(71)의 중심축 O와 평행해지도록 조정된다. 또한, 적외 반도체 레이저 장치(101)를 평행 이동하여, 출사광축 A와 집광 렌즈(71)의 중심축 O가 대략 일치하도록 조정된다.

집광 렌즈(71)를 기준으로서 생각하면, 프리즘(76), 적색 반도체 레이저 장치(102), 적외 반도체 레이저 장치(101) 등의 광학 부품의 위치 조정이 필요해진다. 각 광학 소자의 이상적 위치로부터의 편차량을 각각 s1, s2, s3으로 할 때,기계적인 탑재 정밀도 S는 수학식 1에서 나타낸다.

부품 점수가 많아지면 탑재 정밀도 S가 커지며 조립이 곤란해진다. 이와 같이, 도 6에 도시한 종래의 반도체 레이저 장치를 광원으로 하여 다른 광 디스크에 대하여 정보를 기록 및 판독하는 것이 가능한 광픽업을 제작하고자 하면, 프리즘이 불필요한 종래의 CD용 광픽업에 비하여 제작이 매우 곤란해진다는 문제가 있었다.

본 발명은 다른 광 디스크에 정보를 기록 및 판독하는 광픽업을 구성하는데 바람직한 반도체 레이저 장치에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 레이저 장치의 내부 구조를 나타내는 사시도.

도 2는 본 발명의 반도체 레이저 장치를 이용한 다른 광 디스크를 기록 및 판독하는 것이 가능한 광픽업의 모식도.

도 3a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 레이저 장치의 내부 구조 중 반도체 레이저 소자와 그것을 탑재하는 방열용 블럭 부분을 확대하여 나타낸 사시도.

도 3b는 제2 실시예에서 사용되는 발광점이 소자의 중심에 없는 반도체 레이저 소자의 단면을 확대하여 나타낸 도면.

도 4a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 레이저 장치의 내부 구조 중 반도체 레이저 소자와 이들을 탑재하는 방열용 블럭 부분을 확대하여 나타낸 정면도이며, 적색 반도체 레이저 소자만을 서브마운트에 탑재한 모습을 나타낸 도면.

도 4b는 적외 반도체 레이저 소자, 적색 반도체 레이저 소자 모두 서브마운트에 탑재한 도 4a의 실시예의 변형예를 나타낸 도면.

도 5a는 통상의 방열용 블럭을 사용한 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 레이저 장치의 내부 구조를 나타내는 사시도.

도 5b는 방열용 블럭에 적색 반도체 레이저 출사광의 진행을 방해하지 않도록 절결을 설치한 제4 실시 형태의 변형예를 나타내는 사시도.

도 6은 종래예의 반도체 레이저 장치의 내부 구조를 나타내는 사시도.

도 7은 종래예의 반도체 레이저 장치를 이용한 다른 광 디스크를 기록 및 판독하는 것이 가능한 광픽업의 모식도이다.

본 발명은 이러한 과제에 감안하여 이루어진 것으로, 부품 점수를 증가시키지 않고, 따라서 종래의 광픽업과 동등한 조립 기술에서 CD, CD-R, DVD 등의 다른 광 디스크에 대하여 정보를 기록 및 판독하는 것이 가능한 광픽업을 실현할 수 있는 반도체 레이저 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 출사 파장이 다른 2개의 반도체 레이저 소자로부터의 출사광 중 어느 하나를 선택하고, 해당 출사광을 다른 광 디스크상에 집광 렌즈를 포함하는 광학계를 통하여 집광하여, 정보를 기록 및 판독하는 광픽업에 이용되는 반도체 레이저 장치에 있어서,

해당 반도체 레이저 장치는,

방열용 블럭과,

다른 출사 파장을 지니고, 각각의 출사광축이 서로 대략 평행이 되도록 상기방열용 블럭에 탑재된 제1 반도체 레이저 소자 및 제2 반도체 레이저 소자를 구비하고,

상기 제1 반도체 레이저 소자의 출사광축과 상기 집광 렌즈의 중심축 간의 거리를 d1, 제2 반도체 레이저 소자의 출사광축과 상기 집광 렌즈의 중심축 간의 거리를 d2로 하고, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리를 L로 하였을 때, 다음 관계식

0≤L≤d1+d2≤160㎛

를 만족하도록 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자가 상기 방열용 블럭에 탑재되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치를 제공한다.

상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리 L로 하여, 160㎛ 이하의 값이 바람직하다는 근거는 다음 이유에 따른다.

집광 렌즈의 중심축과 반도체 레이저 소자의 출사광축이 일치하고 있는 것이 이상이다. 즉, 집광 렌즈의 중심축 상에 반도체 레이저 소자의 발광점이 있는 경우이다. 집광 렌즈의 중심축과 반도체 레이저 소자의 출사광축이 어긋나면 상술한 바와 같이, 2차 함수적으로 구면 수차가 증가한다. 그 결과, 집광 스폿 직경이 커져서 정보를 판독할 수 없다. 예를 들면, 광 디스크 시스템에서는 구면 수차가 허용할 수 있는 한계로서 머레셜 한계(0.07λ)가 되고 있다. 통상의 광픽업에 이용되는 집광 렌즈에서는 집광 렌즈의 중심축과 반도체 레이저 소자의 출사광축이 80㎛ 정도 어긋나면 머레셜 한계를 넘게 된다. 다른 2개의 반도체 레이저 소자 각각의 출사광축과 집광 렌즈의 중심축과의 거리를 각각 d1, d2로 하면, d1, d2의 양쪽모두가 80㎛을 넘어서는 안된다. 이러한 조건은, 이들 2개의 반도체 레이저 소자의 출사광축간의 거리 L이 160㎛이면, 집광 렌즈의 중심축이 2개의 반도체 레이저 소자의 발광점을 연결하는 선분 상을 통하면 달성되며 L이 160㎛ 미만이면, 집광 렌즈의 중심축이 상기 선분 외를 통하여도 달성된다. 한편, L이 160㎛를 넘은 경우에는 집광 렌즈의 중심축을 어떻게 배치하여도 d1, d2 중 적어도 한쪽이 80㎛를 넘게 된다. 여기에서 L로서 160㎛의 값이 그 허용 한계가 된다.

제1 반도체 레이저 소자는 예를 들면, 적외선 레이저 소자이며, 제2 반도체 레이저 소자는 예를 들면, 적색 레이저 소자이다. 청색 등, 다른 색의 반도체 레이저 소자도 물론 사용 가능하다.

상기 구성의 반도체 레이저 장치는 반도체 레이저 소자가 동일한 방열용 블럭에 탑재되며 더구나, 집광 렌즈와 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 간에는 0≤L≤d1+d2≤160㎛가 되는 관계가 있기 때문에, d1, d2를 각각 80㎛ 이하로 할 수 있으며 따라서, 이 반도체 레이저 장치를 사용하면, 집광 렌즈를 이동하는 것이나 부품 점수를 증가시키지 않고 다른 광 디스크에 대하여 정보를 기록 및 판독하는 것이 가능한 광픽업을 제작하는 것이 가능해진다.

보다 자세하게는 상기 구성의 반도체 레이저 장치를 조합하여 구성된 광픽업장치는 평행하게 또한 간격 160㎛ 이하의 광로에서 650㎚의 빛과 780㎚의 빛을 발생시키는 것이 가능해진다. 따라서, 현재 유통되고 있는 CD-R 미디어를 포함시킨 모든 DVD 미디어, CD 미디어 관련된 디스크 상의 정보를 판독하는 것이 가능하다.

일 실시예에서는 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 중의 한쪽의 반도체레이저 소자는 이들 제1 및 제2 반도체 레이저 소자의 출사 단면이 다른 평면 상에 있도록 다른쪽 반도체 레이저 소자에 대하여 출사광축 방향 후측으로 변이됨과 함께, 상기 한쪽의 반도체 레이저 소자는 그 출사 광축이 상기 다른쪽의 반도체 레이저 소자에 중첩되지 않은 범위에서 출사광축에 수직인 방향으로 상기 다른쪽의 반도체 레이저 소자측으로 변이되고 있다.

이 구성으로는 발광점이 소자의 중앙에 있으며, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자로서 통상의 반도체 레이저 소자의 폭치수(200∼300㎛)를 가지는 소자를 이용하여도, 출사광축간의 거리 L을 160㎛ 이하로 하는 것이 가능해진다.

본 실시예에 있어서, 상기 한쪽 반도체 레이저 소자, 즉 출사광축 방향 후 측의 반도체 레이저 소자의 출사광이 그 소자의 전방에 위치하는 방열용 블럭 부분에 의해서 반사된다는 사태를 회피하기 위하여 상기 한쪽 반도체 레이저 소자의 출사광의 진행 방향 전방에 위치하는 방열용 블럭의 일부를 절결해도 좋다. 혹은, 이 반도체 레이저 소자를 서브마운트를 통하여 방열용 블럭에 탑재하여도 좋다.

상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 및 상기 방열용 블럭은 동일한 패키지 내에 수납하여도 좋다.

또한, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자로서, 발광점 위치를 다르게 하는 소자를 사용할 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 반도체 레이저 소자의 제작 방법을 한정되지 않고 또한 발광 파장을 임의로 하는 것이 가능해진다.

상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자는 방열용 블럭에 직접 탑재하여도 좋으며 이들 중 적어도 한쪽을 서브마운트를 통하여 방열용 블럭에 설치하여도 좋다.

서브마운트를 사용한 경우, 2개의 반도체 레이저 소자의 발광점의 높이 위치가 서로 달라도, 서브마운트의 높이를 조절함으로써, 2개의 반도체 레이저 소자의 발광점의 높이 위치를 일치시킬 수 있다. 또한, 반도체 레이저 소자의 검사를 반도체 레이저 장치에 조립하기 전에 실시할 수 있다. 또한, 반도체 레이저 소자를 방열용 블럭에 고정하는데 사용되는 납재가 발광점까지 고조되어 레이저광의 진로를 부분적으로 막거나 소자를 타고 올라가 단락을 일으키거나 하는 문제를 방지할 수 있다.

일 실시예에서는 상기 제1 반도체 레이저 소자의 중심축과 상기 제2 반도체 레이저 소자의 중심축 간에 각각의 발광점이 있다.

이 경우, 이들의 반도체 레이저 소자의 폭치수에 상관없이 출사광축간 거리 L을 160㎛ 이하로 할 수 있다. 따라서, 통상의 폭치수(200 ∼ 300㎛)를 가지는 반도체 레이저 소자를 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자로서 이용하여도, 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리 L을 160㎛ 이하로 하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명의 반도체 레이저 소자는 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자과는 다른 출사 파장을 구비하고, 출사광축이 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자의 각각의 출사광축과 대략 평행해지도록 상기 방열용 블럭에 탑재된 제3 반도체 레이저 소자를 더 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 제3 반도체 레이저 소자의 출사광축과 상기 집광 렌즈의 중심축 간의 거리를 d3으로 하고, 상기 제1 및 제3 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리 및 상기 제2 및 제3 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리를 각각 L1, L2로 하였을 때, 또한 다음 관계 식

0≤L1≤d1+d3≤160㎛

0≤L2≤d2+d3≤160㎛

가 성립되도록 3개의 반도체 레이저 소자는 방열용 블럭에 탑재된다. 3개의 반도체 레이저 소자를 전부 공통된 1개의 방열용 블럭에 탑재하기 위하여 각 2개의 반도체 레이저 소자 간의 상대 위치를 정밀도 좋게 정할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도 1 ∼ 도 5b에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이들 도면에서 도 6, 도 7에 도시한 부분과 동일 또는 마찬가지의 부분에는 도 6, 도 7에서 사용한 것과 동일한 부호를 붙이고 있다.

실시예 1

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 레이저 장치(100)의 내부 구조를 나타낸 것이다. 적외 반도체 레이저 소자(31)와 적색 반도체 레이저 소자(32)를 모두 다이 시트(1)과 일체화된 방열용 블럭(2)에 탑재하고 있다.

반도체 레이저 소자의 발광점이 반도체 레이저 소자의 폭방향으로 평행하게 배치되어 있는 경우에 대하여 이하에 설명한다.

도 1에서는 방열용 블럭(2)의 반도체 레이저 소자 탑재면에서부터 2개의 반도체 레이저 소자(31, 32)의 발광점(311, 321)까지의 거리가 동일하며, 따라서, 2개의 반도체 레이저 소자의 발광점이 반도체 레이저 소자의 폭방향으로 평행하게배치되어 있다. 적외 반도체 레이저 소자(31)의 폭 치수를 W1, 적색 반도체 레이저 소자(32)의 폭 치수를 W2로 하면, 통상의 반도체 레이저 소자에서는 발광점은 소자의 중심 위치에 있는 것으로, 적외 반도체 레이저 소자(31)의 발광점(311)과 적색발광체 레이저 소자(32)의 발광점(321)의 거리, 따라서, 출사광축 A, B 간의 거리 L은 소자의 폭 치수 W1, W2를 이용하여 수학식 2에서 나타낸다.

여기서 L이(W1+W2)/2와 같아지는 것은 2개의 레이저 소자 간에 간극이 없는 경우이며, 한편, L이 (W1+W2)/2보다도 커지는 것은 2개의 레이저 소자 간에 간극이 있는 경우이다. 그래서, L은 다음 수학식 3과 같이 나타낼 수 있다.

여기서, G는 2개의 반도체 레이저 소자 간의 간극 치수이다.

그런데, 발광점의 위치는 반도체 레이저 소자 측면에서의 캐리어의 비발광 재 결합에 의한 소자 특성의 열화를 피하기 위하여, 소자 측면으로부터 5㎛ 이상 떨어트리는 것이 바람직하며 또한 2개의 반도체 레이저 소자(31, 32)끼리는 10㎛ 정도 분리하여 설치하여 (G≠10㎛), 서로 기계적으로 파괴하거나 전기적으로 도통하는 것을 피하도록 하는 것이 바람직하다. 통상 반도체 레이저 소자에서는 소자의 폭치수 W1, W2는 200 ∼ 300㎛이지만, L을 160㎛ 이하(L≤160㎛)로 하기 위하여본 실시예에서는, 보다 폭치수가 좁은 소자를 이용하였다.

