JP2000196174A - 半導体レ―ザ装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気的短絡を防止して、２つの半導体レーザ
素子から出射される各レーザ光の光軸をサブマウント基
板に対して互いに平行にする半導体レーザ装置及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 レーザ素子２及びレーザ素子３から出射
される各レーザ光の光軸が平坦なサブマウント基板９に
対して互いに平行になるようにレーザ素子２、３をサブ
マウント基板９上に固着する半導体レーザ装置１であっ
て、サブマウント基板９上に所定の間隙を有して矩形状
に形成された載置部１１及び載置部１２と、載置部１１
及び載置部１２の上に形成された金属ろう材１０ａ、１
０ｂと、レーザ素子２の発光領域Ａが載置部１１上に、
レーザ素子３の発光領域Ｂが載置部１２上に配置され、
金属ろう材１０ａを介して載置部１１上に固着形成され
たレーザ素子２と、金属ろう材１０ｂを介して載置部１
２上に固着形成されたレーザ素子３とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（Ｃｏｍｐａ
ｃｔ Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅ
ｏ Ｄｉｓｃ）用等の光ディスクの再生を行う光ディス
ク装置の光源として用いられる半導体レーザ装置及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは、特定波長のレーザ光を用
いて再生されるため、異なるフォーマットで書き込まれ
た光ディスクの再生を行う場合、それに対応した異なる
特定波長のレーザ光が必要とされる。通常、このレーザ
光の光源としては半導体レーザ素子が用いられ、レーザ
光の波長は、半導体レーザ素子の材料で決定される。こ
のため、複数の光ディスクの再生には、それに対応した
異なるレーザ波長を有する複数の半導体レーザ素子が必
要とされる。この際、複数の光ディスクの場合は、それ
ぞれ、単独でフォーマットが設定されている場合であ
る。

【０００３】ところで、複数の光ディスクの再生を行う
場合には、低価格化や小型化のために、１台の光ディス
ク装置により再生する開発が盛んに行われている。特
に、ＣＤ用とＤＶＤ用光ディスクの記録情報を1台の光
ディスク装置で再生することが行われている。ＣＤ用光
ディスクの再生を行う光源としては、波長７８０ｎｍの
レーザ光を出射するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子
が、ＤＶＤ用光ディスクの再生を行う光源としては、波
長６５０ｎｍのレーザ光を出射するＩｎＧａＡｌＰ系半
導体レーザ素子が用いられる。このため、基板上にＡｌ
ＧａＡｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体
レーザ素子とを搭載した半導体レーザ装置とか、同一半
導体基板上にＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧ
ａＡｌＰ系半導体レーザ素子を同時に形成した半導体レ
ーザ装置が必要となる。

【０００４】このうち、同一半導体基板上にＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ
素子を同時に形成するためには、以下の困難さがある。
これら２つの半導体レーザ素子は、材料系が異なるため
必ずいずれか一方を先に成長し、しかる後、他方を成長
する必要がある。このため、先に成長した一方の半導体
レーザ素子の結晶層部分には、他方の半導体レーザ素子
を成長する際にも熱が加わることになり、略２倍の熱履
歴を有することになる。このため、先に成長した一方の
半導体レーザ素子の積層された結晶層間でドーパント
（例えば、Ｚｎ）の拡散が生じ、設計通りのｐｎ接合が
形成されない（ｐｎシフト）といったことが生じる。こ
のようなｐｎ接合シフトは、半導体レーザ素子の電気的
特性を劣化（例えば、動作電圧の増大）させたり、ドー
パントが活性層に拡散して非発光中心が増加し、レーザ
特性も劣化してしまう。このように、同一半導体基板上
にＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系
半導体レーザ素子を同時に形成するには、前述したよう
な困難さがある。

