JP4795728B2 - 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 - Google Patents
光半導体素子用ステム及び光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4795728B2 JP4795728B2 JP2005174204A JP2005174204A JP4795728B2 JP 4795728 B2 JP4795728 B2 JP 4795728B2 JP 2005174204 A JP2005174204 A JP 2005174204A JP 2005174204 A JP2005174204 A JP 2005174204A JP 4795728 B2 JP4795728 B2 JP 4795728B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- stem
- lead
- semiconductor laser
- heat radiating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
図4及び図5は本発明の第1実施形態の光半導体素子用ステムを示す斜視図である。図4に示すように、本実施形態の光半導体素子用ステム1は、基体部を構成する絶縁性アイレット10とその上側に立設する放熱部20と絶縁性アイレット10に設けられたリード30とにより基本構成されている。絶縁性アイレット10の材料としては、プラスチックなどが使用される。また、放熱部20の材料としては、銅(Cu)、銅(Cu)合金、又は鉄(Fe)などが使用され、高い放熱性を必要とする場合は熱伝導性の高いCuが好適に使用される。また、リード20の材料としては、鉄(Fe)、銅(Cu)、又はコバール(鉄(Fe)、ニッケル(Ni)及びコバルト(Co)からなる合金)などが使用される。
図13は本発明の第2実施形態の光半導体装置を示す斜視図である。第2実施形態は、本実施形態の光半導体素子用ステムに半導体レーザ素子の他にその出力をモニタする受光素子が実装された形態である。第2実施形態では、第1実施形態と同一要素には同一符号を付してその詳しい説明を省略する。
Claims (13)
- 基体部を構成する絶縁性アイレットと、
前記絶縁性アイレットの上に立設され、平坦側面とその両端側の円弧状側面とから形成される外側側面と、該外側側面と反対側の、光半導体素子を実装するための実装側面とを備えた金属立体から構成される放熱部と、
前記絶縁性アイレットの下側に延在して設けられたリードとを有し、
前記放熱部の前記円弧状側面に開口部の側面が接触して前記絶縁性アイレットの上に搭載される金属ケースを備えることを特徴とする光半導体素子用ステム。 - 基体部を構成する絶縁性アイレットと、
前記絶縁性アイレットの上に立設され、半円柱状の外側側面と、該外側側面と反対側の、光半導体素子を実装するための実装側面とを備えた金属立体から構成される放熱部と、
前記絶縁性アイレットの下側に延在して設けられたリードとを有し、
前記放熱部の前記半円柱状の外側側面に開口部の側面が接触して前記絶縁性アイレットの上に搭載される金属ケースを備えることを特徴とする光半導体素子用ステム。 - 前記放熱部には、前記実装側面の幅方向の両端部に、該実装側面から突出する防御部がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体素子用ステム。
- 前記金属ケースは、前記絶縁性アイレットの周縁部に嵌合するガイド部が設けられており、前記金属ケースの前記ガイド部を前記絶縁性アイレットの前記周縁部に突き当てて、前記絶縁性アイレットを取り囲むように搭載されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
- 前記絶縁性アイレットには前記放熱部及び前記リードに対応部する開口部がそれぞれ設けられており、前記放熱部はその下部が前記開口部にはめ込まれて固定されており、前記リードは前記開口部を貫通してはめ込まれて固定されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
- 前記放熱部の円弧状側面を含んで構成される円の中心部に、前記光半導体素子が実装されるように前記放熱部が構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
- 前記絶縁性アイレットの裏側の前記開口部に露出する前記放熱部の面にリードがさらに設けられていることを特徴とする請求項5に記載の光半導体素子用ステム。
- 前記放熱部の前記実装側面に実装される前記光半導体素子は、気密封止して実装する必要がない半導体レーザ素子であり、前記光半導体素子用ステムには前記半導体レーザ素子を気密封止するキャップを設けないことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
- 前記絶縁性アイレットはプラスチックからなり、前記放熱部は銅からなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステムと、
光出射面が上側になって前記放熱部の実装側面に実装され、前記リードに電気的に接続された半導体レーザ素子とを有することを特徴とする光半導体装置。 - 前記リードは半導体レーザ素子用リードとグランドリードとを含み、前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子用リード及び前記グランドリードにワイヤを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項10に記載の光半導体装置。
- 前記リードは、前記半導体レーザ素子用リード、受光素子用リード及び前記放熱部に電気接続されて固定された共通グランドリードより構成され、
前記放熱部の実装側面の半導体レーザ素子の下側に実装されて、前記半導体レーザ素子の光出力をモニタする受光素子をさらに有し、
前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子用リード及び前記放熱部にワイヤで電気的に接続され、前記受光素子は、前記受光素子用リード及び前記放熱部にワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする請求項10に記載の光半導体装置。 - 前記素子は、気密封止して実装する必要がないものであり、前記素子はキャップによって気密封止されていないことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005174204A JP4795728B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005174204A JP4795728B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006351728A JP2006351728A (ja) | 2006-12-28 |
JP4795728B2 true JP4795728B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=37647269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005174204A Active JP4795728B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4795728B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047801A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Pioneer Electronic Corp | レーザ固定装置 |
JP2009016794A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | キャップレスパッケージ及びその製造方法 |
CN104067463B (zh) * | 2012-03-02 | 2017-03-08 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体发光装置 |
JP2018018966A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社デンソー | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0424978A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子 |
JP3869575B2 (ja) * | 1999-03-02 | 2007-01-17 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
JP3915406B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2007-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザステム |
JP3607220B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2005-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2004006659A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2004349320A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 |
JP2005235319A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
JP2005285234A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Pioneer Electronic Corp | 半導体レーザ回動調整装置および光ピックアップ装置 |
JP2006303384A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 |
-
2005
- 2005-06-14 JP JP2005174204A patent/JP4795728B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006351728A (ja) | 2006-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5003110B2 (ja) | 光電変換モジュール | |
US20070228535A1 (en) | Optical device package and optical semiconductor device using the same | |
WO2018207518A1 (ja) | 半導体レーザー装置 | |
JP2006012868A (ja) | 半導体発光素子用パッケージおよびそれを用いた半導体発光装置 | |
JP4795728B2 (ja) | 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 | |
JP2023096036A (ja) | 発光装置 | |
JP2004235212A (ja) | 気密端子とそれを用いた半導体装置 | |
US11349278B2 (en) | Stem for semiconductor package, and semiconductor package | |
JP2012502453A (ja) | オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法 | |
JP2004349320A (ja) | 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 | |
JP6935251B2 (ja) | 発光素子搭載用パッケージ | |
JP4739975B2 (ja) | 光半導体素子用パッケージ | |
JP2017069109A (ja) | 光源装置 | |
JP2008028273A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP3980037B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5121421B2 (ja) | 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置 | |
US20080067654A1 (en) | Electronic component package and electronic component device | |
JP5201892B2 (ja) | 光通信用パッケージ | |
JP5179795B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP4586809B2 (ja) | 熱電装置 | |
JP6496028B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2006303384A (ja) | 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 | |
JPH08242041A (ja) | ヒートシンク | |
JP2007048937A (ja) | 半導体レーザおよびその製法 | |
JP6349238B2 (ja) | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4795728 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |