JP3464917B2 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録再生装
置に用いられる半導体レーザ装置の製造方法に関する。
置に用いられる半導体レーザ装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光情報記録再生装置に用いられる光ディ
スクの読み取り光源や、書き込み光源として、半導体レ
ーザ素子が応用されている。半導体レーザ素子の波長は
用いられる光ディスクにより決められており、例えば、
ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭは７８０ｎｍ以下、ＣＤ−Ｒは７８
０ｎｍ近傍、ＤＶＤは６５０ｎｍ以下と決められてい
る。
スクの読み取り光源や、書き込み光源として、半導体レ
ーザ素子が応用されている。半導体レーザ素子の波長は
用いられる光ディスクにより決められており、例えば、
ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭは７８０ｎｍ以下、ＣＤ−Ｒは７８
０ｎｍ近傍、ＤＶＤは６５０ｎｍ以下と決められてい
る。
【０００３】従って、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭとＣＤ−Ｒと
は同じ波長の半導体レーザ素子を読み取り、書き込み光
源として利用できる。また、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭとＤＶ
Ｄとは同じ波長の半導体レーザ素子を読み取り、書き込
み光源として利用できる。しかし、ＣＤ−ＲとＤＶＤと
は同じ波長の半導体レーザ素子を読み取り、書き込み光
源として利用できない。
は同じ波長の半導体レーザ素子を読み取り、書き込み光
源として利用できる。また、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭとＤＶ
Ｄとは同じ波長の半導体レーザ素子を読み取り、書き込
み光源として利用できる。しかし、ＣＤ−ＲとＤＶＤと
は同じ波長の半導体レーザ素子を読み取り、書き込み光
源として利用できない。
【０００４】よって、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，
ＤＶＤをひとつの光ピックアップで読み取るためには、
７８０ｎｍの波長の半導体レーザ素子と、６５０ｎｍの
波長の半導体レーザ素子を、光源として用いてきた。
ＤＶＤをひとつの光ピックアップで読み取るためには、
７８０ｎｍの波長の半導体レーザ素子と、６５０ｎｍの
波長の半導体レーザ素子を、光源として用いてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、２つ以上
の半導体レーザ素子をひとつのパッケージ内に搭載する
場合、発光点の間隔は、通常ひとつの半導体レーザ素子
の幅、約２００〜３００μｍである。しかし、ひとつの
光学系のピックアップ内に光を入射するためには、発光
点の間隔が２００μｍ以上と広くなると、収差や信号強
度の低下などの問題が生じる。
の半導体レーザ素子をひとつのパッケージ内に搭載する
場合、発光点の間隔は、通常ひとつの半導体レーザ素子
の幅、約２００〜３００μｍである。しかし、ひとつの
光学系のピックアップ内に光を入射するためには、発光
点の間隔が２００μｍ以上と広くなると、収差や信号強
度の低下などの問題が生じる。
【０００６】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、２つ以上の半導体レーザ素子をひと
つのパッケージに収めても、不具合が生じることが無
く、光ピックアップにより応用し易い半導体レーザ装置
を得ることができる半導体レーザ装置の製造方法を提供
することを目的とする。
になされたもので、２つ以上の半導体レーザ素子をひと
つのパッケージに収めても、不具合が生じることが無
く、光ピックアップにより応用し易い半導体レーザ装置
を得ることができる半導体レーザ装置の製造方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
かかる半導体レーザ装置の製造方法は、発振波長が異な
る複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置の
製造方法であって、前記複数の半導体レーザ素子を、出
射面が同方向になるように半田材からなるシート状短冊
上に並べて配置し、前記シート状短冊を、隣接する２つ
の半導体レーザ素子間で、前記出射面に対して垂直に折
り曲げ、この折り曲げられたシート状短冊を、マウント
台の隣接する２つの面にまたがるように配置することに
よって、隣接する２つの半導体レーザ素子の各発光点の
間隔が２００μｍ以下である半導体レーザ装置を得るこ
とによって上記の目的を達成する。
かかる半導体レーザ装置の製造方法は、発振波長が異な
る複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置の
製造方法であって、前記複数の半導体レーザ素子を、出
射面が同方向になるように半田材からなるシート状短冊
上に並べて配置し、前記シート状短冊を、隣接する２つ
の半導体レーザ素子間で、前記出射面に対して垂直に折
り曲げ、この折り曲げられたシート状短冊を、マウント
台の隣接する２つの面にまたがるように配置することに
よって、隣接する２つの半導体レーザ素子の各発光点の
間隔が２００μｍ以下である半導体レーザ装置を得るこ
とによって上記の目的を達成する。
【０００８】この発明（請求項２）にかかる半導体レー
ザ装置の製造方法は、前記半導体レーザ素子が前記シー
ト状短冊を介して配置されるマウント台の隣接する２つ
の面は、そのなす角が９０度以下であることによって上
記の目的を達成する。
ザ装置の製造方法は、前記半導体レーザ素子が前記シー
ト状短冊を介して配置されるマウント台の隣接する２つ
の面は、そのなす角が９０度以下であることによって上
記の目的を達成する。
【０００９】
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体レーザ
装置の具体的な実施の形態について、図面に基づいて詳
細に説明する。
装置の具体的な実施の形態について、図面に基づいて詳
細に説明する。
【００１１】（実施例１）図１は本発明の実施例１に係
る半導体レーザ装置の構成の概要を示す図である。
る半導体レーザ装置の構成の概要を示す図である。
【００１２】図１に示すように、半田材であるＡｕＳｎ
からなるシート状短冊１上に７８０ｎｍの波長の半導体
レーザ素子２、６５０ｎｍの波長の半導体レーザ素子３
を出射面が同方向になるように、また、チップ間の間隔
が１０μｍ以下になるようにおく。
からなるシート状短冊１上に７８０ｎｍの波長の半導体
レーザ素子２、６５０ｎｍの波長の半導体レーザ素子３
を出射面が同方向になるように、また、チップ間の間隔
が１０μｍ以下になるようにおく。
【００１３】次に図２に示すように、７８０ｎｍの波長
の半導体レーザ素子２、６５０ｎｍの波長の半導体レー
ザ素子３の間で、前記シート状短冊１を半導体レーザ素
子２、３の出射面と垂直に折り曲げ、その後、図３に示
すように直方体のＳｉＣサブマウント４上に前記シート
状短冊１を介して、半導体レーザ素子２、３をダイボン
ドする。
の半導体レーザ素子２、６５０ｎｍの波長の半導体レー
ザ素子３の間で、前記シート状短冊１を半導体レーザ素
子２、３の出射面と垂直に折り曲げ、その後、図３に示
すように直方体のＳｉＣサブマウント４上に前記シート
状短冊１を介して、半導体レーザ素子２、３をダイボン
ドする。
【００１４】本実施例１では、半導体レーザ素子２、３
共、その幅が２５０μｍであり、発光点は各々の中心の
ダイボンド面から約５０μｍ以内にあるので、発光点間
の距離は、約１８０μｍとなり、２００μｍ以下の発光
点間隔を得ることができる。
共、その幅が２５０μｍであり、発光点は各々の中心の
ダイボンド面から約５０μｍ以内にあるので、発光点間
の距離は、約１８０μｍとなり、２００μｍ以下の発光
点間隔を得ることができる。
【００１５】また、本実施例１では、ＳｉＣサブマウン
ト４は直方体であるが、２つのダイボンド面のなす角が
９０度以下であれば、さらに発光点間隔は短くなり、よ
り効果的である。
ト４は直方体であるが、２つのダイボンド面のなす角が
９０度以下であれば、さらに発光点間隔は短くなり、よ
り効果的である。
【００１６】本実施例１では、サブマウント４にＳｉＣ
を用いたが、ダイヤモンド、Ｓｉ、又はＣｕであって
も、同様の効果が得られる。さらに、半田材からなるシ
ート状短冊１としてＡｕＳｎを用いたが、Ｉｎ、ＩｎＳ
ｎ、ＡｕＳｉ、又はＰｂＳｎであっても同様の効果が得
られる。
を用いたが、ダイヤモンド、Ｓｉ、又はＣｕであって
も、同様の効果が得られる。さらに、半田材からなるシ
ート状短冊１としてＡｕＳｎを用いたが、Ｉｎ、ＩｎＳ
ｎ、ＡｕＳｉ、又はＰｂＳｎであっても同様の効果が得
られる。
【００１７】（実施例２）図１に示すように、半田材で
あるＡｕＳｎからなるシート状短冊１上に、７８０ｎｍ
の波長の半導体レーザ素子２、６５０ｎｍの波長の半導
体レーザ素子３を出射面が同方向になるように、また、
チップ間の間隔が１０μｍ以下になるようにおく。
あるＡｕＳｎからなるシート状短冊１上に、７８０ｎｍ
の波長の半導体レーザ素子２、６５０ｎｍの波長の半導
体レーザ素子３を出射面が同方向になるように、また、
チップ間の間隔が１０μｍ以下になるようにおく。
【００１８】次に、図２に示すように、７８０ｎｍの波
長の半導体レーザ素子２、６５０ｎｍの波長の半導体レ
ーザ素子３の間で、前記シート状短冊１を半導体レーザ
素子２、３の出射面と垂直に折り曲げ、その後、図４に
示すように屋根状のＳｉＣサブマウント１１上に、前記
シート状短冊１を介して、７８０ｎｍの波長の半導体レ
ーザ素子２及び６５０ｎｍの波長の半導体レーザ素子３
をダイボンドする。
長の半導体レーザ素子２、６５０ｎｍの波長の半導体レ
ーザ素子３の間で、前記シート状短冊１を半導体レーザ
素子２、３の出射面と垂直に折り曲げ、その後、図４に
示すように屋根状のＳｉＣサブマウント１１上に、前記
シート状短冊１を介して、７８０ｎｍの波長の半導体レ
ーザ素子２及び６５０ｎｍの波長の半導体レーザ素子３
をダイボンドする。
【００１９】本実施例２では、半導体レーザ素子２、３
共、その幅が２５０μｍであり、発光点は各々の中心の
ダイボンド面から約５０μｍ以内にあるので、発光点間
の距離は、約１８０μｍとなり、２００μｍ以下の発光
点間隔を得ることができる。
共、その幅が２５０μｍであり、発光点は各々の中心の
ダイボンド面から約５０μｍ以内にあるので、発光点間
の距離は、約１８０μｍとなり、２００μｍ以下の発光
点間隔を得ることができる。
【００２０】また、本実施例２では、ＳｉＣサブマウン
ト１１は屋根状であるが、２つのダイボンド面のなす角
が９０度以下であれば、さらに発光点間隔は短くなり、
より効果的である。
ト１１は屋根状であるが、２つのダイボンド面のなす角
が９０度以下であれば、さらに発光点間隔は短くなり、
より効果的である。
【００２１】本実施例２では、サブマウント１１にＳｉ
Ｃを用いたが、ダイヤモンド、Ｓｉ、又はＣｕであって
も、同様の効果が得られる。さらに、半田材からなるシ
ート状短冊１としてＡｕＳｎを用いたが、Ｉｎ、ＩｎＳ
ｎ、ＡｕＳｉ、又はＰｂＳｎであっても同様の効果が得
られる。
Ｃを用いたが、ダイヤモンド、Ｓｉ、又はＣｕであって
も、同様の効果が得られる。さらに、半田材からなるシ
ート状短冊１としてＡｕＳｎを用いたが、Ｉｎ、ＩｎＳ
ｎ、ＡｕＳｉ、又はＰｂＳｎであっても同様の効果が得
られる。
【００２２】また、本発明は、図５、図６に示すような
サブマウント台、マウント台であっても、同様な効果が
得られる。
サブマウント台、マウント台であっても、同様な効果が
得られる。
【００２３】
【発明の効果】本発明により、２つ以上といった複数の
半導体レーザ素子をひとつのパッケージ内に搭載する場
合、発光点の間隔を従来の２５０μｍから、２００μｍ
以下にすることが可能になる。したがって、光ピックア
ップ等の光源として利用した場合、収差や信号強度の低
下が少ない光ピックアップを、ごく簡単な構成で提供す
ることが可能となり、多種類の光ディスクを１つのピッ
クアップで、読み取り、書き込みすることが可能とな
る。
半導体レーザ素子をひとつのパッケージ内に搭載する場
合、発光点の間隔を従来の２５０μｍから、２００μｍ
以下にすることが可能になる。したがって、光ピックア
ップ等の光源として利用した場合、収差や信号強度の低
下が少ない光ピックアップを、ごく簡単な構成で提供す
ることが可能となり、多種類の光ディスクを１つのピッ
クアップで、読み取り、書き込みすることが可能とな
る。
【図１】本発明の実施例を説明するための斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例を説明するための図である。
【図３】本発明の実施例を説明するための図である。
【図４】本発明の実施例を説明するための図である。
【図５】本発明の実施例を説明するための図である。
【図６】本発明の実施例を説明するための図である。
１ シート状短冊
２ ７８０ｎｍの波長の半導体レーザ素子
３ ６５０ｎｍの波長の半導体レーザ素子
４ 直方体のＳｉＣサブマウント
１１ 屋根状のＳｉＣサブマウント
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−288842（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−254783（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−302433（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−17015（ＪＰ，Ａ)
国際公開98／19303（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
G11B 7/12 - 7/22
Claims (2)
- 【請求項１】 発振波長が異なる複数の半導体レーザ素
子を備えた半導体レーザ装置の製造方法であって、 前記複数の半導体レーザ素子を、出射面が同方向になる
ように半田材からなるシート状短冊上に並べて配置し、 前記シート状短冊を、隣接する２つの半導体レーザ素子
間で、前記出射面に対して垂直に折り曲げ、 この折り曲げられたシート状短冊を、マウント台の隣接
する２つの面にまたがるように配置することによって、
隣接する２つの半導体レーザ素子の各発光点の間隔が２
００μｍ以下である半導体レーザ装置を得ることを特徴
とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体レーザ素子が前記シート状短
冊を介して配置されるマウント台の隣接する２つの面
は、そのなす角が９０度以下であることを特徴とする請
求項１に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21663698A JP3464917B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21663698A JP3464917B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000048385A JP2000048385A (ja) | 2000-02-18 |
| JP3464917B2 true JP3464917B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=16691552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21663698A Expired - Fee Related JP3464917B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3464917B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102144261A (zh) * | 2008-10-24 | 2011-08-03 | 松下电器产业株式会社 | 光学单元和使用该光学单元的电子设备 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| JP5522977B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2014-06-18 | 三菱電機株式会社 | 多波長半導体レーザ装置 |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP21663698A patent/JP3464917B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102144261A (zh) * | 2008-10-24 | 2011-08-03 | 松下电器产业株式会社 | 光学单元和使用该光学单元的电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000048385A (ja) | 2000-02-18 |
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