WO2015075988A1 - 半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置 - Google Patents

半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2015075988A1
WO2015075988A1 PCT/JP2014/072414 JP2014072414W WO2015075988A1 WO 2015075988 A1 WO2015075988 A1 WO 2015075988A1 JP 2014072414 W JP2014072414 W JP 2014072414W WO 2015075988 A1 WO2015075988 A1 WO 2015075988A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor laser
layer
semiconductor
substrate
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/072414
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
谷　健太郎
川上　俊之
有吉　章
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to JP2015549016A priority Critical patent/JP6185602B2/ja
Priority to CN201480003304.1A priority patent/CN104854766B/zh
Priority to US15/037,552 priority patent/US9614350B2/en
Publication of WO2015075988A1 publication Critical patent/WO2015075988A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0208—Semi-insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer

Definitions

  • the present invention relates to a single-sided, two-electrode semiconductor laser element and a near-field light emitting device using the same.
  • a near-field light emitting device that emits near-field light guides laser light to an optical waveguide provided with a near-field light generating element, and irradiates a desired region with the near-field light generated by the near-field light generating element.
  • a magnetic recording medium formed of a magnetic material having a large magnetic anisotropy energy is used so that magnetization is more stable. Then, the anisotropic magnetic field in the data writing portion of the magnetic recording medium is reduced by heating near-field light, and immediately after that, a writing magnetic field is applied to perform writing of a small size.
  • Patent Document 1 A conventional heat-assisted magnetic recording head is disclosed in Patent Document 1. 14 and 15 show a schematic front view and a perspective view of the main part of the heat-assisted magnetic recording head.
  • the heat-assisted magnetic recording head 1 includes a slider 10 and a semiconductor laser element 40 and is disposed on a magnetic disk D.
  • the slider 10 floats on the rotating magnetic disk D, and a magnetic recording unit 13 and a magnetic reproducing unit 14 are provided at one end facing the magnetic disk D.
  • An optical waveguide 15 is provided in the vicinity of the magnetic recording unit 13, and a near-field light generating element (not shown) that generates near-field light is disposed in the optical waveguide 15.
  • Power feeding terminals 17 and 18 are formed in a pattern on the installation surface 10a on the back side of the slider 10 (opposite side of the magnetic disk D).
  • a semiconductor laminated film 42 is formed on a substrate 41, and a striped optical waveguide 46 is formed by a ridge portion 49 formed on the semiconductor laminated film 42.
  • a first electrode 47 is formed on the bottom surface of the substrate 41, and a second electrode (not shown) is formed on the top surface of the semiconductor stacked film 42.
  • the second electrode of the semiconductor laser element 40 is bonded via a brazing material 29 on the terminal surface 21b on which the terminal portion 22 of the submount 21 is formed.
  • a front surface 21 a orthogonal to the terminal surface 21 b of the submount 21 is fixed to the installation surface 10 a of the slider 10 via a fixing member 19 such as an adhesive.
  • the emitting portion 46 a on one end surface of the optical waveguide 46 is disposed to face the optical waveguide 15 of the slider 10.
  • the first electrode 47 is connected to the terminal 17 through the lead wire 7, and the terminal portion 22 is connected to the terminal 18 through the lead wire 8. Since the 1st electrode 47 and the terminal part 22 are arranged facing the same direction (left side in FIG. 14), the lead wires 7 and 8 can be connected easily.
  • the heat generated by the semiconductor laser element 40 is transmitted to the submount 21 via the brazing material 29 and is transmitted to the slider 10 via the fixing member 19. Thereby, the heat generated by the semiconductor laser element 40 is radiated from the submount 21 and the slider 10.
  • JP 2012-18747 A (pages 7 to 22 and FIG. 2)
  • the submount 21 having the semiconductor laser element 40 bonded to the terminal surface 21b is bonded to the slider 10.
  • the emitting portion 46 a of the semiconductor laser element 40 protrudes in the Z direction from the front surface 21 a of the submount 21, bonding failure occurs. That is, since the semiconductor laser element 40 collides with the slider 10, the submount 21 cannot be bonded to the slider 10.
  • the semiconductor laser element 40 is inclined in a plane parallel to the terminal surface 21b or in a plane perpendicular to the front surface 21a and the terminal surface 21b, it is difficult to align the emitting portion 46a and the optical waveguide 15.
  • the semiconductor laser element 40 it is necessary to align the semiconductor laser element 40 with respect to the submount 21 with high accuracy (for example, the positional accuracy in the Z direction is ⁇ 1 to 2 ⁇ m). Therefore, there is a problem that the man-hour of the heat-assisted magnetic recording head 1 increases and the yield decreases.
  • the man-hour and the yield are similarly increased. There is a problem that decreases.
  • An object of the present invention is to provide a near-field light emitting device capable of reducing man-hours and improving yield and a semiconductor laser element used therefor.
  • the present invention provides a substrate made of a semiconductor, a semiconductor multilayer film laminated on the substrate and including an active layer, and the semiconductor laminate film on the side where the semiconductor multilayer film is formed with respect to the substrate.
  • a semiconductor laser device comprising a first electrode and a second electrode provided on a plane parallel to the active layer, and an end face protective film provided on both opposing end faces perpendicular to the active layer, the end face protective film is formed.
  • One of the end faces is used as a fixed face of the semiconductor laser element.
  • the present invention is also characterized in that a conductive film is provided on the fixed surface in the semiconductor laser device configured as described above.
  • the present invention is also characterized in that, in the semiconductor laser device having the above configuration, the conductive film is formed by sequentially laminating a base layer, a barrier layer, and a reaction layer.
  • the base layer is made of any one of Pt, Ti, Ni, Co, Cr, Pd, and Zr
  • the barrier layer is any one of Pt, Ti, Ta, and W.
  • the reaction layer is made of Au.
  • the present invention is characterized in that the oscillation wavelength is 650 nm to 1100 nm in the semiconductor laser device having the above configuration.
  • the present invention is characterized in that, in the semiconductor laser device having the above configuration, the thickness of the substrate is 1 ⁇ 2 or more of the length between the both end faces, or 150 ⁇ m or more.
  • the semiconductor stacked film is formed by sequentially stacking a first conductive type semiconductor layer, the active layer, and a second conductive type semiconductor layer.
  • the conductive film is laminated.
  • the present invention is also characterized in that, in the semiconductor laser device having the above-described configuration, the substrate is a semi-insulating substrate.
  • the present invention is also characterized in that, in the semiconductor laser device having the above configuration, the semi-insulating substrate is made of non-doped GaAs or Si.
  • the present invention is also characterized in that an insulating layer is provided between the substrate and the first conductivity type semiconductor layer in the semiconductor laser device having the above configuration.
  • the present invention is also characterized in that, in the semiconductor laser device having the above configuration, the insulating layer is made of a non-doped semiconductor.
  • the present invention is also characterized in that, in the semiconductor laser device having the above-described configuration, the insulating layer is composed of a laminated film in which n-type semiconductors and p-type semiconductors are alternately laminated.
  • the present invention is also characterized in that, in the semiconductor laser device having the above-described configuration, the insulating layer is formed of a laminated film in which n-type semiconductors or p-type semiconductors and semi-insulating semiconductors are alternately laminated.
  • the present invention is also characterized in that, in the semiconductor laser device having the above-described configuration, the insulating layer is composed of a laminated film in which an n-type semiconductor, a semi-insulating semiconductor, and a p-type semiconductor are alternately laminated.
  • the present invention is also characterized in that, in the semiconductor laser device having the above-described configuration, the insulating film is formed by the end face protective film.
  • the insulating film is any one of Si, Al, Ta, Ti, Zr, and Ga, and any one of Si, Al, Ta, Ti, Zr, and Ga. It is characterized by comprising a single layer film or a multilayer film selected from nitride films.
  • a near-field light emitting device of the present invention includes the semiconductor laser element having the above-described configuration and an optical member having a near-field light generating element for generating near-field light, and the fixing surface is disposed on the optical member. It is characterized by adhering.
  • the present invention is characterized in that, in the near-field light emitting device having the above-described configuration, the fixed surface and the optical member are joined by solder or an adhesive.
  • the present invention is also characterized in that, in the near-field light emitting device having the above-described configuration, the optical member has a magnetic recording unit that faces the magnetic recording medium and performs magnetic recording in a near-field light irradiation region.
  • the semiconductor laser element is provided with the first electrode and the second electrode on one side with respect to the substrate, and one of the opposite end faces perpendicular to the active layer is used as a fixing surface of the semiconductor laser element.
  • the near-field light emitting device is formed by fixing the semiconductor laser element to the optical member having the near-field light generating element without using the submount or the heat sink. Therefore, the alignment between the optical member and the semiconductor laser element can be easily performed, and the number of steps of the near-field light emitting device can be reduced and the yield can be improved. Further, it is possible to reduce the thermal resistance by reducing the joint surface.
  • 1 is a schematic front view showing a thermally-assisted magnetic recording head according to a first embodiment of the invention.
  • 1 is a perspective view showing a main part of a thermally-assisted magnetic recording head according to a first embodiment of the invention.
  • 1 is a front view showing a semiconductor laser element of a thermally-assisted magnetic recording head according to a first embodiment of the present invention.
  • 1 is a side view showing a semiconductor laser element of a thermally-assisted magnetic recording head according to a first embodiment of the present invention. Process drawing of the semiconductor laser device of the thermally-assisted magnetic recording head according to the first embodiment of the present invention.
  • the front view which shows the semiconductor laminated film formation process of the semiconductor laser element of the thermally assisted magnetic recording head of 1st Embodiment of this invention The side view which shows the window part formation process of the semiconductor laser element of the thermally assisted magnetic recording head of 1st Embodiment of this invention
  • the front view which shows the dug-down part formation process of the semiconductor laser element of the thermally assisted magnetic recording head of 1st Embodiment of this invention 1 is a front view showing a step of forming a buried layer of a semiconductor laser element of a thermally-assisted magnetic recording head according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 1 is a front view showing an electrode forming process of a semiconductor laser element of a thermally-assisted magnetic recording head according to a first embodiment of the present invention.
  • the front view which shows the end surface protective film formation process of the semiconductor laser element of the thermally assisted magnetic recording head of 1st Embodiment of this invention
  • Front view showing a semiconductor laser element of a thermally-assisted magnetic recording head according to a third embodiment of the present invention.
  • Front view showing bonding failure of semiconductor laser element of conventional heat-assisted magnetic recording head
  • FIGS. 1 and 2 are a schematic front view and a perspective view of a main part of a thermally-assisted magnetic recording head which is a near-field light emitting apparatus according to the first embodiment.
  • the heat-assisted magnetic recording head 1 is mounted on an HDD device or the like, and is arranged on the magnetic disk D so as to be axially movable by supporting a suspension (not shown).
  • the heat-assisted magnetic recording head 1 includes a slider 10 (optical member) facing the magnetic disk D, and a semiconductor laser element 40 fixed to the slider 10 by a fixing member 19.
  • the fixing member 19 may be made of a conductive adhesive such as silver paste. However, it is more desirable to use solder such as AuSn bonded to the conductive film 56 (see FIG. 4) described later, because the bonding strength can be improved.
  • the slider 10 floats on the magnetic disk D rotating in the direction of arrow A, and has a magnetic recording unit 13 and a magnetic reproducing unit 14 at the end of the medium exit side.
  • the magnetic recording unit 13 performs magnetic recording
  • the magnetic reproducing unit 14 detects and outputs the magnetization of the magnetic disk D.
  • an optical waveguide 15 that guides laser light emitted from the semiconductor laser element 40 is provided.
  • a near-field light generating element (not shown) that generates near-field light is disposed in the optical waveguide 15.
  • Power feeding terminals 17 and 18 are formed in a pattern on the installation surface 10a on the back side of the slider 10 (opposite side of the magnetic disk D).
  • the semiconductor laser element 40 forms a stripe-shaped optical waveguide 46 by a ridge portion 49 (see FIG. 3) provided in a semiconductor laminated film 42 formed on a substrate 41.
  • An emission surface 40 a perpendicular to the optical waveguide 46 of the semiconductor laser element 40 is fixed to the installation surface 10 a of the slider 10 via the fixing member 19.
  • the emitting portion 46 a on one end surface of the optical waveguide 46 is disposed to face the optical waveguide 15 of the slider 10. Since the submount 21 (see FIG. 14) shown in the conventional example is omitted, the heat-assisted magnetic recording head 1 can be reduced in weight.
  • a semiconductor laminated film 42 is laminated on a substrate 41.
  • a light emitting part 52 having an optical waveguide 46 and a dug down part 51 adjacent to the light emitting part 52 are formed.
  • the digging portion 51 is formed by digging the semiconductor laminated film 42 to a predetermined position by etching.
  • a first electrode 47 is provided on the dug portion 51, and a second electrode 48 is provided on the light emitting portion 52.
  • the first electrode 47 is connected to the terminal 17 through the lead wire 7, and the second electrode 48 is connected to the terminal 18 through the lead wire 8. Since the first electrode 47 and the second electrode 48 are arranged facing the same direction (left side in FIG. 1), the lead wires 7 and 8 can be easily connected.
  • FIG. 3 and 4 show a front view of the semiconductor laser device 40 and a side sectional view passing over the ridge portion 49.
  • FIG. The semiconductor stacked film 42 is formed by sequentially stacking an n-type semiconductor layer 42n, an active layer 42e, and a p-type semiconductor layer 42p on a substrate 41.
  • the dug portion 51 is formed by dug the semiconductor laminated film 42 to the middle of the substrate 41 or the n-type semiconductor layer 42n, and the first electrode 47 is provided on the upper surface.
  • the ridge portion 49 provided in the light emitting portion 52 is formed in a narrow stripe shape sandwiched on both sides by a groove portion 49a dug down to the middle of the p-type semiconductor layer 42p.
  • a terrace 49b having the same height as the ridge 49 is provided on both outer sides of the groove 49a.
  • the terrace 49b may be omitted, the ridge 49 can be protected by providing the terrace 49b.
  • a buried layer 50 made of an insulating film is provided on the upper surface of the light emitting portion 52 except for the upper surface of the ridge portion 49, and a second electrode 48 is provided on the upper surfaces of the ridge portion 49 and the buried layer 50. Since the active layer 42 e is injected with current through the ridge portion 49, a stripe-shaped optical waveguide 46 is formed, and laser light is emitted from the emission portion 46 a on the end face of the optical waveguide 46. Note that window portions 60 are formed by Zn diffusion layers 63 at both ends in the longitudinal direction of the optical waveguide 46.
  • FIG. 5 shows a process diagram of the semiconductor laser element 40.
  • the semiconductor laser element 40 is formed on a wafer-like substrate 41 (see FIG. 3) by a semiconductor laminated film forming step, a window portion forming step, a ridge portion forming step, a dug portion forming step, a buried layer forming step, an electrode forming step, and a polishing step. Are performed in order. Thereafter, a first cutting step, an end face protective film forming step, a conductive film forming step, and a second cutting step are sequentially performed, and the wafer is divided to divide the semiconductor laser element 40 into individual pieces.
  • FIG. 6 shows a front view of the semiconductor laminated film forming step.
  • a semiconductor laminated film 42 is formed by epitaxially growing a GaAs-based semiconductor using a GaAs substrate 41 as a base by metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD), molecular beam crystal growth (MBE) or the like. Form.
  • MOCVD metal organic vapor phase epitaxy
  • MBE molecular beam crystal growth
  • the etch stop layer 42h, the second p-type cladding layer 42i, the intermediate layer 42j, and the contact layer 42k are epitaxially grown in this order.
  • the first buffer layer 42a, the second buffer layer 42b, the n-type cladding layer 42c, and the n-side light guide layer 42d constitute a multilayer n-type semiconductor layer 42n.
  • the p-side light guide layer 42f, the first p-type cladding layer 42g, the etch stop layer 42h, the second p-type cladding layer 42i, the intermediate layer 42j, and the contact layer 42k constitute a multilayer p-type semiconductor layer 42p.
  • the first buffer layer 42a is formed of n-type GaAs.
  • the second buffer layer 42b is formed of n-type GaInP.
  • the n-type cladding layer 42c is formed of n-type AlGaInP.
  • the n-side light guide layer 42d is formed of n-type AlGaAs.
  • the active layer 42e is formed in a multiple quantum well structure in which a well layer made of GaAs and a barrier layer made of AlGaAs are stacked.
  • the p-side light guide layer 42f is formed of p-type AlGaAs.
  • the first p-type cladding layer 42g is formed of p-type AlGaInP.
  • the etch stop layer 42h is formed of p-type GaInP or non-doped GaInP.
  • the second p-type cladding layer 42i is formed of p-type AlGaInP.
  • the intermediate layer 42j is formed of p-type GaInP.
  • the contact layer 42k is formed of p-type GaAs. It should be noted that the order and composition of each layer can be changed as appropriate to the optimum content for the design of the semiconductor laser element 40.