【０００５】これに対して、ＡｌＧａＡｓ系半導体レー
ザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子を近接配置
して基板上に搭載する半導体レーザ装置は、ＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ
素子が既に商品化されているので、この２つの半導体レ
ーザ素子を組み立てるだけで、ＣＤ用とＤＶＤ用光ディ
スクの再生を行うことができる半導体レーザ装置を実現
することができる。更に、２つの半導体レ−ザ素子のそ
れぞれの発光領域間を１００μｍ以内にすれば、光学系
を共通化して用いることができるので、１台の光ディス
ク装置によりＣＤ用とＤＶＤ用の光ディスクの再生を行
うことができるため、安価な光ディスク装置を得ること
ができる。

【０００６】このような半導体レーザ装置について、図
３を用いて説明する。図３は、従来の半導体レーザ装置
を示す図である。まず初めに、従来の半導体レーザ装置
１７の構成について説明する。半導体レーザ装置１７
は、金属ろう材１０を介して平坦なサブマウント基板９
上に固着され、かつ所定の間隔を有したＡｌＧａＡｓ系
の半導体レーザ素子２とＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レー
ザ素子３とからなる。ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素
子２は、ＧａＡｓ基板４上にその側部２ａから５０μｍ
以内の位置に発光領域Ａを有するＡｌＧａＡｓ系半導体
レーザ結晶５と、電極６とが順次積層され、この積層方
向と反対側のＧａＡｓ基板４に電極７が形成されてな
る。なお、通常、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ結晶５
は、ＡｌＧａＡｓ系材料からなるｐｎ接合を有してい
る。

【０００７】また、ＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ素
子３は、ＧａＡｓ基板４上に側部３ａから５０μｍ以内
の位置に発光領域Ｂを有するＩｎＧａＡｌＰ系半導体レ
ーザ結晶８と、電極６とが順次積層され、この積層方向
と反対側のＧａＡｓ基板４に電極７が形成されてなる。
なお、通常、ＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ結晶８は、
ＩｎＧａＡｌＰ系の材料からなるｐｎ接合を有してい
る。更に、半導体レーザ素子２と半導体レーザ素子３
は、レーザ光の出射面が互いに同一平面内にあり、かつ
発光領域Ａと発光領域Ｂとの間の距離が略１００μｍ以
内となるように半導体レーザ素子２の側部２ａと半導体
レーザ素子３の側部３ａとが向かい合って配置され、固
着されている。この際、半導体レーザ素子２及び半導体
レーザ素子３から出射されるレーザ光の光軸を平行にす
るには、例えば、半導体レーザ素子２の側部２ａを基準
として半導体レーザ素子３を配置することによって行
う。

【０００８】次に、従来の半導体レーザ装置１７の動作
について説明する。ＣＤ用の光ディスクの再生を行う場
合には、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子２を用い
る。ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子２の動作は、電
極６と電極７との間に電流を流すことによって発光領域
Ａから７８０ｎｍ波長のレーザ光を得ることができる。
また、ＤＶＤ用の光ディスクの再生を行う場合には、Ｉ
ｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ素子３を用いる。ＩｎＧ
ａＡｌＰ系の半導体レーザ素子３の動作は、電極６と電
極７との間に電流を流すことによって発光領域Ｂから６
５０ｎｍ波長のレーザ光を得ることができる。このよう
に、光ディスクがＣＤ用であるかＤＶＤ用であるかによ
って半導体レーザ素子２と半導体レーザ素子３を選択的
に用いることによって再生を行うことができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、２つの
半導体レーザ素子２、３のそれぞれの発光領域間を１０
０μｍにすることが必要なことから、半導体レ−ザ素子
２と半導体レーザ素子３との間が狭いため、金属ろう材
１０が互いに対向する側部２ａと側部３ａとの間に這い
上がり部Ｍを生じ、この這い上がり部Ｍが半導体レーザ
素子２のｐｎ接合領域、半導体レーザ素子３のｐｎ接合
領域に達し電気的に短絡状態を生じ、半導体レーザ素子
２及び半導体レーザ素子３の動作を不能にしていた。こ
の対策として、半導体レーザ素子２及び半導体レーザ素
子３の電極６及び電極７以外を絶縁物で覆うことが考え
られたが、半導体レーザ素子２及び半導体レーザ素子３
の製造方法が複雑になったり、高い製造コストを生じて
いた。

【００１０】また、この２つの半導体レーザ素子２、３
から出射される２つのレーザ光の光軸は、サブマウント
基板９に対して互いに平行にする必要があるが、半導体
レーザ素子２と半導体レーザ素子３の配置は、いずれか
一方を基準として、他方を位置決めして行われるので、
例えば、半導体レーザ素子２を基準とする場合、この半
導体レーザ素子２の基準となる部分が破損している場合
には基準がなくなってしまう。このように、半導体レー
ザ素子２又は半導体レーザ素子３の基準となる部分が破
損していたり、設計通りの形状となっていないと、２つ
のレーザ光の光軸をサブマウント基板９に対して互いに
平行にできず、光ディスクの記録情報を正確に再生でき
なくなるといった問題を生じていた。また、半導体レー
ザ素子２と半導体レーザ素子３を同時にサブマウント基
板９上に固着できず、生産性を低下させていた。

【００１１】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、電気的短絡を防止し
て、２つの半導体レーザ素子から出射される各レーザ光
の光軸をサブマウント基板に対して互いに平行にする半
導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置の第１の発明は、第１半導体レーザ素子及び第２半導
体レーザ素子から出射される各レーザ光の光軸が平坦な
サブマウント基板に対して互いに平行になるように前記
第１及び前記第２半導体レーザ素子を前記サブマウント
基板上に固着する半導体レーザ装置であって、前記サブ
マウント基板上に所定の間隙を有して矩形状に形成され
た第１載置部及び第２載置部と、前記第１載置部及び前
記第２載置部の上に形成された第１金属ろう材及び第２
金属ろう材と、前記第１及び前記第２半導体レーザ素子
の第１及び第２発光領域が同じ側に位置するように、前
記第１及び前記第２載置部上に配置され、前記第１金属
ろう材を介して前記第１載置部上に固着形成された前記
第１半導体レーザ素子と、前記第２金属ろう材を介して
前記第２載置部上に固着形成された前記第２半導体レー
ザ素子とからなることを特徴とする。

【００１３】第２の発明は、第１半導体レーザ素子及び
第２半導体レーザ素子から出射される各レーザ光の光軸
が平坦なサブマウント基板に対して互いに平行になるよ
うに前記第１及び前記第２半導体レーザ素子を前記サブ
マウント基板上に固着する半導体レーザ装置であって、
前記サブマウント基板は、半導体基板であり、前記半導
体基板の表面上に形成された逆テーパ部と、この逆テー
パ部を挟んで前記半導体基板の一方の表面上に順次形成
された第１載置部、第１金属ろう材と、他方の表面上に
順次形成された第２載置部、第２金属ろう材と、前記第
１金属ろう材及び前記第２金属ろう材上に前記第１及び
前記第２半導体レーザ素子の第１及び第２発光領域が同
じ側に位置させると共に、前記第１及び前記第２半導体
レーザ素子の各側部が前記逆テーパ部の上部突起部に接
触した状態で、固着された前記第１及び前記第２半導体
レーザ素子からなることを特徴とする。

【００１４】第３の発明は、請求項２記載の半導体レー
ザ装置の製造方法において、前記逆テーパ部は、前記半
導体基板上にＳｉＮ膜パターンを形成し、このＳｉＮ膜
パターンに覆われた以外の部分をピロカテコールとエチ
レンジアミン酸四酢酸と水とからなる混合エッチング液
を用いてエッチング形成することを特徴する。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の半導体レ−ザ装置の実施
形態について図１及び図２を用いて説明する。図１は、
本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置を示す断面図
である。図２は、本発明の第２実施形態の半導体レーザ
装置を示す断面図である。従来例と同一構成には同一符
号を用いて、その詳細な説明を省略する。

【００１６】まず初めに、本発明の第１実施形態の半導
体レーザ装置の構成について図１を用いて説明する。半
導体レーザ装置１は、サブマウント基板９と、このサマ
ウント基板９上に所定の間隙を有して形成されたＡｕか
らなる載置部１１及び載置部１２と、載置部１２及び載
置部１１の上に形成された金属ろう材１０ａ、１０ｂ
と、半導体レーザ素子２及び３の発光領域Ａ及びＢが同
じ側に位置するように、載置部１１、１２上に配置さ
れ、金属ろう材１０ａを介して載置部１１上に固着形成
された半導体レーザ素子２と、金属ろう材１０ｂを介し
て載置部１２上に固着形成された半導体レーザ素子３と
からなる。

【００１７】前述したように、ＡｌＧａＡｓ系半導体レ
ーザ結晶５は、ＡｌＧａＡｓ系材料からなるｐｎ接合を
有し、ＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ結晶８は、ＩｎＧ
ａＡｌＰ系の材料からなるｐｎ接合を有している。

【００１８】載置部１１及び１２は、矩形状に形成され
ており、載置部１１の側部１１ａ，１１ｂと載置部１２
の側部１２ａ，１２ｂは互いに平行になっている。この
ため、例えば、載置部１１の側部１１ａを基準にして、
半導体レーザ素子２と半導体レーザ素子３を金属ろう材
１０ａ、１０ｂを介して、それぞれに対応した載置部１
１と載置部１２上に固着することができるようになって
いる。また、半導体レーザ素子２及び３から出射される
各レーザ光の光軸は、載置部１１の側部１１ａと同一方
向となる。

【００１９】更に、半導体レーザ素子２と半導体レーザ
素子３は、レーザ光の出射面が互いに同一平面内にあ
り、かつ発光領域Ａと発光領域Ｂとの間の距離が略１０
０μｍ以内となるように半導体レーザ素子２の一端部２
ａと半導体レーザ素子３の一端部３ａとが向かい合って
配置され、固着されている。

【００２０】この際、載置部１１と載置部１２の間から
はみ出したサブマウント基板９上に形成されている金属
ろう材１０ａ、１０ｂ部分は、載置部１１及び載置部１
２上に形成されている金属ろう材１０ａ、１０ｂ部分よ
りも載置部１１及び載置部１２の厚さだけ低い位置にあ
るので、金属ろう材１０ａ、１０ｂがｐｎ接合部まで達
して半導体レーザ素子２及び半導体レーザ素子３が電気
的に短絡してしまうことを防止できるようになってい
る。また、発光領域Ａが載置部１１及び発光領域Ｂが載
置部１２上に対応するように金属ろう材１０ａを介して
半導体レーザ素子２が載置部１１上に、半導体レーザ素
子３が金属ろう材１０ｂを介して載置部１２上にそれぞ
れ固着されているので、半導体レーザ素子２及び半導体
レーザ素子３を動作させる際、発光領域Ａ及び発光領域
Ｂから発生する熱が最も大きいが、この熱を効率良く外
部に放出できるようになっている。

【００２１】本発明の半導体レーザ装置１の動作は、従
来の半導体レーザ装置１３の動作と同様であるので、そ
の説明を省略する。

【００２２】以上のように、本発明の半導体レーザ装置
１は、サブマウント基板９と、このサマウント基板９上
に所定の間隙を有して形成されたＡｕからなる載置部１
１及び載置部１２と、載置部１２及び載置部１１の上に
形成された金属ろう材１０ａ、１０ｂと、半導体レーザ
素子２及び３の発光領域Ａ及びＢが同じ側に位置するよ
うに、載置部１１、１２上に配置され、金属ろう材１０
ａを介して載置部１１上に固着形成された半導体レーザ
素子２と、金属ろう材１０ｂを介して載置部１２上に固
着形成された半導体レーザ素子３とからなるので、半導
体レーザ素子２及び３のｐｎ接合部に金属ろう材１０
ａ、１０ｂが這い上がり、金属ろう材１０がｐｎ接合部
まで達して半導体レーザ素子２及び半導体レーザ素子３
が電気的に短絡してしまうことを防止できる。

【００２３】また、載置部１１、１２は矩形状であるの
で、例えば、載置部１１の側部１１ａを基準にして、半
導体レーザ素子２と半導体レーザ素子３を金属ろう材１
０を介して、それぞれに対応した載置部１１と載置部１
２上に固着することができるため、半導体レーザ素子２
及び３から出射される各レーザ光の光軸を同一方向にす
ることができる。このように、載置部１１の側部１１
ａ、１１ｂ又は載置部１２の側部１２ａ、１２ｂのいず
れかが基準となるので、半導体レーザ素子２及び半導体
レーザ素子３を１つずつ又は２つ同時に載置部１１及び
１２上に金属ろう材１０を介して同時に形成できるた
め、生産性が向上する。また、載置部１１及び１２をＡ
ｕで構成しているため、半導体レーザ素子２及び半導体
レーザ素子３の動作の際、発光領域Ａ及び発光領域Ｂか
ら発生する熱が最も大きいが、この熱を効率良く外部に
放出できる。このため、半導体レーザ素子２及び半導体
レーザ素子３の信頼性が向上する。

【００２４】次に、本発明の第２実施形態の半導体レー
ザ装置について図２を用いて説明する。本発明の第２実
施形態の半導体レーザ装置１３は、本発明の第１実施形
態における載置部１１、１２上に金属ろう材１０ａ、１
０ｂを介してそれぞれ半導体レーザ素子２及び３を固着
する代わりに、矩形状の半導体基板１４の中央部に逆テ
ーパ部１４ａを形成し、この逆テーパ部１４ａを挟持
し、半導体レーザ素子２と半導体レーザ素子３をそれぞ
れに対応する半導体基板基板１４の表面平坦部１４ｂ及
び１４ｂ上に設けられた載置部１５、１６に金属ろう材
１０ａ及び１０ｂを介して固着したものである。本発明
の第１実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説
明を省略する。

【００２５】本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置
１３は、半導体基板１４と、この半導体基板１４の表面
上に形成された逆テーパ部１４ａと、逆テーパ部１４ａ
を挟さんで、半導体基板１４の一方の表面上に順次形成
されたＡｕからなる載置部１５と、金属ろう材１０ａ
と、他方の表面上に順次形成されたＡｕからなる載置部
１６と、金属ろう材１０ｂと、この金属ろう材１０ａ、
１０ｂ上に半導体レーザ素子２及び３の発光領域Ａ及び
Ｂが同じ側に位置させると共に、半導体レーザ素子２及
び３の側部２ａ及び側部３ａが逆テーパ部１４ａの上部
突起Ｔ、Ｔに接触した状態で固着された半導体レーザ素
子２及び半導体レーザ素子３とからなる。

【００２６】載置部１５、１６は、矩形状に形成されて
おり、載置部１５の側部１５ａ，１６ｂと載置部１６の
側部１６ａ，１６ｂは互いに平行になっている。このた
め、例えば、載置部１５の側部１５ａを基準にして、半
導体レーザ素子２を金属ろう材１７を介して載置部１５
上に、また半導体レーザ素子３を金属ろう材１８を介し
て載置部１６上に固着できるので、半導体レーザ素子２
及び３から出射される各レーザ光の光軸を載置部１５の
側部１５ａと同一方向にすることができる。また、逆テ
ーパ部１４ａの側部Ａ₁と載置部１５の側部１５ａに囲
まれた空間部Ｓ₁、また逆テーパ部１４ｂの側部Ａ₂と半
導体レーザ素子３の側部３ａに囲まれた空間部Ｓ₂は、
過剰な金属ろう材１０ａ、１０ｂの吸収領域となってい
る。

【００２７】以上のように、本発明の半導体レーザ装置
１３は、半導体基板１４と、この半導体基板１４の表面
上に形成された逆テーパ部１４ａと、逆テーパ部１４ａ
を挟さんで、半導体基板１４の一方の表面上に順次形成
されたＡｕからなる載置部１５と、金属ろう材１０ａ
と、他方の表面上に順次形成されたＡｕからなる載置部
１６と、金属ろう材１０ｂと、この金属ろう材１０ａ、
１０ｂ上に半導体レーザ素子２及び３の発光領域Ａ及び
Ｂが同じ側に位置させると共に、半導体レーザ素子２及
び３の側部２ａ及び側部３ａが逆テーパ部１４ａの上部
突起Ｔ、Ｔに接触した状態で固着された半導体レーザ素
子２及び半導体レーザ素子３とからなるので、過剰な金
属ろう材１０ａ、１０ｂが空間部Ｓ₁及びＳ₂により吸収
されるため、半導体レーザ素子２及び３のｐｎ接合部ま
で金属ろう材が這い上がって、電気的な短絡を生じ、半
導体レーザ素子２及び半導体レーザ素子３の動作を不能
にすることを防止できる。

【００２８】また、載置部１５及び１６は矩形状であ
り、その側部１５ａ、１５ｂ、１６ａ及び１６ｂは互い
に平行であるので、例えば、載置部１５の側部１５ａを
基準にして、半導体レーザ素子２を金属ろう材１０ａを
介して、また半導体レーザ素子３を金属ろう材１０ｂを
介して、載置部１５及び載置部１６上に同時に配置し、
固着することができるため、半導体レーザ素子２及び３
から出射される各レーザ光の光軸を同一方向にすること
ができる。このように、載置部１５の側部１５ａ、１５
ｂ又は載置部１６の側部１６ａ、１６ｂのいずれかが基
準となるので、半導体レーザ素子２及び半導体レーザ素
子３を１つずつ又は２つ同時に載置部１５及び載置部１
６上に金属ろう材１０ａ、１０ｂを介して同時に形成で
きるため、生産性が向上する。

【００２９】次に、本発明の第２実施形態の半導体レー
ザ装置の製造方法について説明する。半導体基板１４上
に図示しないＳｉＮ膜を形成し、フォトリソグラフィ法
及びドライエッチング法を用いて、半導体基板１４の中
央部に図示しないＳｉＮ膜パターン部を形成する。次
に、温度２００℃の重さ３ｇのピロカテコールと１７ｃ
ｃのエチレンジアミン酸四酢酸と８ｃｃの水との混合エ
ッチング液を用いて、図示しないＳｉＮ膜パターン部に
覆われた以外の半導体基板１４をエッチングする。こう
して、半導体基板１４の中央部に逆テーパ部１４ａを形
成する。

【００３０】しかる後、逆テーパ部１４ａ及び表面平坦
部１４ｂ、１４ｂ上にＡｕを２０μｍ形成後、フォトリ
ソグラフィ法及びドライエッチング法を用いて、載置部
１５、１６を形成する。載置部１５、１６、逆テーパ部
１４ａ及び表面平坦部１４ｂ、１４ｂ上にＩｎを形成
後、フォトリソグラフィ法及びドライエッチング法を用
いて、金属ろう材１０ａ、１０ｂを形成する。

【００３１】この後、半導体レーザ素子２の側部２ａを
逆テーパ部１４ａの上部突起Ｔ、Ｔに接触させて、半導
体レーザ素子２を金属ろう材１０ａ上に載置する。更
に、半導体レーザ素子３の側部３ａを逆テーパ部１４ａ
の上部突起Ｔ、Ｔに接触させて、半導体レーザ素子３を
金属ろう材１０ａ上に載置する。この際、半導体レーザ
素子２及び半導体レーザ素子３を上記と同様にして、同
時に金属ろう材１０ａ、１０ｂ上に載置しても良い。

【００３２】この状態から、半導体レーザ素子２及び半
導体レーザ素子３の上部から４〜５ｇの荷重を加えなが
ら金属ろう材１０ａ、１０ｂの融点以上に加熱溶融後、
冷却して半導体レーザ素子２及び半導体レーザ素子３を
金属ろう材１０ａ、１０ｂを介して載置部１５、１６上
に固着する。こうして、図２に示す半導体レーザ装置１
３が得られる。

【００３３】以上のように、本発明の半導体レーザ装置
１３の製造方法によれば、ピロカテコールとエチレンジ
アミン酸四酢酸と水とからなる混合エッチング液を用い
て、半導体基板１４の表面上に逆テーパ部１４ａを形成
しているので、この逆テーパ部１４ａを精度良く形成で
きる。この結果、半導体レーザ素子２を載置部１５上に
金属ろう材１０ａを介して、また半導体レーザ素子３を
載置部１６上に金属ろう材１０ｂを介して精度良く固着
することができる。

【００３４】

【発明の効果】本発明の半導体レ−ザ装置の請求項１に
よれば、サブマウント基板上に所定の間隙を有して矩形
状に形成された第１載置部及び第２載置部と、前記第１
載置部及び前記第２載置部の上に形成された第１金属ろ
う材及び第２金属ろう材と、前記第１及び前記第２半導
体レーザ素子の第１及び第２発光領域が同じ側に位置す
るように、前記第１及び前記第２載置部上に配置され、
前記第１金属ろう材を介して前記第１載置部上に固着形
成された前記第１半導体レーザ素子と、前記第２金属ろ
う材を介して前記第２載置部上に固着形成された前記第
２半導体レーザ素子とからなるので、前記第１半導体レ
ーザ素子及び前記第２半導体レーザ素子のｐｎ接合部に
金属ろう材が這い上がり前記第１半導体レーザ素子及び
前記第２半導体レーザ素子の動作を不能にすることを防
止できる。また、前記第１載置部及び前記第２載置部は
矩形状であるので、この第１載置部及び第２載置部の一
部を基準として、前記第１半導体レーザ素子を前記第１
金属ろう材を介して前記第１載置部上に及び前記第２半
導体レーザ素子を前記第２金属ろう材を介して前記第２
載置部上に固着できるため、前記第１半導体レーザ素子
及び前記第２半導体レーザ素子から出射される各レーザ
光の光軸を同一方向にすることができる。このため、生
産性が向上する。また、請求項２によれば、サブマウン
ト基板は、半導体基板であり、前記半導体基板の表面上
に形成された逆テーパ部と、この逆テーパ部を挟んで前
記半導体基板の一方の表面上に順次形成された第１載置
部、第１金属ろう材と、他方の表面上に順次形成された
第２載置部、第２金属ろう材と、前記第１金属ろう材及
び前記第２金属ろう材上に前記第１及び前記第２半導体
レーザ素子の第１及び第２発光領域が同じ側に位置させ
ると共に、前記第１及び前記第２半導体レーザ素子の各
側部が前記逆テーパ部の上部突起部に接触した状態で、
固着された前記第１及び前記第２半導体レーザ素子から
なるので、過剰な前記第１金属ろう材及び前記第２金属
ろう材が前記逆テーパ部の側部と前記第１載置部の側部
に囲まれた空間部及び前記逆テーパ部の側部と前記第２
載置部に囲まれた空間により吸収されるため、前記第１
及び前記第２半導体レーザ素子のｐｎ接合部まで金属ろ
う材が這い上がって、電気的な短絡を生じ、前記第１及
び前記第２半導体レーザ素子の動作を不能にすることを
防止できる。更に、本発明の請求項３の半導体レーザ装
置の製造方法によれば、逆テーパ部は、前記半導体基板
上にＳｉＮ膜パターンを形成し、このＳｉＮ膜パターン
に覆われた以外の部分をピロカテコールとエチレンジア
ミン酸四酢酸と水とからなる混合エッチング液を用いて
形成するので、逆テーパ部を精度良く形成することがで
きる。この結果、前記第１半導体レーザ素子を前記第１
載置部上に前記第１金属ろう材を介して、また前記第２
半導体レーザ素子を前記第２載置部上に前記第２金属ろ
う材を介して精度良く固着することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置を示
す図である。

