JP6349238B2 - 半導体装置用ステム及び半導体装置 - Google Patents
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Description
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
図3(a)に示すように、本体部21には、所要の箇所(ここでは、2箇所)に、当該本体部21を厚さ方向(Z方向)に貫通する貫通孔21Zが形成されている。すなわち、各貫通孔21Zは、本体部21の上面21A及び下面を貫通するように形成されている。各貫通孔21Zは、例えば、開口部A1と、本体部21の上面21A側に形成され、開口部A1よりも平面形状が大きく形成された開口部A2とを有している。本例の開口部A1は、例えば略円柱状に形成されている。本例の開口部A2は、例えば略円柱状に形成され、開口部A1よりも大径に形成されている。これら開口部A1及び開口部A2は連通するように形成されている。このため、各貫通孔21Z(開口部A1及び開口部A2)の断面形状は、略Tの字状に形成されている。換言すると、各貫通孔21Zの内壁面には、開口部A2の内壁面と、開口部A2から露出する本体部21の上面21Bと、開口部A1の内壁面とによって段差部B1が形成されている。
リード部30は、リードピン31と、ブッシュ32と、封止材34とを有している。リードピン31は、例えば、円柱状に形成されている。ブッシュ32は、リードピン31の軸方向(長手方向)の中途部分に、封止材34を介して固定されている。ブッシュ32は、例えば、リードピン31が挿通される円筒状に形成されている。すなわち、ブッシュ32の平面視中央部には、当該ブッシュ32を厚さ方向に貫通する貫通孔(中空部)32Zが形成されている。ブッシュ32の一端部(ここでは、上端部)には、径方向外側に向かって突出するとともに外周面に沿って延びる環状(ここでは、円環状)のフランジ33が形成されている。そして、リードピン31は、ブッシュ32の貫通孔32Zに、当該リードピン31の軸方向をブッシュ32の厚さ方向に向けて挿入され、貫通孔32Z内において周囲を封止材34に封止されている。すなわち、ブッシュ32の貫通孔32Z内には、リードピン31が封止材34によって封着された状態で挿通して固定されている。換言すると、封止材34は、貫通孔32Z内に配置されるリードピン31の外周面を封止するように形成され、そのリードピン31の外周面と貫通孔32Zの内壁面との間の空間を充填するように形成されている。
半導体装置11は、ステム10と、半導体素子60と、キャップ70とを有している。半導体素子60としては、例えば、発光素子を用いることができる。発光素子としては、例えば、波長が780nmの半導体レーザチップを用いることができる。
まず、図5に示す工程では、アイレット20と、2つのリード部30とを準備する。アイレット20は、例えば、冷間鍛造プレス等により本体部21及び固定部22を一体に形成して製造することができる。このように、冷間鍛造プレス等により一体に形成することにより、放熱性が高く、精度の良い部品を製造することができる。なお、本体部21と固定部22とが別体である場合には、例えば、冷間鍛造プレス等により本体部21を形成し、その本体部21の上面21A上に、ろう付け等により固定部22を接合することによって、アイレット20を製造することもできる。
次いで、図7に示す工程では、本体部21の上面21Aに、固定部22及びリード部30を取り囲むように環状のシール部40を接合する。例えば、本体部21の上面21Aにシール部40を、銀ろう等のろう材によりろう付けする。なお、本体部21とシール部40との接合を、本体部21とリード部30との接合と同時に行うようにしてもよい。以上の製造工程により、本実施形態のステム10を製造することができる。
続いて、天板部の中央に開口部71Xが設けられたキャップ本体部71と、その開口部71Xの下側に接着剤73によって封着された透明部材74とを有するキャップ70を準備する。次いで、アイレット20上にキャップ70を接合する。例えば、本体部21の上面21Aに形成されたシール部40上にキャップ本体部71のフランジ72を抵抗溶接する。以上の製造工程により、ステム10とキャップ70とによって形成される収容部に半導体素子60が気密封止され、本実施形態の半導体装置11が得られる。
(1)アイレット20を構成する本体部21及び固定部22を、熱伝導率の高い銅又は銅合金から構成するようにした。このため、固定部22に固定された半導体素子60から発する熱を効率良く放熱することができる。これにより、半導体素子60が高出力の半導体素子であっても、その半導体素子60の温度上昇を好適に抑制することができる。
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、ブッシュ32(フランジ33)の上面を、本体部21の上面21Aよりも上方に突出するように形成したが、ブッシュ32の形状はこれに限定されない。
・例えば、フランジ33の直径を、開口部A2の直径よりも一回り小さく設定するようにしてもよい。この場合には、例えば、フランジ33の外側面と開口部A2の内側面とは接着剤50を介しても接触されない。
あるいは、ブッシュ32の下端部にフランジ33を形成するようにしてもよい。この場合には、貫通孔21Zの内壁面のうち本体部21の下面側の内壁面に段差部B1を形成し、リード部30を本体部21の下面側から貫通孔21Zに挿通する。これにより、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。
11 半導体装置
20 アイレット(基体部)
21 本体部
21A,21B 上面
21Z 貫通孔
22 固定部
22A 素子搭載面
30 リード部
31 リードピン
32 ブッシュ
33 フランジ(突出部)
34 封止材
40 シール部
50 接着剤
60 半導体素子
70 キャップ
A1 開口部(第1開口部)
A2 開口部(第2開口部)
B1 段差部
Claims (4)
- 本体部と、前記本体部の上面に設けられ、半導体素子が固定される固定部とを有する基体部と、
前記本体部を厚さ方向に貫通し、内壁面に段差部を有する貫通孔と、
前記貫通孔の内壁面に接着剤を介して外周面が接着された筒状のブッシュと、前記ブッシュに挿通され、封止材により前記ブッシュに固定されたリードピンとを有するリード部と、
前記本体部の上面に、前記固定部及び前記リード部を取り囲むように環状に形成されたシール部と、
を備え、
前記ブッシュは、前記ブッシュの外周面の一部から外側に突出して前記段差部に係止された突出部を有し、
前記突出部の上面は、前記本体部の上面から上方に突出するように形成されており、
前記封止材は、前記リードピンの外周面と前記ブッシュの内壁面との間の空間に充填するように形成されており、
前記本体部及び前記固定部は、前記ブッシュよりも熱伝導率の高い材料からなり、
前記ブッシュは、前記封止材よりも熱膨張係数の大きい材料であって、前記本体部よりも剛性の高い材料からなり、
前記シール部は、前記本体部よりも抵抗率の大きい材料からなることを特徴とする半導体装置用ステム。 - 前記段差部は、第1開口部の内壁面と、前記本体部の上面側に前記第1開口部と連通するように形成され、前記第1開口部よりも大径に形成された第2開口部の内壁面とによって構成され、
前記突出部は、前記ブッシュの上端部の外周面に沿って環状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用ステム。 - 前記本体部及び前記固定部は、銅又は銅合金からなり、
前記ブッシュは、鉄又は鉄合金からなり、
前記封止材は、軟質ガラスからなり、
前記シール部は、鉄又は鉄合金からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置用ステム。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置用ステムと、
前記固定部に固定され、前記リードピンと電気的に接続された半導体素子と、
前記シール部上に接合されたキャップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
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