  • FIG. 7 shows a side view of the window forming step.
  • the ZnO film 61 formed on the contact layer 42k by plasma CVD is removed by photolithography and etching, leaving both ends in the longitudinal direction of the optical waveguide 46.
  • a protective film 62 such as SiO 2 is formed on the contact layer 42k and the ZnO film 61, and heat treatment is performed at 400 ° C. to 600 ° C. for 100 minutes to 300 minutes.
  • a diffusion layer 63 in which Zn diffuses from the ZnO film 61 is formed, and the well layer and the barrier layer of the active layer 42e are mixed to form window portions 60 at both ends in the longitudinal direction of the optical waveguide 46.
  • the protective film 62 and the ZnO film 61 are removed.
  • FIG. 8 shows a front view of the ridge portion forming step.
  • a mask such as SiO 2 is formed in a predetermined region on the semiconductor laminated film 42 by photolithography.
  • the p-type semiconductor layer 42p above the etch stop layer 42g is removed by dry etching or wet etching to form the groove 49a, and then the mask is removed.
  • a mesa-shaped ridge portion 49 having a narrow width (for example, 2 ⁇ m) is formed in a stripe shape extending in a direction perpendicular to the emission surface 40a (see FIG. 4).
  • FIG. 9 shows a front view of the dug portion forming step.
  • a mask (not shown) made of SiO 2 is formed in a predetermined region on the semiconductor laminated film 42 by photolithography and etching.
  • the semiconductor multilayer film 42 is dug down onto the substrate 41 by dry etching or wet etching. Thereby, the dug-down part 51 is formed and the mask is removed.
  • the dug portion 51 may be formed by removing the upper layer of the semiconductor stacked film 42 from the second buffer layer 42b.
  • FIG. 10 shows a front view of the buried layer forming step.
  • a buried layer 50 made of SiO 2 is formed on the entire surface of the wafer.
  • an opening for supplying electric power is formed on the upper surface of the ridge portion 49 and the upper surface of the dug portion 51 using photolithography and etching.
  • FIG. 11 shows a front view of the electrode forming process.
  • a metal film such as a general ohmic structure of AuGe / Ni or NiGe (In) is formed on the entire surface of the wafer by sputtering or vapor deposition.
  • the first electrode 47 is formed on the upper surface of the dug portion 51 by photolithography and etching, and annealing at about 200 to 450 ° C. is performed.
  • a metal film mainly composed of Au is formed on the entire surface of the wafer by sputtering or vapor deposition, and the second electrode 48 is formed on the upper surface of the ridge portion 49 by photolithography and etching.
  • the first electrode 47 and the second electrode 48 are arranged on a surface parallel to the active layer 42e on the side where the semiconductor multilayer film 42 is formed with respect to the substrate 41.
  • the semiconductor wafer of the single-sided two-electrode semiconductor laser element 40 in which the first electrode 47 and the second electrode 48 are arranged on one side of the substrate 41 is formed by the above process.
  • structures such as electrodes and ridge type waveguides can be positioned by photolithography. For this reason, each positional relationship can be formed with high accuracy.
  • the back surface of the substrate 41 of the semiconductor wafer (the surface opposite to the surface on which the semiconductor laminated film 42 is formed) is polished to form the substrate 41 with a predetermined thickness. Since the semiconductor laser element 40 is fixed to the installation surface 10a of the slider 10 with the emission surface 40a as a fixed surface, the bonding strength can be increased by increasing the thickness of the substrate 41. For this reason, it is more desirable to form the thickness of the substrate 41 to be 1/2 or more of the length of the optical waveguide 46 or 150 ⁇ m or more.
  • a scribe groove is formed in a direction perpendicular to the ridge portion 49 with respect to the semiconductor wafer.
  • a stress is applied to the scribe groove and it is cut by cleavage to form a strip-shaped member having the emission surface 40a on one side.
  • the semiconductor wafer may be cut by laser scribing or dicing.
  • FIG. 12 shows a side view of the end face protective film forming step.
  • an end face protective film 55 made of an insulating film such as Al 2 O 3 is formed on the opposite emission face 40a and opposite face 40b perpendicular to the active face 42e by ECR sputtering or electron beam evaporation.
  • the end face protective film 55 protects the end face of the semiconductor laminated film 42 and adjusts the reflectance of the end face.
  • a single-layer film or a multi-layer film selected from any one of Si, Al, Ta, Ti, Zr, and Ga oxide films and Si, Al, Ta, Ti, Zr, and Ga nitride films Can be used.
  • the emitting portion 46a is masked with a metal plate or the like, and is opposed to the substrate 41 on one emitting surface 40a on which the end face protective film 55 is formed as shown in FIGS.
  • a conductive film 56 is formed.
  • a base layer 56a made of Ti is disposed on the end face protective film 55 of the insulating film, and a reaction layer 56b made of Au that reacts with solder is laminated on the base layer 56a.
  • the semiconductor laser element 40 can be firmly fixed on the installation surface 10a of the slider 10 with solder.
  • the conductive film 56 a single layer film or a multilayer film selected from any one of Pt, Ti, Ni, Co, Cr, Pd, Zr, Ta, W, Au, Mo, Ge, Ag, Cu, and ITO is used. Can be used.
  • the conductive film 56 may be formed by laminating a base layer 56a made of any of Pt, Ti, Ni, Co, Cr, Pd, and Zr and a reaction layer 56b made of Au in this order from the substrate 41 side. Further, if a barrier layer made of any one of Pt, Ti, Ta, and W is provided between the base layer 56a and the reaction layer 56b, diffusion of the base layer 56a can be prevented.
  • a scribe groove is formed in the direction perpendicular to the emission surface 40a with respect to the strip-shaped member, and stress is applied to the scribe groove to cut by cleavage.
  • the strip-shaped member may be cut by laser scribing or dicing. Thereby, the semiconductor laser element 40 is separated into pieces.
  • the magnetic recording unit 13 and the magnetic reproducing unit 14 face the magnetic disk D, and the slider 10 floats on the magnetic disk D.
  • the optical waveguide 46 forms a resonator, and, for example, laser light having an oscillation wavelength of 650 nm to 1100 nm is emitted from the emission part 46a.
  • the temperature characteristics of the semiconductor laser element 40 are deteriorated. This is because the resonator length of the semiconductor laser element 40 of the thermally-assisted magnetic recording head 1 mounted on an HDD device or the like is as short as about 300 ⁇ m, so that the operating current density of the semiconductor laser element 40 is, for example, a semiconductor laser element for reproducing optical disks. This is because it is about 2 to 3 times as much as the above. In addition, the band gap difference between the n-type semiconductor layer 42n or the p-type semiconductor layer 42p and the active layer 42e becomes small, and the influence of carrier overflow cannot be ignored.
  • an InGaAs layer is used as the active layer 42e when the oscillation wavelength is 850 ⁇ m or more. At this time, since the In composition ratio increases at a wavelength of 1100 ⁇ m or more, the distortion of the InGaAs film increases, and the reliability of the semiconductor laser device 40 decreases.
  • the laser light emitted from the emitting portion 46a is guided through the optical waveguide 15 of the slider 10 to generate and emit near-field light by the near-field light generating element.
  • the anisotropic magnetic field is locally reduced by the heat of near-field light, and magnetic recording is performed by the magnetic recording unit 13.
  • the magnetic disk D with a large magnetic anisotropy energy can be used, and the recording density of the magnetic disk D can be improved.
  • the magnetization of the magnetic disk D is detected by the magnetic reproducing unit 14, and the data recorded on the magnetic disk D can be read.
  • the heat generated by the semiconductor laser element 40 due to the generation of the laser light is transmitted to the substrate 41 and then transmitted to the slider 10 via the fixing member 19 such as solder. Thereby, heat is radiated from the substrate 41 and the slider 10.
  • the semiconductor laser device 40 includes the first electrode 47 and the second electrode 48 on one side with respect to the substrate 41, and the one emitting surface 40a of the opposite end surfaces perpendicular to the active layer 42e is formed on the semiconductor laser device. Used as 40 fixed surfaces.
  • the semiconductor laser element 40 is fixed to the slider 10 (optical member) having the near-field light generating element without using a submount or a heat sink, thereby forming the heat-assisted magnetic recording head 1 (near-field light emitting device). . Therefore, the alignment between the slider 10 and the semiconductor laser element 40 can be easily performed, and the man-hour reduction and the yield improvement of the heat-assisted magnetic recording head 1 can be achieved. Further, the joint surface between the semiconductor laser element 40 and the slider 10 can be reduced, and the thermal resistance can be reduced.
  • the slider 10 and the semiconductor laser element 40 can be bonded by soldering, and the bonding strength between the two can be improved.
  • the thickness of the substrate 41 is set to be 1 ⁇ 2 or more of the length between both end faces (40a, 40b) forming the resonator composed of the optical waveguide 46, or 150 ⁇ m or more, the length of the conductive film 56 on the bonding surface is reduced. 100 ⁇ m or more. Thereby, the bonding strength of the semiconductor laser element 40 can be improved.
  • the conductive film 56 is provided on the end face protective film 55 (insulating film), when the slider 10 and the second electrode 48 are electrically connected, the end face protective film 55 causes the first electrode 47 and the second electrode 48 to be connected. Short circuit is prevented. Therefore, it is possible to improve the stability of current injection at the time of high-frequency operation (for example, 5 GHz or more) for recording in the fine region of the heat-assisted magnetic recording head 1.
  • the end face protective film 55 (insulating film) is provided in the lower layer of the conductive film 56, so that the adhesion of the conductive film 56 can be improved and the deterioration of the film quality of the conductive film 56 can be suppressed.
  • an insulating film may be provided below the conductive film 56 by a process different from that of the end face protective film 55, it is not necessary to separately form an insulating film by forming the conductive film 56 on the end face protective film 55. Can be reduced.
  • the thermally assisted magnetic recording head 1 of the second embodiment differs from the first embodiment in the substrate 41 of the semiconductor laser element 40.
  • Other parts are the same as those in the first embodiment.
  • the substrate 41 is formed of a semi-insulating substrate such as non-doped GaAs or Si.
  • capacitance between the electrically conductive film 56 and the n-type semiconductor layer 42n can be made small (for example, 0.1 pF or less). Therefore, it is possible to prevent a decrease in insulation due to the capacitance between the conductive film 56 and the n-type semiconductor layer 42 during high-frequency operation, and to further improve the modulation of the operation of the semiconductor laser element 40 during current modulation.
  • FIG. 13 shows a front view of the semiconductor laser element 40 of the thermally-assisted magnetic recording head 1 of the third embodiment.
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the first embodiment shown in FIGS.
  • an insulating layer 43 is provided between the substrate 41 and the n-type semiconductor layer 42n. Other parts are the same as those in the first embodiment.
  • the insulating layer 43 is formed of a semi-insulating semiconductor such as non-doped GaAs with a thickness of about 1 ⁇ m, and is disposed between the substrate 41 and the n-type semiconductor layer 42n.
  • the capacitance between the conductive film 56 and the n-type semiconductor layer 42n can be reduced (for example, 0.1 pF or less). Therefore, it is possible to prevent a decrease in insulation due to the capacitance between the conductive film 56 and the n-type semiconductor layer 42n during high-frequency operation, and to further improve the modulation of the operation of the semiconductor laser element 40 during current modulation.
  • the insulating layer 43 may be formed of a laminated film in which n-type semiconductors and p-type semiconductors are alternately laminated. Alternatively, the insulating layer 43 may be formed of a stacked film in which n-type or p-type semiconductors and non-doped semi-insulating semiconductors are alternately stacked. Alternatively, the insulating layer 43 may be formed of a stacked film in which n-type semiconductors, semi-insulating semiconductors, and p-type semiconductors are alternately stacked. Since these laminated films can form the insulating layer 43 with a thin film thickness (for example, about 0.5 ⁇ m), the crystal growth time can be shortened as compared with the case of a single-layer semi-insulating semiconductor.
  • a thin film thickness for example, about 0.5 ⁇ m
  • the insulating layer 43 may be formed by implanting impurities such as Fe and Cr into the surface of the substrate 41 made of n-type GaAs to semi-insulate the surface of the substrate 41.
  • the semiconductor laminated film 42 of the semiconductor laser device 40 of the first embodiment is formed by an n-type semiconductor layer 42n, an active layer 42e, and a p-type semiconductor layer 42p that are laminated in order from the substrate 41 side.
  • the semiconductor stacked film 42 is formed by stacking the p-type semiconductor layer 42p, the active layer 42e, and the n-type semiconductor layer 42n in this order from the substrate 41 side.
  • the semiconductor laminated film 42 may be formed by sequentially laminating the first conductive semiconductor layer, the active layer 42e, and the second conductive semiconductor layer on the substrate 41.
  • the semiconductor laminated film 42 of the semiconductor laser element 40 of the heat-assisted magnetic recording head 1 of the second and third embodiments may be formed in the same manner as in this embodiment.
  • the semiconductor laser element 40 of the heat-assisted magnetic recording head 1 of the first embodiment is formed in a ridge shape having a striped ridge portion 49.
  • the semiconductor laser device 40 of the present embodiment is formed in an inner stripe type or a BH (Buried Heterostructure) type. With this structure, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