수학식 2, 수학식 3과 상술한 기계적 파괴를 피하기 위한 간격 10㎛를 고려하여, 동일 폭치수 W의 소자를 이용하는 경우, (2W/2)+10≤160에서 소자의 폭치수 W=150㎛의 소자를 이용하면 좋다. 본 실시예에서는 적외 반도체 레이저 소자(31), 적색 반도체 레이저 소자(32) 모두, 폭치수 W=150㎛의 소자를 이용하여 L=160㎛을 달성하였다. 또한, 물론 각 반도체 레이저 소자의 폭치수 W를 더 작게하면 그에 따라서 L을 더 작게 할 수 있다.

적외 반도체 레이저 소자(31)와 적색 반도체 레이저 소자(32)의 후방 단면으로부터의 광출력은 모두 1개의 모니터용 PD(6)에 의해 모니터하였다. 모니터용 PD(6)는 실리콘(Si)제이며 어느쪽 파장의 빛에 대해서도 감도를 구비한다. 또한, 수광부의 크기는 약 900㎛×1200㎛이며, 반도체 레이저 소자(31, 32)의 발광점 간격 160㎛에 비하여 충분하게 크므로, 어느쪽의 반도체 레이저 소자의 출력도 모니터하는 것이 가능하다. 또한, 상기 2개의 반도체 레이저 소자는 동시에는 사용되지 않기 때문에, 신호가 섞이지는 않는다.

또한, 종래의 반도체 레이저 장치와 마찬가지로, 2개의 반도체 레이저 소자(31, 32)와 모니터용 PD(6)는 각각 리드핀(51, 52, 53)에 금와이어로 전기적으로 접속되어, 외부의 전기 회로와 접속할 수 있게 되어 있다. 또한, 상기 2개의 반도체 레이저 소자(31, 32)와 이들을 탑재한 방열용 블럭(2), 모니터용 PD(6)를 덮는 레이저광 출사용 창을 가지는 캡(도 1에는 도시하지 않고 도 2에 참조 번호 110으로 도시함)을 다이 시트(1)에 용접하여 1개의 패키지에 수납하였다. 또한,도시하지 않았지만 신호 수신용 PD 및 신호 처리용 IC도 패키지 내에 수용하여도 좋다. 신호 수신용 PD는 적외 또는 적색 레이저광 중 어느 한쪽만을 수신하는 것이라도 좋으며 양쪽을 수신하는 것이라도 좋다.

다음에, 방열용 블럭(2)의 반도체 레이저 소자 탑재면에서부터 2개의 반도체 레이저 소자(31, 32)의 발광점까지의 거리가 다른 경우에 대하여 설명한다. 2개의 반도체 레이저 소자의 발광점을 연결하는 선분과 반도체 레이저 소자의 폭방향과의 이루는 각을 θ로 하면,

가 된다. 다만, G는 2개의 반도체 레이저 소자 간의 간극 치수, θ는 예각이다.

예를 들면, 방열용 블럭(2)의 반도체 레이저 탑재면에서부터 적색 반도체 레이저 소자(32)의 발광점(321)까지의 거리가 5㎛, 적외 반도체 레이저 소자(31)의 발광점(311)까지의 거리가 50㎛이며, W1=W2=150㎛인 경우, 2개의 반도체 레이저 소자를 10㎛ 분리하여 설치하면(G=10㎛), θ=15.7°가 된다. 이 때, 수학식 4에서 L은 166㎛가 되며, 2개의 반도체 레이저 소자의 발광점이 반도체 레이저 소자의 폭방향으로 평행하게 배치되어 있는 경우(160㎛)에 비하여 6㎛ 커지게 된다. 또한, L≤160㎛라는 조건도 만족할 수 없다. 그 때문에, 폭 치수가 140㎛와, 또한 좁은 2개의 반도체 레이저 소자를, 10㎛ 분리하여 장착함으로써 L=157㎛를 달성하였다. 이 때, θ=16.7°이다.

이상 설명은, 2개의 반도체 레이저 소자의 전방 출사 단면이 동일 평면 상에 있는 경우에 대하여 설명하였지만, 광축 방향으로 어긋나 있는 경우에는 제1 반도체 레이저 소자의 출사광축과 제2 반도체 레이저 소자의 단면을 포함하는 평면이 교차하는 점을 제1 반도체 레이저 소자의 발광점이라고 생각하면 좋다.

또한, 이상의 설명은 2개의 반도체 레이저 소자의 폭방향이 서로 평행한 경우에 대하여 설명하였지만, 적어도 한쪽의 반도체 레이저 소자의 폭방향이 출사광축의 주위에 회전하여 배치된 경우는 L을 보다 작게 배치할 수 있다.

다른 광 디스크에 대하여 정보의 기록 및 판독이 가능한 광픽업을 본 발명의 반도체 레이저 장치(100)를 이용하여 구성한 경우를 도 2에 도시한다. 도 2에서는 반도체 레이저 소자 간의 간격은 과장하여 그려지고 있다. 도 2에서 집광 렌즈(71)의 중심축 O와 적외 레이저 소자(31)의 출사광축 A, 적색 레이저 소자(32)의 출사광축 B와는 각각이 평행해지도록 조정하고 있다. 2개의 광축 A와 B의 거리는 L이며 상기 2개의 광축 A, B 간에서 또한, 2개의 레이저 소자의 발광점을 연결하는 선분상에 집광 렌즈(71)의 중심축 O가 오도록 조정해둔다. 그렇게 하면, 광축 A와 중심축 O와의 거리 d1, 광축 B와 중심축 O와의 거리 d2는 모두 80㎛ 이하가 되며, d1+d2=L≤160㎛가 되는 것은 도면에서 명확하게 한다. 이 때문에, 도 7과 같은 종래의 광 픽업에 필수였던 프리즘(76)을 사용하지 않고 집광 렌즈(71)를 이동하지 않으며 다른 광 디스크에 대하여 정보를 기록 및 판독하는 것이 가능한 광픽업을 실현할 수 있다. 또, 거리 d1 및 d2가 각각 80㎛를 넘지 않는 한 집광 렌즈(71)의 중심축 O가 2개의 레이저 소자의 발광점을 연결하는 선분 밖에 와도 된다. 이 경우, d1+d2는 L보다도 커지기 때문에(d1+d2>L), L의 값은 2개의 레이저 소자의 발광점을 연결하는 선분 상에 집광 렌즈(71)의 중심축 O가 오는 경우에 비하여 적을 필요가 있다.

간단하게 하기 위하여 도 2에는 도시하지는 않았지만, 반도체 레이저 장치(100)에는 3빔 발생, 신호광 진행 방향 변환용 홀로그램을 설치하여도 좋다. 또한, NA를 조정하기 위하여 집광 렌즈(71)의 반도체 레이저 장치(100)측에 적색 레이저광의 빔직경 확대용 광학 소자 내지는 반대로 적외 레이저광의 빔직경 제한용 개구를 설치하여도 좋은 것은 물론이다.

실시예 2

도 3a는 본 발명의 실시예 2에 따른 반도체 레이저 장치 중 반도체 레이저 소자와 그것을 탑재한 방열용 블럭의 부분을 추출하여 나타낸 사시도이다.

본 실시예에서는 반도체 레이저 소자(31, 32)로서 소자의 폭이 통상의 반도체 레이저 소자와 동등한 300㎛이지만, 발광점이 소자의 중심 위치에 없는 것을 이용하고 있다. 도 3b에 본 실시예에서 사용하는 발광점이 중심 위치에 없는 반도체 레이저 소자(32)의 전방 출사 단면부를 확대하여 나타내었다. 반도체 레이저 소자는 상기 출사 단면 구조가 지면에 수직 방향으로 연신된 구조를 가진다. 단면의 층구조의 개략은 이하와 같다. 하부 전극(32b), 반도체 기판(322), 하부 클래드층(323), 활성층(324), 제1 상부 클래드층(325), 전류 협착층(326), 제2 상부 클래드층(325)과 상부 전극(32a), 상부 전극(32a)과 하부 전극(32b) 간에 순전압을 인가하면 전류 협착층(326)의 개구부(329)를 통하여 전류가 흐른다.개구부(329) 근방은 전류 밀도가 높으며, 따라서 캐리어 밀도가 커지므로 레이저 발진이 생긴다. 그 결과, 발광점(321)은 활성층(324)의 전류 협착층의 개구부(329) 바로 하부의 부분이 된다. 실제로는 발광점(321)의 치수는 수㎛ 정도지만 광 픽업 작성에 대하여 말하면 점이라고 간주하여도 지장은 없다. 즉, 발광점(321)의 위치는 개구부(329)의 위치에 의해 정할 수 있다. 또한, 도 3a에서 용이하게 이해할 수 있도록 다른 한쪽의 반도체 레이저 소자(31)는 반도체 레이저 소자(32)와 대략 좌우대칭의 단면 구조를 구비한다.

