KR100665182B1 - 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

고출력 LED 패키지를 제공한다.

본 발명은 전원인가시 빛을 발생시키는 발광칩; 상기 발광칩이 바닥면에 탑재되고, 일정각도로 경사진 내부면에 반사판을 갖는 전도성 반사컵; 상기 반사컵이 삽입되어 배치되는 적어도 하나의 배치공이 관통형성되고, 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 제 1,2외부전극이 패턴인쇄된 기판; 및 상기 기판과 상단이 접합되고, 상기 반사컵의 외부면이 절연체를 매개로 밀착되어 고정되는 적어도 하나의 배치홈을 상부면에 함몰형성한 방열체 ; 를 포함한다.

본 발명에 의하면, 방열특성이 우수하여 제품의 신뢰성을 높일 수 있으며, 구성부품수를 줄이고 조립공정을 단순화하여 작업생산성을 향상시키고, 정밀한 기계가공을 배제하여 제조원가를 절감할 수 있다.

LED, 패키지, 반도체 소자, 방열부, 금속층, 몰드부, 렌즈, 충진제

Description

고출력 ＬＥＤ 패키지 및 그 제조방법{HIGH POWER LED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF}

도 1은 종래 고출력 LED 패기지를 도시한 것으로써,

(a)는 몸체중앙을 종단면한 사시도이고,

(b)는 기판상에 조립된 패키지의 종단면도이다.

도 2는 본 발명에 따른 고출력 LED 패키기의 제 1실시예를 도시한 것으로써,

a)는 종단면도이고,

b)는 평면도이다.

도 3은 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 1실시예를 도시한 사시도이다.

도 4는 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 2실시예를 도시한 종단면도이다.

도 5는 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 3실시예를 도시한 종단면도이다.

도 6은 본 발명에 따른 고출력 LED 패키기의 제 4실시예를 도시한 것으로써,

a)는 종단면도이고,

b)는 평면도이다.

도 7은 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 4실시예를 도시한 사시도이다.

도 8은 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 5실시예를 도시한 종단면도이다.

도 9는 본 발명에 따른 고출력 LED 패키지의 제 6실시예를 도시한 것으로써,

a)는 종단면도이고,

b)는 평면도이다.

도 10은 본 발명에 따른 고출력 LED 패키지에 채용되는 반사컵을 제조하는 공정도로써,

(a)는 전도성 반사컵의 공정도이고,

(b)는 비전도성 반사컵의 공정도이며,

(c)는 비전도성 반사컵에 수직형, 수평형 발광칩을 탑재한 상태도이다.

도 11은 본 발명에 따른 고출력 LED 패키지에 채용되는 기판을 제조하는 공정도이다.

도 12는 본 발명에 따른 고출력 LED 패키지에 채용되는 방열체를 제조하는 공정도이다.

도 13(a)(b)(c)(d)(e)(f)는 본 발명에 따른 고출력 LED 패키지를 제조하는 공정도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

110 : 발광칩 115,115a,115b : 와이어

120.120a : 반사컵 121 : 플랜지부

122 : 몸체 123 : 반사판

124 : 절연막 130 : 기판

131 : 제 1외부전극 132 : 제 2외부전극

133 : 배치공 140 : 방열체

145 : 배치홈 149 : 냉각핀

150 : 수지부 170 : 구동회로부

본 발명은 고출력 LED 패키지에 관한 것으로, 보다 상세히는 우수한 방열특성을 얻을 수 있고, 전체 구성부품수를 줄이며, 조립구조 및 공정을 보다 단순화하여 제조원가를 절감할 수 있는 고출력 LED 패키지와 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 전류가 흐를 때 빛을 내는 반도체 발광소자이며, GaAs, GaN 광반도체로 이루어진 PN 접합 다이오드(junction diode)로 전기에너지를 빛에너지로 바꾸어 주는 것이다.

이러한 LED로부터 나오는 빛의 영역은 레드(630nm~700nm)로부터 블루-Violet(400nm)까지로 블루, 그린 및 화이트까지도 포함하고 있으며, 상기 LED는 백열전구와 형광등과 같은 기존의 광원에 비해 저전력소비, 고효율, 장시간 동작 수명등의 장점을 가지고 있어 그 수요가 지속적으로 증가하고 있는 실정이다.

최근에 LED는 모바일 단말기의 소형조명에서 실내외의 일반조명, 자동차 조명, 대형 LCD(Liquid Crystal Display)용 백라이트(Backlight)로 그 적용범위가 점 차 확대되고 있다.

한편, 전류인가시 발생되는 빛의 세기에 비레하여 발광원인 반도체소자에 인가되는 전력은 증가되는데, 이에 따라 전력소모가 많은 고출력 LED에는 발광시 발생되는 열에 의해 반도체 소자 및 패키지자체가 열화되어 손상되는 것을 방지할 수 있도록 방열구조를 채용하는 것이 일반적이다.

도 1(a)는 종래 고출력 LED 패키지의 몸체중앙을 종단면한 사시도이고, 도 1(b)는 종래 고출력 LED 패키지가 기판상에 조립된 종단면도로써, 종래 LED 패키지(10)는 도시한 바와 같이, 발광원인 반도체 소자(11)와, 이를 상부면 중앙에 탑재하는 방열체(12)를 구비한다.

상기 반도체 소자(11)는 외부전원과 연결되어 전류가 인가되도록 복수개의 금속제 와이어(13)를 매개로 하여 복수개의 리드 프레임(14)과 전기적으로 연결된다.

상기 방열체(12)는 상기 반도체 소자(11)의 발광시 발생되는 열을 외부로 방출하여 냉각하는 수단이며, 열전도성이 우수한 소재로 이루어진 접착수단(12a)을 매개로 하여 기판(19)상에 장착된다.

상기 리드 프레임(14)은 몸체중앙에 상기 방열체(12)를 삽입하여 조립할 수 있도록 성형시 별도의 조립공(15a)을 관통형성한 몰드부(15)에 일체로 구비되며, 상기 몰드부(15)에는 상기 와이어(13)와의 와이어본딩이 이루어지도록 리드 프레임(14)의 일단이 노출되며, 상기 리드 프레임(14)의 타단은 패드(14a)를 매개로 하여 기판(19)상에 인쇄된 패턴회로(19a)와 전기적으로 연결된다.

상기 몰드부(15)의 상부면에는 상기 반도체소자(11)의 발광시 발생된 빛을 외부로 넓게 발산시키는 렌즈(16)를 구비하며, 상기 몰드부(15)와 렌즈(16)사이의 공간에는 상기 반도체 소자(11)와 와이어(13)는 보호하면서 발광된 빛을 그대로 투사시키도록 투명한 실리콘 수지로 이루어진 충진제(17)가 채워지게 된다.

그러나, 이러한 구조를 갖는 종래의 LED 패키지(10)는 상기 리드 프레임(14)을 사전에 설정된 형상에 맞추어 타공하고, 절곡하는 프레임가공공정과, 상기 리드프레임(14)이 몰드부(15)에 일체로 고정되도록 하는 성형공정이 수반되기 때문에 패키징 공정이 매우 복잡하여 작업생산성을 저하시키고, 구성부품수가 많아 제조원가를 상승시키는 원인이 되었다.

또한, 상기 몰드부(15)에 삽입되는 금속구조물인 방열체(12)는 상기 반도체 소자가 탑재되는 캐비티의 상부면과 발광된 빛을 반사시킬 수 있는 반사판을 구비하기 위한 경사면을 별도의 기계가공에 의해서 정밀하게 가공해야만 하기 때문에, 패키지의 제조비용이 과다하게 소요되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로써, 그 목적은 방열특성이 우수하여 제품의 신뢰성을 높일 수 있으며, 구성부품수를 줄이고 조립공정을 단순화하여 작업생산성을 향상시키고, 정밀한 기계가공을 배제하여 제조원가를 절감할 수 있는 고출력 LED 패키지및 그 제조방법을 제공하고자 한 다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,

전원인가시 빛을 발생시키는 발광칩;

상기 발광칩이 바닥면에 탑재되고, 일정각도로 경사진 내부면에 반사판을 갖는 전도성 반사컵;

상기 반사컵이 삽입되어 배치되는 적어도 하나의 배치공이 관통형성되고, 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 제 1,2외부전극이 패턴인쇄된 기판; 및

상기 기판과 상단이 접합되고, 상기 반사컵의 외부면이 절연체를 매개로 밀착되어 고정되는 적어도 하나의 배치홈을 상부면에 함몰형성한 방열체 ; 를 포함하는 고출력 LED 패키지를 제공한다.

바람직하게는 상기 발광칩은 P,N전극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 발광다이오드이다.

보다 바람직하게는 상기 발광칩의 전극은 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 반사컵의 바닥면에 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극중 나머지 하나와 와이어를 매개로 연결된다.

바람직하게는 상기 발광칩은 P,N전극이 상부면에 형성된 수평형 발광다오드이다.

보다 바람직하게는 상기 발광칩의 전극은 상기 제 1,2외부전극과 복수개의 와이어를 매개로 각각 연결된다.

바람직하게는 상기 반사컵은 바닥면으로 갈수록 폭이 좁아지는 단면상의 몸체와, 상기 배치공에 걸리도록 상기 몸체의 상단에 형성되는 플랜지부를 포함한다.

보다 바람직하게는 상기 플랜지부는 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 접합된다.

바람직하게는 상기 절연막은 열전도성 절연소재로 구비된다.

바람직하게는 상기 절연막은 상기 반사컵의 최하부 외부면으로부터 상기 기판과 대응하는 상부 외부면까지 구비된다.

바람직하게는 상기 배치공의 내부면은 상기 반사컵의 경사진 외부면과 동일한 경사각도로 구비된다.

바람직하게는 상기 방열체는 방열표면적을 높일 수 있도록 하부로 개방된 적어도 하나의 냉각핀을 구비한다.

바람직하게는 상기 방열체는 내부에 냉각용 액체가 채워지는 캐비티를 갖는 금속몸체로 구비된다.

바람직하게는 상기 방열체는 하부면에 전기적인 교류/직류작용을 제어하는 구동회로부를 추가 구비한다.

바람직하게는 상기 반사컵과 기판상에는 상기 발광칩을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명성 수지가 채워지는 수지부를 추가 포함한다.

보다 바람직하게는 상기 반사컵에 채워지는 투명성 수지는 상기 발광칩으로부터 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질을 포함한다.

바람직하게는 상기 발광칩의 상부에는 적어도 하나의 렌즈를 추가 포함한다.

또한,본 발명은

전원인가시 빛을 발생시키는 발광칩;

상기 발광칩이 바닥면에 탑재되고, 일정각도로 경사진 내부면에 반사판을 갖는 비전도성 반사컵;

상기 반사컵이 삽입되어 배치되는 적어도 하나의 배치공이 관통형성되고, 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 제 1,2외부전극이 패턴인쇄된 기판; 및

상기 기판과 상단이 접합되고, 상기 반사컵의 외부면이 밀착되어 고정되는 적어도 하나의 배치홈을 상부면에 함몰형성한 방열체 ; 를 포함하는 고출력 LED 패키지를 제공한다.

바람직하게는 상기 발광칩은 P,N전극이 상부면에 형성된 수평형 발광다이오드이다.

보다 바람직하게는 상기 발광칩의 전극은 상기 제 1,2외부전극과 복수개의 와이어를 매개로 각각 연결된다.

바람직하게는 상기 발광칩은 P,N전극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 발광다이오드이다..

보다 바람직하게는 상기 발광칩의 전극은 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 반사컵의 내부면에 형성된 내부배선과 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극중 나머지 하나와 와이어를 매개로 연결된다.

바람직하게는 상기 반사컵은 바닥면으로 갈수록 폭이 좁아지는 단면상의 몸체와, 상기 배치공에 걸리도록 상기 몸체의 상단에 형성되는 플랜지부를 포함한다.

바람직하게는 상기 반사컵은 열전도성 접착제를 매개로 하여 상기 방열체의 배치홈에 조립된다.

바람직하게는 상기 배치공의 내부면은 상기 반사컵의 경사진 외부면과 동일한 경사각도로 구비된다.

바람직하게는 상기 방열체는 방열표면적을 높일 수 있도록 하부로 개방된 적어도 하나의 냉각핀을 구비한다.

바람직하게는 상기 방열체는 내부에 냉각용 액체가 채워지는 캐비티를 갖는 금속몸체로 구비된다.

바람직하게는 상기 방열체는 하부면에 전기적인 교류/직류작용을 제어하는 구동회로부를 추가 구비한다.

바람직하게는 상기 반사컵과 기판상에는 상기 발광칩을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명성 수지가 채워지는 수지부를 추가 포함한다.

바람직하게는 상기 반사컵에 채워지는 투명성 수지는 상기 발광칩으로부터 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질을 포함한다.

바람직하게는 상기 발광칩의 상부에는 적어도 하나의 렌즈를 추가 포함한다.

또한, 본 발명은,

a. 반사컵을 제공하는 단계;

b. 상부면에 제 1,2외부전극이 패턴인쇄되고 적어도 하나의 배치공이 관통형성된 기판을 제공하는 단계;

c. 상기 배치공과 일치되는 배치홈을 상부면에 함몰형성한 방열체를 제공하는 단계;

d. 상기 방열체의 상부면에 상기 기판의 하부면을 접합하는 단계; 및

e. 상기 반사컵의 바닥면에 발광칩을 탑재하여 상기 기판과 전기적으로 연결하는 단계; 를 포함하는 고출력 LED 패키지 제조방법을 제공한다.

바람직하게는 상기 a 단계는 금속원판을 상,하부금형사이에 배치하여 프레싱하는 단계와, 상부는 개방되고 하부는 밀폐된 컵상의 몸체와, 상기 몸체의 상단으로 부터 외주방향으로 확장된 플랜지부로 이루어진 전도성 반사컵을 형성하는 단계 및 상기 반사컵에 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.

보다 바람직하게는 상기 절연막은 상기 전도성 반사컵을 열전도성이 우수한 수지액이 채워진 욕조내로 침지시켜 형성한다.

보다 바람직하게는 상기 절연막은 상기 전도성 반사컵의 하부면으로부터 상기 몸체와 플랜지부사이의 경계부위까지 도포된다.

보다 바람직하게는 상기 몸체의 경사진 내부면에 반사막을 형성한다.

바람직하게는 상기 a 단계는 비전도성 소재를 상,하부금형사이의 캐비티내로 주입하는 단계와, 상기 상,하부금형을 일정시간 경과후 분리하여 상부는 개방되고 하부면은 밀페된 컵상의 몸체와, 그 최상단으로부터 수평방향으로 연장되는 플랜지부로 이루어진 비전도성 반사컵을 성형하는 단계를 포함한다.

보다 바람직하게는 상기 비전도성 반사컵의 내부면에는 적어도 하나의 내부전극을 형성한다.

보다 바람직하게는 상기 몸체의 경사진 내부면에 반사막을 형성한다.

바람직하게는 상기 c단계는 상기 방열체의 성형시 하부면에 하부로 개방된 냉각핀을 형성한다.

바람직하게는 상기 d단계는 상기 기판의 배치공과 상기 방열체의 배치홈의 중심이 동일한 수직축상에 위치되도록 상하접합된다.

바람직하게는 상기 e단계는 상기 발광칩의 전극이 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 전도성 반사컵의 바닥면에 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극중 나머지 하나와 와이어를 매개로 연결된다.

보다 바람직하게는 상기 발광칩은 P,N극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 발광다이오드이다.

바람직하게는 상기 e단계는 상기 발광칩의 전극이 상기 제 1,2외부전극과 복수개의 와이어를 매개로 각각 연결된다.

보다 바람직하게는 상기 발광칩은 P,N전극이 상부면에 형성된 수평형 발광다이오드이다.

바람직하게는 상기 e단계는 상기 발광칩의 전극이 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 비전도성 반사컵의 내부면에 형성된 내부배선과 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극중 나머지 하나와 와이어를 매개로 연결된다.

바람직하게는 상기 반사컵과 기판상에 투명성 수지를 채워 수지부를 성형하는 g 단계를 추가 포함한다.

보다 바람직하게는 상기 g단계는 상기 투명성 수지에 백색광을 유색광으로 전환하여 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질을 포함한다.

바람직하게는 상기 g단계는 상기 발광칩의 상부에 발광된 빛의 출사각을 넓히거나 좁힐 수 있도록 빛을 굴절시키는 렌즈를 적어도 하나 배치한다.

바람직하게는 상기 방열체의 하부면에 전기적인 교류/직류작용을 제어할 수 있도록 구동회로부를 구비하는 h단계를 추가 포함한다.

이하,본 발명에 대하여 첨부된 도면에 따라 보다 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 고출력 LED 패키기의 제 1실시예를 도시한 것으로써, a)는 종단면도이고, b)는 평면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 1실시예를 도시한 사시도이다.

본 발명의 LED 패기지(100)는 도 2(a)(b)와 도 3에 도시한 바와같이, 구성부품수를 줄이고 조립공정을 단순화할 수 있도록 발광칩(110), 반사컵(120), 기판(130) 및 방열체(140)를 포함하여 구성된다.

즉, 상기 발광칩(110)은 전원인가시 일정세기의 빛을 발생시킴과 동시에 인가되는 전류세기에 비례하여 열을 발생시키는 적어도 하나의 반도체 소자이다.

이러한 반도체 소자는 활성층과 이를 감싸는 클래드층으로 이루어지는 GaAlAs계, 고밀도 광디스크의 적색반도체 레이저소자에 사용되는 AlGain계, AlGainP계, AlGainPAs계와, 트랜지스터등의 전자디바이스에 사용되는 GaN계등과 같은 재료를 이용하여 구성되지만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 반도체 재료로 다양하게 구성될 수 있다.

여기서, 상기 발광칩(110)인 발광다이오드는 상기 반사컵(120)의 상부면에 직접 탑재될 수도 있지만 Au-Sn, Pb-Sn등과 같은 납땜재나 Ag페이스트와 같은 접착수단을 매개로 하여 서브마운트(미도시)의 상부면에 접착고정된 상태에서 상기 반사컵(120)의 상부면에 전도성 접착제를 매개로 하여 탑재될 수도 있다.

상기 반사컵(120)은 도 2(a)(b)와 도 3에 도시한 바와같이, 상기 발광칩(110)이 바닥면에 탑재되도록 상부로 개방된 내부공간을 갖는 컵상으로 구비되며, 전도성 금속재를 소재로 하는 금속구조물이다.

이러한 반사컵(120)은 상기 발광칩(110)이 탑재되는 바닥면으로 갈수록 폭이 좁아지는 단면상의 몸체(122)와, 상기 기판(130)의 제 1,2외부전극(131)(132)중 어느 하나와 하면이 접합되어 전기적으로 연결되도록 상기 몸체(122)의 최상단부로부터 외주방향으로 확장되는 플랜지부(121)를 구비한다.

상기 몸체(122)의 경사진 내부면에는 상기 발광칩(110)의 발광시 발생되는 빛을 반사시킬 수 있도록 반사물질이 고르게 도포된 반사판(123)을 구비한다.

여기서, 상기 반사컵(120)의 외부면에는 금속제로 이루어진 전도성 반사컵(120)과 상기 방열체(140)사이를 절연함과 동시에 상기 발광칩(110)의 발광시 발생 되는 열을 상기 방열체(140)측으로 용이하게 전달할 수 있도록 열전도성이 우수한 실리콘, 에폭시 계열의 열전도성 절연소재로 이루어진 절연막(124)이 일체로 구비되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 절연막(124)은 상기 플랜지부(121)와 제 1,2외부전극(131)(132)중 어느 하나와의 전기적인 연결이 가능하도록 상기 반사컵(120)의 최하부면으로부터 상기 기판(130)과 대응하는 상부외부면까지 구비되는 것이 바람직하다.

