JP6185602B2 - 半導体レーザ素子を用いた近接場光出射装置 - Google Patents
半導体レーザ素子を用いた近接場光出射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6185602B2 JP6185602B2 JP2015549016A JP2015549016A JP6185602B2 JP 6185602 B2 JP6185602 B2 JP 6185602B2 JP 2015549016 A JP2015549016 A JP 2015549016A JP 2015549016 A JP2015549016 A JP 2015549016A JP 6185602 B2 JP6185602 B2 JP 6185602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- semiconductor laser
- field light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0208—Semi-insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。説明の便宜上、以下の図面において前述の図14、図15に示す従来例と同様の部分には同一の符号を付している。図1、図2は第1実施形態の近接場光出射装置である熱アシスト磁気記録ヘッドの概略正面図及び要部斜視図を示している。
次に、第2実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド1は半導体レーザ素子40の基板41が第1実施形態と異なっている。その他の部分は第1実施形態と同様である。
次に、図13は第3実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド1の半導体レーザ素子40の正面図を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図12に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は基板41とn型半導体層42nとの間に絶縁層43が設けられる。その他の部分は第1実施形態と同様である。
第1実施形態の半導体レーザ素子40の半導体積層膜42は基板41側から順に積層したn型半導体層42n、活性層42e及びp型半導体層42pにより形成される。これに対して、本実施形態の半導体レーザ素子40は基板41側から順にp型半導体層42p、活性層42e及びn型半導体層42nを積層して半導体積層膜42が形成される。これにより、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
第1実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド1の半導体レーザ素子40はストライプ状のリッジ部49を有するリッジ型に形成される。これに対して、本実施形態の半導体レーザ素子40はインナーストライプ型またはBH(Buried Heterostructure:埋め込みへテロ構造)型に形成される。この構造によっても第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
7、8 リード線
10 スライダ
13 磁気記録部
14 磁気再生部
15 光導波路
17、18 端子
19 固定部材
21 サブマウント
21a 前面
21b 垂直面
29 ロウ材
40 半導体レーザ素子
40a 出射面
41 基板
42 半導体積層膜
42e 活性層
42n n型半導体層
42p p型半導体層
43 絶縁層
46 光導波路
46a 出射部
47 第1電極
48 第2電極
49 リッジ部
50 埋め込み層
51 掘下げ部
52 発光部
55 端面保護膜
56 導電膜
60 窓部
D 磁気ディスク
Claims (7)
- 半導体レーザ素子と、近接場光を発生する近接場光発生素子を配した光導波路を有する光学部材とを備えた近接場光出射装置において、
前記半導体レーザ素子が、半導体の半絶縁性基板から成る基板と、前記基板上に第1導電型半導体層、活性層、第2導電型半導体層を順に積層して形成される半導体積層膜と、前記基板に対して前記半導体積層膜が形成された側の前記活性層に平行な面に設けられる第1電極及び第2電極と、前記活性層に垂直な対向する両端面に設けられる端面保護膜とを備え、前記端面保護膜を形成した前記光導波路に対向する光出射側の前記端面の一部を固定面として前記半導体レーザ素子が前記光学部材に固着され、
前記固定面上に導電膜を設けるとともに、前記基板上に絶縁膜及び前記導電膜を積層したことを特徴とする近接場光出射装置。 - 半導体レーザ素子と、近接場光を発生する近接場光発生素子を配した光導波路を有する光学部材とを備えた近接場光出射装置において、
前記半導体レーザ素子が、半導体から成る基板と、前記基板上に第1導電型半導体層、活性層、第2導電型半導体層を順に積層して形成される半導体積層膜と、前記基板に対して前記半導体積層膜が形成された側の前記活性層に平行な面に設けられる第1電極及び第2電極と、前記活性層に垂直な対向する両端面に設けられる端面保護膜とを備え、前記端面保護膜を形成した前記光導波路に対向する光出射側の前記端面の一部を固定面として前記半導体レーザ素子が前記光学部材に固着され、
前記固定面上に導電膜を設けるとともに、前記基板上に絶縁膜及び前記導電膜を積層し、前記基板と前記第1導電型半導体層との間に絶縁層を設けたことを特徴とする近接場光出射装置。 - 前記基板が半絶縁性基板であることを特徴とする請求項2に記載の近接場光出射装置。
- 前記導電膜がベース層、バリア層及び反応層を順に積層して形成されることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の近接場光出射装置。
- 発振波長が650nm〜1100nmであることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の近接場光出射装置。
- 前記基板の厚みが前記両端面間の長さの1/2以上または150μm以上であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の近接場光出射装置。
- 前記絶縁膜が前記端面保護膜により形成されることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の近接場光出射装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013240971 | 2013-11-21 | ||
JP2013240971 | 2013-11-21 | ||
PCT/JP2014/072414 WO2015075988A1 (ja) | 2013-11-21 | 2014-08-27 | 半導体レーザ素子及びそれを用いた近接場光出射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015075988A1 JPWO2015075988A1 (ja) | 2017-03-16 |
JP6185602B2 true JP6185602B2 (ja) | 2017-08-23 |
Family
ID=53179262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015549016A Active JP6185602B2 (ja) | 2013-11-21 | 2014-08-27 | 半導体レーザ素子を用いた近接場光出射装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9614350B2 (ja) |
JP (1) | JP6185602B2 (ja) |
CN (1) | CN104854766B (ja) |
WO (1) | WO2015075988A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9966093B1 (en) * | 2016-12-28 | 2018-05-08 | Western Digital Technologies, Inc. | Heat assisted magnetic recording head gimbal assembly and hard disk drive using same |
