JP5515182B2 - 光モジュール - Google Patents
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Description
L1=d0×er+d1+d3 …式(1)
と表され、上記の波長換算値をλとした場合、
λ/4>L1 …式(2)
の条件を満たすように、カソード側信号線路長L1が決定される。
L2=d0×er+d1+d2 …式(3)
と表され、波長換算値をλとした場合、
λ/4>L2 …式(4)
の条件を満たすように、アノード側信号線路長L2が決定される。
Claims (1)
- 一端面から信号光を出射する発光素子と、該発光素子の一端面の反対側の面から出射される漏洩光を受信する受光素子と、前記発光素子及び前記受光素子を実装するステムとを備えた光学素子搭載用パッケージを有する光モジュールであって、
前記発光素子のカソード電極に接続された第1のリードピンと、前記受光素子のアノード電極またはカソード電極のいずれかに接続された第2のリードピンと、前記発光素子のアノード電極に接続された第3のリードピンと、前記ステムの下面に直接接続された第4のリードピンとを備え、
前記第1のリードピンと前記第3のリードピンの軸間距離が、前記第2のリードピンと前記第4のリードピンの軸間距離よりも短く、
前記発光素子のカソード電極と前記第1のリードピンとがワイヤで接続されると共に、前記発光素子のアノード電極と前記第3のリードピンとがワイヤで接続され、
前記カソード電極からワイヤを介して前記第1のリードピンの前記ステム下面と交わる位置までのカソード側信号線路長及び前記アノード電極からワイヤを介して前記第3のリードピンの前記ステム下面と交わる位置までのアノード側信号線路長は、それぞれ前記発光素子に使用する電気信号の周波数の波長換算値の1/4未満であって、
前記ステムは前記第2のリードピンと前記第4のリードピンを結ぶ対角線上に、前記第2のリードピンに近いほど深く削られた傾斜底面を有する凹部を備え、前記受光素子は前記凹部の前記傾斜底面上に実装され、
前記第1のリードピンと前記第3のリードピンとを結ぶ線分と、前記第2のリードピンと前記第4のリードピンとを結ぶ線分との交点から、前記第2のリードピンまでの距離が、前記交点から前記第1のリードピンまたは前記第3のリードピンまでの距離よりも長いことを特徴とする光モジュール。
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