JP2001319360A - 集積型光ピックアップ用モジュール及び光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
複数の半導体レーザの発光点間隔を反射面を利用して擬
似的に近接させる方法を、量産に適した簡便な方法でし
かも低コストに実現する。 【解決手段】本発明では、複数の半導体レーザ５−３
と、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を
持つ光学素子５−４とを含んで構成される集積型光ピッ
クアップ用モジュールにおいて、上記半導体レーザ５−
３のヘテロ接合面と上記光学素子５−４の対応する反射
面とのなす角がそれぞれ略直角となるように構成し、さ
らに本発明では、二つの半導体レーザ５−３は対向して
配置され、この半導体レーザ間に、それぞれの半導体レ
ーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子５−４が配
置され、該光学素子の反射面が、対応する半導体レーザ
の光軸に対してそれぞれ４５度の角度で配置されるよう
に構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（コンパクト
・ディスク）系の光ディスクやＤＶＤ（デジタル・バー
サタイル・ディスク）系光ディスクなど複数種類の光デ
ィスクの記録・再生が可能な光ディスク記録再生装置
で、主としてＤＶＤ、Ｓ−ＤＶＤ等の高密度光ディスク
が再生可能な高密度光ディスク装置に応用される集積型
光ピックアップ用モジュール及び光ピックアップに関
し、特に、複数の半導体レーザと光学素子、及びこれら
の半導体レーザや光学素子が実装されるサブマウントか
らなる集積型光ピックアップ用モジュール、及び前記モ
ジュールと受光素子等を集積して一体化した集積型光ピ
ックアップに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光記録媒体として、ＣＤ、ＣＤ−
Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等のＣＤ系の光ディスクや、ＤＶＤ、Ｄ
ＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、Ｓ−ＤＶＤ等のＤＶＤ系高密
度光ディスクなど、さまざまな光ディスクが普及しはじ
めているが、理想的には１つの記録再生装置で複数種類
の光ディスクを記録再生できることが望ましい。しかし
ながらＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等のＣＤ系の光ディ
スクで使用されている波長７８０ｎｍのレーザ光では、
光スポットをＤＶＤ系の光ディスク上のピットの大きさ
まで絞り込むことができない。一方、ＣＤ−Ｒの光ディ
スクに用いられる色素はＤＶＤ系で使用されている波長
６５０ｎｍのレーザ光では反射せず透過してしまい、読
み取りをすることができない。したがって、ＣＤ−Ｒの
光ディスクとＤＶＤ系の光ディスクを１つの記録再生装
置で記録再生できるようにするためには、波長７８０ｎ
ｍと波長６５０ｎｍの２つの半導体レーザ装置を用いな
ければならない。

【０００３】しかしながら，波長７８０ｎｍと波長６５
０ｎｍの２つの半導体レーザで光学系を共用するために
は、二つの発光点の間隔を出来るだけ近く（好ましくは
１００μｍ以下に）しなければならない。これまでに波
長６５０ｎｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの
半導体レーザチップを１つのパッケージ上に水平方向に
並べて取り付けた半導体レーザ装置が提案されている
が、この構成ではレーザチップ幅やサブマウント幅の影
響を受け、２つのレーザチップの発光点位置間隔が３０
０〜４００μｍと大きくなってしまうため、光ピックア
ップの光学系を設計するのが非常に難しくなってしま
う。また、一つのチップから二つの波長を発振できる半
導体レーザや、発光点がチップの端に形成された半導体
レーザを並べて用いる方法も提案されているが、その様
な特殊な構造の半導体レーザは一般には市販されていな
いため入手が非常に困難である。そこで通常の構造の半
導体レーザを用いて、反射面を利用して擬似的に発光点
を近接させる方法が提案されている。例えば、特開平１
１−３９６８４号公報には、断面が三角形の形状を有す
るサブマウントにより、発光点を近接させる方法が開示
されている。図１３は特開平１１−３９６８４号公報の
図２を引用した図である。この図で断面が三角形の形状
を有するサブマウント４５により、半導体レーザ３４，
３６からの出力Ｂ１，Ｂ２は近接した反射面３２Ｂ，３
２Ｃで折り曲げられるので、発光点を擬似的に近接させ
ることが出来る。

【０００４】しかしながら、このような構造を実現する
ためには断面が三角形の形状を有する構造を作製しなけ
ればならない。特に４５度の角度を持つ断面が三角形の
傾斜面を作ることは容易ではなく、これまで何通りかの
作製方法が提案されてはいるが、実際に量産に適用でき
るほど安定して作製できるわけではなかった。また特開
２０００−１１３４８６号に開示されるようにマイクロ
プリズムを用いて断面が三角形の形状を付加することも
可能であるが、サブマウント等の個別部品の寸法精度が
高くないため実装が非常に難しくなる上に断面三角形の
光学部品が必要なため、コスト的に非常に高価になって
しまい、光ピックアップへの搭載が現実的ではなくなっ
てしまう。この様に従来開示された反射面を利用して発
光点を擬似的に近接させる方法では、量産に適した簡便
な方法ではなく、しかもそれを低コストに実現すること
が出来なかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであり、通常の構造の半導体レーザを
用いて、複数の半導体レーザの発光点間隔を反射面を利
用して擬似的に近接させる方法を、量産に適した簡便な
方法でしかも低コストに実現した構成の集積型光ピック
アップ用モジュール及びそれを用いた集積型光ピックア
ップを提供することを課題（目的）とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、請求項１記載の発明においては、複数の
半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複
数の反射面を持つ光学素子とを含んで構成される集積型
光ピックアップ用モジュールにおいて、上記半導体レー
ザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応する反射面との
なす角がそれぞれ略直角となるように構成したものであ
る。また、請求項２記載の発明においては、請求項１記
載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、二つ
の半導体レーザが対向して配置してあり、この半導体レ
ーザ間に、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反
射面を持つ光学素子が配置され、該光学素子の反射面
が、対応する半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５
度の角度で配置されるように構成したものである。さら
に請求項３記載の発明においては、請求項２記載の集積
型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記二つの半
導体レーザは、それぞれサブマウントに実装されている
構造としたものである。さらに請求項４記載の発明にお
いては、請求項２記載の集積型光ピックアップ用モジュ
ールにおいて、上記二つの半導体レーザと光学素子は、
サブマウントに実装されている構造としたものである。
さらに請求項５記載の発明においては、請求項４記載の
集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記サブ
マウントは直方体の一部に平行に凹んだ面を持ついわゆ
るコの字型もしくはこれに類似した形状を有しており、
この凹み面に上記光学素子が実装されている構造とした
ものである。

【０００７】請求項６記載の発明においては、請求項
１，２，３，４または５記載の集積型光ピックアップ用
モジュールにおいて、上記光学素子の形状が直方体また
は多角柱となるように構成したものである。また、請求
項７記載の発明においては、請求項６記載の集積型光ピ
ックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の基材
が半導体材料からなる構成としたものである。さらに請
求項８記載の発明においては、請求項７記載の集積型光
ピックアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の基
材が単結晶Ｓｉ（シリコン）からなる構成としたもので
ある。さらに請求項９記載の発明においては、請求項８
記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上
記光学素子の反射面が単結晶Ｓｉの（１１０）面と（１
１１）面からなる構成としたものである。さらに請求項
１０記載の発明においては、請求項１〜９のうちの何れ
か一つに記載の集積型光ピックアップ用モジュールにお
いて、上記二つの半導体レーザは、それぞれ異なる発振
波長を持っており、上記光学素子の反射面から半導体レ
ーザまでの距離が、発振波長あるいは光学系の色収差に
応じた異なる距離に実装されている構成としたものであ
る。

【０００８】請求項１１記載の発明においては、光源部
からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／ま
たは再生を行う光ピックアップにおいて、上記光源部と
して、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された
集積型光ピックアップ用モジュールを用いた構成とした
ものである。また、請求項１２記載の発明においては、
光源部からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及
び／または再生を行う光ピックアップにおいて、請求項
１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピッ
クアップ用モジュールと、ホログラム素子及び受光素子
（ＰＤ）を用いて形成した構成としたものである。さら
に請求項１３記載の発明においては、請求項１１または
１２記載の集積型光ピックアップにおいて、上記集積型
光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面
を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基板
と共に同一平面上に実装した構造としたものである。さ
らに請求項１４記載の発明においては、請求項１１また
は１２記載の集積型光ピックアップにおいて、上記集積
型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装
面を持ち、この実装面を受光素子が形成された半導体基
板上に実装した構造としたものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成、動作及び作
用について詳細に説明する。半導体レーザから放射され
るレーザ光は、発光部の光学的な構造を反映した放射角
を持っており、その放射角は半導体レーザのヘテロ接合
面と平行な方向と垂直な方向では大きく異なっている。
記録再生装置である光ディスクドライブに使用される一
般的な屈折率導波構造を持つ半導体レーザでは、ヘテロ
接合面と平行な方向でおよそ１０°、垂直な方向ではお
よそ２５°ぐらいの偏平な放射角をもつビームとなる。
これを模式的に書くと図２の様になり、そのビーム形状
は半導体レーザ１のヘテロ接合面２に対して垂直な方向
に長い楕円形のパターンとなる。特に近年開発が進めら
れている青色半導体レーザでは、光ピックアップ用とし
ての構造の最適化が進んでいないため、ヘテロ接合面と
平行な方向でおよそ５°、垂直な方向ではおよそ３０°
ぐらいの極端に偏平な放射角となる。したがって半導体
レーザからの光出力を有効に利用するためには、この偏
平なビーム形状がすべて反射面に当たるように光学系を
設計しなければならない。このように半導体レーザ特有
の偏平なビーム形状を考慮したうえで、反射面を利用し
て擬似的に発光点を近接させる方法を考えてみると、従
来提案されていた図３に示すような断面が三角形状の光
学素子３を用いる場合には、図３（ａ）の配置の場合の
発光点間隔ａよりも、図３（ｂ）に示すように半導体レ
ーザのヘテロ接合面と反射面とのなす角が略直角となる
配置の場合の発光点間隔ｂのほうが短いことが判る。そ
こで、請求項１記載の発明においては、複数の半導体レ
ーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射
面を持つ光学素子とを含んで構成される集積型光ピック
アップ用モジュールにおいて、上記半導体レーザのヘテ
ロ接合面と上記光学素子の対応する反射面とのなす角が
それぞれ略直角となるように構成している。これにより
従来よりも大幅に発光点間隔を小さくすることが可能な
光ピックアップ用モジュールを実現することができる。

【００１０】反射面を利用して擬似的に発光点を近接さ
せる構造を実際に作る場合、半導体レーザから放射され
る光の光軸が反射面で折れ曲がるため、半導体レーザや
光学素子の物理的な配置からその実装精度を直感的に確
認することが非常に難しくなってしまう。特に最も重要
なパラメーターである発光点間隔が外観からわかりにく
いということは、量産を行う上で検査工程に余分な手間
と時間がかかってしまい好ましくない。しかしながら、
二つの半導体レーザを対向して配置し、この半導体レー
ザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度で反射面を配置
した場合に限り、半導体レーザや光学素子の物理的な配
置からその実装精度を直感的に確認することが可能とな
る。これを図４を用いて具体的に説明する。図４におい
て符号４−１，４−２は対向して配置された半導体レー
ザを、４−３はそれぞれの半導体レーザに対応した反射
面を持つ光学素子を示している。各半導体レーザ４−
１，４−２からの出力光の光軸は４−４及び４−５に示
すように二つの半導体レーザ４−１，４−２の発光点を
結んだ線上を進み、光学素子４−３で直角方向に折り返
される。この折り返された光軸の間隔が発光点間隔とな
るが、このような構成をとると、二つの半導体レーザ４
−１．４−２の発光点を結んだ線上に光学素子４−３が
重なった長さがそのまま発光点間隔となるので、実装後
の外観から容易に発光点間隔を確認することが出来る。
そこで請求項２の発明においては、請求項１に記載され
た集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、二つの
半導体レーザが対向して配置してあり、この半導体レー
ザ間に配置された光学素子の反射面が、対応する半導体
レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度で配置され
る構造としている。これにより半導体レーザや光学素子
の物理的な配置からその実装精度を容易に確認すること
が可能となる。また、このような直角や平行、４５度と
いった角度で構成された構造は、実装の精度も取り易
く、より生産性を上げることが出来る。

【００１１】ところで、半導体レーザからの光出力は発
光層となるヘテロ接合面の上下方向に広がって放射され
るので、この出力光を有効に利用するためには、光学素
子の実装面よりも半導体レーザのヘテロ接合面が高い位
置にこなければならない。そこで請求項３記載の発明に
おいては、請求項２に記載された集積型光ピックアップ
用モジュールにおいて、二つの半導体レーザ（５−３）
が、それぞれサブマウント（５−２）に実装された構造
としている（図１）。これにより、サブマウント（５−
２）の厚さ調整等によって光学素子（５−４）に対する
半導体レーザ（５−３）の出力光位置を容易に調整する
ことができ、半導体レーザからの出力光を有効に利用す
ることが可能となる。ここで、このサブマウントの厚さ
は、光学素子の高さ(半導体レーザのヘテロ界面に垂直
な方向の長さ)の１／２程度であることが好ましい。こ
れはサブマウントにジャンクションダウンで実装された
半導体レーザの出力光が光学素子の中央付近を効果的に
利用するためである。

【００１２】次に請求項１，２のように半導体レーザの
ヘテロ接合面と光学素子の反射面とのなす角が略直角と
なる配置の場合、複数の半導体レーザ同士は数百μｍ離
れて実装されることになるが、擬似的な発光点は１００
μｍ以下程度に近接しているので、半導体レーザや光学
素子の相対位置に要求される位置精度は±３〜５μｍ以
下と非常に高精度である。これはサブマウントやステム
の一般的な寸法精度である±５０μｍと比べると一桁以
上小さい値であるので、個別の部品を組み合わせて実現
するのは非常に困難である。これを実現するためには、
半導体レーザ実装面と光学素子実装面を精度良く形成し
たサブマウント上に、半導体レーザと光学素子を直接実
装してモジュールとするほうがよい。そこで、請求項４
記載の発明においては、請求項２に記載された集積型光
ピックアップ用モジュールにおいて、二つの半導体レー
ザ（１５−３）と光学素子（１５−４）は、サブマウン
ト（１５−２）に実装された構造としている（図５）。
また、この構造を実現する上で、半導体レーザからの光
出力は発光層となるヘテロ接合面の上下方向に広がって
放射されるので、この出力光を有効に利用するために
は、光学素子の実装面よりも半導体レーザのヘテロ接合
面が高い位置にこなければならない。そこで請求項５記
載の発明においては、請求項４に記載された集積型光ピ
ックアップ用モジュールにおいて、サブマウント（１５
−２）は直方体の一部に平行に凹んだ面を持ついわゆる
コの字型もしくはこれに類似した形状を有しており、こ
の凹み面に上記光学素子（１５−４）が実装された構造
としている（図５）。これにより、サブマウントの厚さ
調整等によって光学素子に対する半導体レーザの出力光
位置を容易に調整することができ、半導体レーザからの
出力光を有効に利用することが可能となる。ここで、こ
のサブマウントの凹みの深さは、光学素子の高さ(半導
体レーザのヘテロ界面に垂直な方向の長さ)の１／２程
度であることが好ましい。これはサブマウントにジャン
クションダウンで実装された半導体レーザの出力光が光
学素子の中央付近を効果的に利用するためである。

【００１３】次に請求項１，２，３，４または５記載の
発明にある構造を実際に作る上で、反射面を有する光学
素子の形状に要求される条件は、対向した半導体レーザ
の光軸に対してそれぞれ４５度の角度を持つ反射面を有
することと、これらの反射面が半導体レーザのヘテロ接
合面と垂直な位置関係になることだけである。対向した
半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４５度の角度を持
つということは、反射面同士は直交することになる。ま
た反射面が半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な位置関
係になるためには、二つの反射面に直交した面を光学素
子に設け、半導体レーザのヘテロ接合面と平行な面に光
学素子を実装すればよい。つまり光学素子は3つの直交
した面を持つ構造であれば良いことになる。このような
条件を満たす構造の中で、最も単純で製作の容易な構造
は直方体の構造である。また製造法によっては五角柱等
の多角柱の方が製造しやすい場合もある。そこで請求項
６記載の発明においては、請求項１，２，３，４または
５に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにお
いて、上記光学素子の形状が直方体または多角柱となる
ようにしている。これにより光学素子を簡単に作製する
ことが可能となり、光学素子を搭載した集積型光ピック
アップ用モジュール及びそのモジュールを用いた集積型
光ピックアップの低コスト化を実現できる。

【００１４】請求項６記載の発明に示した直方体または
多角柱の光学素子は、反射面を利用するだけなのでその
材質に何らかの制約があるものではないのだが、これを
大量に製造するためには半導体プロセス技術を応用する
のが望ましい。特に近年の半導体プロセス技術は光の波
長オーダーの加工精度を有しており光学素子の加工にも
適しているが、この技術は半導体基板に対して最適化さ
れており、他の材料を用いる場合には新たにプロセス開
発が必要となってしまう。そこで請求項７記載の発明に
おいては、請求項６に記載された集積型光ピックアップ
用モジュールにおいて、上記光学素子の基材を半導体材
料としている。これにより光学素子の加工に既存の半導
体プロセス技術をそのまま適用することが出来、新たな
加工プロセスの開発無しに光学素子を作製することが出
来る。

【００１５】半導体材料の中でも単結晶Ｓｉ（シリコ
ン）は最も加工技術の進んだ材料である。例えばウエハ
ー加工時の研磨精度に関しても、他の基板材料に比べて
数分の一の精度が得られている。また近年はマイクロマ
シン技術と呼ばれる加工技術が発達してきており、高い
アスペクト比を持つ構造が容易に加工できるようになっ
ている。そこで請求項８記載の発明においては、請求項
７に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにお
いて、上記光学素子の基材を単結晶Ｓｉとしている。こ
の様に加工技術の最も進んだ単結晶Ｓｉを光学素子の基
材に使うことにより、光学素子を簡単に作製することが
可能となり、光学素子を搭載した集積型光ピックアップ
用モジュール及びそのモジュールを用いた集積型ピック
アップの低コスト化を実現できる。

【００１６】ここで、特定の面方位を持つ単結晶Ｓｉ基
板に異方性エッチング技術を適用することで、直交した
反射面を持つ光学素子を容易に作製することが可能にな
る。単結晶Ｓｉの（１１１）面は、特定のエッチング液
を用いたときに他の面方位より極端にエッチング速度が
遅くなるので、選択的に（１１１）面の結晶面を得るこ
とが可能である。例えば（１１０）面の基板を用いて異
方性エッチングにより（１１１）面と平行な方向の溝を
作ることで、基板表面に垂直な溝を作ることが出来る。
この面は原子層オーダーで平坦性を持つため反射鏡の用
途には特に適している。そこで請求項９記載の発明にお
いては、請求項８に記載された集積型光ピックアップ用
モジュールにおいて、上記光学素子の反射面を単結晶Ｓ
ｉの（１１０）面と（１１１）面で構成されるようにし
ている。これにより、直交する面を持つ光学素子を簡単
に作製することが可能となり、光学素子を搭載した集積
型光ピックアップ用モジュール及びそのモジュールを用
いた集積型ピックアップの低コスト化を実現できる。

【００１７】次に請求項１〜９に記載された構造を異な
る発振波長を持った半導体レーザで実現する場合、レン
ズ等の光学系は二つの波長に対して共通で使用されるこ
とになる。通常、レンズ等には分散があるために焦点距
離は波長によって異なってしまうが、これまではこれを
無くすためのいわゆる色消しの設計を行わなければなら
なかった。しかしながら、請求項１〜９に記載された構
造においては、各半導体レーザを光学素子の反射面から
半導体レーザまでの距離が、発振波長あるいは光学系の
色収差に応じた異なる距離に実装するだけでレンズの異
なる焦点距離に対応することが可能となる。そこで請求
項１０記載の発明においては、請求項１〜９のうちの何
れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モジュー
ルにおいて、上記二つの半導体レーザは、それぞれ異な
る発振波長を持っており、上記光学素子の反射面から半
導体レーザまでの距離が、発振波長あるいは光学系の色
収差に応じた異なる距離に実装された構成としている。
これによりこれまでに必要であったレンズの色消し設計
を無理に行わなくてもよくなるので、光学系の設計自由
度が増すとともに、安価な光学系を採用することが可能
になる。尚、当然のことではあるが、色収差の無い光学
系を利用できる場合は、各半導体レーザは光学素子の反
射面から半導体レーザまでの距離が等距離に実装される
ことになる。

【００１８】請求項１〜１０に記載された集積型光ピッ
クアップ用モジュールは、見かけ上発光点の間隔が非常
に狭くなっているので、二つの半導体レーザの光軸を１
００μｍ以下にすることが出来る。したがって、このモ
ジュールを用いて集積型光ピックアップを形成すれば、
光学系の設計を非常に容易に行うことができる。そこで
請求項１１記載の発明においては、光源部からの光束を
光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再生を行
う光ピックアップにおいて、上記光源部として、請求項
１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピッ
クアップ用モジュールを用いた構成としたものであり、
さらに請求項１２記載の発明においては、光源部からの
光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／または再
生を行う光ピックアップにおいて、請求項１〜１０のう
ちの何れか一つに記載された集積型光ピックアップ用モ
ジュールと、ホログラム素子及び受光素子（ＰＤ）を用
いて形成した構成としたものである。これにより光学系
の設計が容易な集積型光ピックアップを実現することが
出来る。

【００１９】従来の集積型光ピックアップにおいては、
半導体レーザと受光素子が形成された半導体基板はステ
ムに形成されたヒートシンクの異なる面に実装されてい
た。このためヒートシンクには高い加工精度が要求され
たため、これを低価格で作製するのは難しかった。しか
しながら、このような位置、角度の精度を集積型光ピッ
クアップ用モジュール側に持たせることにより、ステム
の加工精度を大幅に緩和することが可能となり、ステム
の低価格化が可能となる。そこで請求項１３記載の発明
においては、請求項１１または１２に記載された集積型
光ピックアップにおいて、上記集積型光ピックアップ用
モジュールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装
面を受光素子が形成された半導体基板と共に同一平面上
に実装した構造としている。これによりステムの加工精
度を大幅に緩和することが可能となり、ステムの低価格
化が可能となる。

【００２０】次世代のＳ−ＤＶＤに対応可能な集積型光
ピックアップを実現するためには、現在よりもさらに厳
しい実装精度が要求されるが、この場合問題となる一要
因として、受光素子が形成された半導体基板の厚さのば
らつきが懸念されている。現在最も高い精度が得られて
いるＳｉの８インチ基板においても、その厚さのばらつ
きは１０μｍ程度となり、光ピックアップの実装精度か
らみると大きな値となってしまう。しかしながら、これ
よりもばらつきの少ない高精度な仕様の基板を用いるこ
とは、基板の単価が非常に高くなってしまい現実的では
なくなってしまう。そこで請求項１４記載の発明におい
ては、請求項１１または１２に記載された集積型光ピッ
クアップにおいて、上記集積型光ピックアップ用モジュ
ールは出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受
光素子が形成された半導体基板上に実装した構造として
いる。これにより受光素子が形成された半導体基板の厚
さがばらついたとしても、集積型光ピックアップ用モジ
ュールと受光素子の相対的な位置関係に影響を受けるこ
とはない。

【００２１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の具体的な実施
例について説明する。

【００２２】（実施例１）図１は請求項１，２，３，
６，７の発明を適用した集積型光ピックアップ用モジュ
ールの一実施例を説明するための図であり、同図（ａ）
は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集
積型光ピックアップ用モジュールの平面図、同図（ｂ）
は本モジュールの光が出力される方向（図１（ａ）の上
方）から見た集積型光ピックアップ用モジュールの正面
図である。図中でＡｌＮからなる二つのサブマウント５
−２上にそれぞれ実装された二つの半導体レーザ５−３
は、光出射面を対向させてモジュール基部５−１上に配
置されている。この二つの半導体レーザ間には、半導体
レーザ５−３のヘテロ接合面と垂直な角度を持つ反射面
を有する光学素子５−４が同じくモジュール基部５−１
上に配置されている。図中の符号５−５は二つの半導体
レーザ５−３からの出力光を表わしており、この二つの
出力光５−５は光学素子５−４により略直角方向に近接
して反射されている。本実施例では、光学素子５−４は
半導体材料である単結晶ＧａＡｓ基板をへき開して作製
しており、その形状は直方体であり、二つの半導体レー
ザ５−３からの出力光を反射する反射面にはアルミニウ
ム薄膜を蒸着している。

【００２３】（実施例２）図５は請求項１，２，４，
５，６，７の発明を適用した集積型光ピックアップ用モ
ジュールの一実施例を説明するための図であり、同図
（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から
見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、同図
（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向（図５
（ａ）の上方）から見た集積型光ピックアップ用モジュ
ールの正面図である。図中でＡｌＮからなるサブマウン
ト１５−２のコの字型をした二つの実装面上にそれぞれ
実装された二つの半導体レーザ１５−３は、光出射面を
対向させて配置されている。この二つの半導体レーザ間
には、半導体レーザ１５−３のヘテロ接合面と垂直な角
度を持つ反射面を有する光学素子１５−４がサブマウン
ト１５−２の凹んだ面上に配置されている。図中の符号
１５−５は二つの半導体レーザ１５−３からの出力光を
表わしており、この二つの出力光１５−５は光学素子１
５−４により略直角方向に近接して反射されている。本
実施例では、光学素子１５−４は半導体材料である単結
晶ＧａＡｓ基板をへき開して作製しており、その形状は
直方体であり、二つの半導体レーザ１５−３からの出力
光を反射する反射面にはアルミニウム薄膜を蒸着してい
る。尚、本実施例では、半導体レーザ実装面と光学素子
実装面を精度良く形成したサブマウント１５−２上に、
半導体レーザ１５−３と光学素子１５−４を直接実装し
てモジュールとしているので、半導体レーザ１５−３と
光学素子１５−４の位置合わせを実施例１よりも高精度
に行なうことができる。

【００２４】（実施例３）図６は請求項１，２，３，
６，７，８，９，１０の発明を適用した集積型光ピック
アップ用モジュールの一実施例を説明するための図であ
り、同図（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な
方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面
図、同図（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向
（図６（ａ）の上方）から見た集積型光ピックアップ用
モジュールの正面図である。図中でＡｌＮからなる二つ
のサブマウント６−２，６−６上にそれぞれ実装された
二つの半導体レーザ６−３，６−７は、光出射面を対向
させてモジュール基部６−１上に配置されている。この
二つの半導体レーザ間には、半導体レーザ６−３，６−
７のヘテロ接合面と垂直な角度を持つ反射面を有する直
方体形状の光学素子６−４が同じくモジュール基部６−
１上に配置されている。ここで、二つの半導体レーザ６
−３，６−７は異なる発振波長を有しており、光学素子
６−４の反射面から半導体レーザ６−３，６−７までの
距離が、発振波長に応じた異なる距離に実装されてい
る。図中の符号６−５は半導体レーザ６−３，６−７か
らの出力光を表わしており、この二つの出力光６−５は
光学素子６−４により略直角方向に近接して反射されて
いる。

【００２５】本実施例では、直方体形状の光学素子６−
４は（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板を異方性エッチング
加工して作製しており、図８にその作製プロセスを示
す。図８（ａ）は本プロセスに使用するＳＯＩ基板を示
しており、このＳＯＩ基板は、ベースとなるＳｉ基板７
−１上に、酸化膜７−２と、（１１０）面のＳＯＩ層７
−３が形成されている。この基板のＳＯＩ層７−３に、
図８（ｂ）に示すように（１１１）面と平行な溝７−４
を異方性エッチングにより形成する。その後、図８
（ｃ）に示すように、この溝７−４と直交する方向にダ
イシングによる溝７−５を形成する。最後に図８（ｄ）
に示すように酸化膜７−２をエッチングで除去すること
により、Ｓｉの（１１０）面と（１１１）面を反射面に
持つ光学素子６−４が切り離される。尚、実施例１の場
合と同様に、光学素子６−４の各反射面にはアルミニウ
ム薄膜が蒸着されている。

【００２６】（実施例４）図７は請求項１，２，４，
５，６，７，８，９，１０の発明を適用した集積型光ピ
ックアップ用モジュールの一実施例を説明するための図
であり、同図（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂
直な方向から見た集積型光ピックアップ用モジュールの
平面図、同図（ｂ）は本モジュールの光が出力される方
向（図７（ａ）の上方）から見た集積型光ピックアップ
用モジュールの正面図である。図中でＡｌＮからなるサ
ブマウント１６−２のコの字型をした二つの実装面上に
実装された二つの半導体レーザ１６−３，１６−７は、
光出射面を対向させて配置されている。この二つの半導
体レーザ間には、半導体レーザ１６−３，１６−７のヘ
テロ接合面と垂直な角度を持つ反射面を有する直方体形
状の光学素子１６−４がサブマウント１６−２の凹んだ
面上に配置されている。ここで、二つの半導体レーザ１
６−３，１６−７は異なる発振波長を有しており、光学
素子１６−４の反射面から半導体レーザ１６−３，１６
−７までの距離が、発振波長に応じた異なる距離に実装
されている。図中の符号１６−５は半導体レーザ１６−
３，１６−７からの出力光を表わしており、この二つの
出力光１６−５は光学素子１６−４により略直角方向に
近接して反射されている。本実施例では、直方体形状の
光学素子１６−４は（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板を異
方性エッチング加工して作製しており、その作製プロセ
スは図８に示すようなものであり、実施例３の説明と同
様である。尚、実施例２の場合と同様に、光学素子１６
−４の各反射面にはアルミニウム薄膜が蒸着されてい
る。また、本実施例では、半導体レーザ実装面と光学素
子実装面を精度良く形成したサブマウント１６−２上
に、半導体レーザ１６−３，１６−７と光学素子１６−
４を直接実装してモジュールとしているので、半導体レ
ーザ１６−３，１６−７と光学素子１６−４の位置合わ
せを実施例３よりも高精度に行なうことができる。

【００２７】（実施例５）図９は請求項１１，１２，１
３の発明を適用した集積型光ピックアップの一実施例を
説明するための図である。図中の符号８−１は実施例１
または実施例３に示したような構造の請求項１，２，
３，６，７，８，９，１０の発明による集積型光ピック
アップ用モジュールであり、二つのサブマウント８−１
−２，８−１−６上にそれぞれ実装された二つの半導体
レーザ８−１−３，８−１−７は、光出射面を対向させ
てモジュール基部８−１−１上に配置されている。この
二つの半導体レーザ間には、半導体レーザのヘテロ接合
面と垂直な角度を持つ反射面を有する直方体形状の光学
素子８−１−４が同じくモジュール基部８−１−１上に
配置されている。また符号８−３は受光素子（ＰＤ）８
−４が形成された半導体基板である。集積型光ピックア
ップ用モジュール８−１の二つの半導体レーザ８−１−
３，８−１−７からの光出力８−１−５は光学素子８−
１−４の反射面で略直角方向に反射されて図中の矢印Ａ
の方向に出力されるが、集積型光ピックアップ用モジュ
ール８−１のモジュール基部８−１−１は、このＡ方向
の光出力光軸に垂直な実装面８−５を持ち、この実装面
８−５を受光素子８−４が形成された半導体基板８−３
と共に同一平面８−２上に実装されている。尚、図９に
おいて、集積型光ピックアップ用モジュール８−１から
の光出力方向（図中のＡ方向）には、レーザ光を光ディ
スクに集光するための対物レンズや、光ディスクからの
反射光を受光素子８−４に導くためのホログラム素子等
を含む光学系が配設されるが、これらの図示は省略して
いる。

【００２８】（実施例６）図１０は請求項１１，１２，
１４の発明を適用した集積型光ピックアップの一実施例
を説明するための図である。図中の符号９−１は実施例
１または実施例３に示したような構造の請求項１，２，
３，６，７，８，９，１０の発明による集積型光ピック
アップ用モジュールであり、二つのサブマウント９−１
−２，９−１−６上にそれぞれ実装された二つの半導体
レーザ９−１−３，９−１−７は、光出射面を対向させ
てモジュール基部９−１−１上に配置されている。この
二つの半導体レーザ間には、半導体レーザのヘテロ接合
面と垂直な角度を持つ反射面を有する直方体形状の光学
素子９−１−４が同じくモジュール基部９−１−１上に
配置されている。また符号９−３は受光素子（ＰＤ）９
−４が形成された半導体基板である。集積型光ピックア
ップ用モジュール９−１の二つの半導体レーザ９−１−
３，９−１−７からの光出力９−１−５は光学素子９−
１−４の反射面で略直角方向に反射されて図中の矢印Ａ
の方向に出力されるが、集積型光ピックアップ用モジュ
ール９−１のモジュール基部９−１−１は、このＡ方向
の光出力光軸に垂直な実装面９−２を持ち、この実装面
９−２を受光素子９−４が形成された半導体基板９−３
上に直接実装されている。尚、図１０において、集積型
光ピックアップ用モジュール９−１からの光出力方向
（図中のＡ方向）には、レーザ光を光ディスクに集光す
るための対物レンズや、光ディスクからの反射光を受光
素子９−４に導くためのホログラム素子等を含む光学系
が配設されるが、これらの図示は省略している。

【００２９】（実施例７）図１１は請求項１１，１２，
１３の発明を適用した集積型光ピックアップの一実施例
を説明するための図である。図中の符号１８−１は実施
例２または実施例４に示したような構造の請求項１，
２，４，５，６，７，８，９，１０の発明による集積型
光ピックアップ用モジュールであり、１８−３は受光素
子（ＰＤ）１８−４が形成された半導体基板である。こ
のモジュール１８−１の光出力は図中の矢印Ａの方向に
出力され、モジュール１８−１は、このＡ方向の光出力
光軸に垂直な実装面１８−５で、受光素子１８−４が形
成された半導体基板１８−３と共に同一平面１８−２上
に実装されている。尚、図１１において、集積型光ピッ
クアップ用モジュール１８−１からの光出力方向（図中
のＡ方向）には、レーザ光を光ディスクに集光するため
の対物レンズや、光ディスクからの反射光を受光素子１
８−４に導くためのホログラム素子等を含む光学系が配
設されるが、これらの図示は省略している。

【００３０】（実施例８）図１２は請求項１１，１２，
１４の発明を適用した集積型光ピックアップの一実施例
を説明するための図である。図中の符号１９−１は実施
例２または実施例４に示したような構造の請求項１，
２，４，５，６，７，８，９，１０の発明による集積型
光ピックアップ用モジュールであり、１９−３は受光素
子（ＰＤ）１９−４が形成された半導体基板である。こ
のモジュール１９−１の光出力は図中の矢印Ａの方向に
出力され、モジュール１９−１は、このＡ方向の光出力
光軸に垂直な実装面１９−２で、受光素子１９−４が形
成された半導体基板１９−３上に直接実装されている。
尚、図１２において、集積型光ピックアップ用モジュー
ル１９−１からの光出力方向（図中のＡ方向）には、レ
ーザ光を光ディスクに集光するための対物レンズや、光
ディスクからの反射光を受光素子１９−４に導くための
ホログラム素子等を含む光学系が配設されるが、これら
の図示は省略している。

【００３１】以上、実施例に基づき本発明の説明を行っ
てきたが、上記実施例に上げた形状、その他の要素との
組合わせなど、ここで示した要件に本発明が限定される
ものでは決してない。これらの点に関しては、本発明の
主旨をそぐわない範囲で変更することが可能であり、そ
の応用形態に応じて適切に定めることが出来る。また、
本発明は光ピックアップに関するものであるが、その動
作原理がこの応用のみにとらわれるものではなく、例え
ば複写機やプリンターの光源等の狭発光点間隔が必要な
用途にも容易に応用が可能である。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明においては、複数の半導体レーザと、それぞれの半導
体レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子とを含
んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールにお
いて、上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子
の対応する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となるよ
うに構成したので、これにより従来よりも大幅に発光点
間隔を小さくすることが可能な光ピックアップ用モジュ
ールを実現することができる。

【００３３】また、請求項２記載の発明においては、請
求項１に記載された集積型光ピックアップ用モジュール
において、二つの半導体レーザが対向して配置してあ
り、この半導体レーザ間に、それぞれの半導体レーザに
対応する複数の反射面を持つ光学素子が配置され、該光
学素子の反射面が、対応する半導体レーザの光軸に対し
てそれぞれ４５度の角度で配置されるように構成したの
で、これにより半導体レーザや光学素子の物理的な配置
からその実装精度を容易に確認することが可能となる。
また、実装の精度も取り易く、より生産性を上げること
が出来る。

【００３４】さらに請求項３記載の発明においては、請
求項２に記載された集積型光ピックアップ用モジュール
において、上記二つの半導体レーザがそれぞれサブマウ
ントに実装された構造としているので、これによりサブ
マウントの厚さ調整等によって光学素子に対する半導体
レーザの出力光位置を容易に調整することができ、半導
体レーザの出力光を有効に利用することが可能となる。

【００３５】さらに請求項４記載の発明においては、請
求項２記載の集積型光ピックアップ用モジュールにおい
て、上記二つの半導体レーザと光学素子は、サブマウン
トに実装されている構造としたので、半導体レーザと光
学素子の位置合わせをより高精度に行なうことができ
る。また、請求項５記載の発明においては、請求項４記
載の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、上記
サブマウントは直方体の一部に平行に凹んだ面を持つい
わゆるコの字型もしくはこれに類似した形状を有してお
り、この凹み面に該光学素子が実装されている構造とし
ているので、これによりサブマウントの厚さ調整等によ
って光学素子に対する半導体レーザの出力光位置を容易
に調整することができ、半導体レーザの出力光を有効に
利用することが可能となる。

【００３６】さらに請求項６記載の発明においては、請
求項１，２，３，４または５に記載された集積型光ピッ
クアップ用モジュールにおいて、上記光学素子の形状が
直方体または多角柱となるように構成したので、これに
より光学素子を簡単に作製することが可能となり、光学
素子を搭載した集積型ピックアップ用モジュール及びそ
れを用いた集積型光ピックアップの低コスト化を実現で
きる。

【００３７】さらに請求項７記載の発明においては、請
求項６に記載された集積型光ピックアップ用モジュール
において、上記光学素子の基材が半導体材料からなる構
成としたので、これにより光学素子の加工に既存の半導
体プロセス技術を適用することが出来、新たな加工プロ
セスの開発無しに光学素子を作製することが出来る。

【００３８】さらに請求項８記載の発明においては、請
求項７に記載された集積型光ピックアップ用モジュール
において、上記光学素子の基材が単結晶Ｓｉからなる構
成としているので、これにより既存の半導体プロセス技
術を用いて光学素子を簡単に作製することが可能とな
り、光学素子を搭載した集積型ピックアップ用モジュー
ル及びそれを用いた集積型ピックアップの低コスト化を
実現できる。

【００３９】さらに請求項９記載の発明においては、請
求項８に記載された集積型光ピックアップ用モジュール
において、上記光学素子の反射面が単結晶Ｓｉの（１１
０）面と（１１１）面からなる構成としているので、こ
れにより直交する面を持つ光学素子を簡単に作製するこ
とが可能となり、光学素子を搭載した集積型ピックアッ
プ用モジュール及びそれを用いた集積型ピックアップの
低コスト化を実現できる。

【００４０】さらに請求項１０記載の発明においては、
請求項１〜９のうちの何れか一つに記載の集積型光ピッ
クアップ用モジュールにおいて、上記二つの半導体レー
ザは、それぞれ異なる発振波長を持っており、上記光学
素子の反射面から半導体レーザまでの距離が、発振波長
あるいは光学系の色収差に応じた異なる距離に実装され
ている構成としているので、これによりこれまでに必要
であったレンズの色消し設計を無理に行わなくてもよく
なるので、光学系の設計自由度が増し、安価な光学系を
採用することが可能になる。

【００４１】請求項１１記載の発明においては、光源部
からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／ま
たは再生を行う光ピックアップにおいて、上記光源部と
して、請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された
集積型光ピックアップ用モジュールを用いた構成とした
ので、これにより光学系の設計が容易な集積型光ピック
アップを実現することが出来る。

【００４２】請求項１２記載の発明においては、光源部
からの光束を光記録媒体に集光して情報の記録及び／ま
たは再生を行う光ピックアップにおいて、請求項１〜１
０のうちの何れか一つに記載された集積型光ピックアッ
プ用モジュールと、ホログラム素子及び受光素子（Ｐ
Ｄ）を用いた構成としたので、これにより光学系の設計
が容易な集積型光ピックアップを実現することが出来
る。

【００４３】請求項１３記載の発明においては、請求項
１１または１２に記載された集積型光ピックアップにお
いて、上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光
軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成
された半導体基板と共に同一平面上に実装した構造とし
ているので、これによりステムの加工精度を大幅に緩和
することが可能となり、ステムの低価格化が可能とな
る。

【００４４】さらに請求項１４記載の発明においては、
請求項１１または１２に記載された集積型光ピックアッ
プにおいて、上記集積型光ピックアップ用モジュールは
出力光軸と垂直な実装面を持ち、この実装面を受光素子
が形成された半導体基板上に実装した構造としているの
で、これにより受光素子が形成された半導体基板の厚さ
がばらついたとしても、集積型光ピックアップ用モジュ
ールと受光素子の相対的な位置関係に影響を受けること
がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る集積型光ピックアップ用モジュー
ルの一実施例を説明するための図であり、（ａ）は半導
体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型光
ピックアップ用モジュールの平面図、（ｂ）は本モジュ
ールの光が出力される方向から見た集積型光ピックアッ
プ用モジュールの正面図である。

【図２】半導体レーザの放射角を説明するための図であ
る。

【図３】請求項１の発明を説明するための図であって、
半導体レーザのヘテロ接合面に対する光学素子の反射面
の配置と発光点間隔の関係の説明図である。

【図４】請求項２の発明を説明するための図であって、
二つの半導体レーザと二つの反射面を有する光学素子の
配置の説明図である。

【図５】本発明に係る集積型光ピックアップ用モジュー
ルの別の実施例を説明するための図であり、（ａ）は半
導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から見た集積型
光ピックアップ用モジュールの平面図、（ｂ）は本モジ
ュールの光が出力される方向から見た集積型光ピックア
ップ用モジュールの正面図である。

【図６】本発明に係る集積型光ピックアップ用モジュー
ルのさらに別の実施例を説明するための図であり、
（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から
見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、
（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向から見た集
積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。

【図７】本発明に係る集積型光ピックアップ用モジュー
ルのさらに別の実施例を説明するための図であり、
（ａ）は半導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から
見た集積型光ピックアップ用モジュールの平面図、
（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向から見た集
積型光ピックアップ用モジュールの正面図である。

【図８】直方体形状の光学素子の作製プロセスを説明す
るための工程説明図である。

【図９】本発明に係る集積型光ピックアップの一実施例
を説明するための要部斜視図である。

【図１０】本発明に係る集積型光ピックアップの別の実
施例を説明するための要部斜視図である。

【図１１】本発明に係る集積型光ピックアップのさらに
別の実施例を説明するための要部斜視図である。

【図１２】本発明に係る集積型光ピックアップのさらに
別の実施例を説明するための要部斜視図である。

【図１３】従来技術の一例を示す異波長光源モジュール
の構成説明図である。

【符号の説明】

１，４−１，４−２，５−３，６−３，６−７，８−１
−３，８−１−７，９−１−３，９−１−７，１５−
３，１６−３，１６−７：半導体レーザ ２：ヘテロ接合面 ３，４−３，５−４，６−４，８−１−４，９−１−
４，１５−４，１６−４：光学素子 ４−４，４−５，５−５，６−５，８−１−５，９−１
−５，１５−５，１６−５：半導体レーザからの出力光 ５−１，６−１，８−１−１，９−１−１：モジュール
基部 ５−２，６−２，６−６，８−１−２，８−１−６，９
−１−２，９−１−６，１５−２，１６−２：サブマウ
ント ７−１：ベースとなるＳｉ基板 ７−２：酸化膜 ７−３：（１１０）面のＳＯＩ層 ７−４：（１１１）面と平行な溝 ７−５：ダイシングによる溝 ８−１，９−１，１８−１，１９−１：集積型光ピック
アップ用モジュール ８−２，１８−２：実装面 ８−３，９−３，１８−３，１９−３：受光素子が形成
された半導体基板 ８−４，９−４，１８−４，１９−４：受光素子 ８−５，９−２，１８−５，１９−２：モジュールの実
装面

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の半導体レーザと、それぞれの半導体
   レーザに対応する複数の反射面を持つ光学素子とを含ん
   で構成される集積型光ピックアップ用モジュールにおい
   て、 上記半導体レーザのヘテロ接合面と上記光学素子の対応
   する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となることを特
   徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
2. 【請求項２】請求項１記載の集積型光ピックアップ用モ
   ジュールにおいて、 二つの半導体レーザが対向して配置してあり、この半導
   体レーザ間に、それぞれの半導体レーザに対応する複数
   の反射面を持つ光学素子が配置され、該光学素子の反射
   面が、対応する半導体レーザの光軸に対してそれぞれ４
   ５度の角度で配置されることを特徴とする集積型光ピッ
   クアップ用モジュール。
3. 【請求項３】請求項２記載の集積型光ピックアップ用モ
   ジュールにおいて、 上記二つの半導体レーザは、それぞれサブマウントに実
   装されていることを特徴とする集積型光ピックアップ用
   モジュール。
4. 【請求項４】請求項２記載の集積型光ピックアップ用モ
   ジュールにおいて、 上記二つの半導体レーザと光学素子は、サブマウントに
   実装されていることを特徴とする集積型光ピックアップ
   用モジュール。
5. 【請求項５】請求項４記載の集積型光ピックアップ用モ
   ジュールにおいて、 上記サブマウントは直方体の一部に平行に凹んだ面を持
   ついわゆるコの字型もしくはこれに類似した形状を有し
   ており、この凹み面に上記光学素子が実装されているこ
   とを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
6. 【請求項６】請求項１，２，３，４または５記載の集積
   型光ピックアップ用モジュールにおいて、 上記光学素子の形状が直方体または多角柱であることを
   特徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
7. 【請求項７】請求項６記載の集積型光ピックアップ用モ
   ジュールにおいて、 上記光学素子の基材が半導体材料であることを特徴とす
   る集積型光ピックアップ用モジュール。
8. 【請求項８】請求項７記載の集積型光ピックアップ用モ
   ジュールにおいて、 上記光学素子の基材が単結晶Ｓｉであることを特徴とす
   る集積型光ピックアップ用モジュール。
9. 【請求項９】請求項８記載の集積型光ピックアップ用モ
   ジュールにおいて、 上記光学素子の反射面が単結晶Ｓｉの（１１０）面と
   （１１１）面からなることを特徴とする集積型光ピック
   アップ用モジュール。
10. 【請求項１０】請求項１〜９のうちの何れか一つに記載
    の集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、 上記二つの半導体レーザは、それぞれ異なる発振波長を
    持っており、上記光学素子の反射面から半導体レーザま
    での距離が、発振波長あるいは光学系の色収差に応じた
    異なる距離に実装されていることを特徴とする集積型光
    ピックアップ用モジュール。
11. 【請求項１１】光源部からの光束を光記録媒体に集光し
    て情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップに
    おいて、 上記光源部として、請求項１〜１０のうちの何れか一つ
    に記載された集積型光ピックアップ用モジュールを用い
    たことを特徴とする集積型光ピックアップ。
12. 【請求項１２】光源部からの光束を光記録媒体に集光し
    て情報の記録及び／または再生を行う光ピックアップに
    おいて、 請求項１〜１０のうちの何れか一つに記載された集積型
    光ピックアップ用モジュールと、ホログラム素子及び受
    光素子（ＰＤ）を用いて形成したことを特徴とする集積
    型光ピックアップ。
13. 【請求項１３】請求項１１または１２記載の集積型光ピ
    ックアップにおいて、 上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂
    直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された
    半導体基板と共に同一平面上に実装したことを特徴とす
    る集積型光ピックアップ。
14. 【請求項１４】請求項１１または１２記載の集積型光ピ
    ックアップにおいて、 上記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂
    直な実装面を持ち、この実装面を受光素子が形成された
    半導体基板上に実装したことを特徴とする集積型光ピッ
    クアップ。