도 3a에 도시한 바와 같이, 각각 반도체 레이저 소자의 발광점(311, 321)이 각각의 소자(31, 32)의 중심축 X1과 X2 간에 오도록 방열용 블럭(2) 상에 설치하였다. 발광점에서부터 반도체 레이저 소자 측면까지의 거리는 상술된 바와 같이 5㎛ 이상 필요하며, 2개의 반도체 레이저 소자의 간격도 10㎛ 이상 필요하다. 이것부터, 각각의 반도체 레이저의 발광점(311, 321)과의 간격 즉 출사광축 A, B 간 거리 L은 5× 2+10=20㎛ 이상으로 할 필요가 있다. 그러나, 목표로 하는 L≤160㎛에 비하면 충분하게 좁게 하는 것이 가능하며, 제1 실시예에 비교하여 광축간 거리 L을 대략 140㎛ 정도 작게 하는 것이 가능하다.

실시예 3

도 4a는 본 발명의 실시예 3에 따른 반도체 레이저 장치 중 반도체 레이저 소자와 그것을 탑재한 방열용 블럭의 부분을 추출하여 나타낸 정면도이다.

적색 레이저 소자(32)의 발광점(321)은 소자의 하부 전극(32b)면에서부터 약 5㎛의 위치에 있다. 한편, 적외 레이저 소자(31)의 발광점(311)은 소자의 하부 전극(31b)면에서부터 약 50㎛의 위치에 있다. 도 4a와 같이, 적색 레이저 소자(32)를 서브마운트(9)에 탑재하고나서 방열용 블럭(2)에 탑재하였다. 방열용 블럭(2)의 일부를 절결하고, 해당 절결한 부분(20)에 서브마운트(9)에 탑재한 반도체 레이저 소자(32)를 설치하였다. 이것에 의해, 2개의 반도체 레이저 소자(31, 32)의 발광점(311, 321)의 높이 위치를 일치시켰다. 서브마운트(9)에는 방열 특성이 좋은 질화 알루미늄을 이용하였다.

서브 마운트(9)의 재질로서 질화 알루미늄 외에 탄화 실리콘(SiC)이나 다이아몬드, 베릴리아(beryllia ; BeO) 등의 세라믹, 실리콘 등을 이용할 수 있다. 특히, 실리콘 등의 반도체를 이용하면 모니터용 PD를 서브마운트(9)에 형성할 수 있으므로 장치의 소형화, 제작 시간의 단축 등이 가능해진다.

방열용 블럭(2)의 단차부(2a)와 서브마운트(9)와의 서로 대향하는 측면 간의 간극을 10㎛로 하고 또한 상기 단차부(2a)의 대향 측면과 반도체 레이저 소자(31)의 측면 및 서브마운트(9)의 대향 측면과 반도체 레이저 소자(32)의 측면을 각각 일치하도록 이들 소자를 탑재하면, 2개의 반도체 레이저 소자(31, 32)의 발광점의 간격, 따라서 2개의 레이저광의 광축간 거리 L은 실시예 1의 경우와 동일하도록 폭 치수가 150㎛의 소자를 이용하면, L=160㎛로 하는 것이 가능하다. 또한, 반도체 레이저 소자(31, 32)로서, 실시예 2의 경우와 동일하며, 발광점의 위치가 소자의 중심 위치에 없는 소자를 이용하면, L≥20㎛ 이상의 임의의 값으로 설정할 수 있다.

또한, 도 4b와 같이, 적외 레이저 소자(31), 적색 레이저 소자(32) 모두 각각 서브마운트(91, 92)에 탑재하여도 좋다.

실시예 4

도 5a는 본 발명의 실시예 4에 따른 반도체 레이저 장치의 내부 구조를 나타낸 도면이다.

본 실시예 4의 반도체 레이저 장치는 방열용 블럭(2)에 탑재되는 적외 반도체 레이저 소자(31)에 대하여 적색 반도체 레이저 소자(32)를 광축 방향 후방(다이 시트 1측)에 변이됨과 함께, 적색 반도체 레이저 소자(32)의 출사광축 B가 적외 반도체 레이저 소자(31)에 중첩되지 않은 범위에서 광축과 수직 방향 레이저 소자(31)측에 적색 반도체 레이저 소자(32)를 변이하여 배치한 것이다. 도시한 것과는 반대로, 적외 반도체 레이저 소자(31)쪽을 적색 반도체 레이저 소자(32)의 후방에 또한 이것과 소자폭 방향으로 중첩되도록 변이하여도 좋다. 본 실시예에서의 반도체 레이저 소자(31, 32)에는 폭치수가 200㎛, 발광점 위치도 소자의 중심 위치에 있는 통상의 반도체 레이저를 이용하고 있다.

적외 반도체 레이저 소자(31)의 광축 A와 적색 반도체 레이저 소자(32)의 광축 B와의 거리 L은 적외 반도체 레이저 소자(31)의 폭의 1/2, 즉 100㎛ 정도로 할 수 있다.