상기 기판(130)은 도 2(a)(b)와 도 3에 도시한 바와같이,상기 반사컵(120)이 상부로부터 하부로 삽입되어 배치되는 적어도 하나의 배치공(133)을 관통형성한 저온소성세라믹과 같은 기판부재이다.

이러한 기판(130)의 상부면에는 상기 발광칩(110), 반사컵(120)과 전기적으로 연결되도록 제 1,2외부전극(131)(132)이 다양한 형태로 패턴인쇄되며, 상기 방열체(140)의 상부면에 접합된다.

여기서 상기 발광칩(110)이 도 2(a)에 도시한 바와 같이 P극,N극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 발광다이오드로 구비되는 경우, 상기 발광칩(110)은 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 반사컵(120)의 바닥면에 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 나머지 하나와 금속성 와이어(115)를 매개로 하여 연결된다.

이때, 상기 반사컵(120)의 플랜지부(121)는 상기 배치공(133)내로의 반사컵(120)삽입시 상기 기판(130)의 상부면에 걸리도록 상기 배치공(133)의 내경보다 큰 외경크기로 구비되며, 상기 배치공(133)의 주변에 패턴인쇄된 제 2외부전극(132)과 유테틱 본딩(Eutectic Bonding), 솔더 본딩(Solder Bonding) 또는 브레이징(Brazing)방식중 어느 하나에 의해서 접합되어 전기적으로 연결된다.

상기 배치공(133)의 내부면은 상기 반사컵(120)의 경사진 외부면과 밀착되도록 상기 반사컵(120)의 경사진 외부면과 동일한 경사각도로 구비되어야 한다.

도 4는 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 2실시예를 도시한 종단면도로써, 도시한 바와같이, 상기 발광칩(110)이 P극,N극이 상부면에 각각 형성된 수평형 발광다이오드로 구비되는 경우, 상기 발광칩(110)은 상기 제 1,2외부전극(131)(132)과 금속성 와이어(115a)(115b)를 매개로 하여 연결된다.

이때, 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 어느 하나는 상기 반사컵(120)의 플랜지부(121)와 전기적으로 연결될 수도 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.

한편, 상기 기판(130)이 상부면에 본딩제를 매개로 하여 일체로 접착되는 방열체(140)는 상기 반사컵(120)의 외부면에 구비된 절열막(124)이 내부면에 밀착되어 고정되는 적어도 하나의 배치홈(145)을 상부면에 함몰형성한 방열부재이다.

이러한 방열체(140)는 상기 발광칩(110)의 발광시 발생되는 열을 반사컵(120)의 몸체외부면으로부터 전달받아 외부로 방출할 수 있도록 열전도성이 우수한 금속소재로 구비되는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로는 구리, 은, 알루미늄, 철, 니켈 및 텅스텐중 어느 하나의 금속재 또는 이들을 적어도 하나 이상 포함하는 합금재로 구성될 수 있으며, 그 외부면은 니켈, 은, 금중 어느 하나의 금속재 또 는 이들을 적어도 하나 이상 포함하는 합금재로 도금처리될 수도 있다.

상기 방열체(140)는 방열시 방열표면적을 높일 수 있도록 금속몸체에 하부로 개방된 적어도 하나의 냉각핀(149)을 구비하며, 상기 냉각핀(149)은 상기 방열체(140)의 성형시 배치홈(145)과 더불어 구비된다.

도 5는 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 3실시예를 도시한 종단면도로써, 이는 상기 방열체(140)가 몸체전체가 하나의 금속체로 이루어져도 좋지만 도시한 바와같이, 내부에 외부환경과 완전히 차단되는 일정크기의 캐비티를 형성하고, 이에 전도된 열을 냉각시킬 수 있도록 냉각용 액체(142)가 채워지는 금속몸체(141)으로 구비될 수도 있다.

상기 금속몸체(141)의 외부면에는 상기 캐비티내로 냉각용 액체(142)를 주입하고 빼낼수 있도록 적어도 하나의 출입구(미도시)를 구비하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 방열체(140)의 하부면에는 전기적인 교류/직류작용을 제어할 수 있도록 정류기, 변압기및 소켓과 같은 전자부품이 실장된 구동회로부(170)를 구비하며, 이는 상기 기판(130), 방열체(140)를 관통하는 비어홀(미도시)을 매개로 하여 상기 기판(130)과 전기적으로 연결되어 상기 발광칩(110)으로 공급되는 전원의 전류, 전압을 제어한다.

또한, 상기 반사컵(120)과 기판(130)상에는 상기 발광칩(110)과 제 1,2외부전극(131)(132)및 와이어(115)(115a)(151b)를 외부환경으로 부터 보호하면서 발광된 빛을 외부로 조사할 수 있도록 투명성 수지로 채워져 성형되는 수지부(150)를 추가하여 포함한다.

여기서, 상기 반사컵(120)내에 채워지는 투명성 수지는 상기 반사컵(120)에 탑재되는 발광칩(110)으로부터 발생되는 빛이 R,G,B계열의 파장을 갖는 유색광을 백색광으로 전환하여 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질을 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 발광칩(110)의 상부에 해당하는 반사컵의 상부면 또는 수지부의 상부면에 발광된 빛의 출사각을 넓히거나 좁힐 수 있도록 빛을 굴절시키는 렌즈(L)를 적어도 하나 구비하는 것이 바람직하다.

도 6은 본 발명에 따른 고출력 LED 패키기의 제 4실시예를 도시한 것으로써, a)는 종단면도이고, b)는 평면도이며, 도 7은 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 4실시예를 도시한 사시도이다.

본 발명의 고출력 LED패키지(100a)는 도 6(a)(b)와 도 7에 도시한 바와같이,발광칩(110), 반사컵(120a), 기판(130) 및 방열체(140)를 포함하여 구성되며, 실시예 1의 구성과 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.

상기 반사컵(120a)은 상기 발광칩(110)이 바닥면에 탑재되도록 상부로 개방된 내부공간을 갖는 컵상으로 구비되며, 비전도성 금속재 또는 수지재를 소재로 하는 비전도성 구조물이다.

이러한 비전도성 반사컵(120a)은 상기와 마찬가지로 바닥면으로 갈수록 폭이 좁아지는 단면상의 몸체(122)와, 상기 몸체(122)의 최상단부로부터 외주방향으로 확장되는 플랜지부(121)를 구비하며, 상기 몸체(122)의 경사진 내부면에는 반사물질이 고르게 도포된 반사판(123)을 구비한다.

상기 발광칩(110)이 도 6(a)(b)와 도 7에 도시한 바와같이, P극,N극이 상부면에 형성된 수평형 발광다이오드로 구비되는 경우, 상기 발광칩(110)은 상기 기판(130)에 패턴인쇄된 제 1,2외부전극(131)(132)과 복수개의 와이어(115a)(115b)를 매개로 하여 각각 연결된다.

도 8은 본 발명에 따른 고출력 LED패키지의 제 5실시예를 도시한 종단면도로써, 도시한 바와같이, 상기 발광칩(110)이 P극,N극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 발광다이오드로 구비되는 경우, 상기 발광칩(110)은 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 반사컵(120)의 내부면에 형성된 내부배선(115c)과 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 나머지 하나와 와이어(115a)를 매개로 연결될 수도 있다.

여기서, 상기 발광칩(110)이 탑재되는 다른 형태의 반사컵(120a)은 비전도성 소재로 구성되기 때문에, 상기와 같이 절연막을 외부면에 형성하는 공정의 필요없이 상기 방열체(140)의 배치홈(145)에 밀착되어 고정된다.

이때, 상기 반사컵(120a)은 열전도성이 우수한 접착제를 매개로 하여 상기 방열체(140)의 배치홈에 조립될 수 있다.

상기 방열체(140)는 상기와 마찬가지로 몸체에 하부로 개방된 냉각핀(149)을 구비하거나 내부에 외부환경과 완전히 차단되어 냉각용 액체(142)가 채워지는 일정크기의 캐비티를 형성할 수도 있다.

도 9는 본 발명에 따른 고출력 LED 패키지의 제 6실시예를 도시한 것으로써, a)는 종단면도이고, b)는 평면도이다.

본 발명의 패키지(100c)는 복수개의 발광칩(110)을 개별적으로 탑재할 수 있도록 하나의 기판(130c)상에 복수개의 반사컵(120)을 구비하여 조명효율을 단일구조에 비하여 현저히 높일수 있는 것으로, 제 1실시예의 패키지와 동일한 부재에 대해서는 동일부호를 부여하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.

상기 발광칩(110)과 와이어(115)를 매개로 연결되는 기판(130c)은 복수개의 반사컵(120)을 적절히 삽입배치할 수 있도록 일정크기의 배치공(133c)를 상부면에 복수개 관통형성하고, 상기 배치공(133c)의 테두리에는 상기 반사컵(120)의 플랜지부(121)와 전기적으로 연결되는 제 2외부전극(132)을 패턴형성한다.

상기 기판(130c)의 상부면 일측에는 최종 발광칩(110)과 일단이 와이어본딩된 와이어(115)의 타단이 연결되는 제 1외부전극(132)을 패턴형성한다.

상기 기판(130c)이 상부면에 접착고정되는 방열체(140)는 상부면에 복수개의 반사컵(120)이 삽입되어 고정되도록 상기 배치공(133c)의 형성갯수와 일치되는 갯수로 배치홈(145c)을 함몰형성한다.

이에 따라, 상기 기판(130c)의 제 2외부전극(132)과 전기적으로 연결되는 반사컵(120)에 탑재된 첫번째 방열칩(110)은 와이어(115)를 매개로 하여 인접하는 다른 반사컵의 플랜지부(121)상에 와이어본딩되고, 상기 반사컵(120)의 발광칩(110)은 또다른 인접하는 반사컵의 플랜지부(121)와 전기적으로 연결되는 한편, 최종 반사컵의 발광칩(110)은 또다른 와이어(115)를 매개로 제 1외부전극(131)에 와이어본 딩된다.