【図２】本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置を示
す図である。

【図３】一般的な半導体レーザ装置を示す図である。

【符号の説明】

１、１３…半導体レーザ装置、２、３…半導体レーザ素
子、４…ＧａＡｓ基板４、５…ＡｌＧａＡｓ系半導体レ
ーザ結晶、６、７…電極、８…ＩｎＧａＡｌＰ系半導体
レーザ結晶、９…サブマウント基板、１０、１７、１８
…金属ろう材、１１、１２、１５、１６…載置部、１４
…半導体基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１半導体レーザ素子及び第２半導体レー
   ザ素子から出射される各レーザ光の光軸が平坦なサブマ
   ウント基板に対して互いに平行になるように前記第１及
   び前記第２半導体レーザ素子を前記サブマウント基板上
   に固着する半導体レーザ装置であって、 前記サブマウント基板上に所定の間隙を有して矩形状に
   形成された第１載置部及び第２載置部と、前記第１載置
   部及び前記第２載置部の上に形成された第１金属ろう材
   及び第２金属ろう材と、前記第１及び前記第２半導体レ
   ーザ素子の第１及び第２発光領域が同じ側に位置するよ
   うに、前記第１及び前記第２載置部上に配置され、前記
   第１金属ろう材を介して前記第１載置部上に固着形成さ
   れた前記第１半導体レーザ素子と、前記第２金属ろう材
   を介して前記第２載置部上に固着形成された前記第２半
   導体レーザ素子とからなることを特徴とする半導体レー
   ザ装置。
2. 【請求項２】第１半導体レーザ素子及び第２半導体レー
   ザ素子から出射される各レーザ光の光軸が平坦なサブマ
   ウント基板に対して互いに平行になるように前記第１及
   び前記第２半導体レーザ素子を前記サブマウント基板上
   に固着する半導体レーザ装置であって、 前記サブマウント基板は、半導体基板であり、前記半導
   体基板の表面上に形成された逆テーパ部と、この逆テー
   パ部を挟んで前記半導体基板の一方の表面上に順次形成
   された第１載置部、第１金属ろう材と、他方の表面上に
   順次形成された第２載置部、第２金属ろう材と、前記第
   １金属ろう材及び前記第２金属ろう材上に前記第１及び
   前記第２半導体レーザ素子の第１及び第２発光領域が同
   じ側に位置させると共に、前記第１及び前記第２半導体
   レーザ素子の各側部が前記逆テーパ部の上部突起部に接
   触した状態で、固着された前記第１及び前記第２半導体
   レーザ素子からなることを特徴とする半導体レーザ装
   置。
3. 【請求項３】請求項２記載の半導体レーザ装置の製造方
   法において、 前記逆テーパ部は、前記半導体基板上にＳｉＮ膜パター
   ンを形成し、このＳｉＮ膜パターンに覆われた以外の部
   分をピロカテコールとエチレンジアミン酸四酢酸と水と
   からなる混合エッチング液を用いてエッチング形成する
   ことを特徴する半導体レーザ装置の製造方法。