본 실시예 4에서도 실시예 3 혹은 그 변형예의 경우와 마찬가지로, 2개의 반도체 레이저 소자 중 어느 하나 또는 양쪽을 서브마운트에 탑재하여도 좋다. 또한, 2개의 반도체 레이저 소자 중 적어도 레이저 출사 방향 전방에 위치하는 반도체 레이저 소자[도 5a에서는 적외 반도체 레이저 소자(31)]에, 도 3a에 도시한 바와 같은 발광점이 소자의 중심 위치에 없는 반도체 레이저 소자를 이용하여, 레이저 출사 방향 후방에 위치하는 반도체 레이저 소자[도 5a에서는 적색 반도체 레이저 소자(32)]의 출사광축이 전방의 반도체 레이저 소자의 측면의 바로 외측을 달리도록 하면, 2개의 반도체 레이저의 출사광축간 거리를 보다 작게 할 수 있다. 발광점 위치를 측면에서부터 5㎛의 소자를 이용함으로써, L≒5㎛으로 하는 것이 가능하다.

통상의 반도체 레이저 소자로부터의 출사광은 타원형으로 넓어지고 있다. 특히 활성층(도 3b의 324 참조)에 수직인 방향으로는 크게 넓어지는 것이 알려져 있다. 이 때문에, 발광점이 방열용 블럭(2)의 단부 이외에 오도록 반도체 레이저 소자를 탑재한 경우, 출사광의 일부가 방열용 블럭(2)으로 반사되며, 빛의 진행 방향이 바꿔지며 집광 렌즈에 입사하는 광량이 반도체 레이저의 출력에 비하여 극단적으로 감소할 우려가 있다. 이러한 출사광의 손실을 막기 위하여 도 5b의 구성에서는 적색 반도체 레이저 소자(32)의 출사광이 방열용 블럭(2)에 의해 진행을 방해하지 않도록 상기 방열용 블럭(2)에 적색 반도체 레이저 소자(32) 직전에서부터 광축 방향 전방에 절결부(10)를 설치하고 있다.

이상, 실시예 2 내지 4에서는 방열용 블럭의 반도체 레이저 소자 탑재면에서부터 2개의 반도체 레이저 소자의 발광점까지의 거리가 동일한 경우에 대해서만 설명을 행하였지만, 그 거리가 달라도 되는 것은 실시예 1에 관련지어 설명한 바와 같다.

특히 실시예 3의 경우, 서브마운트를 사용함으로써, 방열용 블럭의 반도체레이저 소자 탑재면에서부터 반도체 레이저 소자의 발광점까지의 거리를 동일하게 함으로써 L을 가능한 한 작게 할 수는 없으며 반도체 레이저 소자의 검사를 반도체 레이저 장치에 조립하기 전에 실시할 수 있다는 이점이 있다. 또한, 반도체 레이저 소자를 방열용 블럭에 납재로 고정하는 경우, 방열용 블럭의 재질의 관계 상 딱딱하지 않은 납재를 다량으로 사용해야만 하기 때문에, 납재가 반도체 레이저 소자와 방열용 블럭 간에는 노출되게 된다. 이 때, 방열용 블럭으로부터 발광점까지의 높이가 작으면 납재가 발광점까지 고조되어 레이저광의 진로를 부분적으로 막거나 소자를 타고 올라가 단락을 일으키는 등의 문제가 생길 수 있다. 이러한 문제도 실시예 3과 같이 서브마운트를 통하여 반도체 레이저 소자를 방열용 블럭에 탑재함으로써 해결된다. 또, 반도체 레이저 소자의 서브마운트로의 고정도 납재에 의해서 행해지지만, 이 납재에는 서브마운트의 재질 상, 선팽창 계수가 반도체 레이저 소자에 가까운 것 즉 비교적 딱딱한 것을 사용할 수 있기 때문에, 납재의 사용량은 적으며 얇게 해결된다. 따라서, 이 경우에는 납재의 노출 등의 문제와는 무관하다.

또한, 실시예 4에서 후방(다이 시트측)에 위치하는 반도체 레이저 소자를 서브마운트를 통하여 탑재하면, 이 반도체 레이저 소자의 발광점을 방열용 블럭의 반도체 레이저 소자 탑재면에서부터 충분하게 분리할 수 있으므로, 레이저광의 진행이 방열용 블럭에 의해 방해받지 않도록 할 수 있다. 따라서, 이 경우에는 도 5b에 도시한 바와 같은 절결을 방열용 블럭에 설치할 필요는 없다.

이상의 설명은 전부 적색 반도체 레이저 소자와 적외 반도체 레이저 소자를이용한 경우에 대하여 설명하였지만, 그 외의 반도체 레이저 소자, 예를 들면 GaN 계의 반도체 레이저 소자를 이용하여도 좋다. GaN계 반도체 레이저 소자에서는 자외, 청색 및 녹색의 파장의 레이저광이 얻어진다. 광 디스크용으로서 청색 반도체 레이저 소자가 필요한 경우, 청색 반도체 레이저 소자와 적색 반도체 레이저 소자, 또는 적외 반도체 레이저 소자와 청색 반도체 레이저 소자와 같은 조합으로 본 발명의 반도체 레이저 장치를 구성하여도 되는 것은 물론이다.