  • the semiconductor laser device 40 only needs to form the stripe-shaped optical waveguide 46 by the active layer 42e.
  • the semiconductor laser element 40 of the heat-assisted magnetic recording head 1 of the second to fourth embodiments may be formed in the same manner as this embodiment.
  • the thermally-assisted magnetic recording head 1 that emits near-field light has been described.
  • the semiconductor laser element 40 is bonded to an optical member that includes a near-field light generating element, and the near-field light is bonded. May be a near-field light emitting device for other uses such as a micromachining use.
  • the present invention can be used in a near-field light emitting device that emits near-field light in laser processing, large-capacity storage, and the like.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

　半導体から成る基板４１と、基板４１上に積層されるとともに活性層４２ｅを含む半導体積層膜４２と、基板４１に対して半導体積層膜４２が形成された側の活性層４２ｅに平行な面に設けられる第１電極４７及び第２電極４８と、活性層４２ｅに垂直な対向する両端面４０ａ、４０ｂに設けられる端面保護膜５５とを備えた半導体レーザ素子４０において、端面保護膜５５を形成した一方の端面４０ａを半導体レーザ素子４０の固定面として使用した。

Description

半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置
　本発明は、片面２電極型の半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置に関する。
　近年、レーザ加工や大容量ストレージの分野において、近接場光を利用して光の回折限界のために従来できなかった微細加工や高密度記録が行われるようになってきている。近接場光を出射する近接場光出射装置は近接場光発生素子を配した光導波路にレーザ光を導き、近接場光発生素子により発生した近接場光を所望の領域に照射する。
　近接場光を利用して高密度記録を行う熱アシスト磁気記録は磁化がより安定するように磁気異方性エネルギーの大きな磁性材料で形成された磁気記録媒体が用いられる。そして、この磁気記録媒体のデータの書き込む部分の異方性磁界を近接場光の加熱によって低下させ、その直後に書き込み磁界を印加して微小なサイズの書き込みを行う。
　従来の熱アシスト磁気記録ヘッドは特許文献１に開示される。図１４、図１５はこの熱アシスト磁気記録ヘッドの概略正面図及び要部斜視図を示している。熱アシスト磁気記録ヘッド１はスライダ１０及び半導体レーザ素子４０を備え、磁気ディスクＤ上に配置される。
　スライダ１０は回転する磁気ディスクＤ上を浮上し、磁気ディスクＤに面した一端部に磁気記録部１３及び磁気再生部１４が設けられる。磁気記録部１３の近傍には光導波路１５が設けられ、光導波路１５内には近接場光を発生させる近接場光発生素子（不図示）が配される。スライダ１０の背面側（磁気ディスクＤと反対側）の設置面１０ａには給電用の端子１７、１８がパターン形成される。
　半導体レーザ素子４０は基板４１上に半導体積層膜４２が形成され、半導体積層膜４２の上部に形成したリッジ部４９によってストライプ状の光導波路４６を形成する。基板４１の底面には第１電極４７が形成され、半導体積層膜４２の上面には第２電極（不図示）が形成される。
　半導体レーザ素子４０の第２電極はサブマウント２１の端子部２２を形成した端子面２１ｂ上にロウ材２９を介して接着される。サブマウント２１の端子面２１ｂに直交する前面２１ａは接着剤等の固定部材１９を介してスライダ１０の設置面１０ａに固着される。この時、光導波路４６の一端面の出射部４６ａがスライダ１０の光導波路１５に対向して配される。
　第１電極４７はリード線７を介して端子１７に接続され、端子部２２はリード線８を介して端子１８に接続される。第１電極４７及び端子部２２が同一方向（図１４において左方）に面して配されるため、容易にリード線７、８を接続することができる。
　第１電極４７と端子部２２との間に電圧が印加されると、出射部４６ａからレーザ光が出射される。出射部４６ａから出射されたレーザ光はスライダ１０の光導波路１５を導波して近接場光発生素子により近接場光を発生する。磁気ディスクＤは光導波路１５から出射された近接場光の熱により局所的に異方性磁界が低下し、磁気記録部１３によって磁気記録される。磁気ディスクＤに記録されたデータは磁気再生部１４により読み出される。
　また、半導体レーザ素子４０の発熱はロウ材２９を介してサブマウント２１に伝えられ、固定部材１９を介してスライダ１０に伝えられる。これにより、半導体レーザ素子４０の発熱がサブマウント２１及びスライダ１０から放熱される。
特開２０１２－１８７４７号公報（第７頁～第２２頁、第２図）
　上記従来の熱アシスト磁気記録ヘッド１によると、端子面２１ｂに半導体レーザ素子４０を接着されたサブマウント２１がスライダ１０に接着される。この時、図１６に示すように、半導体レーザ素子４０の出射部４６ａがサブマウント２１の前面２１ａよりもＺ方向に突出すると接合不良になる。即ち、半導体レーザ素子４０がスライダ１０に衝突するため、サブマウント２１をスライダ１０に接着できなくなる。
　また、図１７に示すように、サブマウント２１の前面２１ａが半導体レーザ素子４０の出射部４６ａに対してＺ方向に大きく突出した場合も接合不良となる。即ち、出射部４６ａから出射されるレーザ光Ｌが拡散するため、スライダ１０の光導波路１５（図１４参照）に入射するレーザ光Ｌが減少する。このため、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出力を大きくすると、半導体レーザ素子４０の負荷が増加して信頼性が低下する。加えて、半導体レーザ素子４０の発熱が増加し、熱歪等によってスライダ１０の光導波路１５の屈折率が変化して所望の近接場光が得られなくなる。
　また、半導体レーザ素子４０が端子面２１ｂに平行な面内や前面２１ａ及び端子面２１ｂに垂直な面内で傾斜すると、出射部４６ａと光導波路１５との位置合せが困難になる。
　これらにより、サブマウント２１に対して半導体レーザ素子４０を高精度に位置合せする必要がある（例えば、Ｚ方向の位置精度が±１～２μｍ）。従って、熱アシスト磁気記録ヘッド１の工数が大きくなるとともに歩留りが低下する問題があった。
　また、熱アシスト磁気記録ヘッド１に限らず、光導波路に近接場光発生素子を配した光学部材上に半導体レーザ素子４０を設けた近接場光出射装置において、同様に工数が大きくなるとともに歩留りが低下する問題がある。
　本発明は、工数削減及び歩留り向上を図ることのできる近接場光出射装置及びそれに用いられる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために本発明は、半導体から成る基板と、前記基板上に積層されるとともに活性層を含む半導体積層膜と、前記基板に対して前記半導体積層膜が形成された側の前記活性層に平行な面に設けられる第１電極及び第２電極と、前記活性層に垂直な対向する両端面に設けられる端面保護膜とを備えた半導体レーザ素子において、前記端面保護膜を形成した一方の前記端面を前記半導体レーザ素子の固定面として使用することを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記固定面上に導電膜を設けたことを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記導電膜がベース層、バリア層及び反応層を順に積層して形成されることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記ベース層がＰｔ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｚｒのいずれかから成り、前記バリア層がＰｔ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗのいずれかから成り、前記反応層がＡｕから成ることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、発振波長が６５０ｎｍ～１１００ｎｍであることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記基板の厚みが前記両端面間の長さの１／２以上または１５０μｍ以上であることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記半導体積層膜が第１導電型半導体層、前記活性層、第２導電型半導体層を順に積層して形成され、前記基板上に絶縁膜及び前記導電膜を積層したことを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記基板が半絶縁性基板であることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記半絶縁性基板がノンドープのＧａＡｓまたはＳｉから成ることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記基板と第１導電型半導体層との間に絶縁層を設けたことを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記絶縁層がノンドープの半導体から成ることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記絶縁層がｎ型半導体とｐ型半導体とを交互に積層した積層膜から成ることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記絶縁層がｎ型半導体またはｐ型半導体と、半絶縁性の半導体とを交互に積層した積層膜から成ることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記絶縁層がｎ型半導体と、半絶縁性の半導体と、ｐ型半導体とを交互に積層した積層膜から成ることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記絶縁膜が前記端面保護膜により形成されることを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の半導体レーザ素子において、前記絶縁膜がＳｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇａのいずれかの酸化膜及びＳｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇａのいずれかの窒化膜から選択した単層膜または多層膜から成ることを特徴としている。
　また本発明の近接場光出射装置は、上記各構成の半導体レーザ素子と、近近接場光を発生する近接場光発生素子を有した光学部材とを備え、前記固定面を前記光学部材上に固着することを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の近接場光出射装置において、前記固定面と前記光学部材とを半田または接着剤により接合したことを特徴としている。
　また本発明は、上記構成の近接場光出射装置において、前記光学部材が磁気記録媒体に対向して近接場光の照射領域に磁気記録を行う磁気記録部を有することを特徴としている。
　本発明によると、半導体レーザ素子が基板に対して一方に第１電極及び第２電極を備え、活性層に垂直な対向する両端面の一方を半導体レーザ素子の固定面として使用する。これにより、近接場光発生素子を有する光学部材にサブマウントやヒートシンクを介することなく半導体レーザ素子を固着して近接場光出射装置が形成される。従って、光学部材と半導体レーザ素子との位置合せを容易に行うことができ、近接場光出射装置の工数削減及び歩留り向上を図ることができる。また、接合面を減らすことによる熱抵抗の低減を図ることができる。
本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドを示す概略正面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドを示す要部斜視図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子を示す正面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子を示す側面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の工程図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の半導体積層膜形成工程を示す正面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の窓部形成工程を示す側面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子のリッジ部形成工程を示す正面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の掘下げ部形成工程を示す正面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の埋め込み層形成工程を示す正面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の電極形成工程を示す正面図 本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の端面保護膜形成工程を示す正面図 本発明の第３実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子を示す正面図 従来の熱アシスト磁気記録ヘッドを示す概略正面図 従来の熱アシスト磁気記録ヘッドを示す要部斜視図 従来の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の接合不良を示す正面図 従来の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ素子の接合不良を示す正面図
　＜第１実施形態＞
　以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。説明の便宜上、以下の図面において前述の図１４、図１５に示す従来例と同様の部分には同一の符号を付している。図１、図２は第１実施形態の近接場光出射装置である熱アシスト磁気記録ヘッドの概略正面図及び要部斜視図を示している。
　熱アシスト磁気記録ヘッド１はＨＤＤ装置等に搭載され、サスペンション（不図示）の支持によって磁気ディスクＤ上に軸方向移動可能に配置される。熱アシスト磁気記録ヘッド１は磁気ディスクＤに対向するスライダ１０（光学部材）と、スライダ１０に固定部材１９により固着される半導体レーザ素子４０とを備えている。固定部材１９は銀ペースト等の導電性の接着剤を用いてもよいが、後述する導電膜５６（図４参照）に接合されるＡｕＳｎ等の半田を用いると接合強度を向上できるのでより望ましい。
　スライダ１０は矢印Ａ方向に回転する磁気ディスクＤ上を浮上し、媒体退出側の端部に磁気記録部１３及び磁気再生部１４を有している。磁気記録部１３は磁気記録を行い、磁気再生部１４は磁気ディスクＤの磁化を検出して出力する。
　磁気記録部１３の近傍には半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光を導波する光導波路１５が設けられる。光導波路１５内には近接場光を発生させる近接場光発生素子（不図示）が配される。スライダ１０の背面側（磁気ディスクＤと反対側）の設置面１０ａには給電用の端子１７、１８がパターン形成される。
　半導体レーザ素子４０は詳細を後述するように、基板４１上に形成した半導体積層膜４２に設けたリッジ部４９（図３参照）によってストライプ状の光導波路４６を形成する。スライダ１０の設置面１０ａには固定部材１９を介して半導体レーザ素子４０の光導波路４６に垂直な出射面４０ａが固着される。この時、光導波路４６の一端面の出射部４６ａがスライダ１０の光導波路１５に対向して配される。従来例に示すサブマウント２１（図１４参照）が省かれるので、熱アシスト磁気記録ヘッド１の軽量化を図ることができる。
　半導体レーザ素子４０は基板４１上に半導体積層膜４２が積層される。基板４１上には光導波路４６を有する発光部５２と、発光部５２に隣接する掘下げ部５１とが形成される。掘下げ部５１は半導体積層膜４２を所定位置までエッチングにより掘り下げることによって形成される。掘下げ部５１上には第１電極４７が設けられ、発光部５２上には第２電極４８が設けられる。
　第１電極４７はリード線７を介して端子１７に接続され、第２電極４８はリード線８を介して端子１８に接続される。第１電極４７及び第２電極４８が同一方向（図１において左方）に面して配されるため、容易にリード線７、８を接続することができる。
　図３、図４は半導体レーザ素子４０の正面図及びリッジ部４９上を通る側面断面図を示している。半導体積層膜４２は基板４１上にｎ型半導体層４２ｎ、活性層４２ｅ、ｐ型半導体層４２ｐを順に積層して形成される。掘下げ部５１は半導体積層膜４２を基板４１またはｎ型半導体層４２ｎの中間までエッチングにより掘り下げることによって形成され、上面に第１電極４７が設けられる。
　発光部５２に設けられるリッジ部４９はｐ型半導体層４２ｐの中間までエッチングにより掘り下げた溝部４９ａに両側方を挟まれた狭幅のストライプ状に形成される。溝部４９ａの両外側にはリッジ部４９と高さの揃ったテラス４９ｂが設けられる。テラス４９ｂを省いてもよいが、テラス４９ｂを設けることによりリッジ部４９を保護することができる。
　発光部５２の上面にはリッジ部４９の上面を除いて絶縁膜から成る埋め込み層５０が設けられ、リッジ部４９及び埋め込み層５０の上面に第２電極４８が設けられる。活性層４２ｅはリッジ部４９を介して電流が注入されるためストライプ状の光導波路４６を形成し、光導波路４６の端面の出射部４６ａからレーザ光が出射される。尚、光導波路４６の長手方向の両端部にはＺｎの拡散層６３により窓部６０が形成される。
　図５は半導体レーザ素子４０の工程図を示している。半導体レーザ素子４０はウェハ状の基板４１（図３参照）に対して半導体積層膜形成工程、窓部形成工程、リッジ部形成工程、掘下げ部形成工程、埋め込み層形成工程、電極形成工程、研磨工程が順に行われる。その後、第１切断工程、端面保護膜形成工程、導電膜形成工程、第２切断工程が順に行われ、ウェハを分割して半導体レーザ素子４０が個片化される。
　図６は半導体積層膜形成工程の正面図を示している。半導体積層膜形成工程では有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）等により、ＧａＡｓから成る基板４１を下地としてＧａＡｓ系の半導体をエピタキシャル成長して半導体積層膜４２を形成する。
　即ち、基板４１上には第１バッファ層４２ａ、第２バッファ層４２ｂ、ｎ型クラッド層４２ｃ、ｎ側光ガイド層４２ｄ、活性層４２ｅ、ｐ側光ガイド層４２ｆ、第１ｐ型クラッド層４２ｇ、エッチストップ層４２ｈ、第２ｐ型クラッド層４２ｉ、中間層４２ｊ、コンタクト層４２ｋが順にエピタキシャル成長される。
　第１バッファ層４２ａ、第２バッファ層４２ｂ、ｎ型クラッド層４２ｃ及びｎ側光ガイド層４２ｄによって多層膜のｎ型半導体層４２ｎが構成される。ｐ側光ガイド層４２ｆ、第１ｐ型クラッド層４２ｇ、エッチストップ層４２ｈ、第２ｐ型クラッド層４２ｉ、中間層４２ｊ及びコンタクト層４２ｋによって多層膜のｐ型半導体層４２ｐが構成される。
　第１バッファ層４２ａはｎ型ＧａＡｓにより形成される。第２バッファ層４２ｂはｎ型ＧａＩｎＰにより形成される。ｎ型クラッド層４２ｃはｎ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。ｎ側光ガイド層４２ｄはｎ型ＡｌＧａＡｓにより形成される。活性層４２ｅはＧａＡｓから成る井戸層及びＡｌＧａＡｓから成るバリア層を積層した多重量子井戸構造に形成される。
　ｐ側光ガイド層４２ｆはｐ型ＡｌＧａＡｓにより形成される。第１ｐ型クラッド層４２ｇはｐ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。エッチストップ層４２ｈはｐ型ＧａＩｎＰまたはノンドープ型ＧａＩｎＰにより形成される。第２ｐ型クラッド層４２ｉはｐ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。中間層４２ｊはｐ型ＧａＩｎＰにより形成される。コンタクト層４２ｋはｐ型ＧａＡｓにより形成される。尚、各層の順序や組成は半導体レーザ素子４０の設計に最適な内容に適宜変更することが可能である。
　図７は窓部形成工程の側面図を示している。窓部形成工程ではプラズマＣＶＤ法によりコンタクト層４２ｋ上に成膜したＺｎＯ膜６１をフォトリソグラフィ及びエッチングにより光導波路４６の長手方向の両端部を残して除去する。次に、コンタクト層４２ｋ及びＺｎＯ膜６１上にＳｉＯ2等の保護膜６２を成膜し、４００℃～６００℃で１００分～３００分の熱処理を行う。これにより、ＺｎＯ膜６１からＺｎが拡散した拡散層６３が形成され、活性層４２ｅの井戸層及びバリア層を混晶化して光導波路４６の長手方向の両端部に窓部６０が形成される。そして、保護膜６２及びＺｎＯ膜６１が除去される。
　図８はリッジ部形成工程の正面図を示している。リッジ部形成工程では半導体積層膜４２上の所定領域にフォトリソグラフィによりＳｉＯ2等のマスク（不図示）が形成される。次に、ドライエッチングやウェットエッチングによりエッチストップ層４２ｇよりも上層のｐ型半導体層４２ｐを除去して溝部４９ａを形成した後、マスクが除去される。これにより、狭幅（例えば、２μｍ）のメサ形状のリッジ部４９が出射面４０ａ（図４参照）に垂直な方向に延びたストライプ状に形成される。
　図９は掘下げ部形成工程の正面図を示している。掘下げ部形成工程では半導体積層膜４２上の所定領域にフォトリソグラフィ及びエッチングによりＳｉＯ2から成るマスク（不図示）が形成される。次に、ドライエッチングやウェットエッチングにより半導体積層膜４２を基板４１上まで掘り下げる。これにより、掘下げ部５１が形成され、マスクが除去される。半導体積層膜４２の第２バッファ層４２ｂよりも上層を除去して掘下げ部５１を形成してもよい。
　図１０は埋め込み層形成工程の正面図を示している。埋め込み層形成工程はウェハ全面にＳｉＯ2から成る埋め込み層５０を成膜する。次に、フォトリソグラフィとエッチングを用いてリッジ部４９の上面及び掘下げ部５１の上面に電力を供給するための開口部を形成する。
　図１１は電極形成工程の正面図を示している。電極形成工程ではスパッタや蒸着により一般的なオーミック構造のＡｕＧｅ／Ｎｉや、ＮｉＧｅ（Ｉｎ）等の金属膜をウェハ全面に成膜する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより掘下げ部５１の上面に第１電極４７を形成し、２００～４５０℃程度のアニールを行う。
　次に、スパッタや蒸着によりＡｕを主体とする金属膜をウェハ全面に成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりリッジ部４９の上面に第２電極４８を形成する。これにより、基板４１に対して半導体積層膜４２が形成された側の活性層４２ｅに平行な面に第１電極４７及び第２電極４８が配される。
　以上の工程により、基板４１の片側に第１電極４７及び第２電極４８を配した片面２電極型の半導体レーザ素子４０の半導体ウェハが形成される。この半導体ウェハは電極やリッジ型導波路等の構造をフォトリソグラフィにより位置決めすることができる。このため、それぞれの位置関係を高精度に形成することができる。
　研磨工程では半導体ウェハの基板４１の裏面（半導体積層膜４２の形成面と反対側の面）が研磨され、基板４１を所定の厚みに形成する。半導体レーザ素子４０は出射面４０ａを固定面としてスライダ１０の設置面１０ａに固着されるため、基板４１の厚みを大きくすると接合強度を高くすることができる。このため、基板４１の厚みを光導波路４６の長さの１／２以上または１５０μｍ以上に形成するとより望ましい。
