JP4795728B2 - 光半導体素子用ステム及び光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体素子用ステム及び光半導体装置に係り、さらに詳しくは、光通信装置や光ディスク装置などに適用される半導体レーザ素子などが実装される光半導体素子用ステム及びそれを使用した光半導体装置に関する。

従来、光半導体装置として、金属製のステムに半導体レーザ素子とその出力をモニタする受光素子が実装されたものがある。図１は従来の光半導体素子用ステムに光半導体素子が実装された光半導体装置の一例を示す斜視図である。図１に示すように、従来の光半導体素子用ステム１００は、円形状のアイレット１００ａとその上に配置された放熱部１００ｂとにより基本構成されている。

アイレット１００ａの周縁部には光透過窓１１０が天井壁に設けられた金属キャップ１０８が抵抗溶接されていて、この光透過窓１１０はガラス板で覆われている。そして、放熱部１００ｂの側面には半導体レーザ素子１０４が実装されている。また、アイレット１００ａ上の放熱部１００ｂの近傍には底面に傾斜をもったへこみ部１０５が設けられており、その底部に受光素子１０６が傾斜した状態で実装されている。

このようにして金属キャップ１０８内に半導体レーザ素子１０４及び受光素子１０６が気密封止された状態で収容されて、それらの素子の信頼性が確保される。

また、アイレット１００ａには、その厚み方向に貫通する２つの絶縁体（ガラス）１１２ａ，１１２ｂが設けられている。その絶縁体１１２ａ，１１２ｂの中心部には半導体レーザ素子用リード１１４ａ及び受光素子用リード１１４ｂがそれぞれ挿設されており、これらのリード１１４ａ，１１４ｂはステム１００に対して電気的に絶縁された状態になっている。また、共通（グランド）リード１１４ｃがアイレット１００ａに電気的に接続された状態で設けられている。

半導体レーザ素子１０４はワイヤ１１６ａを介して半導体レーザ素子用リード１１４ａと電気的に接続され、また受光素子１０６はワイヤ１１６ｂを介して受光素子用リード１１４ｂと電気的に接続されている。

従来の光半導体素子用ステムに光半導体素子が実装された光半導体装置は、このような構成になっていて、半導体レーザ素子１０４の光出射面１０４ａから放出された光が光透過窓１１０を透過して外部に放出される。また、半導体レーザ素子１０４の光出射面１０４ａと反対面１０４ｂから放出されたモニタ光を受光素子１０６が受光し、これに基づいて半導体レーザ素子１０４のレーザ出力が制御される。

ところで、上記したような放熱部１００ｂが立設されたステム１００は、鉄からなる一体構造で形成されることが多い。鉄は熱伝導性が十分とはいえないので、半導体レーザ素子１０４が実装される際に十分な放熱特性が得られない。このため、半導体レーザ素子１０４の温度変化によって、半導体レーザ素子１０４から放出される光の出力や波長が変動するなどの不具合が発生しやすい。

また、近年では、光半導体素子の耐酸化性などの信頼性が向上し、気密封止する必要がなくなりつつあることから、金属キャップ１０８の光透過窓１１０にガラスを設けないものもある。

以上のような光半導体素子を気密封止する必要がないという観点から、前述した従来技術の図１のステムにおいて、ステム全体を銅などの熱伝導性の高い金属から構成し、さらに金属キャップを省略した構造の同一金属一体型のキャップレスステムが開発されている（特許文献１及び２）。

また、特許文献３には、熱膨張係数差による変形を防止するため、リードフレームの幅広部に半導体素子を固定し、リードフレームの幅広部の両側面側において対称になるようにリードフレームの中央部に円筒形状の樹脂基体部をモールド成型で形成することが記載されている。
特開２００４−６６５９号公報 特開２００４−３４９３２０号公報 特開２００２−３６８３２３号公報

しかしながら、特許文献１及び２のステムでは、金属板に対して複雑なプレス加工を行ってアイレット上に放熱部が立設するステムを形成し、さらにアイレットに設けられた開口部にリードをガラス封止した状態で組み立てる必要があり、製造工程が煩雑となってコスト高となってしまう。

また、従来技術のステムでは、ステム上に立設する放熱部に位置合わせされて半導体レーザ素子が実装され、金属キャップを設ける場合は、金属キャップは半導体レーザ素子に対してある程度位置ずれして配置される。このため、図２及び図３に示すように、光モジュール（ＤＶＤ装置などの光ピックアップなど）を構成する際に、筒状のアルミケース１２０の開口部１２２の中央部に半導体レーザ素子１０４を位置合わした状態でステム１００を装着するには、金属キャップ１０８ではなくステム１００の外周部をアルミケース１２０のガイド部１２４に装着する必要がある。このため、半導体レーザ素子１０４から放出される熱は放熱部１００ｂからアイレット１００ａの外周部を経由してアルミケース１２０側に熱伝導するので、銅一体型のステムを採用しても必ずしも十分な放熱性が得られない場合が多い。

本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、十分な放熱性が得られると共に、低コストで製造できる光半導体素子用ステム及び光半導体装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は光半導体素子用ステムに係り、基体部を構成する絶縁性アイレットと、前記絶縁性アイレットの上に立設され、平坦側面とその両端側の円弧状側面とから形成される外側側面と、該外側側面と反対側の、光半導体素子を実装するための実装側面とを備えた金属立体から構成される放熱部と、前記絶縁性アイレットの下側に延在して設けられたリードとを有し、前記放熱部の前記円弧状側面に開口部の側面が接触して前記絶縁性アイレットの上に搭載される金属ケースを備えることを特徴とする。

本発明の光半導体素子用ステムでは、絶縁性アイレットの上に放熱部が立設され、絶縁性アイレットの下側にリードが延在して設けられている。放熱部は外側側面とその反対側の光半導体素子が実装される実装側面とを備えた金属立体からなり、外側側面は円弧状側面を有している。

本発明の光半導体素子用ステムでは、光モジュールに組み込まれる際に、金属ケースの円形の開口部に放熱部の外側側面の円弧状側面が接触した状態で挿入されて実装される。このため、光モジュールに組み込まれる際に放熱部の実装側面の背面側に接触する金属ケースがヒートシンクの役割を果たすので、ステム自体の放熱性を考慮する必要がなく、十分な放熱性を確保することができる。しかも、放熱部からその下側のアイレットの外周を迂回して金属ケースに放熱する従来技術（図２及び図３）と違って、熱抵抗の最短距離で放熱が可能になり、従来技術よりも格段に放熱性を向上させることができる。

また、本発明の光半導体素子用ステムは、所要の開口部が設けられた絶縁性アイレット（プラスチック）の該開口部に、簡易なプレス加工で得られる放熱部、及びリードをはめ込んで固定することによって容易に製造することができ、従来技術よりも格段に低コスト化を図ることができる。

なお、特許文献３には、リードフレームの一部に樹脂をモールドしてステムを製造することが記載されているが、放熱性に関しては何ら考慮されておらず、放熱部の実装側面の背面に円弧状側面を有し、それを光ピックアップの金属ケースの開口部の側面に接触させて放熱する本発明の構成を示唆するものではない。

以上説明したように、本発明の光半導体素子用ステムは、十分な放熱性が得られると共に、低コストで容易に製造することができる。

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。

（第１の実施の形態）
図４及び図５は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムを示す斜視図である。図４に示すように、本実施形態の光半導体素子用ステム１は、基体部を構成する絶縁性アイレット１０とその上側に立設する放熱部２０と絶縁性アイレット１０に設けられたリード３０とにより基本構成されている。絶縁性アイレット１０の材料としては、プラスチックなどが使用される。また、放熱部２０の材料としては、銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）合金、又は鉄（Ｆｅ）などが使用され、高い放熱性を必要とする場合は熱伝導性の高いＣｕが好適に使用される。また、リード２０の材料としては、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、又はコバール（鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）からなる合金）などが使用される。

図４を下側からみた図５を含めて参照すると、絶縁性アイレット１０には上面から下面まで貫通する第１開口部１０ａ、第２開口部１０ｂ及び第３開口部１０ｃが形成されている。そして、絶縁性アイレット１０の第１開口部１０ａには放熱部２０の下部が嵌合されて固定されている。また、絶縁性アイレット１０の第２開口部１０ｂ及び第３開口部１０ｃには第１リード３０ａ及び第２リード３０ｂがそれぞれ挿入されて固定されている。第１、第２リード３０ａ，３０ｂは、その上部が絶縁性アイレット１０の上面から突出すると共に、絶縁性アイレット１０の下側に延在して設けられている。さらに、絶縁性アイレット１０の裏側の第１開口部１０ａに露出する放熱部２０の面に第３リード３０ｃが電気的に接続された状態で固定されている。

また、図５に示すように、絶縁性アイレット１０には位置決め用の一対の三角形状の切り欠き部１０ｘと、方向表示用の四角形状の切り欠き部１０ｙとが設けられている。

さらに図４を上側からみた図６（平面図）を加えて参照すると、放熱部２０は、外側側面Ａとその反対側の光半導体素子が実装される実装側面Ｂとを有する金属立体からなり、放熱部２０の両端部からそれぞれ突出する防御部２０ａを備えている。また、放熱部２０は、外側側面Ａの反対側に突出する実装部２０ｂを備えており、実装部２０ｂの露出する側面が実装側面Ｂとなっている。実装部２０ｂはその上面が放熱部２０の他の部分の上面よりも下がった位置に配置されている。

放熱部２０の外側側面Ａは、平坦側面Ａ１とその両端側の円弧状側面Ａ２とから構成され、平坦側面Ａ１は円弧状側面Ａ２を介して２つの防御部２０ａの外面にそれぞれ繋がっている。なお、防御部２０ａを省略した形態としてもよい。

放熱部２０は、その外側側面Ａの２つの円弧状側面Ａ２を含んで構成される円（図６の破線で描かれた円）の中心部に半導体レーザ５が配置されるように設計されており、かつ半導体レーザ素子５が絶縁性アイレット１０の中心部に配置されるように、絶縁性アイレット１０に取り付けられている。

後に説明するように、図６の破線で描かれた円は、光モジュールの金属ケースの円形の開口部に対応し、放熱部２０の２つの円弧状側面Ａ２が金属ケースの開口部の側面に接触して実装される。放熱部２０の外側側面Ａの中央部を平坦側面Ａ１とすることにより、実装前に横方向にして配置する際の安定性を確保することができる。

本実施形態の光半導体素子用ステム１を製造するには、まず、前述した第１〜第３開口部１０ａ〜１０ｃと切り欠き部１０ｘ、１０ｙが設けられたプラスチックなどの絶縁性アイレット１０を用意する。さらに、金属柱をプレス加工することにより前述したような構造の放熱部２０を得る。次いで、絶縁性アイレット１０の第１開口部１０ａに放熱部２０の下部をはめ込んで固定する（圧入固定）。続いて、絶縁性アイレット１０の裏側の第１開口部１０ａに露出する放熱部２０の面に第３リード３０ｃを溶接などで取り付ける。さらに、絶縁性アイレット１０の第２、第３開口部１０ｂ、１０ｃに第１、第２リード３０ａ、３０ｂをそれぞれはめ込んで貫通させた状態で固定する（圧入固定）。

なお、放熱部２０、第１及び第２リード３０ａ、３０ｂを接着剤で絶縁性アイレット１０の第１〜第３開口部１０ａ〜１０ｃにそれぞれ固定してもよい。また、放熱部２０と第３リード３０ｃが一体成形されたものを絶縁性アイレット１０の第１開口部１０ａを貫通させてはめ込んで固定してもよい。

以上のように、本実施形態の光半導体素子用ステム１では、アイレット上に放熱部が立設された構造体を、放熱部２０のみをプレス加工で形成し、放熱部２０を絶縁性アイレット１０の第１開口部１０ａにはめ込むことで容易に形成することができる。従って、従来技術と違ってアイレット上に放熱部が立設された一体型の構造体を複雑なプレス加工で製造する必要がなく、プレス加工の工程を簡易にすることができる。さらに、絶縁性アイレット１０の第１〜第３開口部１０ａ〜１０ｃに放熱部２０やリード３０ａ、３０ｂを圧入固定することで組み立てが概ね完了するので、従来技術のようなリードをアイレットの開口部にガラス封止して固定するなどの煩雑な製造工程が不要となる。このように、本実施形態の光半導体用ステム１は、従来技術よりも極めて低コストで製造することができる。

次に，本実施形態の光半導体用ステム１に光半導体素子が実装された光半導体装置について説明する。図７に示すように、本実施形態の光半導体装置２では、図４の光半導体素子用ステム１の放熱部２０の実装側面Ｂに金／すず系はんだなどのろう材（不図示）を介してサブマウント１２が固着され、その上にろう材（不図示）を介して光出射面５ａが上側になった状態で半導体レーザ素子５が固着される。サブマウント１２は、高い放熱性を有し、かつ周辺材料の熱膨張係数の差による応力の発生を抑制できる材料からなり、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やシリコン（Ｓｉ）などが用いられる。

さらに、半導体レーザ素子５は、半導体レーザ素子用の第１リード３０ａにワイヤ１４ａを介して電気的に接続され、またグランド用の第２リード３０ｂにワイヤ１４ｂを介して電気的に接続されている。これらの第１、第２リード３０ａ、３０ｂの間に半導体レーザ素子５の駆動に必要な電圧が印加されると、半導体レーザ素子５の光出射面５ａから上側にレーザ光が出射される。

なお、第１実施形態では、放熱部２０に接続された第３リード３０ｃは電気的に使用されないフローティングリードとなっている形態が例示されており、リード３０の数は光半導体素子の種類や個数、又は光モジュールに実装する際の仕様に合わせて適宜調整すればよい。また、必ずしもサブマウント１２を設ける必要はなく、半導体レーザ素子５を放熱部２０の実装側面Ｂに直接実装してもよい。また、第２リード３０ｂを使用する代わりに、半導体レーザ素子５をワイヤで放熱部２０の実装側面Ｂに接続することによって第３リード３０ｃをグランド用リードとしてもよい。

本実施形態では、半導体レーザ素子５として、気密封止して実装する必要がない仕様で設計されたものが使用される。つまり、大気に曝された状態で動作させても何ら不具合が発生しないような仕様で製造されたものである。このため、本実施形態の光半導体素子用ステム１には半導体レーザ素子５を気密封止するためのガラスキャップは設けられず、半導体レーザ素子５が大気に曝された状態で実装が完了する。

放熱部２０の両端側に設けられた各防御部２０ａは、光半導体素子用ステム１自体のハンドリング性を容易にすると共に、光半導体素子用ステム１に半導体レーザ素子５が実装された後のハンドリング時に半導体レーザ素子５やワイヤ１４ａ，１４ｂに損傷を与えないようにするために設けられる。また、２つの防御部２０ａの間は開放されているので、半導体レーザ素子５を搭載する際、あるいは半導体レーザ素子５と第１、第２リード３０ａ，３０ｂとをワイヤで１４ａ，１４ｂで結線する際に、実装側面Ｂの前方向から搭載作業や結線作業を容易に行えるようになっている。

次に、本実施形態の光半導体装置２を光モジュール（ＤＶＤ装置の光ピックアップなど）に実装する方法を説明する。図８には、図７の光半導体素子装置２が光モジュールを構成するための筒状の金属ケース７の開口部７ａに挿入されて実装された様子が描かれている。なお、金属ケースは金属立体の中央部に円形の開口部が設けられた構成であるが、図８では金属ケース７は断面斜視図で描かれている。また、図９は光半導体素子装置２が金属ケース７の開口部７ａに挿入された様子を側方からみた模式側面図、図１０は同じく上側からみた平面図である。

図８〜図１０に示すように、本実施形態の光半導体装置２は、放熱部２０の外側側面Ａの両側の２つの円弧状側面Ａ２が金属ケース７の開口部７ａの円周部の一部に対応して相互に接触するように金属ケース７に挿入されて実装される。このとき、金属ケース７の円形の開口部７ａに放熱部２０を挿入した状態で、その開口部７ａ中で光半導体装置２を回転させることにより、半導体レーザ素子５の光出射面５ａの位置決めが行われる。このため、光半導体装置２の放熱部２０の外側側面Ａは、金属ケース７の開口部７ａ内で回転できるように円弧状の側面を所要箇所に備えた形状であればよい。

またこのとき、金属ケース７の開口部７ａの下側外周部には、光半導体装置２の絶縁性アイレット１０の周縁部に嵌合するガイド部７ｂが設けられており、金属ケース７のガイド部７ｂに光半導体装置２のアイレット１０の周縁部を突き当てることによって、半導体レーザ素子５の光出射面５ａの高さ方向の位置決めが行われる。

光モジュールの金属ケース７は、銅やアルミニウムなどの熱伝導性の高い材料よりなるため、放熱部２０の２つの円弧状側面Ａ２が密着する金属ケース７がヒートシンクの役割を果たして十分な放熱性が得られる。このように、本実施形態の光半導体装置２では、絶縁性アイレット１０を使用して光半導体装置２自体の金属部分の体積が減少するとしても実質的に放熱性が低下することはなく、光半導体装置２自体の放熱性を考慮する必要がなくなる。

しかも、従来技術（図２及び図３）では、半導体レーザ素子が実装された放熱部からその下側のアイレットの外周を迂回して金属ケースに放熱している。これに対して、本実施形態では、放熱部２０の実装側面Ｂの背面から金属ケース７に直接放熱するので、熱抵抗の最短距離で放熱が可能になり、従来技術よりも格段に放熱性を向上させることができる。

さらなる高い放熱性を必要とする場合は、図１１に示される第１変形例の光半導体装置２ａのように、放熱部２０の外側側面Ａを半円柱状にして金属ケース７の開口部７ａの側面と放熱部２０の外側側面Aとが接触する面積を大きくするようにしてもよい。図１１の光半導体装置２ａにおいて、放熱部２０の外側側面Ａの形状以外は図７と同一であるので、同一要素には同一符号を付してその説明を省略する。

また、図１２に示す第２の変形例の光半導体装置２ｂのように、図４の光半導体用ステム１において、放熱部２０の外側側面Ａと反対側に突出する実装部２０ｂを省略して平坦な実装側面Ｂにサブマウント１２を介して半導体レーザ素子５を実装するようにしてもよい。

（第２の実施の形態）
図１３は本発明の第２実施形態の光半導体装置を示す斜視図である。第２実施形態は、本実施形態の光半導体素子用ステムに半導体レーザ素子の他にその出力をモニタする受光素子が実装された形態である。第２実施形態では、第１実施形態と同一要素には同一符号を付してその詳しい説明を省略する。

図１３に示すように、第２実施形態の光半導体装置２ｃでは、放熱部２０の実装部２０ｂの実装側面Ｂに設けられたサブマウント１４の上に半導体レーザ素子５が実装され、さらにその下のサブマウント１４の上に半導体レーザ素子５の光出力をモニタするための受光素子６が実装されている。第２実施形態では、第１リード３０ａが半導体レーザ素子用のリードとなり、第２リード３０ｂが受光素子用のリードとなり、放熱部２０に接続された第３リード３０ｃが共通グランドリードとなる。

そして、半導体レーザ素子５は、ワイヤ１４ａを介して第１リード３０ａに電気接続されると共に、ワイヤ１４ｂで放熱部２０の実装側面Ｂに電気接続されることで放熱部２０を介して共通グランドリードである第３リード３０ｃに電気接続される。また、受光素子６は、ワイヤ１４ｃを介して受光素子用の第２リード３０ｂに電気的に接続されると共に、ワイヤ１４ｄで放熱部２０の実装側面Ｂに電気接続されることで放熱部２０を介して共通グランドリードである第３リード３０ｃに電気接続される。

第２実施形態の光半導体装置２ｃはこのような構成になっており、半導体レーザ素子５の光出射面５ａから上側にレーザ光が出射される。また、半導体レーザ素子５の光出射面５ａと反対面５ｂから放出されるモニタ光を受光素子６が受光し、これに基づいて半導体レーザ素子５のレーザ出力が制御される。

第２実施形態においても、第１実施形態の変形例のステムを適用してもよい。第２実施形態は第１実施形態と同様な効果を奏する。

図１は従来技術の光半導体素子用ステムに光半導体素子が実装されて構成される光半導体装置の一例を示す斜視図である。 図２は従来技術の光半導体装置が光ピックアップを構成する筒状のアルミケースに実装された様子を示す斜視図である。 図３は図２の構造体を裏側からみた斜視図である。 図４は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムを示す斜視図である。 図５は図４の光半導体用ステムを下側からみた斜視図である。 図６は図４の光半導体素子用ステムを上側からみた平面図である。 図７は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムに半導体レーザ素子が実装されて構成される光半導体装置を示す斜視図である。 図８は図７の光半導体装置が光モジュールを構成する金属ケースに挿入された様子を示す斜視図である。 図９は図７の光半導体装置が光モジュールを構成する金属ケースに挿入された様子を側方からみた模式的な側面図である。 図１０は図７の光半導体装置が光モジュールを構成する金属ケースに挿入された様子を上側からみた平面図である。 図１１は本発明の第１実施形態の第１変形例の光半導体装置を示す断面図である。 図１２は本発明の第１実施形態の第２変形例の光半導体装置を示す断面図である。 図１３は本発明の第２実施形態の光半導体装置を示す断面図である。

符号の説明

１…光半導体素子用ステム、２，２ａ,２ｂ，２ｃ…光半導体装置、５…半導体レーザ素子、５ａ…光出射面、６…受光素子、７…金属ケース、７ａ…開口部、７ｂ…ガイド部、１０…絶縁性アイレット、１０ａ…第１開口部、１０ｂ…第２開口部、１０ｃ…第３開口部、１０ｘ、１０ｙ…切り欠き部、１２…サブマウント、１４ａ〜１４ｄ…ワイヤ、２０…放熱部、２０ａ…防御部、２０ｂ…実装部、３０…リード、３０ａ…第１リード、３０ｂ…第２リード、３０ｃ…第３リード、Ａ…外側側面、Ａ１…平坦側面、Ａ２…円弧状側面、Ｂ…実装側面。

Claims (13)

1. 基体部を構成する絶縁性アイレットと、
   前記絶縁性アイレットの上に立設され、平坦側面とその両端側の円弧状側面とから形成される外側側面と、該外側側面と反対側の、光半導体素子を実装するための実装側面とを備えた金属立体から構成される放熱部と、
   前記絶縁性アイレットの下側に延在して設けられたリードとを有し、
   前記放熱部の前記円弧状側面に開口部の側面が接触して前記絶縁性アイレットの上に搭載される金属ケースを備えることを特徴とする光半導体素子用ステム。
2. 基体部を構成する絶縁性アイレットと、
   前記絶縁性アイレットの上に立設され、半円柱状の外側側面と、該外側側面と反対側の、光半導体素子を実装するための実装側面とを備えた金属立体から構成される放熱部と、
   前記絶縁性アイレットの下側に延在して設けられたリードとを有し、
   前記放熱部の前記半円柱状の外側側面に開口部の側面が接触して前記絶縁性アイレットの上に搭載される金属ケースを備えることを特徴とする光半導体素子用ステム。
3. 前記放熱部には、前記実装側面の幅方向の両端部に、該実装側面から突出する防御部がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体素子用ステム。
4. 前記金属ケースは、前記絶縁性アイレットの周縁部に嵌合するガイド部が設けられており、前記金属ケースの前記ガイド部を前記絶縁性アイレットの前記周縁部に突き当てて、前記絶縁性アイレットを取り囲むように搭載されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
5. 前記絶縁性アイレットには前記放熱部及び前記リードに対応部する開口部がそれぞれ設けられており、前記放熱部はその下部が前記開口部にはめ込まれて固定されており、前記リードは前記開口部を貫通してはめ込まれて固定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
6. 前記放熱部の円弧状側面を含んで構成される円の中心部に、前記光半導体素子が実装されるように前記放熱部が構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
7. 前記絶縁性アイレットの裏側の前記開口部に露出する前記放熱部の面にリードがさらに設けられていることを特徴とする請求項５に記載の光半導体素子用ステム。
8. 前記放熱部の前記実装側面に実装される前記光半導体素子は、気密封止して実装する必要がない半導体レーザ素子であり、前記光半導体素子用ステムには前記半導体レーザ素子を気密封止するキャップを設けないことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
9. 前記絶縁性アイレットはプラスチックからなり、前記放熱部は銅からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステムと、
    光出射面が上側になって前記放熱部の実装側面に実装され、前記リードに電気的に接続された半導体レーザ素子とを有することを特徴とする光半導体装置。
11. 前記リードは半導体レーザ素子用リードとグランドリードとを含み、前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子用リード及び前記グランドリードにワイヤを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の光半導体装置。
12. 前記リードは、前記半導体レーザ素子用リード、受光素子用リード及び前記放熱部に電気接続されて固定された共通グランドリードより構成され、
    前記放熱部の実装側面の半導体レーザ素子の下側に実装されて、前記半導体レーザ素子の光出力をモニタする受光素子をさらに有し、
    前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子用リード及び前記放熱部にワイヤで電気的に接続され、前記受光素子は、前記受光素子用リード及び前記放熱部にワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の光半導体装置。
13. 前記素子は、気密封止して実装する必要がないものであり、前記素子はキャップによって気密封止されていないことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の光半導体装置。

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