또한, 3개의 반도체 레이저 소자를 이용한 반도체 레이저 장치도 마찬가지로 제작할 수 있다. 즉, 제3 반도체 레이저 소자와 집광 렌즈의 중심축과의 거리를 d3이라고 하면, d1+d3, d2+d3 및 d1+d2의 값이 전부 160㎛ 이하이면 좋다. 또한, 제1 및 제3 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리 및 제2 및 제3 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리를 각각 L1, L2로 하였을 때, L1, L2는 각각 d1+d3, d2+d3 이하이어야만 되는 것는 물론이다. 3개의 반도체 레이저 소자를 이용한 구성으로서는 예를 들면, 본 출원인이 이미 개시하고 있는 특개평 10-335746호 공보의 도 5와 같은 구성이라고 하면 좋다. 단지, 특개평 10-335746호 공보의 도 5에 도시된 반도체 레이저 장치에서는 3개의 반도체 레이저 소자는 각각 별개의 방열대에 탑재된 후에 소정 위치에 배치되지만, 본 발명에 따르면 3개의 반도체 레이저 소자는 1개의 공통된 방열용 블럭에 탑재된다. 이 경우, 본 발명의 구성은 전자의 구성에 비하여 2개의 반도체 레이저 소자 간의 상대 위치 정밀도가 향상된다는 이점이 있다.

Claims

출사 파장이 다른 2개의 반도체 레이저 소자로부터의 출사광 중 어느 하나를 선택하고, 해당 출사광을 다른 광 디스크(81, 82) 상에 집광 렌즈(71)를 포함하는 광학계를 통해 집광하여 정보를 기록 및 판독하는 광픽업에 이용되는 반도체 레이저 장치에 있어서,

해당 반도체 레이저 장치(100)는,

방열용 블럭(2)과,

다른 출사 파장을 구비하고, 각각의 출사광축(A, B)이 서로 대략 평행해지도록 상기 방열용 블럭(2)에 탑재된 제1 반도체 레이저 소자(31) 및 제2 반도체 레이저 소자(32)를 구비하고,

상기 제1 반도체 레이저 소자(31)의 출사광축(A)과 상기 집광 렌즈(71)의 중심축(O) 간의 거리를 d1, 제2 반도체 레이저 소자(32)의 출사광축(B)과 상기 집광 렌즈의 중심축 간의 거리를 d2로 하고, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리를 L로 하였을 때, 다음 관계식

0≤L≤d1+d2≤160㎛

를 만족하도록 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자(31, 32)가 상기 방열용 블럭(2)에 탑재되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 중 한쪽의 반도체 레이저 소자(32, 31)는 이들 제1 및 제2 반도체 레이저 소자의 출사 단면이 다른 평면 상에 있는 것과 같이 다른쪽 반도체 레이저 소자(31, 32)에 대하여 출사광축 방향 후측으로 변이됨과 함께, 상기 한쪽의 반도체 레이저 소자는 그 출사광축(B, A)이 상기 다른쪽의 반도체 레이저 소자에 중첩되지 않은 범위에서 출사광축에 수직인 방향으로 상기 다른쪽의 반도체 레이저 소자측에 변이되고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
제2항에 있어서, 상기 한쪽의 반도체 레이저 소자의 출사광의 진행 방향 전방에 위치하는 방열용 블럭의 일부를 절결하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 및 상기 방열용 블럭을 동일 패키지 내에 수납한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자는 발광점(311, 321) 위치를 다르게 하는 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 중 적어도 한쪽을 서브마운트(9, 91, 92)에 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 반도체 레이저 소자의 중심축(X1)과 상기 제2 반도체 레이저 소자의 중심축(X2) 간에 각각의 발광점(311, 321)이 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
제1항에 있어서, 또한 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자(31, 32)와는 다른 출사 파장을 구비하고, 출사광축이 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 소자 각각의 출사광축(A, B)과 대략 평행해지도록 상기 방열용 블럭(2)에 탑재된 제3 반도체 레이저 소자를 더 구비하고,

상기 제3 반도체 레이저 소자의 출사광축과 상기 집광 렌즈(71)의 중심축(O) 간의 거리를 d3으로 하고, 상기 제1 및 제3 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리 및 상기 제2 및 제3 반도체 레이저 소자의 출사광축간 거리를 각각 L1, L2로 하였을 때 또한 다음 관계식

0≤L1≤d1+d3≤160㎛

0≤L2≤d2+d3≤160㎛

가 성립하도록 상기 3개의 반도체 레이저 소자가 상기 방열용 블럭에 탑재되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.