이와 같이, 상기 기판(130c)에는 복수개의 반사컵(120)이 삽입배치되고, 상기 복수개의 반사컵(120)마다 탑재되는 발광칩(110)들은 9(a)(b)에 도시한 바와 같이 직렬연결구조를 갖지만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(130c)에 형성되는 제 1,2외부전극의 간단한 패턴설계변경에 의해서 병렬연결구조를 가질 수도 있다.

도 10 내지 15는 본 발명에 따른 고출력 LED 패키지를 제조하는 공정을 도시한 순서도로써, 본 발명의 고출력 LED 패키지는 아래의 a 내지 g 단계를 거치면서 제조된다.

a. 반사컵을 제공하는 단계

상기 발광칩(110)이 탑재되는 반사컵(120)이 전도성 금속재질로 이루어지는 경우, 도 10(a)에 도시한 바와같이, 구리, 알루미늄과 같은 금속원판(129)을 준비하고, 이를 상,하부금형(128a)(128b)사이에 배치한 상태에서, 이들을 높은 가압력으로 상하로 합형하게 되면, 상부는 개방되고 하부면은 밀페된 컵상의 몸체(122)와, 그 최상단으로부터 수평방향으로 연장되는 플랜지부(121)로 이루어진 복수개의 전도성 반사컵(120)을 동시에 복수개 제조하게 된다.

연속하여, 상기 상,하부금형의 프레싱공정에 의해 제조된 반사컵(120)은 실리콘 또는 에폭시계열의 열전도성이 우수한 수지액이 채워진 욕조(127)내로 상부로 부터 하부로 일정깊이 침지시키면, 상기 반사컵(120)의 외부면에는 절연막(124)이 일정두께로 고르게 코팅될 수 있는 것이다.

이때, 상기 반사컵(120)의 침지깊이는 상기 몸체(122)와 플랜지부(121)사이의 경계부위까지 절연막(124)이 도포되도록 침지시키는 것이 바람직하다.

또한,상기 반사컵(120a)이 비전도성 재질로 구성되는 경우, 도 10(b)에 도시한 바와같이, 에폭시와 같은 비전도성 소재를 상,하부금형(129a)(129b)사이의 캐비티내로 주입한 다음 일정시간 경과후 상기 상,하부금형(129a)(129b)을 분리하면, 상부는 개방되고 하부면은 밀페된 컵상의 몸체(122)와, 그 최상단으로부터 수평방향으로 연장되는 플랜지부(121)로 이루어진 비전도성 반사컵(120a)을 동시에 복수개 제조하게 된다.

연속하여, 상기 비전도성 반사컵(120a)의 내부면에는 구리와 같은 전도성소재로 이루어진 포일을 압착하여 상기 외부전극(131)(132)과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 내부전극(115c)을 형성하며, 상기 내부전극(115c)의 일단은 상기 반사컵(120a)의 바닥면까지 연장되며, 상기 내부전극(115c)의 타단은 상기 외부전극(131)(132)과 전기적으로 연결되도록 상기 반사컵(120)의 플랜지부(121)까지 연장된다.

도 10(c)에 도시한 바와같이, 상기 반사컵(120a)에 탑재되는 발광칩(110)이 수직형 발광다이오드로 구비되는 경우,상기 발광칩(110)의 하부단은 제 2외부전극(132)과 전기적으로 연결된 내부전극(115c)에 접합되고, 상부면에 일단이 와이어본딩된 와이어(115a)의 타단은 점선 또는 실선으로 도시된 바와 같이 제 1외부전극(131)과 전기적으로 연결되는 또다른 내부전극에 와이어본딩되거나 상기 제 1외부 전극(131)에 직접 와이어본딩 연결된다.

또한, 상기 반사컵(120a)에 탑재되는 발광칩(110)이 수평형 발광다이오드로 구비되는 경우, 상기 발광칩(110)은 와이어(115a)(115b)를 매개로 하여 실선 또는 점선으로 도시된 바와 같이 상기 제 1,2외부전극(131)(132)과 각각 전기적으로 연결된 내부전극(115c)과 와이어본딩되거나 상기 제 1,2외부전극(131)(132)에 직접 와이어본딩연결된다.

한편, 상기 전도성, 비전도성 반사컵(120)(120a)의 경사진 내부면에는 반사막(123)을 형성할 수 있도록 반사물질이 일정두께로 도포된다.

b. 상부면에 제 1,2외부전극이 패턴인쇄되고,적어도 하나의 배치공이 관통형성된 기판을 제공하는 단계

또한, 상기 기판(130)을 제조하는 공정은 도 11에 도시한 바와같이, 세라믹시트가 적어도 2층이상 적층된 기판(130)을 준비하고, 그 상부면에 사전에 설정된 패턴에 맞추어 제 1,2외부전극(131)(132)을 각각 패턴인쇄하고, 상기 반사컵(120)(120a)이 삽입되어 배치되도록 소정크기의 배치공(133)을 형성하며, 상기 배치공(133)은 상기 반사컵(120)(120a)의 몸체(122)는 통과하고 플랜지부(121)만이 걸릴 수 있을 정도의 내경크기로 관통형성된다.

이때, 상기 배치공(133)의 내경크기는 상기 플랜지부(121)의 외경보다 작게 형성되는 것이 바람직하다.

