JP2003022556A - 半導体レーザモジュール及び集積型光ピックアップ用モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】複数の半導体レーザの発光点間隔を反射面を利
用して擬似的に近接させる方法を、量産に適した簡便な
方法でしかも低コストに実現した構成の半導体レーザモ
ジュールを提供する。 【解決手段】本発明では、サブマウント５−４上に並列
して実装された二つの半導体レーザ５−１，５−２と、
それぞれの半導体レーザに対応する複数の反射面を有す
る光学素子５−３と、半導体レーザと光学素子が実装さ
れるステム５−５とを含んで構成される半導体レーザモ
ジュールにおいて、光学素子５−３は、半導体レーザの
光軸５−６に対して垂直及び平行でない、お互いに平行
で対向した一対の反射面（５−３ａ，５−３ｂ），（５
−３ｃ，５−３ｄ）の組を二組有しており、かつサブマ
ウント５−４が実装されるステム５−５の面と略直交す
るステムの面に光学素子５−３が実装されている構造と
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は複数の半導体レーザ
と光学素子を集積化した半導体レーザモジュールに関す
るものであり、さらには、その半導体レーザモジュール
を光源部に使用し、ＣＤ（コンパクト・ディスク）系の
光ディスクや、ＤＶＤ（デジタル・バーサタイル・ディ
スク）系の高密度光ディスクの記録または再生に用いら
れる光ピックアップに応用される集積型光ピックアップ
用モジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光記録媒体として、ＣＤ、ＣＤ−
Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等のＣＤ系の光ディスクや、ＤＶＤ、Ｓ
−ＤＶＤ等のＤＶＤ系高密度光ディスクなど、さまざま
な光ディスクが普及し始めているが、理想的には１つの
記録再生装置で複数種類の光ディスクを記録再生できる
ことが望ましい。しかしながら、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ
−ＲＷ等のＣＤ系の光ディスクの記録または再生に用い
られる光ピックアップで使用されている波長７８０ｎｍ
のレーザ光では、光スポットをＤＶＤ系の光ディスク上
のピットの大きさまで絞り込むことができない。一方、
ＣＤ−Ｒの光ディスクに用いられる色素は、ＤＶＤ系の
光ディスクの記録または再生に用いられる光ピックアッ
プで使用されている波長６５０ｎｍのレーザ光では反射
せず透過してしまい、読み取りをすることができない。
したがって、ＣＤ−Ｒの光ディスクとＤＶＤ系の光ディ
スクを１つの記録再生装置で記録再生できるようにする
ためには、光ピックアップの光源部に、波長７８０ｎｍ
と波長６５０ｎｍの２つの半導体レーザ装置を用いなけ
ればならない。

【０００３】しかしながら，波長７８０ｎｍと波長６５
０ｎｍの２つの半導体レーザで光学系を共用するために
は、二つの発光点の間隔をできるだけ近くしなければな
らない。そこで、波長６５０ｎｍの半導体レーザチップ
と波長７８０ｎｍの半導体レーザチップを１つのパッケ
ージ上に水平方向に並べて取り付けた半導体レーザ装置
が提案されているが、この構成ではレーザチップ自身の
幅やサブマウント幅の影響を受け、２つのレーザチップ
の発光点位置間隔が３００〜４００μｍと大きくなって
しまうため、光ピックアップの光学系を設計するのが非
常に難しくなってしまう。

【０００４】そこで、反射面を利用して擬似的に発光点
を近接させる方法が提案されている。例えば、特開平１
１−３９６８４号公報には、断面が三角形の形状を有す
るサブマウントにより、発光点を近接させる方法が開示
されている。図７は特開平１１−３９６８４号公報の図
２を引用した図である。この図で断面が三角形の形状を
有するサブマウント４５により、半導体レーザ３４，３
６からの出力Ｂ１，Ｂ２は近接した反射面３２Ｂ，３２
Ｃで折り曲げられるので、発光点を擬似的に近接させる
ことができる。

【０００５】しかしながら、このような構造を実現する
ためには断面が三角形の形状を有する構造を作製しなけ
ればならない。特に４５度の角度を持つ断面が三角形の
傾斜面を作ることは容易ではなく、これまで何通りかの
作製方法が提案されてはいるが、実際に量産に適用でき
るほど安定して作製できるわけではなかった。また、マ
イクロプリズムを用いて断面が三角形の形状を付加する
ことも可能であるが、実装が非常に難しくなる上にコス
ト的に非常に高価になってしまい、光ピックアップへの
搭載が現実的ではなくなってしまう。この様に従来開示
された反射面を利用して発光点を擬似的に近接させる方
法では、量産に適した簡便な方法ではなく、しかもそれ
を低コストに実現することができなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであり、複数の半導体レーザの発光点
間隔を反射面を利用して擬似的に近接させる方法を、量
産に適した簡便な方法でしかも低コストに実現した構成
の半導体レーザモジュールを提供すること、及びその半
導体レーザモジュールを用いた集積型光ピックアップ用
モジュールを提供することを課題（目的）とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、請求項１に係る発明では、サブマウント
上に並列して実装された二つの半導体レーザと、それぞ
れの半導体レーザに対応する複数の反射面を有する光学
素子と、前記半導体レーザと前記光学素子が実装される
ステムとを含んで構成される半導体レーザモジュールに
おいて、前記光学素子は、前記半導体レーザの光軸に対
して垂直及び平行でない、お互いに平行で対向した一対
の反射面の組を二組有しており、かつ前記サブマウント
が実装されるステムの面と略直交するステムの面に前記
光学素子が実装されている構造としている。

【０００８】請求項２に係る発明では、請求項１記載の
半導体レーザモジュールにおいて、二つの並列に配置さ
れた半導体レーザからの出射光の光軸は、前記光学素子
の最初の反射面にて、もう一つの半導体レーザ側に折り
曲げられるように構成している。また、請求項３に係る
発明では、請求項２記載の半導体レーザモジュールにお
いて、二つの並列に配置された半導体レーザと前記光学
素子の反射面の配置が左右対称となるように構成してい
る。さらに、請求項４に係る発明では、請求項２または
３記載の半導体レーザモジュールにおいて、二つの並列
に配置された半導体レーザと前記光学素子の反射面の配
置が、半導体レーザ実装面に垂直な方向において反射面
の中心付近に半導体レーザの光軸がくるように配置した
構成としている。

【０００９】請求項５に係る発明では、請求項１〜４の
何れか一つに記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記光学素子の材質が単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる
構成としている。また、請求項６に係る発明では、請求
項５記載の半導体レーザモジュールにおいて、前記光学
素子の反射面が単結晶Ｓｉの＜１１１＞面からなる構成
としている。さらに、請求項７に係る発明では、請求項
６記載の半導体レーザモジュールにおいて、前記光学素
子の半導体レーザ実装面と平行な面が単結晶Ｓｉの＜１
１０＞面からなる構成としている。さらに、請求項８に
係る発明では、請求項７記載の半導体レーザモジュール
において、前記光学素子のステムへの実装面が単結晶Ｓ
ｉの＜１００＞面からなる構成としている。

【００１０】請求項９に係る発明では、請求項１〜８の
何れか一つに記載の半導体レーザモジュールにおいて、
二つの並列に配置された半導体レーザの発光波長が、そ
れぞれ異なる構成としている。また、請求項１０に係る
発明では、請求項１〜９の何れか一つに記載の半導体レ
ーザモジュールにおいて、二つの並列に配置された半導
体レーザの発光点が、隣接する半導体レーザ側に偏って
いる構成としている。

【００１１】請求項１１に係る発明では、光源部からの
光束を光記録媒体に集光して情報の記録または再生を行
う光ピックアップに用いられる集積型光ピックアップ用
モジュールにおいて、上記光源部として、請求項１〜１
０の何れか一つに記載された半導体レーザモジュールを
使用した構成としている。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成、動作及び作
用を図面を参照して詳細に説明する。半導体レーザモジ
ュールにおいて、二つの並列された半導体レーザに対し
て、反射面を利用して擬似的な発光点間隔を近接させる
方法を利用する場合、最も重要なのは反射後の二つの半
導体レーザの光軸を揃えなければならない点である。図
７の従来技術で述べた様な４５度の角度を持つ反射面が
必要な理由も、対向して配置した半導体レーザの光軸
を、反射後同じ方向に揃えるためである。しかしなが
ら、このような単一の反射面では反射後の光軸方向が変
わってしまうため、４５度等の特定の角度の反射面しか
利用することが出来なかった。

【００１３】これに対して、本発明に係る半導体レーザ
モジュールで用いる光学素子のように、二つの平行で対
向した反射面を利用すれば、この様な制限をなくすこと
ができる。つまり二つの平行で対向した反射面に入射し
た光軸は、２回反射後は再び最初の光軸と完全に平行に
なる。この原理を利用すれば任意の角度を持つ反射面を
利用しても、反射面に入射前の二つの半導体レーザの光
軸を平行にしておけば、反射後の光軸も平行にすること
ができる。

【００１４】ここで、図１は本発明の原理を説明するた
めの半導体レーザモジュールの概略要部構成図である。
この図１を用いて説明すると、図中の符号１−１，１−
２は半導体レーザ、１−３は光学素子、１−４は各半導
体レーザの出射光の光軸である。二つの半導体レーザ１
−１，１−２は並列に配置されているため、光学素子１
−３の反射面に入射する前の光軸は平行になっている。
その後、光学素子１−３の平行な反射面（１−３ａ，１
−３ｂ），（１−３ｃ，１−３ｄ）で２回反射された半
導体レーザの光軸１−４は、光学素子１−３に入射する
前と平行なため、光学素子１−３で反射後の光軸同士も
平行となる。ここで光学素子１−３の反射面の角度は任
意であり、光学素子１−３の半導体レーザ１−１，１−
２に対する相対位置が多少ずれても、光学素子通過後の
発光点間隔には影響しない。また、このような光学素子
１−３を半導体レーザ１−１，１−２の発光点との相対
位置を合わせて固定する場合、半導体レーザ１−１，１
−２の光軸に対して光学素子１−３の実装面が直交する
配置にすると位置合わせがし易い。しかも光学素子１−
３を実装する場合の荷重のかけ易さを考慮すると、サブ
マウントが実装されるステムの面と略直交するステムの
面に実装するのが最適である。

【００１５】そこで、請求項１の発明では、サブマウン
ト（図示せず）上に並列して実装された二つの半導体レ
ーザ１−１，１−２と、それぞれの半導体レーザに対応
する複数の反射面を有する光学素子１−３と、前記半導
体レーザと前記光学素子が実装されるステム（図示せ
ず）とを含んで構成される半導体レーザモジュールにお
いて、前記光学素子１−３は、前記半導体レーザ１−
１，１−２の光軸に対して垂直及び平行でない、お互い
に平行で対向した一対の反射面（１−３ａ，１−３
ｂ），（１−３ｃ，１−３ｄ）の組を二組有しており、
かつ前記サブマウントが実装されるステムの面と略直交
するステムの面に前記光学素子が実装されている構造と
している（具体的な構造については後述の実施例で示
す）。これにより半導体レーザ１−１，１−２の光軸に
対する反射面の角度は任意の角度でよくなるので、光学
素子１−３の低コスト化を図ることができる。また、光
学素子の実装精度が低くて良く、位置合わせもし易く更
に荷重もかけ易いので、量産に適した簡便な実装法を採
用することができる。

【００１６】ところで、半導体レーザ１−１，１−２の
出射光は、光軸を中心にして広がりを持っているため、
発光点から反射面までの距離が離れるほど反射面に必要
とされる面積が大きくなる。光学素子１−３の平行な反
射面（１−３ａ，１−３ｂ），（１−３ｃ，１−３ｄ）
を２回反射後の発光点間隔は、２回目の反射面でのビー
ムの大きさより小さくはなれないから、発光点間隔を近
接させるためには、発光点と反射面の距離をできるだけ
近づける必要がある。すなわち、請求項１の構成で全て
の反射面を発光点にできるだけ近づけるためには、光学
素子１−３の最初の反射面で光軸をもう一方の半導体レ
ーザ側に折り曲げ、第２の反射面で再び光軸を正面に向
けてやる構成にすればよい。

【００１７】そこで、請求項２の発明においては、請求
項１記載の半導体レーザモジュールにおいて、二つの並
列に配置された半導体レーザからの出射光の光軸は、光
学素子の最初の反射面にてもう一つの半導体レーザ側に
折り曲げられるように構成している。これにより発光点
間隔をより小さくすることが可能な、半導体レーザモジ
ュールを実現することができる。

【００１８】この請求項２の構成で、最も発光点と反射
面の距離を小さくできるのは、二つの並列に配置された
半導体レーザと前記光学素子の反射面の配置が左右対称
となる場合である。そこで、請求項３の発明において
は、請求項２記載の半導体レーザモジュールにおいて、
二つの並列に配置された半導体レーザと前記光学素子の
反射面の配置が左右対称となるようにしている。これに
より発光点間隔を最も小さくすることが可能な、半導体
レーザモジュールを実現することができる。

【００１９】光学素子を、請求項１の発明のように半導
体レーザ実装面と略直交したステムの面へ実装する場
合、半導体レーザモジュールには図２に示すような構成
が必要となる。図２は半導体レーザモジュールの概略要
部面図であり、図中でサブマウント２−２に実装された
半導体レーザ２−１はステム２−３の側面に実装されて
おり、これと直交したステムの面には反射面が形成され
た反射部を持つ光学素子２−４が実装されている。請求
項２，３の構成において、半導体レーザ実装面に垂直な
方向の反射面の大きさを最も小さくすることが可能な配
置は、反射面の中心付近に半導体レーザの光軸がくるよ
うにする配置である。そこで、請求項４の発明において
は、請求項２または３に記載の半導体レーザモジュール
において、二つの並列に配置された半導体レーザと前記
光学素子の反射面の配置が、半導体レーザ実装面に垂直
な方向において反射面の中心付近に半導体レーザの光軸
がくるように配置している。これにより反射面の大きさ
を小さくすることが可能な半導体レーザモジュールを実
現することができる。

【００２０】請求項１〜４の発明に係る半導体レーザモ
ジュールの光学素子に要求されるのは、対向した反射面
同士の平行さと、低コストで作製できるという点であ
る。この様な用途に最も適している材質は単結晶シリコ
ン（Ｓｉ）である。単結晶ＳｉではＫＯＨ等の異方性エ
ッチング液で特定の結晶面を選択的に得ることができる
ため、平行度の高い対向した反射面も容易に作製でき、
半導体プロセスにより製作コストも低くできる。そこ
で、請求項５の発明においては、請求項１〜４の何れか
一つに記載の半導体レーザモジュールにおいて、前記光
学素子の材質を単結晶Ｓｉとしている。これにより高精
度な平行反射面を持つ光学素子を、低コストで容易に作
製することができる。

【００２１】単結晶Ｓｉの＜１１１＞面は、異方性エッ
チング時の選択比が１００以上と非常に高く、高精度な
反射面を必要とする用途には特に適している。そこで、
請求項６の発明においては、請求項５記載の半導体レー
ザモジュールにおいて、前記光学素子の反射面が単結晶
Ｓｉの＜１１１＞面からなる構成にしている。これによ
り特に高精度な平行反射面を持つ光学素子を、低コスト
で容易に作製することができる。

【００２２】また、単結晶Ｓｉの＜１１１＞面からなる
光学素子の反射面は図２に示したように半導体レーザ実
装面と垂直な位置関係となっている。この様な光学素子
をできるだけ低コストで実現するためには、基板面に垂
直な＜１１１＞面が基板面内の２方向で得られる＜１１
０＞基板を用いるのが良い。この場合、基板表面の＜１
１０＞面は光学素子の半導体レーザ実装面と平行な面と
なる。そこで、請求項７の発明においては、請求項６記
載の半導体レーザモジュールにおいて、前記光学素子の
半導体レーザ実装面と平行な面が単結晶Ｓｉの＜１１０
＞面からなる構成にしている。これにより光学素子を低
コストで容易に作製することができる。

【００２３】単結晶Ｓｉの＜１１０＞基板面に垂直な二
つの＜１１１＞面は、７０．５２度（または、１８０−
７０．５２＝１０９．４８度）の角度で交差している。
この＜１１１＞面を請求項３の発明にあるような左右対
称の配置で利用するためには、光学素子のステムへの実
装面を＜１１０＞面にする配置と＜１００＞面にする配
置とが考えられる。光学素子の実装面を＜１１０＞面に
する配置では基板面に垂直な二つの＜１１１＞面は１０
９．４８度で交わり、実装面を＜１００＞面にする配置
では二つの＜１１１＞面は７０．５２度で交る。これを
図３と図４に示すと、図３は光学素子のステムへの実装
面を＜１１０＞面にする配置であり、図中の符号３−
１，３−２は半導体レーザ、３−３は光学素子である。
また、図４は光学素子のステムへの実装面を＜１００＞
面にする配置であり、図中の符号４−１，４−２は半導
体レーザ、４−３は光学素子である。図中の矢印は半導
体レーザの光軸を示している。図３、図４から明らかな
ように、図４の配置のほうが、光学素子による光路長の
増加が少ないことが判る。この様な光路長の増加は、光
ピックアップ等に使われる様なホログラム素子を用いて
受光素子に集光する光学系では、設計自由度を低くする
ことがあるので、できるだけ少ない方が良い。そこで、
請求項８の発明においては、請求項７に記載された半導
体レーザモジュールにおいて、前記光学素子のステムへ
の実装面が単結晶Ｓｉの＜１００＞面からなる構成にし
ている。これにより光路長増加の少ない光学素子を低コ
ストで容易に作製することができる。

【００２４】従来技術でも述べたように、ＣＤ−ＲとＤ
ＶＤを１つの記録再生装置で記録または再生できるよう
にするためには、波長７８０ｎｍと波長６５０ｎｍの２
つの半導体レーザ装置を用いなければならない。そこ
で、請求項１〜８に記載された半導体レーザモジュール
において、波長７８０ｎｍと波長６５０ｎｍの２つの半
導体レーザを用いる構成にすれば、通常の個別の半導体
レーザを用いても発光点間隔が非常に小さい２波長光源
を得ることができる。もちろん二つの半導体レーザの波
長を６５０ｎｍと４１０ｎｍの様な波長にすることも可
能である。そこで、請求項９の発明においては、請求項
１〜８の何れか一つに記載された半導体レーザモジュー
ルにおいて、二つの並列に配置された半導体レーザの発
光波長がそれぞれ異なる構成にしている。これにより、
通常の個別の半導体レーザを用いても発光点間隔が非常
に小さい２波長光源を簡単に得ることができる。

【００２５】ところで、請求項２の発明の説明で詳述し
たように、発光点間隔は反射面の大きさより小さくはな
れないから、発光点間隔を近接させるためには、発光点
と反射面の距離をできるだけ近づける必要がある。しか
しながら、図１からも明らかなように、発光点と反射面
の距離は発光点から半導体レーザチップの端部までの距
離に依存しているので、この発光点から半導体レーザチ
ップの端部までの距離を小さくしてやれば発光点と反射
面の距離を小さくすることができる。そこで、請求項１
０の発明においては、請求項１〜９の何れか一つに記載
の半導体レーザモジュールにおいて、二つの並列に配置
された半導体レーザの発光点が隣接する半導体レーザ側
に偏っている構成にしている。これにより通常の発光点
が中心にある半導体レーザを用いては実現できないほ
ど、発光点間隔の小さい半導体レーザモジュールを実現
することができる。

【００２６】以上の請求項１〜１０の何れか一つに記載
された半導体レーザモジュールと、ホログラム素子、受
光素子（ＰＤチップ）等を組み合わせることにより、発
光点間隔の小さい集積型光ピックアップ用モジュールを
低コストで簡単に実現することができる。そこで、請求
項１１の発明では、光源部からの光束を光記録媒体に集
光して情報の記録または再生を行う光ピックアップに用
いられる集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、
上記光源部として、請求項１〜１０の何れか一つに記載
された半導体レーザモジュールを使用して集積型光ピッ
クアップ用モジュールを構成している。これにより発光
点間隔の小さい集積型光ピックアップ用モジュールを低
コストで簡単に実現することができる。

【００２７】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の具体的な実施例
を説明する。 （実施例１）図５は請求項１〜９に係る発明の一実施例
を示す図であって、半導体レーザモジュールの構成及び
動作の説明図である。図５（ａ）は半導体レーザモジュ
ールの上面図を、同図（ｂ）は半導体レーザモジュール
の斜視図をそれぞれ示している。図中の符号５−１は波
長６５０ｎｍの半導体レーザ、５−２は波長７８０ｎｍ
の半導体レーザ、５−３は光学素子、５−４はサブマウ
ント、５−５はステムをそれぞれ示している。また、符
号５−６は、半導体レーザ５−１，５−２の発光点から
出た出射光の光軸を表しており、光学素子５−３の平行
で対向した反射面（５−３ａ，５−３ｂ），（５−３
ｃ，５−３ｄ）で２回の反射を受けて光軸を折返した
後、図５（ａ）の上方向に向かって出射されている。光
学素子５−３は単結晶Ｓｉより形成されており、反射面
は＜１１１＞面の結晶面で左右対称の形に形成されてい
る。この反射面にはＴｉ／Ａｕからなる反射膜が形成さ
れている。また、光学素子５−３の半導体レーザ実装面
に垂直な面は＜１１０＞面に、実装面は＜１００＞にな
っている。ここで、半導体レーザ５−１，５−２の発光
点の間隔に比べて、光学素子通過後の擬似的な発光点間
隔（出射光の光軸５−６の間隔）は大幅に小さくなって
おり、本発明の効果が確認できる。

【００２８】（実施例２）図６は請求項１〜１０に係る
発明の一実施例を示す図であって、半導体レーザモジュ
ールの構成及び動作の説明図である。図６（ａ）は半導
体レーザモジュールの上面図を、図６（ｂ）は半導体レ
ーザモジュールの斜視図をそれぞれ示している。図中の
符号６−１は波長６５０ｎｍの半導体レーザ、６−２は
波長７８０ｎｍの半導体レーザ、６−３は光学素子、６
−４はサブマウント、６−５はステムをそれぞれ示して
いる。ここで、半導体レーザの発光点はもう一方の半導
体レーザチップ側に偏って形成されている。半導体レー
ザ６−１，６−２の発光点から出た出射光の光軸を６−
６で表しており、光学素子６−３の平行で対向した反射
面（６−３ａ，６−３ｂ），（６−３ｃ，６−３ｄ）で
２回の反射を受けて光軸を折返した後、図６（ａ）の上
方向に向かって出射されている。光学素子６−３は単結
晶Ｓｉより形成されており、反射面は＜１１１＞面の結
晶面で左右対称の形に形成されている。この反射面には
誘電体多層膜からなる反射膜が形成されている。また，
光学素子６−３の半導体レーザ実装面に垂直な面は＜１
１０＞面に、実装面は＜１００＞になっている。ここ
で、半導体レーザ６−１，６−２の発光点の間隔に比べ
て、光学素子通過後の擬似的な発光点間隔（出射光の光
軸６−６の間隔）は大幅に小さくなっており、本発明の
効果が確認できる。

【００２９】以上、図示の実施例に基づいて本発明の説
明を行ってきたが、上記の実施例１，２に上げた形状、
その他の要素との組合わせなど、ここで示した要件に本
発明が限定されるものでは決してない。これらの点に関
しては、本発明の主旨をそぐわない範囲で変更すること
が可能であり、その応用形態に応じて適切に定めること
ができる。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明では、サブマウント上に並列して実装された二つの半
導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する複数
の反射面を有する光学素子と、前記半導体レーザと前記
光学素子が実装されるステムとを含んで構成される半導
体レーザモジュールにおいて、前記光学素子は、前記半
導体レーザの光軸に対して垂直及び平行でない、お互い
に平行で対向した一対の反射面の組を二組有しており、
かつ前記サブマウントが実装されるステムの面と略直交
するステムの面に前記光学素子が実装されている構造と
しているので、これにより半導体レーザの光軸に対する
反射面の角度は任意の角度でよくなるので、光学素子の
低コスト化を図ることができる。また、光学素子の実装
精度が低くて良く、位置合わせもし易く、更に荷重もか
け易いので、量産に適した簡便な実装法を採用すること
ができる。

【００３１】請求項２に係る発明では、請求項１記載の
半導体レーザモジュールにおいて、二つの並列に配置さ
れた半導体レーザからの出射光の光軸は、前記光学素子
の最初の反射面にて、もう一つの半導体レーザ側に折り
曲げられるように構成しているので、これにより発光点
間隔をより小さくすることが可能な、半導体レーザモジ
ュールを実現することができる。また、請求項３に係る
発明では、請求項２記載の半導体レーザモジュールにお
いて、二つの並列に配置された半導体レーザと前記光学
素子の反射面の配置が左右対称となるように構成してい
るので、これにより発光点間隔を最も小さくすることが
可能な、半導体レーザモジュールを実現することができ
る。さらに、請求項４に係る発明では、請求項２または
３記載の半導体レーザモジュールにおいて、二つの並列
に配置された半導体レーザと前記光学素子の反射面の配
置が、半導体レーザ実装面に垂直な方向において反射面
の中心付近に半導体レーザの光軸がくるように配置した
構成としているので、これにより反射面の大きさを小さ
くする事が可能な半導体レーザモジュールを実現するこ
とができる。

【００３２】請求項５に係る発明では、請求項１〜４の
何れか一つに記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記光学素子の材質が単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる
構成としているので、これにより高精度な平行反射面を
持つ光学素子を、低コストで容易に作製することができ
る。また、請求項６に係る発明では、請求項５記載の半
導体レーザモジュールにおいて、前記光学素子の反射面
が単結晶Ｓｉの＜１１１＞面からなる構成としているの
で、これにより特に高精度な平行反射面を持つ光学素子
を、低コストで容易に作製することができる。さらに、
請求項７に係る発明では、請求項６記載の半導体レーザ
モジュールにおいて、前記光学素子の半導体レーザ実装
面と平行な面が単結晶Ｓｉの＜１１０＞面からなる構成
としているので、これにより光学素子を低コストで容易
に作製することができる。さらに、請求項８に係る発明
では、請求項７記載の半導体レーザモジュールにおい
て、前記光学素子のステムへの実装面が単結晶Ｓｉの＜
１００＞面からなる構成としているので、これにより光
路長増加の少ない光学素子を低コストで容易に作製する
ことができる。

【００３３】請求項９に係る発明では、請求項１〜８の
何れか一つに記載の半導体レーザモジュールにおいて、
二つの並列に配置された半導体レーザの発光波長が、そ
れぞれ異なる構成としているので、これにより通常の個
別半導体レーザを用いても発光点間隔が非常に小さい２
波長光源を簡単に得ることができる。また、請求項１０
に係る発明では、請求項１〜９の何れか一つに記載の半
導体レーザモジュールにおいて、二つの並列に配置され
た半導体レーザの発光点が、隣接する半導体レーザ側に
偏っている構成としているので、これにより通常の発光
点が中心にある半導体レーザを用いては実現できないほ
ど、発光点間隔の小さい半導体レーザモジュールを実現
することができる。

【００３４】請求項１１に係る発明では、光源部からの
光束を光記録媒体に集光して情報の記録または再生を行
う光ピックアップに用いられる集積型光ピックアップ用
モジュールにおいて、上記光源部として、請求項１〜１
０の何れか一つに記載された半導体レーザモジュールを
使用した構成としているので、これにより発光点間隔の
小さい集積型光ピックアップ用モジュールを低コストで
簡単に実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明するための半導体レーザモ
ジュールの概略要部構成図である。

【図２】請求項３に係る発明を説明するための図であ
り、半導体レーザモジュールの概略要部断面図である。

【図３】請求項８の発明を説明するための図であり、半
導体レーザモジュールの半導体レーザと光学素子の配置
説明図である。

【図４】請求項８の発明を説明するための図であり、半
導体レーザモジュールの半導体レーザと光学素子の配置
説明図である。

【図５】本発明の一実施例を示す図であって、半導体レ
ーザモジュールの構成及び動作の説明図である。

【図６】本発明の別の実施例を示す図であって、半導体
レーザモジュールの構成及び動作の説明図である。

【図７】従来技術の一例を示す図であり、異波長光源モ
ジュールを概略的に示す図である。

【符号の説明】

１−１，３−１，４−１，５−１，６−１：波長６５０
ｎｍの半導体レーザ １−２，３−２，４−２，５−２，６−２：波長７８０
ｎｍの半導体レーザ １−３，２−４，３−３，４−３，５−３，６−３：光
学素子 １−３ａ〜１−３ｄ，５−３ａ〜５−３ｄ，６−３ａ〜
６−３ｄ：反射面 １−４，５−６，６−６：出射光の光軸 ２−２，５−４，６−４：サブマウント ２−３，５−５，６−５：ステム

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】サブマウント上に並列して実装された二つ
   の半導体レーザと、それぞれの半導体レーザに対応する
   複数の反射面を有する光学素子と、前記半導体レーザと
   前記光学素子が実装されるステムとを含んで構成される
   半導体レーザモジュールにおいて、 前記光学素子は、前記半導体レーザの光軸に対して垂直
   及び平行でない、お互いに平行で対向した一対の反射面
   の組を二組有しており、かつ前記サブマウントが実装さ
   れるステムの面と略直交するステムの面に前記光学素子
   が実装されていることを特徴とする半導体レーザモジュ
   ール。
2. 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザモジュールに
   おいて、 二つの並列に配置された半導体レーザからの出射光の光
   軸は、前記光学素子の最初の反射面にて、もう一つの半
   導体レーザ側に折り曲げられることを特徴とする半導体
   レーザモジュール。
3. 【請求項３】請求項２記載の半導体レーザモジュールに
   おいて、 二つの並列に配置された半導体レーザと前記光学素子の
   反射面の配置が左右対称であることを特徴とする半導体
   レーザモジュール。
4. 【請求項４】請求項２または３記載の半導体レーザモジ
   ュールにおいて、 二つの並列に配置された半導体レーザと前記光学素子の
   反射面の配置が、半導体レーザ実装面に垂直な方向にお
   いて反射面の中心付近に半導体レーザの光軸がくるよう
   に配置したことを特徴とする半導体レーザモジュール。
5. 【請求項５】請求項１〜４の何れか一つに記載の半導体
   レーザモジュールにおいて、 前記光学素子の材質が単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる
   ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
6. 【請求項６】請求項５記載の半導体レーザモジュールに
   おいて、 前記光学素子の反射面が単結晶Ｓｉの＜１１１＞面から
   なることを特徴とする半導体レーザモジュール。
7. 【請求項７】請求項６記載の半導体レーザモジュールに
   おいて、 前記光学素子の半導体レーザ実装面と平行な面が単結晶
   Ｓｉの＜１１０＞面からなることを特徴とする半導体レ
   ーザモジュール。
8. 【請求項８】請求項７記載の半導体レーザモジュールに
   おいて、 前記光学素子のステムへの実装面が単結晶Ｓｉの＜１０
   ０＞面からなることを特徴とする半導体レーザモジュー
   ル。
9. 【請求項９】請求項１〜８の何れか一つに記載の半導体
   レーザモジュールにおいて、 二つの並列に配置された半導体レーザの発光波長が、そ
   れぞれ異なることを特徴とする半導体レーザモジュー
   ル。
10. 【請求項１０】請求項１〜９の何れか一つに記載の半導
    体レーザモジュールにおいて、 二つの並列に配置された半導体レーザの発光点が、隣接
    する半導体レーザ側に偏っていることを特徴とする半導
    体レーザモジュール。
11. 【請求項１１】光源部からの光束を光記録媒体に集光し
    て情報の記録または再生を行う光ピックアップに用いら
    れる集積型光ピックアップ用モジュールにおいて、 上記光源部として、請求項１〜１０の何れか一つに記載
    された半導体レーザモジュールを使用したことを特徴と
    する集積型光ピックアップ用モジュール。