JP2001007432A

JP2001007432A - 半導体発光装置

Info

Publication number: JP2001007432A
Application number: JP11174644A
Authority: JP
Inventors: Shoji Hirata; 照二平田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-06-21
Filing date: 1999-06-21
Publication date: 2001-01-12

Abstract

(57)【要約】【課題】１つあるいは複数個のレーザダイオードなどの
半導体発光素子が、基台のマウント面上の所定の位置に
高精度に位置決めして固定された半導体発光装置を提供
する。【解決手段】基台Ｂ上に半導体発光素子ＬＤが固定され
た半導体発光装置であって、第１の面ＦＢと、当該第１
の面ＦＢに対して所定の角度で交差して当該交差位置を
固定基準位置Ｓを規定する第２の面ＦＲとを有する基台
Ｂと、固定基準位置Ｓに係止されて基台Ｂ上に固定され
た１つあるいは複数個の半導体発光素子ＬＤとを有する
構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置に
関し、特に複数の光を出射する複数個の半導体発光素子
を有する半導体発光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザダイオード（半導体レーザ）チッ
プは、例えば熱放出機能を有する基台上にマウント（固
定）され、所定の位置に基台ごと配置され、ミラーやフ
ォトダイオードなどの他の光学部品と光学結合されて用
いられる。上記のレーザダイオードは、基台やその他の
電極などから電力を供給されて、所定の波長のレーザ光
を出射する。上記の従来のレーザダイオードをマウント
する基台は、マウント面として平坦な面を有しており、
この面上に、はんだなどにより基台とレーザダイオード
との導通を持たせながら固定する方法が広く行われてい
る。

【０００３】上記のレーザダイオードは、例えば、ＣＤ
（コンパクトディスク）やＤＶＤ（デジタルビデオディ
スク）などの光学的に情報を記録する光学記録媒体（光
ディスク）に記録された情報の再生やこれらに情報の記
録を行う装置（光ディスク装置）に用いられる光学ピッ
クアップ装置の構成要素として用いられている。上記の
光学ピックアップ装置においては、通常、光ディスクの
種類（光ディスクシステム）が異なる場合には、波長の
異なるレーザ光を用いる。例えば、ＣＤの再生などには
７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光を、ＤＶＤの再生などに
は６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光を用いる。

【０００４】さらに、例えばＤＶＤ用の光ディスク装置
でＣＤの再生を可能にするコンパチブル光ディスク装置
などにおいては、例えば７８０ｎｍと６５０ｎｍの２つ
の異なる波長のレーザ光を出射する２つのレーザダイオ
ードを搭載する２波長光学ピックアップ装置が必要とな
っている。上記の２波長光学ピックアップ装置として
は、例えば７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第
１レーザダイオードと、例えば６５０ｎｍ帯の波長のレ
ーザ光を出射する第２レーザダイオードをそれぞれ別体
で準備し、両者を同一基台上にマウントして形成したハ
イブリッド型２波長レーザダイオードや、例えば７８０
ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第１レーザダイオー
ドと、例えば６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する
第２レーザダイオードとをモノリシックに構成したモノ
リシック型２波長レーザダイオードなどが用いられる。

【０００５】上記のハイブリッド型２波長レーザダイオ
ードは、モノリシック型２波長レーザダイオードに比較
して以下の特徴を容易に持たせることができる。まず、
各レーザダイオード間の電気クロストークや熱クロスト
ークを小さくすることが可能である。また、各レーザダ
イオードの共振器長や端面反射率を異ならせることが容
易なため、例えば一方を高出力の情報書き込み用、他方
を低出力で低ノイズの情報読み取り用とするなど、各レ
ーザダイオードの出射するレーザ光に異なった役割を持
たせることができる。また、モノリシック型は両レーザ
ダイオードが揃って良品であることが必要であるため
に、製造工程における歩留りが低くなってしまうが、ハ
イブリッド型の場合、各レーザダイオードの単一チップ
の歩留りは良好であるので、総じて高い歩留りを確保す
ることができる。さらに、両レーザダイオードがもとも
と別体であることから、両レーザダイオードの出射する
レーザ波長を異ならせることが容易であり、また、異な
った材料基台を採用できるので材料の適応範囲が広くな
る。

【０００６】図８（ａ）は上記のハイブリッド型の２波
長レーザダイオードの側面図であり、図８（ｂ）は平面
図である。例えば、熱放出機能を有する基台Ｂの平坦な
面である基台面ＦＢ上に、例えば７８０ｎｍの波長のレ
ーザ光を出射する第１レーザダイオードＬＤ１と、例え
ば６５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する第２レーザダ
イオードＬＤ２とが、それぞれはんだなどにより基台Ｂ
との導通を持たせながら固定されている。上記のハイブ
リッド型２波長レーザダイオードは、さらに、不図示の
その他の電極などから電力を供給されており、各レーザ
ダイオードＬＤ１，ＬＤ２はそれぞれ上記の所定の波長
のレーザ光を各出射口Ａ１，Ａ２から出射する。上記の
ハイブリッド型の２波長レーザダイオードは、例えば所
定の位置に配置され、ミラーやフォトダイオードなどの
他の光学部品と光学結合されて用いられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のハイブリッド型２波長レーザダイオードにおいて
は、基台面ＦＢ上のなんらかの目印を基にして、例えば
両レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２の共振器方向を揃え
るようにしてレーザ光の出射方向がほぼ同じ（ほぼ平
行）になるように、基台面ＦＢ上に上記両レーザダイオ
ードＬＤ１，ＬＤ２をマウントすることになるが、この
場合、マウント時の機械的精度に限界があるために、第
１レーザダイオードＬＤ１あるいは第２レーザダイオー
ドＬＤ２がマウントすべき位置からずれてマウントされ
てしまうという問題があった。

【０００８】上記のように第１レーザダイオードＬＤ１
あるいは第２レーザダイオードＬＤ２がマウントすべき
位置からずれてマウントされてしまうと、例えば、２つ
のレーザダイオードの出射口Ａ１，Ａ２の間隔Ｌが所定
の値からずれてしまったり、あるいは、例えば、第１レ
ーザダイオードＬＤ１のレーザ光の出射方向Ｄ１と第２
レーザダイオードＬＤ２のレーザ光の出射方向Ｄ２との
間に角度θの差が生じ、レーザダイオードの出射口間隔
やレーザ光の平行性の精度確保が必要とされる場合に歩
留りが低下してしまうことになる。

【０００９】上記の問題は、本質的に基台の平坦な基台
面（マウント面）上に１つのレーザダイオードをマウン
トする場合にも発生する問題であり、基台面に対してレ
ーザダイオードを位置決めしてマウントすることが困難
となっていた。

【００１０】本発明は上述の状況に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、１つあるいは複数個のレーザダイ
オードなどの半導体発光素子が、基台のマウント面上の
所定の位置に高精度に位置決めして固定された半導体発
光装置を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体発光装置は、基台上に少なくとも１
個の半導体発光素子が固定された半導体発光装置であっ
て、第１の面と、当該第１の面に対して所定の角度で交
差して当該交差位置に固定基準位置を規定する第２の面
とを有する基台と、前記固定基準位置に係止されて前記
基台上に固定された前記半導体発光素子とを有する。

【００１２】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記半導体発光素子の光の出射方向側における前記
基台の側面に対して、前記固定基準位置となる線が垂直
に配置して形成されている。

【００１３】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記半導体発光素子が、前記第１の面に固定されて
おり、さらに好適には、前記半導体発光素子が、前記第
１の面と前記第２の面にそれぞれ固定されている。ま
た、好適には、前記半導体発光素子が、前記第１の面と
前記第２の面と異なる第３の面に固定されている。

【００１４】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記半導体発光素子が、レーザダイオードである。

【００１５】上記の本発明の半導体発光装置は、好適に
は、前記基台上に前記半導体発光素子として第１半導体
発光素子および第２半導体発光素子が固定された半導体
発光装置であって、前記基台が、第１の面と、当該第１
の面に対して所定の角度で交差して当該交差位置に第１
固定基準位置を規定する第２の面と、第３の面と、当該
第３の面に対して所定の角度で交差して当該交差位置に
第２固定基準位置を規定する第４の面とを有しており、
前記第１半導体発光素子が前記第１固定基準位置に係止
されて前記基台上に固定されており、前記第２半導体発
光素子が前記第２固定基準位置に係止されて前記基台上
に固定されている。

【００１６】上記の本発明の半導体発光装置は、さらに
好適には、前記第１半導体発光素子および前記第２半導
体発光素子の光の出射方向が所定の位置関係を満たすよ
うに、前記第１固定基準位置および前記第２固定基準位
置がそれぞれ所定の位置に配置して形成されており、ま
たさらに好適には、前記第１半導体発光素子および前記
第２半導体発光素子の光の出射方向側における前記基台
の側面に対して、前記第１固定基準位置および前記第２
固定基準位置となる線がそれぞれ垂直に配置して形成さ
れており、あるいは、またさらに好適には、前記第１固
定基準位置および前記第２固定基準位置となる線がそれ
ぞれ所定の間隔をもって互いに平行となるように配置し
て形成されている。

【００１７】上記の本発明の半導体発光装置は、さらに
好適には、前記第１半導体発光素子が、前記第１の面に
固定されており、前記第２半導体発光素子が、前記第３
の面に固定されており、またさらに好適には、前記第１
の面と前記第３の面が直交して配置されている。あるい
は、またさらに好適には、前記第１半導体発光素子が、
前記第１の面と前記第２の面にそれぞれ固定されてお
り、前記第２半導体発光素子が、前記第３の面と前記第
４の面にそれぞれ固定されている。あるいは、さらに好
適には、前記第１の面が、前記第３の面あるいは前記第
４の面と同一の面である。あるいは、さらに好適には、
前記第１半導体発光素子が、前記第１の面と前記第２の
面と異なる第５の面に固定されており、前記第２半導体
発光素子が、前記第３の面と前記第４の面と異なる第６
の面に固定されており、またさらに好適には、前記第５
の面と前記第６の面が直交して配置されている。

【００１８】上記の本発明の半導体発光装置は、さらに
好適には、前記第１半導体発光素子および第２半導体発
光素子が、それぞれレーザダイオードである。あるいは
さらに好適には、前記第１半導体発光素子および第２半
導体発光素子が、互いに異なる波長の光を出射する。

【００１９】上記の本発明の半導体発光装置は、第１の
面と、当該第１の面に対して所定の角度で交差して当該
交差位置に固定基準位置を規定する第２の面とを有する
基台上に、少なくとも１個のレーザダイオードなどの半
導体発光素子が、固定基準位置に係止されて固定されて
いる。従って、レーザダイオードなどの半導体発光素子
が基台のマウント面上の所定の位置に高精度に位置決め
して固定されている。

【００２０】また、複数個のレーザダイオードなどの半
導体発光素子をマウントする場合には、上記の本発明の
半導体発光装置は、第１の面と、当該第１の面に対して
所定の角度で交差して当該交差位置に第１固定基準位置
を規定する第２の面と、第３の面と、当該第３の面に対
して所定の角度で交差して当該交差位置に第２固定基準
位置を規定する第４の面とを有する基台上に、レーザダ
イオードなどの第１半導体発光素子が、第１固定基準位
置に係止されて固定されており、さらに第１半導体発光
素子とは異なる波長の光を出射するレーザダイオードな
どの第２半導体発光素子が、第２固定基準位置に係止さ
れて固定されている。従って、レーザダイオードなどの
複数個の半導体発光素子がそれぞれ基台のマウント面上
の所定の位置に高精度に位置決めして固定されており、
各半導体発光素子の出射口間隔や各出射光の平行性の精
度確保が可能である。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光装置お
よびその製造方法の実施の形態について図面を参照して
説明する。

【００２２】第１実施形態図１（ａ）は、本実施形態に係るレーザダイオードの側
面図、図１（ｂ）は平面図である。例えば、熱放出機能
を有する基台Ｂの平坦な面である基台面ＦＢ上に、基台
面ＦＢに対して斜めに交差する面である斜面ＦＲを表面
とする突起部Ｒが形成されている。上記の基台面ＦＢと
斜面ＦＲは所定の角度をもって交差している。

【００２３】例えば７８０ｎｍあるいは６５０ｎｍなど
の波長のレーザ光を出射するレーザダイオードＬＤが、
上記の基台Ｂの斜面ＦＲを戴置面として、この面上には
んだなどにより基台Ｂとの導通を持たせながら固定され
ている。ここで、基台面ＦＢと斜面ＦＲの交差位置を固
定基準位置Ｓとして、この位置にレーザダイオードＬＤ
の端部が係止されて固定されている。上記のレーザダイ
オードは、さらに、不図示のその他の電極などから電力
を供給されており、レーザダイオードＬＤは上記の所定
の波長のレーザ光を出射口Ａから出射する。上記のレー
ザダイオードは、例えば所定の位置に配置され、ミラー
やフォトダイオードなどの他の光学部品と光学結合され
て用いられる。

【００２４】上記のレーザダイオードにおいて、レーザ
ダイオードＬＤは固定基準位置Ｓに係止されて固定され
ており、高精度に位置決めして配置されている。上記の
固定基準位置Ｓとなる線は、例えばレーザダイオードＬ
Ｄの光の出射方向側における基台Ｂの側面に対して、垂
直となるように配置して形成されている。従って、レー
ザダイオードが、所定の位置に高精度に位置決めして固
定されている。

【００２５】第２実施形態図２（ａ）は、本実施形態に係るハイブリッド型２波長
レーザダイオードの側面図、図２（ｂ）は平面図であ
る。例えば、熱放出機能を有する基台Ｂの平坦な面であ
る基台面ＦＢ上に、基台面ＦＢに対して斜めに交差する
面であり、例えば互いにほぼ直交する面からなる斜面
（ＦＲ１，ＦＲ２）を表面とする突起部Ｒが形成されて
いる。上記の基台面ＦＢと斜面ＦＲ１は所定の角度をも
って交差しており、一方、基台面ＦＢと斜面ＦＲ２は同
じ所定の角度をもって交差している。

