JP2011249447A - 光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】誘電体基板からなるヒートシンクを用いて特性インピーダンスの調整を可能とするとともに、温度変化によりLDの位置変動が生じない光モジュールを提供する。
【解決手段】金属製のサブマウント2の一方の側面にセラミック誘電体からなるヒートシンク3を介して半導体レーザダイオード4を搭載した光モジュールで、ヒートシンク3は、サブマウント2の搭載面の全体を覆って接合され、ヒートシンクと同様な線膨張係数を有する補助基板7が、サブマウントの半導体レーザダイオードが搭載されていない反対側の裏面全体を覆って接合されている。なお、サブマウントの厚さは0.85mm以下であり、ヒートシンクは窒化アルミニウムで形成され、その厚みは0.15mm以上であることが好ましい。
【選択図】図1
【解決手段】金属製のサブマウント2の一方の側面にセラミック誘電体からなるヒートシンク3を介して半導体レーザダイオード4を搭載した光モジュールで、ヒートシンク3は、サブマウント2の搭載面の全体を覆って接合され、ヒートシンクと同様な線膨張係数を有する補助基板7が、サブマウントの半導体レーザダイオードが搭載されていない反対側の裏面全体を覆って接合されている。なお、サブマウントの厚さは0.85mm以下であり、ヒートシンクは窒化アルミニウムで形成され、その厚みは0.15mm以上であることが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明は、金属製のサブマウント上にヒートシンクを介して半導体レーザダイオードを搭載した光モジュールに関する。
光通信に用いられる比較的に小型で安価な光モジュールとして、例えば、特許文献1に開示の同軸型パッケージ(通常、CANパッケージともいう)を用いた形態のものが知られている。また、この同軸型パッケージからなる光モジュールは、図4(A)に示すように、金属製のステム101に形成された垂直なポール102にサブマウント103を介して発光素子としての半導体レーザダイオード(LD)104が搭載されている。ステム101には、複数のリードピン105がガラス封止にされ、また、LD104の発光をモニタする受光素子としてのフォトダイオード(PD)106が、サブマウント107を介して搭載されている。
ステム101上には、レンズ108が設けられたキャップ109が取り付けられ、LD104およびPD106等が封止され、同軸型のパッケージ100とされる。この同軸型パッケージ100は、ジョイントスリーブ111を介してフェルールホルダ112が結合され光モジュールとされる。フェルールホルダ112には、結合ファイバ113が配されたスタブ114が収納されている。
LD104からの信号光は、レンズ108で集光されて結合ファイバ113に入射され、外部の光伝送路に送出される。また、LD104の後方からの光はPD106により受光され、LD104の光出力がモニタされる。
LD104からの信号光は、レンズ108で集光されて結合ファイバ113に入射され、外部の光伝送路に送出される。また、LD104の後方からの光はPD106により受光され、LD104の光出力がモニタされる。
また、10Gbpsレベルの高速通信に対応するには、同軸型パッケージ内の特性インピーダンスが整合していることが必要となる。このため、例えば、特許文献2には、同軸パッケージ内の特性インピーダンスを調整した光モジュールが開示されている。この光モジュール200は、図4(B)に示すように、金属製のステム201と一体的に設けられた支持台202上に、ヒートシンク203を介して半導体レーザダイオード(LD)204が搭載される。ステム201には、複数のリード線205がガラス封止にされている。
ヒートシンク203は、窒化アルミニウムなどの放熱性のよい誘電体基板からなり、該基板の表面に、所定の特性インピーダンスが得られるように、信号線路206aとグランド線路206bからなるコプレーナ形態の線路206が形成されている。なお、図4(B)では、光ファイバとの接続を形成するレンズやファイバフォルダを省略しているが、LD204からの信号光は、図4(A)と同様なキャップで保持されたレンズを介して、スタブに保持された光ファイバに入射される。
