JP2003233926A

JP2003233926A - 光学素子

Info

Publication number: JP2003233926A
Application number: JP2002030147A
Authority: JP
Inventors: Satoru Sugawara; 悟菅原
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2002-02-06
Filing date: 2002-02-06
Publication date: 2003-08-22

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の半導体レーザの擬似的な発光点間隔を
近接させることが可能で、かつ、大量生産に適した簡易
な構成で、低コストに生産できる光学素子を提供するこ
と。【解決手段】光学素子５は、半導体レーザ２、３の光
軸に対して垂直および平行でなく、かつ、お互いに平行
で対向した一対の反射面の組（６、７）を二組有してお
り、半導体レーザ２または半導体レーザ３から出射され
たレーザ光を第二反射面へ反射する第一反射面６と、第
一反射面６で反射されたレーザ光を記録面へ反射する第
二反射面７と、第二反射面が交差する稜の部分を除去し
た跡の面である除去面８と、から構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、複数の半導体レ
ーザと組み合わせて使用する光学素子に関し、より詳細
には、ＤＶＤ、Ｓ−ＤＶＤ、ＣＤ−Ｒ等の高密度光ディ
スクのピックアップ装置に取り付ける光学素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近時、情報記録媒体として、ＣＤ−Ｒ、
ＤＶＤ等の様々な光ディスクが普及している。これら
は、ディスク自体にはそれ程相違がないものの、記録密
度、記録方式等に違いがあり、それぞれの規格にそった
記録再生装置を必要としている。このため、ユーザから
は、これらの記録再生装置を１台にまとめて、１台で複
数種類の光ディスクの記録または／および再生を行える
ようにすることが望まれている。

【０００３】ところが、ＣＤ−ＲＯＭまたはＣＤ−Ｒで
使用されている半導体レーザが波長７８０ｎｍであるの
に対して、ＤＶＤで使用されている半導体レーザは波長
６５０ｎｍである。一方の波長７８０ｎｍの半導体レー
ザでは、光スポットをＤＶＤのディスク上にあるピット
の大きさまで絞り込むことができず、他方の波長６５０
ｎｍの半導体レーザでは、ＣＤ−Ｒのディスクに用いら
れている色素では反射されず、透過されてしまい、読み
取ることができない。

【０００４】したがって、１台の記録再生装置で記録ま
たは／および再生を行うには、波長６５０ｎｍと波長７
８０ｎｍの２つの半導体レーザを備える必要がある。こ
のため、波長６５０ｎｍの半導体レーザチップと波長７
８０ｎｍの半導体レーザチップを１つのパッケージに並
列して取り付けた半導体レーザ装置が提案されている
が、１つのパッケージにした場合、レーザチップ自体の
幅やサブマウント幅の影響を受けて、２つのレーザチッ
プの発光点位置間隔が、３００〜４００μｍと大きくな
ってしまうため、ピックアップの光学系を設計するのが
非常に難しいという不具合があった。

【０００５】このため、これを解決するものとして、レ
ーザ光を反射させて擬似的に発光点を近接させる方法が
提案されている。特開平１１−３９６８４号公報「異波
長光源モジュール及びそれを利用した光ピックアップ装
置」では、４５度の傾斜面となる断面三角形の形状を有
するサブマウントによって、光軸を近接させる方法が開
示されている。

【０００６】図５は、特開平１１−３９６８４号公報の
光ピックアップ装置を示している。この装置では、断面
三角形の形状を有するサブマウント４５によって、半導
体レーザ３４、３６から出射されたＢ１、Ｂ２を、近接
した反射面３２Ｂ、３２Ｃで反射させることにより、光
軸を近接させている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１１−３９６８４号公報によれば、４５度の傾斜角とな
る断面三角形の形状を有するサブマウントを作製する必
要があるが、この４５度の傾斜角となる断面三角形の作
製が容易ではないため、現実的には、大量生産に適用で
きるほど安定して作製できないという問題点があった。

【０００８】特に、反射後の２つのレーザ光の光軸を揃
えるために、断面三角形を４５度という特定の角度で作
製しなければならないため、精度の要求が高いという不
具合もあった。

【０００９】また、断面三角形の稜の部分（先端から数
十μｍの部分）は、加工の精度が得ることが難しく、反
射面の面精度が悪くなるため、稜の部分で反射されたレ
ーザ光が異なる記録面へ入射してノイズが発生する虞が
あるという不具合もあった。さらに、断面三角形の稜の
精度を高くすることができた場合でも、光の回折により
拡散したレーザ光が異なる記録面へ入射してノイズにな
るという不具合があった。

【００１０】また、マイクロプリズムを用いて断面三角
形の形状を付加することは技術的には可能であるが、こ
の場合には、さらに実装することが困難で、かつ、コス
ト的に非常に高価なものになるという不具合が発生す
る。

【００１１】換言すれば、上記特開平１１−３９６８４
号公報によれば、安価（低コスト）に大量生産すること
は困難であった。

【００１２】この発明は上記に鑑みてなされたものであ
って、複数の半導体レーザの擬似的な発光点間隔を近接
させることが可能で、かつ、大量生産に適した簡易な構
成で、低コストに生産できる光学素子を提供することを
目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る光学素子は、二つの並列に配置され
た半導体レーザの発光点に近接して配置される光学素子
において、前記半導体レーザの光軸に対して垂直および
平行でなく、かつ、お互いに平行で対向した一対の反射
面の組を二組有しており、前記一対の反射面は、前記半
導体レーザの出射光が最初に当たる第一の反射面と、前
記第一の反射面で反射した光が再度反射する第二の反射
面とからなり、さらに、二組の前記一対の反射面のうち
第二の反射面同士が交差するように配設され、かつ、前
記第二の反射面同士が交差する稜の部分が除去されてい
ることを特徴とする。

【００１４】この発明によれば、半導体レーザからの出
射光を、お互いに平行で対向した一対の反射面の組を用
いて反射させて導くので、半導体レーザの出射光は、光
学素子に入射した角度（すなわち、方向）を維持したま
ま光学素子から出射させる。このとき、反射面は半導体
レーザの光軸に対して垂直および平行でないので、光学
素子に入射した半導体レーザの出射光は入射位置とは異
なる位置から出射される。また、二組の一対の反射面の
うち第二の反射面同士が交差するように配設されている
ので、二組の一対の反射面によって導かれた半導体レー
ザの出射光は、光学素子から出射される際に、近接した
位置から出射される。

【００１５】また、請求項２に係る光学素子は、請求項
１に記載の光学素子において、二つの並列に配置された
半導体レーザからの出射光の光軸が、前記第一の反射面
で反射されて、他方の半導体レーザ側に折り曲げられる
ことを特徴とする。この発明によれば、反射された光が
それぞれ他方の半導体レーザ側に折り曲げられるので、
最終的に第二の反射面で反射されて光学素子から出射さ
れる光が互いに近接する。

【００１６】また、請求項３に係る光学素子は、請求項
２に記載の光学素子において、前記第一の反射面と前記
第二の反射面とからなる二つの組が左右対称に配置され
ていることを特徴とする。この発明によれば、半導体レ
ーザが並列に配置されていること、光学素子の反射面の
配置が左右対称であることとによって、光学素子から出
射される光の間隔（発光点間隔）を最も小さくすること
ができる。

【００１７】また、請求項４に係る光学素子は、請求項
１〜３のいずれか一つに記載の光学素子において、前記
光学素子が単結晶Ｓｉからなることを特徴とする。この
発明によれば、単結晶Ｓｉを使用することで高精度な平
行反射面を持つ光学素子を安価で容易に作製できる。

【００１８】また、請求項５に係る光学素子は、請求項
４に記載の光学素子において、前記第一の反射面または
／および前記第二の反射面がＳｉの＜１１１＞面からな
ることを特徴とする。この発明によれば、特に高精度な
平行反射面を持つ光学素子を安価で容易に作製できる。

【００１９】また、請求項６に係る光学素子は、請求項
５に記載の光学素子において、前記光学素子のＬＤ実装
面と平行な面がＳｉの＜１１０＞面からなることを特徴
とする。この発明によれば、光学素子を安価で容易に作
製できる。

【００２０】また、請求項７に係る光学素子は、請求項
５に記載の光学素子において、前記光学素子のＬＤ実装
面と平行な面がＳｉの＜１００＞面からなることを特徴
とする。この発明によれば、光路長増加の少ない光学素
子を安価で容易に作製できる。

【００２１】また、請求項８に係る光学素子は、請求項
１〜７のいずれか一つに記載の光学素子において、前記
二つの並列に配置されたレーザが、それぞれ発光波長が
異なることを特徴とする。この発明によれば、通常の個
別半導体レーザを用いても発光点間隔が非常に小さい２
波長光源を簡単に作製できる。

【００２２】また、請求項９に係る光学素子は、請求項
１〜８のいずれか一つに記載の光学素子において、前記
第一の反射面または／および前記第二の反射面には、Ａ
ｕが蒸着されていることを特徴とする。この発明によれ
ば、シリコンで形成した光学反射面に６５０ｎｍ〜近赤
外の波長に対して反射率の高い反射膜を形成できる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、この
発明に係る光学素子の好適な実施の形態を詳細に説明す
る。なお、以下に述べるのは、一例であり、特に限定す
るものではない。

【００２４】（実施の形態１）図１は、実施の形態１に
おける光学素子を装着したピックアップ装置の構成図で
ある。図１（ａ）は、正面図であり、図１（ｂ）は、斜
視図である。図１に示したピックアップ装置は、装置全
体の基盤となるステム１と、半導体レーザ２および半導
体レーザ３を実装するサブマウント４と、半導体レーザ
２および３から出射されたレーザ光をそれぞれ反射し
て、擬似的な発光点間隔を近接させる光学素子５と、か
ら構成される。

【００２５】ここで、半導体レーザ２は、波長６５０ｎ
ｍの半導体レーザであり、半導体レーザ３は、波長７８
０ｎｍの半導体レーザである。半導体レーザ２および３
は、並列してサブマウント４に配置され、サブマウント
４と光学素子５は、それぞれステム１の異なる面に装着
されている。

【００２６】以上の構成において、その動作を説明す
る。図１に示したピックアップ装置を用いて、ＣＤ−Ｒ
ＯＭ、ＣＤ−ＲまたはＤＶＤ等を読み取る場合、図示し
ない制御手段が、半導体レーザ２または３を制御して、
光学素子へレーザ光を出射する。光学素子を介して記録
面へ入射したレーザ光が記録面で反射し、反射されたレ
ーザ光を図示しないレンズが集光し、集光した光量から
制御手段が記録情報を読み取る。

【００２７】ＣＤ−ＲＯＭまたはＣＤ−Ｒを読み書きす
る場合は、波長７８０ｎｍの半導体レーザ３を用い、Ｄ
ＶＤを読み取る場合は、波長６５０ｎｍの半導体レーザ
２を用いる。半導体レーザ２または３から出射されるレ
ーザ光は、互いに平行である。

【００２８】図２は、本発明の要部である半導体レーザ
２、３および光学素子５の関係を詳細に示した図であ
る。光学素子５は、半導体レーザ２または３から出射さ
れたレーザ光を第二反射面へ反射する第一反射面６と、
第一反射面６で反射されたレーザ光を記録面へ反射する
第二反射面７と、第二反射面が交差する稜の部分を除去
した跡の面である除去面８と、を備えている。

【００２９】ここで、第一反射面６と第二反射面７と
は、互いに平行、かつ、対向している。また、第一反射
面６とは、本発明の第一の反射面に相当し、第二反射面
７とは、本発明の第二の反射面に相当する。

【００３０】以上の構成において、その動作を説明す
る。半導体レーザ２または３から出射されたレーザ光
は、第一反射面６へ入射し、第二反射面へ反射される。
反射されたレーザ光は、第二反射面へ入射し、図示しな
い光ディスクの記録面の方へ反射される。ここで、記録
面の方へ反射されたレーザ光の光軸と、半導体レーザ２
または３から出射されたレーザ光の光軸と、は平行であ
る。

【００３１】具体的に説明すると、以下の通りである。
第一反射面６と第二反射面７とは、平行であるため、そ
れぞれの垂線も平行である。ここで、レーザ光の入射角
度および出射角度を垂線との交差角度とすると、第一反
射面６の入射角度と出射角度とは等しい。同様に、第二
反射面７の入射角度と出射角度とは等しい。

【００３２】第一反射面６の出射角度と第二反射面７の
入射角度とは、錯角であるため等しい。よって、第一反
射面６の入射角度と第二反射面７の出射角度とは等し
い。それぞれの垂線は平行であるから、記録面の方へ反
射されたレーザ光の光軸と、半導体レーザ２または３か
ら出射されたレーザ光の光軸と、は平行となる。

【００３３】さらに、平行、かつ、対向する反射面を用
いているため、半導体レーザ２および３と、光学素子と
が横方向に多少ずれた場合でも、ずれていない場合と同
様に擬似的に発光点を近接させ、本来の位置へ出射でき
る。

【００３４】除去面８は、第二反射面７の交差する稜の
部分を除去した跡にできた面である。半導体レーザの光
軸（ＬＤ光軸）の周囲には、光の回折による周辺光があ
り、図２上にＬＤビーム広がりとして周辺光の範囲が図
示されている。この周辺光が、本来入射するべき記録面
とは異なる記録面へ入射して、ノイズとなることを防ぐ
ため、断面三角形の稜の部分を除去する。

【００３５】図３は、断面三角形の稜の部分における周
辺光の反射を表した図である。図３（ａ）は、加工精度
の問題上、稜の部分が突出した場合の図であり、図３
（ｂ）は、実施の形態１における稜の部分を除去した場
合の図である。図３（ａ）では、周辺光が突出した面で
反射して、本来入射するべき記録面とは異なる記録面へ
入射して、反射し、ノイズとなる。これに対して、図３
（ｂ）では、周辺光が除去面８で反射して、記録面とは
全く異なる方向へ入射する。このため、半導体レーザ２
および３の中心光（ＬＤ中心光）が通過する部分以外に
レーザ光の遮蔽板を取り付ける等して、ノイズを防ぐこ
とができる。

【００３６】前述したように、実施の形態１の光学素子
は、半導体レーザ２または３の擬似的な発光点間隔を近
接させることが可能で、かつ、大量生産に適した簡易な
構成で、低コストに生産できる光学素子を提供すること
ができる。また、半導体レーザ２または３の光軸と第一
反射面および第二反射面との角度を限定することなく、
ある程度反射角度に自由度を持つ光学素子を提供するこ
とができる。

【００３７】また、第二反射面が交差して形成される断
面三角形の稜の部分を除去したため、断面三角形の稜の
部分から反射したレーザ光が、異なる記録面へ入射する
ことがない光学素子を提供することができる。

【００３８】さらに、平行、かつ、対向する第一反射面
および第二反射面を用いているため、半導体レーザ２お
よび３と、光学素子とが横方向に多少ずれた場合でも、
ずれていない場合と同様に擬似的に発光点を近接させ、
本来の位置へ出射できる。

【００３９】（実施の形態２）実施の形態２における光
学素子は、実施の形態１で示した光学素子と構成がほぼ
同じであるため、ここでは、異なる部分について説明す
る。

【００４０】実施の形態２における光学素子は、材質と
して単結晶Ｓｉを用いる。単結晶Ｓｉでは、ＫＯＨ等の
異方性エッチング液で特定の結晶面を選択的に得ること
ができる。特に、Ｓｉの＜１１１＞面は、異方性エッチ
ング時の選択比が１００以上と非常に高く、高精度な反
射面を必要とする用途に適している。このため、平行度
の高い対向した反射面を容易に作製でき、半導体プロセ
スによって高精度な平行反射面を持つ光学素子を低コス
トに生産できる。

【００４１】Ｓｉの＜１１１＞面からなる光学素子の反
射面は、半導体レーザの実装面と垂直な位置関係であ
る。この様な光学素子を低コストで実現するためには、
基板面に＜１１０＞面を用いると、垂直な＜１１１＞面
が、２方向で得られる。この場合、基板面の＜１１０＞
面は、光学素子をステム１へ装着する実装面と平行な面
となる。

【００４２】＜１１０＞基板面に垂直な２つの＜１１１
＞面は、７０．５２度または１０９．４８度（＝１８０
度−７０．５２度）で交差している。この＜１１１＞面
を左右対称に配置するためには、光学素子の実装面を＜
１１０＞面または＜１００＞面にする配置がある。どち
らの交差角度で反射面を形成するかでレーザ光の光路長
が変化する。

【００４３】図４は、実施の形態２における光学素子の
反射面の角度と光路長を示した図である。図４（ａ）で
は、光学素子の実装面を＜１１０＞面にして、交差角度
１０９．４８度で反射面が形成されている。図４（ｂ）
では、光学素子の実装面を＜１００＞面にして、交差角
度７０．５２度で反射面が形成されている。

【００４４】図４（ａ）では、第一反射面で反射したレ
ーザ光が逆行しながら第二反射面へ入射している。図４
（ｂ）に比べて逆行している分、図４（ａ）では、発光
点から第二反射面までの距離が長くなる。さらに、第一
反射面までの距離も、図４（ａ）の方が長い。このた
め、光学素子の実装面を＜１００＞面にして、交差角度
７０．５２度で反射面が形成することにより、発光点と
反射面の距離が最小となるような光学素子を提供するこ
とができる。

【００４５】前述したように、実施の形態２の光学素子
は、半導体レーザ３から出射されたレーザ光を第一反射
面で半導体レーザ２側へ反射するようにしているため、
発光点と反射面の距離が最小となるような光学素子を提
供することができる。

【００４６】また、半導体レーザ２、３と、第一の反射
面および第二の反射面の２組とが並列に配置され、左右
対称となっているため、実施の形態１の発明よりも、さ
らに半導体レーザ２および３の擬似的な発光点間隔を近
接させることが可能で、かつ、大量生産に適した簡易な
構成で、低コストに生産できる光学素子を提供すること
ができる。

【００４７】（実施の形態３）実施の形態３における光
学素子は、実施の形態１で示した光学素子と構成がほぼ
同じであるため、ここでは、異なる部分について説明す
る。

【００４８】Ｓｉ等で形成した光学素子の反射面は、反
射率が低いため、反射率を高める反射膜を設ける。実施
の形態３では、半導体レーザ２または３からのレーザ光
が、周辺光（ＬＤビーム広がり）を含めると±１０度程
度と広くなるため、誘電体多層膜では高い反射率を得る
ことは困難である。

【００４９】これを解決するため、実施の形態３では、
Ａｕ（金）を反射膜として反射面に形成する。Ａｕは、
６５０ｎｍ〜近赤外線の波長に対してＡｌ（アルミニウ
ム）より高い反射率を持っている。Ａｕは、シリコンへ
の密着力が低いため、反射膜とする場合には、Ｔｉ（チ
タン）またはＣｒ（クロム）の下地層を設けた多層構造
を用いて蒸着する。

【００５０】前述したように、実施の形態３の光学素子
は、第一反射面および第二反射面にＡｕが蒸着されてい
るため、半導体レーザ２および３から出射されたレーザ
光が拡散し、ある程度の広範囲で反射した場合でも、十
分なレーザ光の光量を確保可能な光学素子を提供するこ
とができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、二つの並列に配置された半導体レーザの
発光点に近接して配置される光学素子において、前記半
導体レーザの光軸に対して垂直および平行でなく、か
つ、お互いに平行で対向した一対の反射面の組を二組有
しており、前記一対の反射面は、前記半導体レーザの出
射光が最初に当たる第一の反射面と、前記第一の反射面
で反射した光が再度反射する第二の反射面とからなり、
さらに、二組の前記一対の反射面のうち第二の反射面同
士が交差するように配設され、かつ、前記第二の反射面
同士が交差する稜の部分が除去されているため、複数の
半導体レーザの擬似的な発光点間隔を近接させることが
可能で、かつ、大量生産に適した簡易な構成で、低コス
トに生産できる光学素子を提供することができる。ま
た、半導体レーザの光軸と反射面との角度を限定するこ
となく、ある程度反射角度に自由度を持つ光学素子を提
供することができる。さらに、平行、かつ、対向する第
一の反射面および第二の反射面を用いているため、半導
体レーザと、光学素子とが横方向に多少ずれた場合で
も、ずれていない場合と同様に擬似的に発光点を近接さ
せ、本来の位置へ出射できる。

【００５２】また、請求項２に記載の発明によれば、断
面三角形の稜の部分を除去したため、断面三角形の稜の
部分から反射したレーザ光が、異なる記録面へ入射する
ことがない光学素子を提供することができる。

【００５３】また、請求項３に記載の発明によれば、第
一の反射面で他方の半導体レーザ側に反射するようにし
ているため、発光点と反射面の距離が最小となるような
光学素子を提供することができる。

【００５４】また、請求項３に記載の発明によれば、半
導体レーザ、第一の反射面および第二の反射面の２組が
並列に配置され、左右対称となっているため、請求項１
に記載の発明よりも、さらに複数の半導体レーザの擬似
的な発光点間隔を近接させることが可能で、かつ、大量
生産に適した簡易な構成で、低コストに生産できる光学
素子を提供することができる。

【００５５】また、請求項４に記載の発明によれば、第
一の反射面および第二の反射面の材質を単結晶Ｓｉとし
ているため、請求項１に記載の発明よりも、さらに複数
の半導体レーザの擬似的な発光点間隔を近接させること
が可能で、かつ、大量生産に適した簡易な構成で、低コ
ストに生産できる光学素子を提供することができる。

【００５６】また、請求項５に記載の発明によれば、第
一の反射面および第二の反射面がＳｉの＜１１１＞面か
ら構成されているため、請求項１に記載の発明よりも、
さらに複数の半導体レーザの擬似的な発光点間隔を近接
させることが可能で、かつ、大量生産に適した簡易な構
成で、低コストに生産できる光学素子を提供することが
できる。

【００５７】また、請求項６に記載の発明によれば、光
学素子の実装面がＳｉの＜１１０＞面から構成されてい
るため、請求項１に記載の発明よりも、さらに複数の半
導体レーザの擬似的な発光点間隔を近接させることが可
能で、かつ、大量生産に適した簡易な構成で、低コスト
に生産できる光学素子を提供することができる。

【００５８】また、請求項７に記載の発明によれば、光
学素子の実装面がＳｉの＜１００＞面から構成されてい
るため、光路長増加の少ない、発光点と反射面の距離が
最小となるような光学素子を提供することができる。

【００５９】また、請求項８に記載の発明によれば、並
列に配置された半導体レーザの発光波長がそれぞれ異な
る構成にしているため、通常の半導体レーザチップを用
いた場合でも、発光点間隔が非常に小さい２波長光源を
実現できる。

【００６０】また、請求項９に記載の発明によれば、第
一の反射面および第二の反射面にＡｕが蒸着されている
ため、レーザ光の拡散によってある程度の広範囲で反射
した場合でも、十分なレーザ光の光量を確保可能な光学
素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１における光学素子を装着したピッ
クアップ装置の構成図である。

【図２】本発明の要部である半導体レーザおよび光学素
子の関係を詳細に示した図である。

【図３】断面三角形の稜の部分における周辺光の反射を
表した図である。

【図４】実施の形態２における光学素子の反射面の角度
と光路長を示した図である。

【図５】従来の光ピックアップ装置を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１ステム２、３半導体レーザ４サブマウント５光学素子６第一反射面７第二反射面８除去面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】二つの並列に配置された半導体レーザの
発光点に近接して配置される光学素子において、前記半導体レーザの光軸に対して垂直および平行でな
く、かつ、お互いに平行で対向した一対の反射面の組を
二組有しており、前記一対の反射面は、前記半導体レーザの出射光が最初
に当たる第一の反射面と、前記第一の反射面で反射した
光が再度反射する第二の反射面とからなり、さらに、二組の前記一対の反射面のうち第二の反射面同
士が交差するように配設され、かつ、前記第二の反射面
同士が交差する稜の部分が除去されていることを特徴と
する光学素子。
【請求項２】二つの並列に配置された半導体レーザか
らの出射光の光軸は、前記第一の反射面で反射されて、
他方の半導体レーザ側に折り曲げられることを特徴とす
る請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】前記第一の反射面と前記第二の反射面と
からなる二つの組は、左右対称に配置されていることを
特徴とする請求項２に記載の光学素子。
【請求項４】前記光学素子は、単結晶Ｓｉからなるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光
学素子。
【請求項５】前記第一の反射面または／および前記第
二の反射面は、Ｓｉの＜１１１＞面からなることを特徴
とする請求項４に記載の光学素子。
【請求項６】前記光学素子のＬＤ実装面と平行な面が
Ｓｉの＜１１０＞面からなることを特徴とする請求項５
に記載の光学素子。
【請求項７】前記光学素子のＬＤ実装面と平行な面が
Ｓｉの＜１００＞面からなることを特徴とする請求項５
に記載の光学素子。
【請求項８】前記二つの並列に配置されたレーザは、
それぞれ発光波長が異なることを特徴とする請求項１〜
７のいずれか一つに記載の光学素子。
【請求項９】前記第一の反射面または／および前記第
二の反射面には、Ａｕが蒸着されていることを特徴とす
る請求項１〜８のいずれか一つに記載の光学素子。