　第１切断工程では半導体ウェハに対してリッジ部４９に垂直な方向にスクライブ溝を形成する。次に、スクライブ溝に応力を加えて劈開により切断し、出射面４０ａを一面に有した短冊状部材を形成する。レーザスクライブやダイシング等によって半導体ウェハを切断してもよい。
　図１２は端面保護膜形成工程の側面図を示している。端面保護膜形成工程では活性面４２ｅに垂直な対向する出射面４０ａ及び対向面４０ｂにＡｌ2Ｏ3等の絶縁膜から成る端面保護膜５５をＥＣＲスパッタや電子ビーム蒸着等により形成する。端面保護膜５５によって半導体積層膜４２の端面を保護するとともに端面の反射率を調整する。端面保護膜５５として、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇａのいずれかの酸化膜及びＳｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇａのいずれかの窒化膜から選択した単層膜または多層膜を用いることができる。
　次に、導電膜形成工程では出射部４６ａを金属板等によりマスクし、前述の図３、図４に示すように端面保護膜５５を形成した一方の出射面４０ａ上に基板４１に対向して導電膜５６が形成される。本実施形態では導電膜５６は絶縁膜の端面保護膜５５上にＴｉから成るベース層５６ａが配され、ベース層５６ａの上層に半田と反応するＡｕから成る反応層５６ｂが積層される。導電膜５６によって半導体レーザ素子４０を半田によりスライダ１０の設置面１０ａ上に強固に固着することができる。
　尚、導電膜５６として、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、ＩＴＯのいずれかから選択される単層膜または多層膜を用いることができる。この時、導電膜５６が基板４１側から順に、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｚｒのいずれかから成るベース層５６ａと、Ａｕから成る反応層５６ｂとを積層してもよい。また、ベース層５６ａと反応層５６ｂとの間にＰｔ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗのいずれかから成るバリア層を設けると、ベース層５６ａの拡散を防止することができる。
　第２切断工程では短冊状部材に対して出射面４０ａに直交する方向にスクライブ溝を形成し、スクライブ溝に応力を加えて劈開により切断する。レーザスクライブやダイシング等によって短冊状部材を切断してもよい。これにより、半導体レーザ素子４０が個片化される。
　上記構成の熱アシスト磁気記録ヘッド１は磁気記録部１３及び磁気再生部１４を磁気ディスクＤに対向し、スライダ１０により磁気ディスクＤ上を浮上する。第１電極４７と第２電極４８との間に電圧が印加されると、光導波路４６が共振器を形成して例えば、発振波長が６５０ｎｍ～１１００ｎｍのレーザ光が出射部４６ａから出射される。
　発振波長が６５０ｎｍよりも小さいと半導体レーザ素子４０の温度特性が悪くなる。これは、ＨＤＤ装置等に搭載される熱アシスト磁気記録ヘッド１の半導体レーザ素子４０の共振器長は３００μｍ程度と短いので、半導体レーザ素子４０の動作電流密度が例えば光ディスクの再生用の半導体レーザ素子と比較して約２～３倍になるためである。また、ｎ型半導体層４２ｎやｐ型半導体層４２ｐと活性層４２ｅとのバンドギャップ差が小さくなり、キャリアのオーバーフローの影響が無視できなくなるためである。
　また、発振波長が８５０μｍ以上のときに活性層４２ｅとしてＩｎＧａＡｓ層が用いられる場合がある。この時、１１００μｍ以上の波長ではＩｎの組成比が多くなるためＩｎＧａＡｓ膜の歪が大きくなり、半導体レーザ素子４０の信頼性の低下を招く。
　出射部４６ａから出射されたレーザ光はスライダ１０の光導波路１５を導波して近接場光発生素子により近接場光を発生して出射する。磁気ディスクＤは近接場光の熱により局所的に異方性磁界が低下し、磁気記録部１３によって磁気記録される。これにより、磁気異方性エネルギーの大きい磁気ディスクＤを用いることができ、磁気ディスクＤの記録密度を向上することができる。
　また、磁気ディスクＤの磁化が磁気再生部１４により検出され、磁気ディスクＤに記録されたデータを読み出すことができる。
　レーザ光の発生による半導体レーザ素子４０の発熱は基板４１に伝えられた後、半田等の固定部材１９を介してスライダ１０に伝えられる。これにより、基板４１及びスライダ１０から放熱される。
　本実施形態によると、半導体レーザ素子４０が基板４１に対して一方に第１電極４７及び第２電極４８を備え、活性層４２ｅに垂直な対向する両端面の一方の出射面４０ａを半導体レーザ素子４０の固定面として使用する。これにより、近接場光発生素子を有するスライダ１０（光学部材）にサブマウントやヒートシンクを介することなく半導体レーザ素子４０を固着して熱アシスト磁気記録ヘッド１（近接場光出射装置）が形成される。従って、スライダ１０と半導体レーザ素子４０との位置合せを容易に行うことができ、熱アシスト磁気記録ヘッド１の工数削減及び歩留り向上を図ることができる。また、半導体レーザ素子４０とスライダ１０との間の接合面を減らすことができ、熱抵抗の低減を図ることができる。
　また、半導体レーザ素子４０の固定面を形成する出射面４０ａ上に導電膜５６を設けたので、スライダ１０と半導体レーザ素子４０とを半田により接合することができ、両者の接合強度を向上できる。
　また、基板４１の厚みを光導波路４６から成る共振器を形成する両端面（４０ａ、４０ｂ）間の長さの１／２以上または１５０μｍ以上に形成すると、接合面の導電膜５６の長さが１００μｍ以上となる。これにより、半導体レーザ素子４０の接合強度を向上することができる。
　また、端面保護膜５５（絶縁膜）上に導電膜５６を設けたので、スライダ１０と第２電極４８とが導通した際に、端面保護膜５５によって第１電極４７と第２電極４８との短絡が防止される。従って、熱アシスト磁気記録ヘッド１の微細領域に記録する高周波動作時（例えば、５ＧＨｚ以上）の電流注入の安定性を向上することができる。
　また、出射面４０ａ上に導電膜５６を直接形成すると密着性が低下するとともに基板４１と導電膜５６との界面で反応して導電膜５６の膜質が劣化する。このため、導電膜５６の下層に端面保護膜５５（絶縁膜）を設け、導電膜５６の密着性を向上するとともに導電膜５６の膜質の劣化を抑制することができる。
　尚、端面保護膜５５と異なる工程により導電膜５６の下層に絶縁膜を設けてもよいが、端面保護膜５５上に導電膜５６を形成することにより絶縁膜を別途形成する必要がなく工数を削減することができる。
　＜第２実施形態＞
　次に、第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１は半導体レーザ素子４０の基板４１が第１実施形態と異なっている。その他の部分は第１実施形態と同様である。
　本実施形態は基板４１がノンドープのＧａＡｓまたはＳｉ等の半絶縁性基板により形成される。これにより、第１実施形態と同様の効果に加え、導電膜５６とｎ型半導体層４２ｎとの間の容量を小さくすることができる（例えば、０．１ｐＦ以下）。従って、高周波動作時における導電膜５６とｎ型半導体層４２との間の容量による絶縁性低下を防止し、電流変調時の半導体レーザ素子４０の動作の変調性をより向上することができる。
　＜第３実施形態＞
　次に、図１３は第３実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の半導体レーザ素子４０の正面図を示している。説明の便宜上、前述の図１～図１２に示す第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は基板４１とｎ型半導体層４２ｎとの間に絶縁層４３が設けられる。その他の部分は第１実施形態と同様である。
　絶縁層４３はノンドープのＧａＡｓ等の半絶縁性の半導体により約１μｍの膜厚で形成され、基板４１とｎ型半導体層４２ｎとの間に配される。
　これにより、第１実施形態と同様の効果に加え、導電膜５６とｎ型半導体層４２ｎとの間の容量を小さくすることができる（例えば、０．１ｐＦ以下）。従って、高周波動作時における導電膜５６とｎ型半導体層４２ｎとの間の容量による絶縁性低下を防止し、電流変調時の半導体レーザ素子４０の動作の変調性をより向上することができる。
　絶縁層４３をｎ型半導体とｐ型半導体とを交互に積層した積層膜により形成してもよい。また、絶縁層４３をｎ型半導体またはｐ型半導体と、ノンドープの半絶縁性の半導体とを交互に積層した積層膜により形成してもよい。また、絶縁層４３をｎ型半導体と、半絶縁性の半導体と、ｐ型半導体とを交互に積層した積層膜により形成してもよい。これらの積層膜は薄い膜厚（例えば、約０．５μｍ）で絶縁層４３を形成できるため、単層の半絶縁性の半導体の場合に比して結晶成長時間を短縮することができる。
　また、ｎ型ＧａＡｓから成る基板４１の表面にＦｅやＣｒ等の不純物を打ち込んで基板４１の表面を半絶縁化して絶縁層４３を形成してもよい。
　＜第４実施形態＞
　第１実施形態の半導体レーザ素子４０の半導体積層膜４２は基板４１側から順に積層したｎ型半導体層４２ｎ、活性層４２ｅ及びｐ型半導体層４２ｐにより形成される。これに対して、本実施形態の半導体レーザ素子４０は基板４１側から順にｐ型半導体層４２ｐ、活性層４２ｅ及びｎ型半導体層４２ｎを積層して半導体積層膜４２が形成される。これにより、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
　即ち、半導体積層膜４２は基板４１上に、第１導電型半導体層、活性層４２ｅ、第２導電型半導体層を順に積層して形成されていればよい。第２、第３実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の半導体レーザ素子４０の半導体積層膜４２を本実施形態と同様に形成してもよい。
　＜第５実施形態＞
　第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の半導体レーザ素子４０はストライプ状のリッジ部４９を有するリッジ型に形成される。これに対して、本実施形態の半導体レーザ素子４０はインナーストライプ型またはＢＨ（Buried　Heterostructure：埋め込みへテロ構造）型に形成される。この構造によっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
　即ち、半導体レーザ素子４０は活性層４２ｅによりストライプ状の光導波路４６を形成していればよい。第２～第４実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の半導体レーザ素子４０を本実施形態と同様に形成してもよい。
　第１～第５実施形態において、近接場光を出射する熱アシスト磁気記録ヘッド１について説明しているが、近接場光発生素子を備えた光学部材に半導体レーザ素子４０を接着して近接場光を出射する微細加工用途等の他の用途の近接場光出射装置であってもよい。
　本発明によると、レーザ加工や大容量ストレージ等において近接場光を出射する近接場光出射装置に利用することができる。
　　　１　　熱アシスト磁気記録ヘッド
　　　７、８　リード線
　　１０　　スライダ
　　１３　　磁気記録部
　　１４　　磁気再生部
　　１５　　光導波路
　　１７、１８　端子
　　１９　　固定部材
　　２１　　サブマウント
　　２１ａ　前面
　　２１ｂ　垂直面
　　２９　　ロウ材
　　４０　　半導体レーザ素子
　　４０ａ　出射面
　　４１　　基板
　　４２　　半導体積層膜
　　４２ｅ　活性層
　　４２ｎ　ｎ型半導体層
　　４２ｐ　ｐ型半導体層
　　４３　　絶縁層
　　４６　　光導波路
　　４６ａ　出射部
　　４７　　第１電極
　　４８　　第２電極
　　４９　　リッジ部
　　５０　　埋め込み層
　　５１　　掘下げ部
　　５２　　発光部
　　５５　　端面保護膜
　　５６　　導電膜
　　６０　　窓部
　　　Ｄ　　磁気ディスク

Claims (10)

  1. 　半導体から成る基板と、前記基板上に積層されるとともに活性層を含む半導体積層膜と、前記基板に対して前記半導体積層膜が形成された側の前記活性層に平行な面に設けられる第１電極及び第２電極と、前記活性層に垂直な対向する両端面に設けられる端面保護膜とを備えた半導体レーザ素子において、前記端面保護膜を形成した一方の前記端面を前記半導体レーザ素子の固定面として使用することを特徴とする半導体レーザ素子。
  2. 　前記固定面上に導電膜を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
  3. 　前記導電膜がベース層、バリア層及び反応層を順に積層して形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ素子。
  4. 　発振波長が６５０ｎｍ～１１００ｎｍであることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
  5. 　前記基板の厚みが前記両端面間の長さの１／２以上または１５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１～請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
  6. 　前記半導体積層膜が第１導電型半導体層、前記活性層、第２導電型半導体層を順に積層して形成され、前記基板上に絶縁膜及び前記導電膜を積層したことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体レーザ素子。
  7. 　前記基板が半絶縁性基板であることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子。
  8. 　前記基板と第１導電型半導体層との間に絶縁層を設けたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体レーザ素子。
  9. 　前記絶縁膜が前記端面保護膜により形成されることを特徴とする請求項６～請求項８のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
  10. 　請求項１～請求項９のいずれかに記載の半導体レーザ素子と、近接場光を発生する近接場光発生素子を有した光学部材とを備え、前記固定面を前記光学部材上に固着することを特徴とする近接場光出射装置。
PCT/JP2014/072414 2013-11-21 2014-08-27 半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置 WO2015075988A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015549016A JP6185602B2 (ja) 2013-11-21 2014-08-27 半導体レーザ素子を用いた近接場光出射装置
CN201480003304.1A CN104854766B (zh) 2013-11-21 2014-08-27 半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置
US15/037,552 US9614350B2 (en) 2013-11-21 2014-08-27 Semiconductor laser element and near-field light output device using same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013240971 2013-11-21
JP2013-240971 2013-11-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015075988A1 true WO2015075988A1 (ja) 2015-05-28

Family

ID=53179262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/072414 WO2015075988A1 (ja) 2013-11-21 2014-08-27 半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9614350B2 (ja)
JP (1) JP6185602B2 (ja)
CN (1) CN104854766B (ja)
WO (1) WO2015075988A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9966093B1 (en) * 2016-12-28 2018-05-08 Western Digital Technologies, Inc. Heat assisted magnetic recording head gimbal assembly and hard disk drive using same
US10622783B1 (en) * 2019-02-04 2020-04-14 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Thermally-assisted magnetic recording head capable of preventing solder overflow during manufacturing
CN117543314B (zh) * 2024-01-09 2024-05-14 南京佰福激光技术有限公司 一种激光器v槽与v形导轨相互配合定位装置及其方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6184086A (ja) * 1984-09-29 1986-04-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JP2001007432A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Sony Corp 半導体発光装置
JP2001042373A (ja) * 1999-05-25 2001-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd 波長変換装置
JP2002335053A (ja) * 2001-03-06 2002-11-22 Sony Corp 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2012018747A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Tdk Corp 熱アシスト光のモニタリングが可能な磁気記録ヘッド
JP2012156347A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5636070A (en) * 1994-04-30 1997-06-03 Daewoo Electronics Co, Ltd. Thin film actuated mirror array
JP3953320B2 (ja) * 2001-12-28 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
JP4696522B2 (ja) 2003-10-14 2011-06-08 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子
JP2010098195A (ja) 2008-10-17 2010-04-30 Hitachi Cable Ltd 配線構造及び配線構造の製造方法
WO2015056489A1 (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 シャープ株式会社 熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6184086A (ja) * 1984-09-29 1986-04-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JP2001042373A (ja) * 1999-05-25 2001-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd 波長変換装置
JP2001007432A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Sony Corp 半導体発光装置
JP2002335053A (ja) * 2001-03-06 2002-11-22 Sony Corp 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2012018747A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Tdk Corp 熱アシスト光のモニタリングが可能な磁気記録ヘッド
JP2012156347A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN104854766A (zh) 2015-08-19
US9614350B2 (en) 2017-04-04
CN104854766B (zh) 2018-01-26
JPWO2015075988A1 (ja) 2017-03-16
JP6185602B2 (ja) 2017-08-23
US20160322780A1 (en) 2016-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5368957B2 (ja) 半導体レーザチップの製造方法
US8588265B2 (en) Semiconductor laser element and manufacturing method of the same
US9077154B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP6023347B2 (ja) 熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法
JP2007266575A (ja) 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置
JP6185602B2 (ja) 半導体レーザ素子を用いた近接場光出射装置
US20100296537A1 (en) Optical component and method of manufacturing thereof
US20070099321A1 (en) Method for fabricating semiconductor laser device
JP7317049B2 (ja) 半導体レーザ素子
US10404038B2 (en) Quantum cascade laser
JP4148321B2 (ja) 半導体レーザ装置及び製造方法
CN109149366A (zh) 量子级联激光器和发光装置
JP2011258883A (ja) 半導体レーザ
JP2014241378A (ja) 半導体レーザ装置の製造方法及び熱アシスト磁気記録ヘッド
JP5323879B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP2019009348A (ja) 量子カスケード半導体レーザ
JP2010153710A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
US20180375292A1 (en) Quantum cascade laser
CN116998073A (zh) 半导体激光器
JP2012199275A (ja) 窒化物半導体発光装置及びその製造方法
JP2010272784A (ja) 半導体レーザ装置
JP2010016095A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2012156397A (ja) 半導体レーザ素子
JP2002270965A (ja) 半導体装置および半導体発光装置
JP2010067868A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14863885

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015549016

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15037552

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14863885

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1