US10622783B1 (en) * | 2019-02-04 | 2020-04-14 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thermally-assisted magnetic recording head capable of preventing solder overflow during manufacturing |
CN117543314B (zh) * | 2024-01-09 | 2024-05-14 | 南京佰福激光技术有限公司 | 一种激光器v槽与v形导轨相互配合定位装置及其方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6184086A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
CN1064135C (zh) * | 1994-04-30 | 2001-04-04 | 大宇电子株式会社 | 薄膜可驱动反射镜阵列 |
JP2001042373A (ja) * | 1999-05-25 | 2001-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 波長変換装置 |
JP2001007432A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Sony Corp | 半導体発光装置 |
JP4977931B2 (ja) * | 2001-03-06 | 2012-07-18 | ソニー株式会社 | GaN系半導体レーザの製造方法 |
JP3953320B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-08-08 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
JP4696522B2 (ja) | 2003-10-14 | 2011-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP2010098195A (ja) | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 配線構造及び配線構造の製造方法 |
US8406091B2 (en) * | 2010-07-08 | 2013-03-26 | Tdk Corporation | Thermal assisted magnetic recording head having integral mounted of photo-detector and laser diode |
JP2012156347A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
US20160300592A1 (en) * | 2013-10-17 | 2016-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Heat-assisted-magnetic-recording head, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser element |
-
2014
- 2014-08-27 US US15/037,552 patent/US9614350B2/en active Active
- 2014-08-27 CN CN201480003304.1A patent/CN104854766B/zh active Active
- 2014-08-27 WO PCT/JP2014/072414 patent/WO2015075988A1/ja active Application Filing
- 2014-08-27 JP JP2015549016A patent/JP6185602B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015075988A1 (ja) | 2015-05-28 |
JPWO2015075988A1 (ja) | 2017-03-16 |
CN104854766A (zh) | 2015-08-19 |
CN104854766B (zh) | 2018-01-26 |
US20160322780A1 (en) | 2016-11-03 |
US9614350B2 (en) | 2017-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9077154B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
JP6023347B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2013030538A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2007266575A (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 | |
JP2007095758A (ja) | 半導体レーザ | |
JP6185602B2 (ja) | 半導体レーザ素子を用いた近接場光出射装置 | |
JP2006128617A (ja) | 半導体レーザー素子及びその製造方法 | |
JP2005236301A (ja) | 半導体レーザデバイス | |
JP7317049B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
US10404038B2 (en) | Quantum cascade laser | |
CN109149366A (zh) | 量子级联激光器和发光装置 | |
US20050152419A1 (en) | Semiconductor laser element, manufacturing method thereof, optical disk apparatus and optical transmission system | |
JP2005183927A (ja) | 半導体レーザ素子、光ディスク装置および光伝送システム | |
JP2011258883A (ja) | 半導体レーザ | |
JP4700154B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP2009277934A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2014241378A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法及び熱アシスト磁気記録ヘッド | |
JP5323879B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2019009348A (ja) | 量子カスケード半導体レーザ | |
US20240162686A1 (en) | Semiconductor laser | |
JP2010153710A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US20180375292A1 (en) | Quantum cascade laser | |
JP2010272784A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2012199275A (ja) | 窒化物半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2012156397A (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170404 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6185602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |