JP2002279672A - 集積型光ピックアップ用モジュールおよび該モジュールを用いた集積型光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 通常の構造の半導体レーザを用いて複数の半
導体レーザの発光点間隔を反射面を利用して擬似的に近
接させることが可能で、量産に適した簡便な方法でしか
も低コストに実現することが可能な集積型光ピックアッ
プ用モジュールおよび該モジュールを用いた集積型光ピ
ックアップを提供すること。 【解決手段】 サブマウント５−２には、反射面５−１
を形成した突起が形成されている。このサブマウント上
には波長の異なる二つの半導体レーザ５−３及び５−４
が光出射面を反射面に対向させてそれぞれ異なる距離に
実装されている。この二つの半導体レーザに対応する反
射面５−１は、半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な角
度を持っている。図中５−５は半導体レーザからの出力
光をあらわしており、反射面５−１により反射されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体レー
ザとこれらの半導体レーザが実装されるサブマウントか
らなるモジュール（以下集積型光ピックアップ用モジュ
ールと呼ぶ）や、前記モジュールとホログラム及びＰＤ
を集積して一体化した部品（以下集積型光ピックアップ
と呼ぶ）に関するものであり、主としてＤＶＤやＳ−Ｄ
ＶＤ等が再生可能な高密度光ディスク装置に応用され
る。

【０００２】

【従来の技術】近年ＣＤ−Ｒや、ＤＶＤ等さまざまな光
ディスクが普及しはじめているが、理想的には１つの記
録再生装置で複数種類のディスクを記録再生できること
が望ましい。しかしながらＣＤやＣＤ−Ｒで使用されて
いる波長７８０ｎｍのレーザ光では、光スポットをＤＶ
Ｄのディスク上のピットの大きさまで絞り込むことがで
きない。

【０００３】一方、ＣＤ−Ｒのディスクに用いられる色
素はＤＶＤで使用されている波長６５０ｎｍのレーザ光
では反射せず透過してしまい、読み取りをすることがで
きない。したがって、ＣＤ−ＲとＤＶＤを１つの記録再
生装置で記録再生できるようにするためには、波長７８
０ｎｍと波長６５０ｎｍの２つの半導体レーザ装置を用
いなければならない。

【０００４】しかしながら、波長７８０ｎｍと波長６５
０ｎｍの２つの半導体レーザで光学系を共用するために
は、二つの発光点の間隔をできるだけ近く（好ましくは
１００μｍ以下に）しなければならない。これまでに波
長６５０ｎｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの
半導体レーザチップを１つのパッケージ上に水平方向に
並べて取り付けた半導体レーザ装置が提案されている
が、これはレーザチップ幅やサブマウント幅の影響を受
け２つのレーザチップの発光点位置間隔が３００〜４０
０μｍと大きくなってしまうため、ピックアップの光学
系を設計するのが非常に難しくなってしまう。

【０００５】また、一つのチップから二つの波長を発振
できる半導体レーザや、発光点がチップの端に形成され
た半導体レーザを並べて用いる方法も提案されている
が、そのような特殊な構造の半導体レーザは一般には市
販されていないため入手が非常に困難である。そこで通
常の構造の半導体レーザを用いて、反射面を利用して擬
似的に発光点を近接させる方法が提案されている。特開
平１１−３９６８４号公報には断面三角形の形状を有す
るサブマウントにより、発光点を近接させる方法が開示
されている。

【０００６】図７は、特開平１１−３９６８４号公報に
開示された従来の異波長光源モジュールを示す図であ
る。この図で断面三角形の形状を有するサブマウント４
５により、半導体レーザ３４，３６からの出力Ｂ１，Ｂ
２は近接した反射面３２Ｂ，３２Ｃで折り曲げられるの
で、発光点を擬似的に近接させることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造を実現するためには断面三角形の形状を有する
構造を作製しなければならない。特に４５度の角度を持
つ断面三角形の傾斜面を作ることは容易ではなく、これ
まで何通りかの作製方法が提案されてはいるが、実際に
量産に適用できるほど安定して作製できるわけではなか
った。

