JP5343291B2 - 発光ダイオードパッケージの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、メタルボディとリードとの間に安定的な絶縁接合関係を維持することが可能な発光ダイオードパッケージおよびその製造方法に関する。
一般に、発光ダイオード(LED:light emitting diode)は、半導体への電圧印加による電場発光現象を用いて光を発生させる。近年、液晶ディスプレイ(LCD:liquid crystal display)のバックライトユニットとして発光ダイオードを採用したものが広く用いられている。ここで、発光ダイオードは、p型半導体結晶とn型半導体結晶とが互いに接合された構造を持つ電光変換型の半導体素子であり、電気信号を光に変換させる特性のため、各種ディスプレイ用光源素子として用いられている。また、発光ダイオードは、周期律表第III族(Al、Ga、In)の元素が第V族(As、P、N、Sb)の元素と化合してできた化合物半導体であって、物質によって光の波長が変わる。また、発光ダイオードの光効率はパッケージの反射構造によって決定され、発光ダイオードの信頼性はパッケージを含むリードフレーム構造からの熱放出能力によって決定される。
従来の技術に係る発光ダイオードパッケージおよびその製造方法は、特許文献1(公告日:2009年6月12日)に開示されている。この特許文献1によれば、従来の技術に係る発光ダイオードパッケージは、大きくはリードフレーム、金属ハウジングおよび絶縁部材からなり、リードフレームと金属ハウジングとの接合は、リードフレームのボンディング部が金属ハウジングのボンディング部の挿入孔に挿入されて絶縁部材で溶融接合されることによりなされる。また、リードフレームと金属ハウジングとの絶縁関係を維持するために、金属ハウジングの底面に設けられるリード挿入溝が空隙を介してリードフレームのリードから離れているようにした。
ところが、このような発光ダイオードパッケージは、リードと金属ハウジングとの絶縁関係が空隙によって維持されるので、外部の衝撃によりリードと金属ハウジングとの間に短絡が発生するという問題点が生じた。
韓国登録特許第10−0902357号明細書
そこで、本発明は、上述した問題点を解決するためのもので、その目的とするところは、リードフレームとメタルボディとの間に安定的な絶縁関係を維持することが可能な発光ダイオードパッケージおよびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードが収容される発光ダイオード収容部と、光を透光させるレンズが取り付けられるレンズ取付部と、放熱するための放熱部とを含み、底面には、リードが挿入されるリード挿入溝、およびリード挿入溝に連通し且つ発光ダイオード収容部を貫通するボンディング用ホールが設けられるメタルボディ部と、メタルボディのリード挿入溝に定着され、絶縁接合剤を媒介としてメタルボディの底面に絶縁接合されるリードとを含んでなる。
また、前記発光ダイオードパッケージは、メタルボディの発光ダイオード収容部に接合され、ボンディング用ホールから露出しているリードとワイヤボンディングされて電気的に連結される発光ダイオード、およびメタルボディのレンズ取付部に取り付けられ、発光ダイオード収容部を密閉させるレンズをさらに含んでもよい
この際、前記メタルボディのボンディング用ホールは、ワイヤボンディングの際に接線することを防止するために、上部が傾斜面をなすように設けられることが好ましい。
また、前記発光ダイオードとリードとのワイヤボンディング部分が絶縁物質でモールドされることが好ましく、発光ダイオードは蛍光体を配合した絶縁物質でモールドされることが好ましい。
また、前記メタルボディの底面には、リードフレームの係止ピンが挿入される係止孔が設けられてもよい。
また、メタルボディのボンディング用ホールに挿入される突起が前記リードに設けられ、前記リードの突起を包みながらメタルボディのボンディング用ホールに挿入される絶縁部材がさらに備えられることにより、リードの突起が絶縁部材を媒介としてメタルボディに溶融接合され、発光ダイオードが突起とワイヤボンディングされて電気的に連結されてもよい。
一方、前記目的を達成するために、本発明に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、発光ダイオードが収容される発光ダイオード収容部と、光を透光させるレンズが取り付けられるレンズ取付部と、放熱するための放熱部とを含み、底面には、リードが挿入されるリード挿入溝、およびリード挿入溝に連通し且つ発光ダイオード収容部を貫通するボンディング用ホールが設けられるメタルボディを製造する一方で、メタルボディのリード挿入溝に定着されて絶縁接合剤を媒介としてメタルボディの底面に絶縁接合されるリードが備えられたリードフレームを製造するメタルボディおよびリードフレーム製造工程と、リードフレームのリードを、絶縁接合剤を媒介としてメタルボディのリード挿入溝に絶縁接合してメタルボディをリードフレームに取り付けるメタルボディ取付工程と、絶縁接合されたリードフレームおよびメタルボディに電気メッキを施すメッキ工程とを含んでなる。
また、前記発光ダイオードパッケージの製造方法は、メッキ工程の後、メタルボディの発光ダイオード収容部に発光ダイオードを接合し、発光ダイオードをボンディング用ホールを介してリードと電気的に連結されるようにワイヤボンディングさせる発光ダイオード取付工程、およびメタルボディのレンズ取付部にレンズを取り付け、発光ダイオード収容部を密閉させるレンズ取付工程をさらに含んでもよい。
また、前記発光ダイオード取付工程と前記レンズ取付工程との間に、発光ダイオードとリードとのワイヤボンディング部分を絶縁物質でモールドするモールディング工程をさらに含んでもよい。この際、モールディング工程では、蛍光体を配合した絶縁物質(D)で発光ダイオードをさらにモールドしてもよい。
上述したように、本発明によれば、発光ダイオードパッケージにおいて、メタルボディのリード挿入溝とリードフレームのリードとを絶縁接合剤で接合することにより、安定的な絶縁接合関係を維持することができる。また、本発明によれば、発光ダイオードを収容するハウジングとしてのメタルボディが金属から出来ているので、発光ダイオードから発生する熱を容易に外部へ放出することができ、発光ダイオードを収容するメタルボディに、光を反射することが可能な物質でメッキが施されるので、光放出効率を高めることができる。
本発明の一実施例に係るメタルボディの上面斜視図である。 本発明の一実施例に係るメタルボディの下面斜視図である。 本発明の一実施例に係るリードフレームを示す図である。 本発明の一実施例に係る、接合されたメタルボディとリードフレームとを示す図である。 本発明の一実施例に係る発光ダイオードパッケージを示す図である。 本発明の他の実施例に係る発光ダイオードパッケージを示す図である。 本発明の一実施例に係る発光ダイオードパッケージの製造方法を示す順序図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本発明と関連した公知の機能および公知の構成については、その具体的な説明が本発明の要旨を不要に乱すおそれがあると判断される場合には、その具体的な説明を省略する。
図1は本発明の一実施例に係るメタルボディの上面斜視図、図2は本発明の一実施例に係るメタルボディの下面斜視図、図3は本発明の一実施例に係るリードフレームを示す図、図4は本発明の一実施例に係る、接合されたメタルボディとリードフレームを示す図、図5は本発明の一実施例に係る発光ダイオードパッケージを示す図、図6は本発明の他の実施例に係る発光ダイオードパッケージを示す図である。
図1〜図6に示すように、本発明に係る発光ダイオードパッケージは、発光ダイオード300が収容される発光ダイオード収容部110と、光を透光させるレンズ400が取り付けられるレンズ取付部120と、放熱するための放熱部130とからなり、底面には、リード210が挿入されるリード挿入溝150、およびリード挿入溝150に連通し且つ発光ダイオード収容部110を貫通するボンディング用ホール140が設けられるメタルボディ100と、メタルボディ100のリード挿入溝150に定着され、絶縁接合剤(A)を媒介としてメタルボディ100の底面に絶縁接合されるリード210と、を含んでなる。
また、前記発光ダイオードパッケージは、メタルボディ100の発光ダイオード収容部110に接合され、ボンディング用ホール140から露出しているリード210とワイヤボンディングされて電気的に連結される発光ダイオード300と、メタルボディ100のレンズ取付部120に取り付けられ、発光ダイオード収容部110を密閉させるレンズ400とをさらに含むことができる。例えば、発光ダイオード300は発光ダイオード収容部110にエポキシ樹脂を用いて接合できる(ここで、発光ダイオード300はLEDチップを意味する。)
好適な一実施例として、前記電気メッキを用いて銀(Ag)メッキを施すことができ、これにより、発光ダイオード300とリード210とのワイヤボンディングがさらに上手く行われるようにすることができ、電気伝導性を高めることができる。また、メタルボディ100は、発光ダイオード300から発光する光を反射して光放出効率を高めることができる。この際、銀メッキの代わりに白金または金などを用いてメッキを施すこともできる。また、電気メッキを用いた銀メッキの前にニッケルメッキを施すことにより、耐食性および耐熱性を高めることもできる。また、絶縁接合されたリード210とメタルボディ100に電気メッキを施すことにより、絶縁接合された部位にはメッキが施されなくなるため、リード210とメタルボディ100との間に絶縁関係を維持することができる。
前記メタルボディ100は、熱伝導率および放熱効率の高い金属または合金で形成される。たとえば、前記メタルボディ100は、銅(397W/mK)およびアルミニウム(230W/mK)のいずれか一つまたはその合金で形成できる。特に、産業上の利用が容易で熱伝導度が高い低価の銅および銅合金で形成されることが好ましい。
前記メタルボディ100のレンズ取付部120はメタルボディ100の上部に位置し、レンズは発光ダイオード収容部110の外側に位置するレンズ取付部120の内側壁に装着可能である。この際、レンズ400は、発光ダイオード300から発光する光を透過させる一般な物質で出来ており、光の指向角を調節する機能を持つように多様な形状を持つことができる。
前記メタルボディ100の放熱部130は、発光ダイオード300から発生する熱を放出するためにメタルボディ100の側面外郭に設けられるものであって、複数の放熱フィン132を備えて外部空気との接触面積を広くすることにより、熱交換面積を広くして熱交換効率を高めることができる。
前記メタルボディ100のボンディング用ホール140は、発光ダイオード300とリードフレーム200のリード210とを電気的に連結するために設けられるホールである。ボンディング用ホール140は、メタルボディ100に収容される発光ダイオード300の個数に応じてその個数が定められる。一般に、メタルボディ100に収容される発光ダイオード300の個数は1個〜3個である(但し、これに限定されない)。この際、ボンディング用ホール140は、1個の発光ダイオード300に2個、すなわち一対のボンディング用ホール140が要求される。また、このようなボンディング用ホール140の個数はリードフレーム200のリード210の個数に相応する。
この際、前記メタルボディ100のボンディング用ホール140は、ワイヤボンディングの際にワイヤ310が接線することを防止するために、上部が傾斜面をなすように設けられることが好ましい。
また、好適な一実施例として、前記発光ダイオード300とリード210とのワイヤボンディング部分が絶縁物質C(例えば、シリコン)でモールドされることが好ましく、特に、前記発光ダイオード300が、蛍光体を配合した絶縁物質D(例えば、シリコンと蛍光体とを配合した物質)でモールドされることが好ましい。モールディング部位は該当部位のみをモールドすることもでき、或いは図6のように発光ダイオードおよびワイヤボンディング部分を全て含む発光ダイオード収容部110を全体的にモールドすることもできる。これにより、ワイヤ310とメタルボディ100間の絶縁関係を維持することができるとともに、蛍光体により発光ダイオード300の光を所定の色で発光するように調節することもできる。蛍光体は公知の技術なので、その詳細な説明を省略する。
前記メタルボディ100のリード挿入溝150は、図示の如く、メタルボディ100の底面に設けられ、溝内に挿入されるリード210の大きさより大きさを有する。
また、前記メタルボディ100の底面には、リードフレーム200の係止ピン230が挿入される係止孔160がさらに設けられてもよい。この際、リードフレーム200は、メタルボディ100の係止孔160に係止される係止ピン230をさらに備えなければならない。これにより、図4に示すように、絶縁接合の際に一定の位置で互いに絶縁接合できる。
また、前記リードフレーム200は、メタルボディ100内に収容される発光ダイオード300が外部に電気的に連結されるようにするためのもので、通電可能な材質で出来ている。一般に、リードフレーム200は純粋銅、銅合金、鉄合金、ニッケル−鉄合金、インバール合金、コバール合金などの金属またはこの金属の属する金属群のいずれか一つからなる。
前記リードフレーム200のリード210は、メタルボディ100のリード挿入溝150に収容されてメタルボディ100のリード挿入溝150と絶縁接合される部分であって、一般な絶縁接合剤Aを用いて絶縁接合される。この際、絶縁接合剤Aは、電気的に非伝導性のガラスおよび絶縁性高分子よりなる群から選ばれる物質である。
また、前記リードフレーム200は、メタルボディ100と絶縁接合される前に、耐食性および耐熱性を高めるためにニッケルメッキを施すことができ、これにより、以後、銀メッキの際に酸化することを防止することができる。或いは、前記リードフレーム200は、電気伝導性を高めるために金、白金または銀でメッキすることもできる。この際、メッキ法は一般に公知のメッキ法を用いることができる。
また、前記リードフレーム200の係止ピン230は、メタルボディ100の係止孔160が係止されるようにするためのものであって、以後、発光ダイオードパッケージの処理中に、リードフレーム200のリード部分を除いた残りの部分が切断されることにより除去できる。また、図3では1つの係止ピン230がメタルボディ100の2つの係止孔160のいずれか一方に係止されることを示しているが、2つの係止ピン230がメタルボディ100の2つの係止孔160にそれぞれ係止されるようにすることもできる。すなわち、係止ピン230または係止孔160は特定の個数に限定されない。
また、好適な一実施例として、メタルボディ100のボンディング用ホール140に挿入される突起215が前記リード210に設けられ、リード210の突起215を包みながらメタルボディ100のボンディング用ホール140に挿入される絶縁部材Bがさらに備えられるため、リード210の突起215が絶縁部材Bを媒介としてメタルボディ100に溶融接合され、発光ダイオード300が突起215とワイヤボンディングされて電気的に連結されることもできる。この際、絶縁部材Bは、電気的に非伝導性のガラスおよび絶縁性高分子よりなる群から選ばれた物質で出来ており、この物質は、メタルボディ100とリードフレーム200にメッキした物質より低い温度で溶融すべきである。これにより、リードフレーム200とメタルボディ100間の接合においてさらに安定した絶縁接合を成すことができる。
一方、図7は本発明の一実施例に係る発光ダイオードパッケージの製造方法を示す順序図である。図7に示すように、本発明に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、発光ダイオード300が収容される発光ダイオード収容部110と、光を透光させるレンズが取り付けられるレンズ取付部120と、放熱するための放熱部130とからなり、底面には、リード210が挿入されるリード挿入溝150、およびリード挿入溝150に連通し且つ発光ダイオード収容部110を貫通するボンディング用ホール140が設けられるメタルボディ100を製造する一方で、メタルボディ110のリード挿入溝150に定着されて絶縁接合剤Aを媒介としてメタルボディ100の底面に絶縁接合されるリード210が備えられたリードフレーム200を製造するメタルボディおよびリードフレーム製造工程(S100)と、リードフレーム200のリード210を絶縁接合剤Aを媒介としてメタルボディ100のリード挿入溝150に絶縁接合してメタルボディ100をリードフレーム200に取り付けるメタルボディ取付工程(S200)と、絶縁接合されたリードフレーム200とメタルボディ100に電気メッキを施すメッキ工程(S300)と、を含んでなる。
好適な一実施例として、メッキ工程(S300)において電気メッキによって銀(Ag)メッキを施すことができ、これにより、発光ダイオード300とリード210とをワイヤボンディングさせる際にボンディングがさらに上手く行われるようにすることができ、電気伝導性を高めることができる。また、メタルボディ100は、発光ダイオード300から発光する光を反射して光放出効率を高めることができる。この際、銀メッキの代わりに、白金または金などを用いてメッキを施すこともできる。また、電気メッキを用いた銀メッキの前にニッケルメッキを施すことにより、耐食性および耐熱性を高めることもできる。また、絶縁接合されたリード210とメタルボディ100に電気メッキを施すことにより、絶縁接合された部位にはメッキが施されなくなるため、リード210とメタルボディ100間の絶縁関係を維持することができる。
また、前記メッキ工程(S300)では、メッキされた発光ダイオードパッケージの不良状態をチェックする外観検査段階がさらに行われることが好ましい。
また、本発明に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、前記メッキ工程(S300)の後、メタルボディ100の発光ダイオード収容部110に発光ダイオード300を接合し、発光ダイオード300をボンディング用ホール140を介してリード210と電気的に連結されるようにワイヤボンディングさせる発光ダイオード取付工程(S400)、およびメタルボディ100のレンズ取付部120にレンズ400を取り付けて発光ダイオード収容部110を密閉させるレンズ取付工程(S500)をさらに含むことができる。
ここで、前記発光ダイオード取付工程(S400)と前記レンズ取付工程(S500)との間に、発光ダイオード300とリード210とのワイヤボンディング部分を絶縁物質(C)でモールドするモールディング工程をさらに含み、前記モールディング工程は、蛍光体を配合した絶縁物質Dで発光ダイオード300をさらにモールドすることもできる。
上述した本発明によれば、発光ダイオードパッケージにおいて、メタルボディ100のリード挿入溝150とリードフレーム200のリード210とを絶縁接合剤で接合することにより、安定的な絶縁接合関係を維持することができる。また、本発明によれば、発光ダイオード300を収容するハウジングとしてのメタルボディ100が金属で出来ているので、発光ダイオード300から発生する熱を容易に外部へ放出することができ、発光ダイオード300を収容するメタルボディ100に、光を反射することが可能な物質でメッキが施されるので、光放出効率を高めることができる。
また、詳細な説明においてリード210とメタルボディ100とが接合されてなる発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードではなく、半導体チップパッケージとして使用されることもできる。
以上、本発明について図面と好適な実施例によって説明したが、本発明は前述した実施例に限定されないことは言うまでもない。当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の精神から外れない範囲内において、多様な変更と修正が可能であることを理解するであろう。また、前記図面は発明の理解を助けるために示されたもので、請求の範囲を限定するものと理解してはならない。
100 メタルボディ
110 発光ダイオード収容部
120 レンズ取付部
130 放熱部
132 放熱フィン
140 ボンディング用ホール
150 リード挿入溝
160 係止孔
200 リードフレーム
210 リード
230 係止ピン
300 発光ダイオード
310 ワイヤ
400 レンズ

Claims (4)

  1. 発光ダイオードが収容される発光ダイオード収容部と、光を透過させるレンズが取り付けられるレンズ取付部と、放熱するための放熱部とからなり、底面には、リードが挿入されるリード挿入溝、および前記リード挿入溝に連通し且つ前記発光ダイオード収容部を貫通するボンディング用ホールが設けられるメタルボディを製造する一方で、前記メタルボディの前記リード挿入溝に定着されて絶縁接合剤を媒介として前記メタルボディの底面に絶縁接合される平面形状のリードが備えられたリードフレームを製造するメタルボディおよびリードフレーム製造工程と、
    前記リードフレームの平面形状のリードを絶縁接合剤を媒介として前記メタルボディの前記リード挿入溝に絶縁接合して前記メタルボディを前記リードフレームに取り付けるメタルボディ取付工程と、
    絶縁接合された前記リードフレームおよび前記メタルボディの全体に電気メッキを施すメッキ工程とを含んでなることを特徴とする、発光ダイオードパッケージの製造方法。
  2. 前記メッキ工程の後、前記メタルボディの前記発光ダイオード収容部に前記発光ダイオードを接合し、前記発光ダイオードを前記ボンディング用ホールを介して前記リードと電気的に連結されるようにワイヤボンディングさせる発光ダイオード取付工程と、
    前記メタルボディの前記レンズ取付部に前記レンズを取り付けて前記発光ダイオード収容部を密閉させるレンズ取付工程とをさらに含むことを特徴とする、請求項に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  3. 前記発光ダイオード取付工程と前記レンズ取付工程との間に、前記発光ダイオードと前記リードとのワイヤボンディング部分を絶縁物質でモールドするモールディング工程をさらに含むことを特徴とする、請求項に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  4. 前記モールディング工程は蛍光体を配合した絶縁物質で前記発光ダイオードをさらにモールドすることを特徴とする、請求項に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
JP2010011249A 2009-12-16 2010-01-21 発光ダイオードパッケージの製造方法 Expired - Fee Related JP5343291B2 (ja)

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012028699A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法
DE102011013277A1 (de) * 2011-03-07 2012-09-13 Schott Ag Gehäuse für Hochleistungsleuchtdioden - "2-Lagen-System"
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN103000793A (zh) * 2011-09-14 2013-03-27 华夏光股份有限公司 发光二极管封装结构与封装方法
KR102098132B1 (ko) * 2013-07-12 2020-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
DE102013225552A1 (de) * 2013-12-11 2015-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR102221599B1 (ko) 2014-06-18 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102252156B1 (ko) * 2014-07-08 2021-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US10787303B2 (en) 2016-05-29 2020-09-29 Cellulose Material Solutions, LLC Packaging insulation products and methods of making and using same
US11078007B2 (en) 2016-06-27 2021-08-03 Cellulose Material Solutions, LLC Thermoplastic packaging insulation products and methods of making and using same
EP3439050B1 (en) * 2017-08-02 2020-10-28 Lg Innotek Co. Ltd Light emitting device package
KR102379834B1 (ko) * 2017-08-24 2022-03-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
EP3451396B1 (en) * 2017-09-05 2024-07-17 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device package
KR102641336B1 (ko) 2017-09-05 2024-02-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
CN108470813A (zh) * 2018-05-24 2018-08-31 郑州森源新能源科技有限公司 一种led光源
US11600754B2 (en) * 2018-11-29 2023-03-07 Lumileds Llc Light-emitting device and method of packaging the same
CN109768147B (zh) * 2018-12-29 2021-06-08 中山市木林森电子有限公司 一种led封装结构及其制造方法
CN113488437B (zh) * 2021-05-31 2024-04-19 安庆市晶科电子有限公司 一种晶体管安装外壳

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09186262A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Toshiba Corp 混成集積回路装置
JP3606490B2 (ja) * 1996-03-18 2005-01-05 互応化学工業株式会社 整髪用樹脂組成物
JP2002093936A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Ibiden Co Ltd 電子部品搭載用基板
JP3891115B2 (ja) * 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP1503428B1 (en) * 2002-04-25 2011-08-17 Nichia Corporation Light-emitting device using fluorescent substance
JP4254470B2 (ja) * 2003-10-10 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置
US7733002B2 (en) * 2004-10-19 2010-06-08 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device provided with an alkaline earth metal boric halide phosphor for luminescence conversion
CN101238244B (zh) * 2005-01-24 2011-03-30 株式会社昭和 采用阳极电解氧化处理的结晶性氧化钛被膜的制造方法
KR100688626B1 (ko) 2005-05-07 2007-03-02 아로 주식회사 발광다이오드용 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛
JP2006324438A (ja) * 2005-05-18 2006-11-30 Hitachi Cable Precision Co Ltd ヒートシンク付表面実装型ledパッケージの製造方法
JP2006344717A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2007015325A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導性基板の成型方法
US7966011B2 (en) 2007-03-26 2011-06-21 Qualcomm Incorporated Determining per sector received power level
TW200849654A (en) * 2007-06-12 2008-12-16 Hectotek Corp LED packaging base unit and manufacturing method thereof
KR100902357B1 (ko) * 2007-11-05 2009-06-12 아로 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100997198B1 (ko) * 2008-05-06 2010-11-29 김민공 프레스 단조 방식의 발광다이오드 금속제 하우징 및 금속제하우징을 이용한 발광다이오드 금속제 패키지

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