10Gbpsの高速通信を実現する光モジュールを得るには、パッケージ内の通信線路の特性インピーダンスを最適化(整合)する必要がある。例えば、50Ωの特性インピーダンスを実現するには、誘電体基板に信号線路と接地線路として金や銅の薄膜導体を施し、コプレーナラインやマイクロストリップラインなどの配線路で形成する必要がある。しかし、この配線路は、比較的に大型のバタフライ型パッケージで実現することは容易であるが、小型の同軸型パッケージで実現するに種々の問題がある。
同軸型パッケージで上記のコプレーナ線路を実現するには、特許文献2に示すように、金属製の台座部(サブマウント)の実装面のほぼ全面を利用して誘電体基板からなるヒートシンクを実装し、該ヒートシンク上にLDを搭載し配線導体を形成している。このため、ヒートシンクには、窒化アルミニウムなどの放熱性のよいセラミック材が用いられる。一方、セラミック材が実装されるサブマウントは、ステムと一体的に設けられる鉄系の合金材料で形成されている。
この結果、サブマウントとヒートシンクとの線膨張係数差により、図3(B)に示すようにサブマウントが温度変化により変形し、実装されているLDの位置が変動する。この変動量は、LDを搭載するヒートシンクが大きいほど、バイメタル効果により顕著になる。このLDの位置変動により、光ファイバとの光結合位置が変化し、光結合パワーが変化する。また、LDの後方光をモニタして発光出力を制御する方式においては、安定した光出力が得られないと言う問題がある。一般的に、送信光モジュールの光結合系では、3〜5倍程度の光結合倍率であり、LDの位置変化が僅かであっても、光ファイバとの結合位置での変位量は上記の倍率を掛け合わせた値となるため、無視できない変化量となる。なお、結合位置が2μmずれると、10%の光出力が低下する。
本発明は、上述した実情に鑑みてなされたもので、誘電体基板からなるヒートシンクを用いて特性インピーダンスの調整を可能とするとともに、温度変化によりLDの位置変動が生じない光モジュールの提供を目的とする。
本発明による光モジュールは、金属製のサブマウントの一方の側面にセラミック誘電体からなるヒートシンクを介して半導体レーザダイオードを搭載した光モジュールであって、前記のヒートシンクは、サブマウントの搭載面の全体を覆って接合されており、ヒートシンクと同様な線膨張係数を有する補助基板が、サブマウントの半導体レーザダイオードが搭載されていない反対側の裏面全体を覆って接合されていることを特徴とする。
前記の半導体レーザダイオードは、光結合倍率が3〜5倍のレンズでスタブに収納された結合ファイバ端面と光結合し、サブマウントは、円板状のステム上に設けられ、半導体レーザダイオードはステムの円板中心に位置するように搭載される。なお、サブマウントの厚さは0.85mm以下であり、ヒートシンクは窒化アルミニウムで形成され、その厚みは0.15mm以上であることが好ましい。
本発明によれば、同軸パッケージ型の光モジュールで、誘電体基板からなるヒートシンクを用いることでコプレーナラインによる特性インピーダンスを整合させ、10Gbpsの高速通信を実現することが可能となる。そして、上記のヒートシンクが実装されるサブマウントの反対側にも同様な誘電体基板からなるヒートシンクを貼り付けることにより、LDの位置変動の生じない安定した光出力を得ることができる。
図により本発明の実施形態を説明する。図において、1はステム、2はサブマウント(台座部)、3はヒートシンク(誘電体基板)、4は半導体レーザダイオード(LD)、5はリードピン、6はフォトダイオード(PD)、7は補助基板、8はレンズ、9はキャップ、10は同軸パッケージ、11はジョイントスリーブ、12はフェルールフォルダを示す。なお、図1では省略されているが、図4(A)で説明したのと同様に、フェルールホルダ12の内部には、その中心部に結合ファイバを搭載しているスタブが設けられており、LD4から発した光はレンズ8により集光され、ジョイントスリーブ11の中央に形成された開口を介してこの結合ファイバの端面に集光される。
図1および図2に示すように、本発明は、同軸型パッケージを用いた光モジュールで、金属製のステム1上に垂直に起立するサブマウント(台座部ともいう)2に、ヒートシンク3を介して発光素子としての半導体レーザダイオード(LD)4が搭載される。ステム1には、複数のリードピン5がガラス封止にされ、また、LD4の発光をモニタする受光素子としてのフォトダイオード(PD)6が搭載される。
また、図1(B)に示すように、ステム1上には、レンズ8が設けられたキャップ9が取り付けられ、LD4およびPD6等が密封封止されて同軸型のパッケージ10とされる。この同軸型パッケージ10は、スリーブ11を介してフェルールホルダ12が結合され光モジュールとされる。また、フェルールホルダ12には、図4(A)で説明したのと同様な光ファイバが配されたスタブが収納される。
LD4からの信号光は、レンズ8で集光されて光ファイバに光結合されるが、LD4とレンズ8間の間隔Sは0.2mm程度で、レンズの光結合倍率は3〜5倍とされる。ここで、レンズ8の結合倍率とは、レンズ8についての一方の側の焦点距離と他方側の焦点距離の比に相当し、本実施の形態ではレンズ8に対しLD4の光出射端面の距離に対し、レンズ8からスタブ端面までの距離が3〜5倍に設定されることを意味する。かかる光学系においては、LD4の位置ずれ量はレンズ8により拡大され、スタブ端面における結像が3〜5倍拡大されることになる。LD4の位置ずれの影響がスタブ端面では大きく現れる。なお、スタブ端面とレンズ8との距離は、ジョイントスリーブ11とキャップ9との重なり量により調整される。
ステム1は、例えば、FeにNi、Coを配合したコバールと言われている鉄系の合金材のプレス成型で円板形状で形成され、サブマウント2は、該ステム1と一体にたたき出し等により形成される。サブマウント2は、搭載されるLD4がステム1の円板中心になるような位置で、例えば、幅Wが2.7mm、長さLが1.2〜2.2mm、厚さTが0.85mmで形成され、その前面(部品搭載側)およびその裏面は、共に平坦な面で形成される。
ヒートシンク3は、熱伝導性がよく電気絶縁性のある誘電体基板で形成され、例えば、窒化アルミニウム(AlN)などのセラミック基板で形成される。この窒化アルミニウムの熱伝導率は、150W/m・Kと大きく、これをヒートシンクとして用いることにより、LD4に対する放熱機能を持たせることができる。ヒートシンク3は、例えば、厚さt1が0.15mm程度のものを用い、サブマウント2の前面側(搭載面)のほぼ全体の面を覆うように半田材(例えば、AuSn)で接合される。また、ヒートシンク3上には、LD4が同様な半田材で接合される。
上記のセラミックの誘電体基板からなるヒートシンク3上には、LD4の駆動信号を伝送する配線路が形成される。この場合、サブマウント2の搭載面の面積を、従来の光モジュールで一般的に採用されている搭載面の面積より多少大き目にして、ヒートシンク3の表面積をできるだけ大きくする。そして、この配線路は、図4(B)で示したのと同様に、所定の特性インピーダンス(例えば、50Ω)が得られるように、信号線路とその両側にグランド線路を形成したコプレーナラインやマイクロストリップラインの配線路で形成される。また、この他、ヒートシンク3上には、インピーダンス整合用の抵抗やパイパスコンデンサ等の回路素子を搭載、あるいは薄膜で形成されていてもよい。このような配線路を備えることにより、同軸型パッケージの光モジュール10においても、10Gbpsの高速通信が可能となる。
本発明は、LD4が搭載されるヒートシンク3が接合されるサブマウント2の反対側の裏面のほぼ全体を覆って、ヒートシンク3と同程度の線膨張係数とヤング率を持つ補助基板7を、同様の形態で接合する。この補助基板7は、上記のヒートシンク3と同じ寸法で、サブマウント2の裏面のほぼ全面を覆うように接合され、ヒートシンク3と補助基板7でサブマウント2を挟み込む。なお、補助基板7は、ヒートシンク3と全く同じものを用いてもよく、厚さt2(例えば、0.2mm)は、異なっていてもよい。
図3は、上述したサブマウントの裏面に補助基板を接合したことによる作用効果を検証した結果を示す図である。なお、検証に用いたサブマウント2は、外径5.6mmmのステム1と一体に形成され、鉄系の合金で、線膨張係数が12.2(ppm/degC)、ヤング率215GPaである。サブマウントの厚さTを0.85mm、幅Wを2.7mm、長さLを1.2mm,1.7mm,2.2mmと変化させた。ヒートシンク3と補助基板7は、同じ窒化アルミニウム製とし、線膨張係数を4.5(ppm/degC)、ヤング率を320GPaとし、ヒートシンク3の厚さt1を0.15mm、補助基板7の厚さt2を0.2mmとして、幅Wと長さLをサブマウント2と一致する寸法として、サブマウントにAuSn半田材を用いて接合した。
ヒートシンク3には、外形が0.3×0.3mm角で厚さ0.1mmのLDをAuSn半田材で、レンズ8からの距離Sが0.2mmの位置に搭載した。そして、サブマウント2の長さLを変え、それぞれ長さLでの温度25℃から85℃に温度変化させたとき、図3(B)に示すようなサブマウント2に搭載されているLD4の位置変位量ΔDを計測した。
この結果、図3(A)に示すように、補助基板7を用いない場合(サブマウント2の前面側にヒートシンク3を接合しただけの場合)は、サブマウント2の長さLが大きくなるほど、LD4の位置変位量ΔDが増加し、バイメタル効果でサブマウント2が湾曲することが確認された。
これに対し、本発明のように、ヒートシンク3を接合したサブマウント2の反対側の裏面にヒートシンク3と同様な補助基板7を接合した場合は、サブマウント2の長さLを大きくしても、LD4の位置はほぼ一定で変位がなく、サブマウント2が湾曲するのを抑制されることが確認できた。
これに対し、本発明のように、ヒートシンク3を接合したサブマウント2の反対側の裏面にヒートシンク3と同様な補助基板7を接合した場合は、サブマウント2の長さLを大きくしても、LD4の位置はほぼ一定で変位がなく、サブマウント2が湾曲するのを抑制されることが確認できた。
したがって、図1,2で説明したように、インピーダンス整合を得るために、誘電体基板を兼ねるヒートシンク3の面積増加させる場合、すなわち、サブマウント2の長さLを増加させる場合であっても、ヒートシンク7と同様な補助基板7をサブマウント2の裏面側に接合することにより、温度変化によりLD4の位置変動を抑制することが可能となる。この結果、インピーダンス整合を取り難い同軸パッケージ型の光モジュールで、高速通信で必要なインピーダンス整合のための配線路の形成を可能とし、これに伴うLDの位置ずれ発生を抑制し、安定した光出力を送信することができる。
1…ステム、2…サブマウント(台座部)、3…ヒートシンク(誘電体基板)、4…半導体レーザダイオード(LD)、5…リードピン、6…フォトダイオード(PD)、7…補助基板、8…レンズ、9…キャップ、10…同軸パッケージ、11…スリーブ、12…フェルールホルダ。
Claims (5)
- 金属製のサブマウントの一方の側面にセラミック誘電体からなるヒートシンクを介して半導体レーザダイオードを搭載した光モジュールであって、
前記ヒートシンクは、前記サブマウントの搭載面の全体を覆って接合されており、前記ヒートシンクと同様な線膨張係数を有する補助基板が前記サブマウントの前記半導体レーザダイオードが搭載されていない反対側の裏面全体を覆って接合されていることを特徴とする光モジュール。 - 前記光モジュールはさらに結合ファイバを搭載するスタブを備え、前記半導体レーザダイオードは、光結合倍率が3〜5倍のレンズで前記結合ファイバ端面と光結合されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 前記サブマウントは、円板状のステム上に設けられ、前記半導体レーザダイオードは前記ステムの円板中心に位置するように搭載されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光モジュール。
- 前記サブマウントの厚さは0.85mm以下であり、前記ヒートシンクの厚みは0.15mm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 前記ヒートシンクは、窒化アルミニウム製であること特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光モジュール。
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JP2013197256A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Anritsu Corp | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 |
WO2013164876A1 (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
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- 2010-05-25 JP JP2010119152A patent/JP2011249447A/ja active Pending
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JP7509339B1 (ja) | 2024-01-24 | 2024-07-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザモジュール |
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