【０００８】また特開２０００−１１３４８６号公報に
開示されるようにマイクロプリズムを用いて断面三角形
の形状を付加することも可能であるが、サブマウント等
の個別部品の寸法精度が高くないため実装が非常に難し
くなる上に、断面三角形の光学部品が必要なためコスト
的に非常に高価になってしまい、光ピックアップへの搭
載が現実的ではなくなってしまう。このように従来開示
された反射面を利用して発光点を擬似的に近接させる方
法では、量産に適した簡便な方法ではなく、しかもそれ
を低コストに実現することができなかった。

【０００９】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であり、通常の構造の半導体レーザを用いて複数の半導
体レーザの発光点間隔を反射面を利用して擬似的に近接
させることが可能で、量産に適した簡便な方法でしかも
低コストに実現することが可能な集積型光ピックアップ
用モジュールおよび該モジュールを用いた集積型光ピッ
クアップを提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成を採用した。すなわち、 （１）請求項１の発明においては、複数の半導体レーザ
とそれぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を持
つサブマウントとを含んで構成される集積型光ピックア
ップ用モジュールにおいて、該半導体レーザのヘテロ接
合面と該サブマウントの対応する反射面とのなす角がそ
れぞれ略直角となるようにしている。

【００１１】（２）また、請求項２の発明においては、
請求項１に記載された集積型光ピックアップ用モジュー
ルにおいて、該サブマウントの基材を半導体結晶材料と
している。 （３）また、請求項３の発明においては、請求項１に記
載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
該サブマウントの基材を単結晶Ｓｉとしている。

【００１２】（４）また請求項４の発明においては、請
求項３に記載された集積型光ピックアップ用モジュール
において、該サブマウントのLＤ実装面及び反射面をＳ
ｉの＜１００＞面としている。 （５）また、請求項５の発明においては、請求項３に記
載された集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
該サブマウントのLＤ実装面をＳｉの＜１１０＞面、反
射面を＜１１１＞面としている。

【００１３】（６）また、請求項６の発明においては、
請求項１〜５に記載された集積型光ピックアップ用モジ
ュールにおいて、該半導体レーザはそれぞれ異なる発振
波長を持っており、該サブマウントの反射面から半導体
レーザまでの距離が、光学系の色収差に応じた異なる距
離に実装された構造としている。

【００１４】（７）また、請求項７の発明においては、
請求項１〜６に記載された集積型光ピックアップ用モジ
ュールを用いた集積型光ピックアップにおいて、該集積
型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装
面を持ち、この実装面により、受光素子が形成された半
導体基板と同一平面上に実装した構造としている。

【００１５】（８）また、請求項８の発明においては、
請求項１〜６に記載された集積型光ピックアップ用モジ
ュールを用いた集積型光ピックアップにおいて、該集積
型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装
面を持ち、この実装面により、受光素子が形成された半
導体基板上に実装した構造としている。

【００１６】（各請求項の技術的説明）図８は、半導体
レーザの放射角を説明するための図である。半導体レー
ザから放射されるレーザ光は、発光部の光学的な構造を
反映した放射角を持っており、その放射角は半導体レー
ザのヘテロ接合面と平行な方向と垂直な方向では大きく
異なっている。光ディスクドライブに使用される一般的
な屈折率導波構造を持つ半導体レーザでは、ヘテロ接合
面と平行な方向でおよそ１０°、垂直な方向ではおよそ
２５°ぐらいの偏平な放射角をもつビームとなる。図８
に示すように、そのビーム形状は半導体レーザのヘテロ
接合面に対して垂直な方向に長い楕円形のパターンとな
る。

【００１７】特に、近年開発が進められている青色半導
体レーザでは、光ピックアップ用としての構造の最適化
が進んでいないため、ヘテロ接合面と平行な方向でおよ
そ５°、垂直な方向ではおよそ３０°ぐらいの極端に偏
平な放射角となる。半導体レーザからの光出力を有効に
利用するためには、この偏平なビーム形状がすべて反射
面に当たるように光学系を設計しなければならない。

【００１８】このように半導体レーザ特有の偏平なビー
ム形状を考慮したうえで、反射面を利用いて擬似的に発
光点を近接させる方法を考えてみると、従来提案されて
いた図９（ａ）の配置の場合の発光点間隔ａよりも、図
（ｂ）に示すように半導体レーザのヘテロ接合面と反射
面とのなす角が略直角となる配置の場合の発光点間隔ｂ
のほうが短いことがわかる。

【００１９】またこの場合、複数の半導体レーザ同士は
数百μｍ離れて実装されることになるが、擬似的な発光
点は１００μｍ以下程度に近接しているので、半導体レ
ーザや反射面の相対位置に要求される位置精度は±３〜
５μｍ以下と非常に高精度である。これはサブマウント
やステムの一般的な寸法精度である±５０μｍと比べる
と一桁以上小さい値であるので、個別の部品を組み合わ
せて実現するのは非常に困難である。これを実現するた
めには、半導体レーザ実装面と光学反射面を一体に形成
したサブマウント上に、半導体レーザを直接実装してモ
ジュールとすることが必然である。

【００２０】そこで請求項１の発明においては、複数の
半導体レーザとそれぞれの半導体レーザに対応する複数
の反射面を持つサブマウントとを含んで構成される集積
型光ピックアップ用モジュールにおいて、該半導体レー
ザのヘテロ接合面と該サブマウントの対応する反射面と
のなす角がそれぞれ略直角となるようにしている。これ
により従来よりも大幅に発光点間隔を小さくすることが
可能な光ピックアップ用モジュールを精度良く実現する
ことが可能となる。

【００２１】請求項１の発明に示した反射面を持つサブ
マウントは、反射面を利用するだけなのでその材質に何
らかの制約があるものではないのだが、これを大量に製
造するためには半導体プロセス技術を応用するのが望ま
しい。特に近年の半導体プロセス技術は光の波長オーダ
ーの加工精度を有しており反射面を持つサブマウントの
加工にも適しているが、この技術は半導体基板に対して
最適化されており、他の材料を用いる場合には新たにプ
ロセス開発が必要となってしまう。

【００２２】そこで請求項２の発明においては、請求項
１に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにお
いて、該サブマウントの基材を半導体結晶材料としてい
る。これにより反射面を持つサブマウントの加工に既存
の半導体プロセス技術をそのまま適用することができ、
新たな加工プロセスの開発無しに光学素子を作製するこ
とができる。

【００２３】半導体結晶材料の中でも単結晶Ｓｉは最も
加工技術の進んだ材料である。例えばウエハー加工時の
研磨精度に関しても、他の基板材料に比べて数分の一の
精度が得られている。また近年はマイクロマシン技術と
呼ばれる加工技術が発達してきており、高いアスペクト
比を持つ構造が容易に加工できるようになっている。

【００２４】そこで請求項３の発明においては、請求項
１に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにお
いて、該サブマウントの基材を単結晶Ｓｉとしている。
このように加工技術の最も進んだ単結晶Ｓｉをサブマウ
ントの基材に使うことにより、反射面を持つサブマウン
トを簡単に作製することが可能となり、集積型ピックア
ップの低コスト化を実現できる。

【００２５】特定の面方位を持つ単結晶Ｓｉ基板に異方
性エッチング技術を適用することで、基板面に直交した
反射面を容易に作製することが可能になる。＜１００＞
面の基板面を持つ単結晶Ｓｉ基板において、基板面に直
交する＜１００＞面は特定のエッチング液を用いたとき
に他の面方位より極端にエッチング速度が遅くなるの
で、選択的に＜１００＞面の結晶面を得ることが可能で
ある。この面は非常に平坦性が高いため反射鏡の用途に
は特に適している。

【００２６】そこで請求項４の発明においては、請求項
３に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにお
いて、該サブマウントのLＤ実装面及び反射面をＳｉの
＜１００＞面としている。これにより、LＤ実装面に垂
直な反射面を持つサブマウントを異方性エッチングによ
り簡単に作製することが可能となり、光学素子を搭載し
た集積型ピックアップの低コスト化を実現できる。

【００２７】請求項３の場合と同様に＜１１０＞面の基
板面を持つ単結晶Ｓｉ基板において、基板面に直交する
＜１１１＞面は特定のエッチング液を用いたときに他の
面方位より極端にエッチング速度が遅くなるので、選択
的に＜１１１＞面の結晶面を得ることが可能である。こ
の面は非常に平坦性が高いため反射鏡の用途には特に適
している。

【００２８】そこで請求項５の発明においては、請求項
３に記載された集積型光ピックアップ用モジュールにお
いて、該サブマウントのLＤ実装面をＳｉの＜１１０＞
面、反射面を＜１１１＞面としている。これにより、L
Ｄ実装面に垂直な反射面を持つサブマウントを異方性エ
ッチングにより簡単に作製することが可能となり、光学
素子を搭載した集積型ピックアップの低コスト化を実現
できる。

【００２９】請求項１〜５に記載された構造を異なる発
振波長を持った半導体レーザで実現する場合、レンズ等
の光学系は二つの波長に対して共通で使用されることに
なる。通常レンズ等には分散があるために焦点距離は波
長によって異なってしまうが、これまではこれを無くす
ためのいわゆる色消しの設計を行わなければならなかっ
た。

【００３０】しかしながら請求項１〜５に記載された構
造において、各半導体レーザをサブマウントの反射面か
ら半導体レーザまでの距離が、光学系の色収差に応じた
距離となるようにすればレンズの異なる焦点距離に対応
することが可能となる。そこで請求項６の発明において
は、請求項１〜５に記載された集積型光ピックアップ用
モジュールにおいて、該半導体レーザはそれぞれ異なる
発振波長を持っており、該サブマウントの反射面から半
導体レーザまでの距離が、光学系の色収差に応じた異な
る距離に実装された構造としている。

【００３１】これによりこれまでに必要であったレンズ
の色消し設計を無理に行わなくてもよくなるので、光学
系の設計自由度が増すとともに、安価な光学系を採用す
ることが可能になる。なお当然のことではあるが、色収
差の無い光学系を利用できる場合は、各半導体レーザは
サブマウントの反射面から半導体レーザまでの距離が等
距離に設計されることになる。

【００３２】従来の集積型光ピックアップにおいては、
半導体レーザと受光素子が形成された半導体基板はステ
ムに形成されたヒートシンクの異なる面に実装されてい
た。このためヒートシンクには高い加工精度が要求され
たため、これを低価格で作製するのは難しかった。しか
しながらこのような位置、角度の精度を集積型光ピック
アップ用モジュール側に持たせることにより、ステムの
加工精度を大幅に緩和することが可能となり、ステムの
低価格化が可能となる。

【００３３】そこで請求項７の発明においては、請求項
１〜６に記載された集積型光ピックアップ用モジュール
を利用した集積型光ピックアップにおいて、該集積型光
ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を
持ち、この面を受光素子が形成された半導体基板と同一
平面上に実装した構造としている。これによりステムの
加工精度を大幅に緩和することが可能となり、ステムの
低価格化が可能となる。

【００３４】次世代のＳ−ＤＶＤに対応可能な集積型光
ピックアップを実現するためには、現在よりもさらに厳
しい実装精度が要求されるが、この場合問題となる一要
因として受光素子が形成された半導体基板の厚さのばら
つきが懸念されている。現在もっとも高い精度が得られ
ているＳｉの８インチ基板においても、その厚さのばら
つきは１０μｍ程度となり、ピックアップの実装精度か
らみると大きな値となってしまう。しかしながらこれよ
りもばらつきの少ない高精度な仕様の基板を用いること
は、基板の単価が非常に高くなってしまい現実的ではな
くなってしまう。

【００３５】そこで請求項８の発明においては、請求項
１〜６に記載された集積型光ピックアップ用モジュール
を利用した集積型光ピックアップにおいて、該集積型光
ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直な実装面を
持ち、この面を受光素子が形成された半導体基板上に実
装した構造としている。これにより受光素子が形成され
た半導体基板の厚さがばらついたとしても、集積型光ピ
ックアップ用モジュールと受光素子の相対的な位置関係
に影響を受けることはない。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施例
を説明する。 （実施例１）図１は、請求項１，２，３，４，６記載の
発明に係る集積型光ピックアップ用モジュールの一実施
例を説明するための図で、同図（ａ）は半導体レーザの
ヘテロ接合面に垂直な方向から、同図（ｂ）は本モジュ
ールの光が出力される方向（同図（ａ）の上方）から見
た図である。

【００３７】図１において、サブマウント５−２には、
反射面５−１を形成した突起が形成されている。このサ
ブマウント上には波長の異なる二つの半導体レーザ５−
３及び５−４が光出射面を反射面に対向させてそれぞれ
異なる距離に実装されている。この二つの半導体レーザ
に対応する反射面５−１は、半導体レーザのヘテロ接合
面と垂直な角度を持っている。図中５−５は半導体レー
ザからの出力光をあらわしており、反射面５−１により
反射されている。

【００３８】本実施例で使用する反射面付きサブマウン
ト５−２は＜１００＞面の単結晶Ｓｉ基板を異方性エッ
チング加工して作製される。図２は、本実施例で使用す
る反射面付きサブマウント５−２の作製プロセスを示す
図である。

【００３９】最初に図２（ａ）に示すようにＳｉ基板６
−１上に酸化膜によるエッチングマスク６−２を＜１１
０＞面と平行になるように形成する。これをマスクにし
て同図（ｂ）に示すように等方性エッチングを行う。次
に同図（ｃ）に示すように窒化膜で再びエッチングマス
ク６−３，６−４を形成する。ここで反射面が形成され
る部分のマスク６−３は＜１００＞面に平行に形成され
ている。またLＤ実装面が形成される部分のマスク６−
４は＜１１０＞面に平行に形成されている。この基板を
異方性エッチングすることにより同図（ｄ）の形状を得
る。その後同図（ｅ）に示すようにダイシングにより切
断することにより、Ｓｉの＜１００＞面からなる反射面
とLＤ実装面を持つサブマウントが形成される。なお、
反射面にはアルミニウム薄膜が蒸着されている。

【００４０】（実施例２）図３は、請求項１，２，３，
５，６記載の発明に係る集積型光ピックアップ用モジュ
ールの一実施例を説明するための図で、同図（ａ）は半
導体レーザのヘテロ接合面に垂直な方向から、同図
（ｂ）は本モジュールの光が出力される方向（同図
（ａ）の上方)から見た図である。

【００４１】図３中でサブマウント７−２には、反射面
７−１を形成した突起が形成されている。このサブマウ
ント上には波長の異なる二つの半導体レーザ７−３及び
７−４が光出射面を反射面に対向させてそれぞれ異なる
距離に実装されている。この二つの半導体レーザに対応
する反射面７−１は、半導体レーザのヘテロ接合面と垂
直な角度を持っている。図中７−５は半導体レーザから
の出力光を表しており、反射面７−１により反射されて
いる。

【００４２】本実施例で使用する反射面付きサブマウン
ト７−２は＜１１０＞面の単結晶Ｓｉ基板を異方性エッ
チング加工して作製される。図４は、本実施例で使用す
る反射面付きサブマウント７−２の作製プロセスを示す
図である。最初に同図（ａ）に示すようにＳｉ基板８−
１上に酸化膜によるエッチングマスク８−２を＜１００
＞面と平行になるように形成する。これをマスクにして
同図（ｂ）に示すように等方性エッチングを行う。

【００４３】次に、同図（ｃ）に示すように窒化膜で再
びエッチングマスク８−３，８−４を形成する。ここで
反射面が形成される部分のマスク８−３は＜１１１＞面
に平行に形成されている。またLＤ実装面が形成される
部分のマスク８−４は＜１１１＞面に対して３５.３度
の角度で形成されている。この基板を異方性エッチング
することにより同図（ｄ）の形状を得る。その後同図
（ｅ）に示すようにダイシングにより切断することによ
り、Ｓｉの＜１１１＞面からなる反射面とＳｉの＜１１
０＞面からなるLＤ実装面を持つサブマウントが形成さ
れる。なお、反射面にはアルミニウム薄膜が蒸着されて
いる。

【００４４】（実施例３）図５は、請求項７記載の発明
に係る集積型光ピックアップの一実施例を説明するため
の図である。図中９−１は請求項１〜６の発明による集
積型光ピックアップモジュール、また９−３は受光素子
９−４が形成された半導体基板である。ホログラム素子
は図示していない。このモジュール９−１の光出力は矢
印Ａの方向に出力され、これに垂直な実装面９−５で、
受光素子が形成された基板９−３と同一面９−２に実装
されている。

【００４５】（実施例４）図６は、請求項８記載の発明
に係る集積型光ピックアップの一実施例を説明するため
の図である。図中１０−１は請求項１〜６の発明による
集積型光ピックアップモジュール、また１０−３は受光
素子１０−４が形成された半導体基板である。ホログラ
ム素子は図示していない。このモジュール１０−１の光
出力は矢印Ａの方向に出力され、これに垂直な実装面１
０−２で、受光素子が形成された基板１０−３上に直接
実装されている。

【００４６】以上、実施例に基づき本発明の説明を行っ
たが、上記実施例に上げた形状、その他の要素との組合
わせなど、ここで示した要件に本発明が限定されるもの
では決してない。これらの点に関しては、本発明の主旨
を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応
用形態に応じて適切に定めることができる。

【００４７】また、本発明は光ピックアップに関するも
のであるが、その動作原理がこの応用のみにとらわれる
ものではなく、例えば複写機やプリンターの光源等の狭
発光点間隔が必要な用途にも容易に応用が可能である。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、通常の構造の半導体レ
ーザを用いて複数の半導体レーザの発光点間隔を反射面
を利用して擬似的に近接させることが可能で、量産に適
した簡便な方法でしかも低コストに集積型光ピックアッ
プ用モジュールおよび該モジュールを用いた集積型光ピ
ックアップを実現することができる。以下、各請求項毎
の具体的な効果を記す。

【００４９】（１）請求項１記載の発明においては、複
数の半導体レーザとそれぞれの半導体レーザに対応する
複数の反射面を持つサブマウントとを含んで構成される
集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、該半導体
レーザのヘテロ接合面と該サブマウントの対応する反射
面とのなす角がそれぞれ略直角となるようにしている。
これにより従来よりも大幅に発光点間隔を小さくするこ
とが可能な光ピックアップ用モジュールを精度良く実現
することが可能となる。

【００５０】（２）また請求項２記載の発明において
は、請求項１に記載された集積型光ピックアップ用モジ
ュールにおいて、該サブマウントの基材を半導体結晶材
料としている。これにより反射面を持つサブマウントの
加工に既存の半導体プロセス技術をそのまま適用するこ
とができ、新たな加工プロセスの開発無しに光学素子を
作製することができる。

【００５１】（３）また請求項３記載の発明において
は、請求項１に記載された集積型光ピックアップ用モジ
ュールにおいて、該サブマウントの基材を単結晶Ｓｉと
している。これにより反射面を持つサブマウントを最も
進んだ加工技術を用いて作製することが可能となり、集
積型ピックアップの低コスト化を実現できる。

【００５２】（４）また請求項４記載の発明において
は、請求項３に記載された集積型光ピックアップ用モジ
ュールにおいて、該サブマウントのLＤ実装面及び反射
面をＳｉの＜１００＞面としている。これにより、LＤ
実装面に垂直な反射面を持つサブマウントを異方性エッ
チングにより簡単に作製することが可能となり、光学素
子を搭載した集積型ピックアップの低コスト化を実現で
きる。

【００５３】（５）また請求項５記載の発明において
は、請求項３に記載された集積型光ピックアップ用モジ
ュールにおいて、該サブマウントのLＤ実装面をＳｉの
＜１１０＞面、反射面を＜１１１＞面としている。これ
により、LＤ実装面に垂直な反射面を持つサブマウント
を異方性エッチングにより簡単に作製することが可能と
なり、光学素子を搭載した集積型ピックアップの低コス
ト化を実現できる。

【００５４】（６）また請求項６記載の発明において
は、請求項１〜５に記載された集積型光ピックアップ用
モジュールにおいて、該半導体レーザはそれぞれ異なる
発振波長を持っており、該サブマウントの反射面から半
導体レーザまでの距離が、光学系の色収差に応じた異な
る距離に実装された構造としている。これによりこれま
でに必要であったレンズの色消し設計を無理に行わなく
てもよくなるので、光学系の設計自由度が増すととも
に、安価な光学系を採用することが可能になる。

【００５５】（７）また請求項７記載の発明において
は、請求項１〜６に記載された集積型光ピックアップ用
モジュールを利用した集積型光ピックアップにおいて、
該集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直
な実装面を持ち、この面を受光素子が形成された半導体
基板と同一平面上に実装した構造としている。これによ
りステムの加工精度を大幅に緩和することが可能とな
り、ステムの低価格化が可能となる。

【００５６】（８）また請求項８記載の発明において
は、請求項１〜６に記載された集積型光ピックアップ用
モジュールを利用した集積型光ピックアップにおいて、
該集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂直
な実装面を持ち、この面を受光素子が形成された半導体
基板上に実装した構造としている。これにより受光素子
が形成された半導体基板の厚さがばらついたとしても、
集積型光ピックアップ用モジュールと受光素子の相対的
な位置関係に影響を受けることはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１を説明するための図である。

【図２】実施例１のサブマウント作製プロセスを説明す
るための図である。

【図３】実施例２を説明するための図である。

【図４】実施例２のサブマウント作製プロセスを説明す
るための図である。

【図５】実施例３を説明するための図である。

【図６】実施例４を説明するための図である。

【図７】特開平１１−３９６８４号公報に開示された従
来の異波長光源モジュールを示す図である。

【図８】半導体レーザの放射角を説明するための図であ
る。

【図９】本発明の原理を説明するための図である。

【符号の説明】

５−１，７−１：反射面 ５−２，７−２：サブマウント ５−３，５−４，７−３，７−４：半導体レーザ ５−５，７−５：半導体レーザからの出力光 ６−１，８−１：Ｓｉ基板 ６−２，８−２：酸化膜 ６−３，６−４，８−３，８−４：窒化膜 ９−１，１０−１：集積型光ピックアップモジュール ９−２：実装面 ９−３，１０−３：受光素子が形成された基板 ９−４，１０−４：受光素子 ９−５，１０−２：モジュールの実装面

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の半導体レーザとそれぞれの半導体
   レーザに対応する複数の反射面を持つサブマウントとを
   含んで構成される集積型光ピックアップ用モジュールで
   あって、 該半導体レーザのヘテロ接合面と該サブマウントの対応
   する反射面とのなす角がそれぞれ略直角となることを特
   徴とする集積型光ピックアップ用モジュール。
2. 【請求項２】 請求項１に記載された集積型光ピックア
   ップ用モジュールにおいて、該サブマウントの基材が半
   導体結晶材料であることを特徴とする集積型光ピックア
   ップ用モジュール。
3. 【請求項３】 請求項２に記載された集積型光ピックア
   ップ用モジュールにおいて、該サブマウントの基材が単
   結晶Ｓｉであることを特徴とする集積型光ピックアップ
   用モジュール。
4. 【請求項４】 請求項３に記載された集積型光ピックア
   ップ用モジュールにおいて、該サブマウントのLＤ実装
   面及び反射面がＳｉの＜１００＞面からなることを特徴
   とする集積型光ピックアップ用モジュール。
5. 【請求項５】 請求項３に記載された集積型光ピックア
   ップ用モジュールにおいて、該サブマウントのLＤ実装
   面がＳｉの＜１１０＞面、反射面が＜１１１＞面からな
   ることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュー
   ル。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載された集
   積型光ピックアップ用モジュールにおいて、 前記半導体レーザはそれぞれ異なる発振波長を持ってお
   り、該サブマウントの反射面から半導体レーザまでの距
   離が、光学系の色収差に応じた異なる距離に実装されて
   いることを特徴とする集積型光ピックアップ用モジュー
   ル。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載された集
   積型光ピックアップ用モジュールを用いた集積型光ピッ
   クアップであって、 前記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂
   直な実装面を持ち、この実装面により、受光素子が形成
   された半導体基板と同一平面上に実装したことを特徴と
   する集積型光ピックアップ。
8. 【請求項８】 請求項１〜６のいずれかに記載された集
   積型光ピックアップ用モジュールを用いた集積型光ピッ
   クアップであって、 前記集積型光ピックアップ用モジュールは出力光軸と垂
   直な実装面を持ち、この実装面により、受光素子が形成
   された半導体基板上に実装したことを特徴とする集積型
   光ピックアップ。