【００２６】例えば７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射
する第１レーザダイオードＬＤ１が、上記の基台Ｂの斜
面ＦＲ１を戴置面として、この面上にはんだなどにより
基台Ｂとの導通を持たせながら固定されている。ここ
で、基台面ＦＢと斜面ＦＲ１の交差位置を第１固定基準
位置Ｓ１として、この位置に第１レーザダイオードＬＤ
１の端部が係止されて固定されている。一方、例えば６
５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する第２レーザダイオ
ードＬＤ２が、上記の基台Ｂの斜面ＦＲ２を戴置面とし
て、この面上にはんだなどにより基台Ｂとの導通を持た
せながら固定されている。ここで、基台面ＦＢと斜面Ｆ
Ｒ２の交差位置を第２固定基準位置Ｓ２として、この位
置に第２レーザダイオードＬＤ２の端部が係止されて固
定されている。上記のハイブリッド型２波長レーザダイ
オードは、さらに、不図示のその他の電極などから電力
を供給されており、各レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２
はそれぞれ上記の所定の波長のレーザ光を各出射口Ａ
１，Ａ２から出射する。上記のハイブリッド型の２波長
レーザダイオードは、例えば所定の位置に配置され、ミ
ラーやフォトダイオードなどの他の光学部品と光学結合
されて用いられる。

【００２７】上記のハイブリッド型の２波長レーザダイ
オードにおいて、第１レーザダイオードＬＤ１は第１固
定基準位置Ｓ１に係止されて固定されており、高精度に
位置決めして配置されている。一方、第２レーザダイオ
ードＬＤ２もまた、第２固定基準位置Ｓ２に係止されて
固定されており、高精度に位置決めして配置されてい
る。上記の第１固定基準位置Ｓ１となる線と第２固定基
準位置Ｓ２となる線は、それぞれ、例えば第１レーザダ
イオードＬＤ１および第２レーザダイオードＬＤ２の光
の出射方向側における基台Ｂの側面に対して、垂直であ
って、所定の間隔をもって互いに平行となるように配置
して形成されて、第１レーザダイオードＬＤ１および第
２レーザダイオードＬＤ２の光の出射方向が所定の位置
関係を満たすように配置して形成されている。従って、
第１レーザダイオードおよび第２レーザダイオードが、
それぞれ所定の位置に高精度に位置決めして固定されて
おり、各レーザダイオードのレーザ光出射口間隔の精度
確保が可能で、さらに、第１レーザダイオードＬＤ１の
レーザ光の出射方向Ｄ１と第２レーザダイオードＬＤ２
のレーザ光の出射方向Ｄ２との平行性の精度確保が可能
である。

【００２８】さらに、上記のハイブリッド型の２波長レ
ーザダイオードにおいては、第１レーザダイオードと第
２レーザダイオードが、それぞれ互いにほぼ直交する面
である斜面上に固定されており、このために第１レーザ
ダイオードと第２レーザダイオードの偏光方向をほぼ９
０°異ならせることが可能となっている。上記の偏光方
向の差を利用して、第１レーザダイオードの出射するレ
ーザ光と第２レーザダイオードの出射するレーザ光とを
偏光方向により区別しながら光学系に適用することが可
能である。

【００２９】第３実施形態図３は、本実施形態に係るハイブリッド型２波長レーザ
ダイオードの側面図である。第２実施形態のハイブリッ
ド型２波長レーザダイオードと実質的に同様であるが、
突起部Ｒの表面を構成する面が、基台面ＦＢに対して斜
めに交差する面である４斜面（ＦＲ１ａ，ＦＲ１ｂ，Ｆ
Ｒ２ａ，ＦＲ２ｂ）を表面として形成されている。第２
実施形態と同様に、上記の斜面（ＦＲ１ａ，ＦＲ２ａ）
は互いにほぼ直交するように形成されている。また、斜
面（ＦＲ１ａ，ＦＲ１ｂ）は、互いにほぼ直交するよう
に形成されており、さらに斜面（ＦＲ２ａ，ＦＲ２ｂ）
もまた、互いにほぼ直交するように形成されている。

【００３０】例えば７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射
する第１レーザダイオードＬＤ１が、上記の基台Ｂの斜
面ＦＲ１ａおよび斜面ＦＲ１ｂを戴置面として、この面
上にはんだなどにより基台Ｂとの導通を持たせながら固
定されている。ここで、斜面ＦＲ１ａおよび斜面ＦＲ１
ｂの交差位置を第１固定基準位置Ｓ１として、この位置
に第１レーザダイオードＬＤ１の端部が係止されて固定
されている。一方、例えば６５０ｎｍの波長のレーザ光
を出射する第２レーザダイオードＬＤ２が、上記の基台
Ｂの斜面ＦＲ２ａおよび斜面ＦＲ２ｂを戴置面として、
この面上にはんだなどにより基台Ｂとの導通を持たせな
がら固定されている。ここで、斜面ＦＲ２ａおよび斜面
ＦＲ２ｂの交差位置を第２固定基準位置Ｓ２として、こ
の位置に第２レーザダイオードＬＤ２の端部が係止され
て固定されている。上記の第１レーザダイオードＬＤ１
の斜面ＦＲ１ｂに支持される面は、電流リークを防止す
るために、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの絶縁
物で被覆されていることが好ましい。第２レーザダイオ
ードＬＤ２の斜面ＦＲ２ｂに支持される面もまた、同様
の理由で絶縁物で被覆されていることが好ましい。

【００３１】上記のハイブリッド型の２波長レーザダイ
オードは、それぞれ２つの面により支持されて固定され
ている。従って、第２実施形態と同様に、第１レーザダ
イオードＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２がそれぞ
れ高精度に位置決めして配置されている。上記の４斜面
（ＦＲ１ａ，ＦＲ１ｂ，ＦＲ２ａ，ＦＲ２ｂ）はそれぞ
れ所定の面を形成する位置に配置して設計されており、
上記の第１固定基準位置Ｓ１となる線と第２固定基準位
置Ｓ２となる線は、それぞれ、例えば第１レーザダイオ
ードＬＤ１および第２レーザダイオードＬＤ２の光の出
射方向側における基台Ｂの側面に対して、垂直であっ
て、所定の間隔をもって互いに平行となるように配置し
て形成されて、第１レーザダイオードＬＤ１および第２
レーザダイオードＬＤ２の光の出射方向が所定の位置関
係を満たすように配置して形成されている。従って、第
１レーザダイオードおよび第２レーザダイオードが、そ
れぞれ所定の位置に高精度に位置決めして固定されてお
り、各レーザダイオードのレーザ光出射口間隔や各レー
ザ光の平行性の精度確保が可能である。

【００３２】第４実施形態図４は、本実施形態に係るハイブリッド型２波長レーザ
ダイオードの側面図である。第２実施形態のハイブリッ
ド型２波長レーザダイオードと実質的に同様であるが、
突起部Ｒの表面を構成する面が、基台面ＦＢに対してほ
ぼ直角に、あるいは、斜めに交差する面である４斜面
（ＦＲ１ａ，ＦＲ１ｂ，ＦＲ２ａ，ＦＲ２ｂ）を表面と
して形成されている。第２実施形態と同様に、上記の斜
面（ＦＲ１ａ，ＦＲ２ａ）は互いにほぼ直交するように
形成されている。また、基台面ＦＢと斜面ＦＲ１ｂは、
互いにほぼ直交するように形成されており、さらに基台
面ＦＢと斜面ＦＲ２ｂもまた、互いにほぼ直交するよう
に形成されている。

【００３３】例えば７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射
する第１レーザダイオードＬＤ１が、上記の基台Ｂの斜
面ＦＲ１ａを戴置面として、この面上にはんだなどによ
り基台Ｂとの導通を持たせながら固定されている。ここ
で、基台面ＦＢおよび斜面ＦＲ１ｂの交差位置を第１固
定基準位置Ｓ１として、この位置に第１レーザダイオー
ドＬＤ１の端部が係止されて固定されている。一方、例
えば６５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する第２レーザ
ダイオードＬＤ２が、上記の基台Ｂの斜面ＦＲ２ａを戴
置面として、この面上にはんだなどにより基台Ｂとの導
通を持たせながら固定されている。ここで、基台面ＦＢ
および斜面ＦＲ２ｂの交差位置を第２固定基準位置Ｓ２
として、この位置に第２レーザダイオードＬＤ２の端部
が係止されて固定されている。

【００３４】上記のハイブリッド型の２波長レーザダイ
オードは、第２実施形態と同様に、第１レーザダイオー
ドＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２がそれぞれ高精
度に位置決めして配置されている。上記の４斜面（ＦＲ
１ａ，ＦＲ１ｂ，ＦＲ２ａ，ＦＲ２ｂ）はそれぞれ所定
の面を形成する位置に配置して設計されており、上記の
第１固定基準位置Ｓ１となる線と第２固定基準位置Ｓ２
となる線は、それぞれ、例えば第１レーザダイオードＬ
Ｄ１および第２レーザダイオードＬＤ２の光の出射方向
側における基台Ｂの側面に対して、垂直であって、所定
の間隔をもって互いに平行となるように配置して形成さ
れて、第１レーザダイオードＬＤ１および第２レーザダ
イオードＬＤ２の光の出射方向が所定の位置関係を満た
すように配置して形成されている。従って、第１レーザ
ダイオードおよび第２レーザダイオードが、それぞれ所
定の位置に高精度に位置決めして固定されており、各レ
ーザダイオードのレーザ光出射口間隔や各レーザ光の平
行性の精度確保が可能である。

【００３５】また、上記の第１レーザダイオードの側面
および斜面（ＦＲ１ａ，ＦＲ１ｂ）で囲まれた領域がデ
ップ領域となって、マウントはんだの回り込みを防止
し、電流リークを防止することができる。第２レーザダ
イオード側も同様に、第２レーザダイオードの側面およ
び斜面（ＦＲ２ａ，ＦＲ２ｂ）で囲まれた領域がデップ
領域となっている。

【００３６】第５実施形態図５は、本実施形態に係るハイブリッド型２波長レーザ
ダイオードの側面図である。第２実施形態のハイブリッ
ド型２波長レーザダイオードと実質的に同様であるが、
突起部Ｒの代わりに基台面ＦＢから垂直に延伸する壁Ｗ
が形成されており、壁Ｗの側面（ＦＷ１，ＦＷ２）はそ
れぞれ基台面ＦＢとほぼ直交するように形成されてい
る。

【００３７】例えば７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射
する第１レーザダイオードＬＤ１が、上記の基台Ｂの側
面ＦＷ１を戴置面として、この面上にはんだなどにより
基台Ｂとの導通を持たせながら固定されている。ここ
で、基台面ＦＢおよび側面ＦＷ１の交差位置を第１固定
基準位置Ｓ１として、この位置に第１レーザダイオード
ＬＤ１の端部が係止されて固定されている。一方、例え
ば６５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する第２レーザダ
イオードＬＤ２もまた、上記の基台Ｂの側面ＦＷ２を戴
置面として、この面上にはんだなどにより基台Ｂとの導
通を持たせながら固定されている。ここで、基台面ＦＢ
および側面ＦＷ２の交差位置を第２固定基準位置Ｓ２と
して、この位置に第２レーザダイオードＬＤ２の端部が
係止されて固定されている。上記の第１レーザダイオー
ドＬＤ１の基台面ＦＢに支持される面は、電流リークを
防止するために、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜など
の絶縁物で被覆されていることが好ましい。第２レーザ
ダイオードＬＤ２の基台面ＦＢに支持される面もまた、
同様の理由で絶縁物で被覆されていることが好ましい。

【００３８】上記のハイブリッド型の２波長レーザダイ
オードは、第２実施形態と同様に、第１レーザダイオー
ドＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２がそれぞれ高精
度に位置決めして配置されている。上記の壁Ｗの側面
（ＦＷ１，ＦＷ２）はそれぞれ所定の面を形成する位置
に配置して設計されており、上記の第１固定基準位置Ｓ
１となる線と第２固定基準位置Ｓ２となる線は、それぞ
れ、例えば第１レーザダイオードＬＤ１および第２レー
ザダイオードＬＤ２の光の出射方向側における基台Ｂの
側面に対して、垂直であって、所定の間隔をもって互い
に平行となるように配置して形成されて、第１レーザダ
イオードＬＤ１および第２レーザダイオードＬＤ２の光
の出射方向が所定の位置関係を満たすように配置して形
成されている。従って、第１レーザダイオードおよび第
２レーザダイオードが、それぞれ所定の位置に高精度に
位置決めして固定されており、各レーザダイオードのレ
ーザ光出射口間隔や各レーザ光の平行性の精度確保が可
能である。

【００３９】第６実施形態図６は、本実施形態に係るハイブリッド型２波長レーザ
ダイオードの側面図である。第５実施形態のハイブリッ
ド型２波長レーザダイオードと実質的に同様であるが、
壁Ｗの代わりに、基台面ＦＢ’とそれにほぼ直交する２
側面（ＦＣ１，ＦＣ２）を表面とする凹部Ｃが形成され
ている。

【００４０】例えば７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射
する第１レーザダイオードＬＤ１が、上記の基台Ｂの側
面ＦＣ１を戴置面として、この面上にはんだなどにより
基台Ｂとの導通を持たせながら固定されている。ここ
で、基台面ＦＢ’および側面ＦＣ１の交差位置を第１固
定基準位置Ｓ１として、この位置に第１レーザダイオー
ドＬＤ１の端部が係止されて固定されている。一方、例
えば６５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する第２レーザ
ダイオードＬＤ２もまた、上記の基台Ｂの側面ＦＣ２を
戴置面として、この面上にはんだなどにより基台Ｂとの
導通を持たせながら固定されている。ここで、基台面Ｆ
Ｂ’および側面ＦＣ２の交差位置を第２固定基準位置Ｓ
２として、この位置に第２レーザダイオードＬＤ２の端
部が係止されて固定されている。上記の第１レーザダイ
オードＬＤ１の基台面ＦＢ’に支持される面は、電流リ
ークを防止するために、酸化シリコン膜や窒化シリコン
膜などの絶縁物で被覆されていることが好ましい。第２
レーザダイオードＬＤ２の基台面ＦＢ’に支持される面
もまた、同様の理由で絶縁物で被覆されていることが好
ましい。

【００４１】上記のハイブリッド型の２波長レーザダイ
オードは、第５実施形態と同様に、第１レーザダイオー
ドＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２がそれぞれ高精
度に位置決めして配置されている。上記の凹部Ｃの側面
（Ｆ１，Ｆ２）はそれぞれ所定の面を形成する位置に配
置して設計されており、上記の第１固定基準位置Ｓ１と
なる線と第２固定基準位置Ｓ２となる線は、それぞれ、
例えば第１レーザダイオードＬＤ１および第２レーザダ
イオードＬＤ２の光の出射方向側における基台Ｂの側面
に対して、垂直であって、所定の間隔をもって互いに平
行となるように配置して形成されて、第１レーザダイオ
ードＬＤ１および第２レーザダイオードＬＤ２の光の出
射方向が所定の位置関係を満たすように配置して形成さ
れている。従って、第１レーザダイオードおよび第２レ
ーザダイオードが、それぞれ所定の位置に高精度に位置
決めして固定されており、各レーザダイオードのレーザ
光出射口間隔や各レーザ光の平行性の精度確保が可能で
ある。

【００４２】第７実施形態図７は、本実施形態に係るハイブリッド型２波長レーザ
ダイオードの側面図である。第２実施形態のハイブリッ
ド型２波長レーザダイオードと実質的に同様であるが、
突起部Ｒが台形形状となっており、その側面である斜面
（ＦＲ１，ＦＲ２）上に、基台面ＦＢと斜面ＦＲ１の交
差位置を第１固定基準位置Ｓ１として、この位置に第１
レーザダイオードＬＤ１の端部が係止されて固定されて
おり、一方、基台面ＦＢと斜面ＦＲ２の交差位置を第２
固定基準位置Ｓ２として、この位置に第２レーザダイオ
ードＬＤ２の端部が係止されて固定されている。

【００４３】上記のハイブリッド型の２波長レーザダイ
オードは、第２実施形態と同様に、第１レーザダイオー
ドＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２がそれぞれ高精
度に位置決めして配置されており、各レーザダイオード
のレーザ光出射口間隔や各レーザ光の平行性の精度確保
が可能である。

【００４４】第８実施形態図８は、本実施形態に係るハイブリッド型２波長レーザ
ダイオードの側面図である。第６実施形態のハイブリッ
ド型２波長レーザダイオードと実質的に同様であるが、
凹部Ｃが基台面ＦＢ’とそれに対して斜めに交差する２
側面（ＦＣ１，ＦＣ２）を表面として形成されており、
側面（ＦＣ１，ＦＣ２）上に、基台面ＦＢ’と側面ＦＣ
１の交差位置を第１固定基準位置Ｓ１として、この位置
に第１レーザダイオードＬＤ１の端部が係止されて固定
されており、一方、基台面ＦＢ’と側面ＦＣ２の交差位
置を第２固定基準位置Ｓ２として、この位置に第２レー
ザダイオードＬＤ２の端部が係止されて固定されてい
る。

【００４５】上記のハイブリッド型の２波長レーザダイ
オードは、第６実施形態と同様に、第１レーザダイオー
ドＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２がそれぞれ高精
度に位置決めして配置されており、各レーザダイオード
のレーザ光出射口間隔や各レーザ光の平行性の精度確保
が可能である。

【００４６】以上、本発明を８形態の実施形態により説
明したが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定される
ものではない。例えば、第３〜第８実施形態において、
第１実施形態のようにレーザダイオードなどの発光素子
を１つ有するだけの構成でもよい。また、例えば本発明
に用いる発光素子としては、レーザダイオードに限定さ
れず、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることも可能で
ある。また、第１および第２レーザダイオードの発光波
長は、７８０ｎｍ帯と６５０ｎｍ帯に限定されるもので
はなく、その他の光ディスクシステムに採用されている
波長とすることができる。すなわち、ＣＤとＤＶＤの他
の組み合わせの光ディスクシステムを採用することがで
きる。また、同じ波長であっても構わない。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことが
可能である。

【００４７】

【発明の効果】本発明の半導体発光装置は、１つあるい
は複数個のレーザダイオードなどの半導体発光素子が、
基台のマウント面上の所定の位置に高精度に位置決めし
て固定されている。また、基台のマウント面上の所定の
位置に、容易に高精度に位置決めできるので、レーザダ
イオードなどの半導体発光素子を自動実装することがで
きる。さらに、実装後の微細な実装位置の調整が不要で
あり、容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は第１実施形態に係るハイブリッド
型２波長レーザダイオードの側面図であり、（ｂ）は平
面図である。

【図２】図２（ａ）は第２実施形態に係るハイブリッド
型２波長レーザダイオードの側面図であり、（ｂ）は平
面図である。

【図３】図３は第３実施形態に係るハイブリッド型２波
長レーザダイオードの側面図である。

【図４】図４は第４実施形態に係るハイブリッド型２波
長レーザダイオードの側面図である。

【図５】図５は第５実施形態に係るハイブリッド型２波
長レーザダイオードの側面図である。

【図６】図６は第６実施形態に係るハイブリッド型２波
長レーザダイオードの側面図である。

【図７】図７は第７実施形態に係るハイブリッド型２波
長レーザダイオードの側面図である。

【図８】図８は第８実施形態に係るハイブリッド型２波
長レーザダイオードの側面図である。

【図９】図９（ａ）は従来例に係るハイブリッド型２波
長レーザダイオードの側面図であり、（ｂ）は平面図で
ある。

【符号の説明】

Ｂ…基台、ＬＤ１…第１レーザダイオード、ＬＤ２…第
２レーザダイオード、ＦＢ，ＦＢ’…基台面、ＦＲ１，
ＦＲ１ａ，ＦＲ１ｂ，ＦＲ２，ＦＲ２ａ，ＦＲ２ｂ，Ｆ
Ｗ１，ＦＷ２，ＦＣ１，ＦＣ２…斜面（側面）、Ｓ，Ｓ
１，Ｓ２…固定基準位置、Ａ１，Ａ２…出射口、Ｒ…突
起部、Ｗ…壁、Ｃ…凹部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基台上に少なくとも１個の半導体発光素子
が固定された半導体発光装置であって、第１の面と、当該第１の面に対して所定の角度で交差し
て当該交差位置に固定基準位置を規定する第２の面とを
有する基台と、前記固定基準位置に係止されて前記基台上に固定された
前記半導体発光素子とを有する半導体発光装置。
【請求項２】前記半導体発光素子の光の出射方向側にお
ける前記基台の側面に対して、前記固定基準位置となる
線が垂直に配置して形成されている請求項１記載の半導
体発光装置。
【請求項３】前記半導体発光素子が、前記第１の面に固
定されている請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】前記半導体発光素子が、前記第１の面と前
記第２の面にそれぞれ固定されている請求項３記載の半
導体発光装置。
【請求項５】前記半導体発光素子が、前記第１の面と前
記第２の面と異なる第３の面に固定されている請求項１
記載の半導体発光装置。
【請求項６】前記半導体発光素子が、レーザダイオード
である請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項７】前記基台上に前記半導体発光素子として第
１半導体発光素子および第２半導体発光素子が固定され
た半導体発光装置であって、前記基台が、第１の面と、当該第１の面に対して所定の
角度で交差して当該交差位置に第１固定基準位置を規定
する第２の面と、第３の面と、当該第３の面に対して所
定の角度で交差して当該交差位置に第２固定基準位置を
規定する第４の面とを有しており、前記第１半導体発光素子が前記第１固定基準位置に係止
されて前記基台上に固定されており、前記第２半導体発光素子が前記第２固定基準位置に係止
されて前記基台上に固定されている請求項１記載の半導
体発光装置。
【請求項８】前記第１半導体発光素子および前記第２半
導体発光素子の光の出射方向が所定の位置関係を満たす
ように、前記第１固定基準位置および前記第２固定基準
位置がそれぞれ所定の位置に配置して形成されている請
求項７記載の半導体発光装置。
【請求項９】前記第１半導体発光素子および前記第２半
導体発光素子の光の出射方向側における前記基台の側面
に対して、前記第１固定基準位置および前記第２固定基
準位置となる線がそれぞれ垂直に配置して形成されてい
る請求項８記載の半導体発光装置。
【請求項１０】前記第１固定基準位置および前記第２固
定基準位置となる線がそれぞれ所定の間隔をもって互い
に平行となるように配置して形成されている請求項８記
載の半導体発光装置。
【請求項１１】前記第１半導体発光素子が、前記第１の
面に固定されており、前記第２半導体発光素子が、前記第３の面に固定されて
いる請求項７記載の半導体発光装置。
【請求項１２】前記第１の面と前記第３の面が直交して
配置されている請求項１１記載の半導体発光装置。
【請求項１３】前記第１半導体発光素子が、前記第１の
面と前記第２の面にそれぞれ固定されており、前記第２半導体発光素子が、前記第３の面と前記第４の
面にそれぞれ固定されている請求項１１記載の半導体発
光装置。
【請求項１４】前記第１の面が、前記第３の面あるいは
前記第４の面と同一の面である請求項７記載の半導体発
光装置。
【請求項１５】前記第１半導体発光素子が、前記第１の
面と前記第２の面と異なる第５の面に固定されており、前記第２半導体発光素子が、前記第３の面と前記第４の
面と異なる第６の面に固定されている請求項７記載の半
導体発光装置。
【請求項１６】前記第５の面と前記第６の面が直交して
配置されている請求項１５記載の半導体発光装置。
【請求項１７】前記第１半導体発光素子および第２半導
体発光素子が、それぞれレーザダイオードである請求項
７記載の半導体発光装置。
【請求項１８】前記第１半導体発光素子および第２半導
体発光素子が、互いに異なる波長の光を出射する請求項
７記載の半導体発光装置。