연속하여, 상기 기판(130)은 이에 패턴형성된 제 1,2외부전극(131)(132)이 확고지 밀착되도록 일정온도이상으로 소결한다.

c. 상기 배치공과 일치되는 배치홈을 상부면에 함몰형성한 방열체를 제공하는 단계

상기 방열체(140)를 제조하는 공정은 도 12에 도시한 바와같이, 방열체 제조용 상,하부 금형(144a)(144b)사이에 형성되는 캐비티내로 금속용융물을 주입한 다음, 일정시간이 경과한후 상기 상,하부금형(144a)(144b)를 상하로 분리함으로써, 상기 기판(130)의 배치공(133)과 일치되는 배치홈(145)을 상부면에 함몰형성한 방열체(140)를 동시에 복수개 제조완성한다.

이때, 상기 배치홈(145)을 상기 반사컵을 삽입배치할 수 있도록 외경이 하부로 갈수록 좁아지는 단면상의 요홈으로 구비되며, 상기 배치홈(145)의 성형시 방열체(140)의 하부면에는 방열표면적을 보다 넓힐 수 있도록 하부로 개방된 냉각핀(149)이 동시에 성형된다.

d. 상기 방열체의 상부면에 상기 기판의 하부면을 접합하는 단계

상기와 같이 별도의 제조라인에서 각각 제작된 반사컵(120), 기판(130)및 방열체(140)중 상기 기판(130)과 방열체(140)는 도 13(a)에 도시한 바와같이, 이들사이의 경계면에 도포되는 접착제 의해서 상하로 접합되고, 이때, 상기 기판(130)의 배치공(133)과 상기 방열체의 배치홈(145)은 중심이 동일한 수직축상에 위치되도록 상하접합된다.

e. 상기 방열체의 배치홈에 반사컵을 배치하여 고정하는 단계

상기 기판(130)의 상부면에 접합된 방열체(140)는 도 13(b)에 도시한 바와 같이 배치홈(145)에 상기 반사컵(120)의 몸체(122)가 삽입되어 배치되도록 상기 반사컵(120)을 본딩제 의해서 상기 반사컵(120)은 방열체(140)와 일체로 구비된다.

이때, 상기 반사컵(120)이 금속재와 같은 전도성 소재로 이루어지는 경우, 몸체(122)의 외부면에 도포된 절연막(124)을 매개로 하여 상기 반사컵(120)의 몸체(122)와 금속제의 방열체(140)는 서로 절연된다.

상기 반사컵(120a)이 수지재와 같은 비전도성 소재로 이루어지는 경우, 상기 반사컵(120a)의 몸체(122)는 별도의 절연재의 사용없이 방열체(140)와 서로 절연된다.

반면에, 상기 반사컵(120)(120a)의 플랜지부(121)는 상기 기판의 상부면에 패턴인쇄된 제 1,2외부전극(131)(132)중 어느 하나와 유테틱 본딩(Eutectic Bonding), 솔더 본딩(Solder Bonding) 또는 브레이징(Brazing)방식중 어느 하나에 의해서 접합되어 전기적으로 연결된다.

f. 상기 반사컵의 바닥면에 발광칩을 탑재하여 상기 기판과 전기적으로 연결하는 단계

상기 반사컵(120)의 바닥면에는 도 13(c)(d)에 도시한 바와같이, 발광칩(110)을 탑재하고, 상기 기판(130)의 제 1,2외부전극(131)(132)과 전기적으로 연결 한다.

즉, 상기 발광칩(110)이 P,N전극을 상,하부면에 각각 형성한 수직형 발광다이오드이고, 상기 반사컵(120)이 전도성 소재로 이루어진 경우, 상기 발광칩(110)의 전극은 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 반사컵(120)의 바닥면에 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 나머지 하나와 와이어(115)를 매개로 연결된다.

또한, 상기 발광칩(110)이 P,N전극을 상부면에 형성한 수평형 발광다이오드인 경우 상기 전도성 반사컵(120) 또는 비전도성 반사컵(120a)의 바닥면에 전기적 연결없이 탑재되는 발광칩(110)의 전극은 상기 제 1,2외부전극(131)(132)과 복수개의 와이어(115a)(115b)를 매개로 하여 각각 연결된다.

그리고, 상기 발광칩(110)의 전극은 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 비전도성 반사컵(120a)의 내부면에 형성된 내부배선(115c)과 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극(131)(132)중 나머지 하나와 와이어(115a)를 매개로 하여 연결될 수도 있다.

이에 따라, 상기 제 1,2외부전극(131)(132)을 통해 인가되는 외부전원에 의해서 상기 반사컵(120)에 탑재된 발광칩(110)은 발광되고, 발광된 빛은 상기 반사컵(120)의 반사판(123)에 반사되어 전방으로 출사되며, 발광시 발생되는 열은 반사컵(120), 절연막(124)을 통해 상기 방열체(140)로 전달되어 공급되는 전류세기에 비하여 열이 발생되는 발광칩(110)의 과열을 방지할 수있는 것이다.

g. 상기 반사컵과 기판상에 투명성 수지를 채워 수지부를 성형하는 단계

상기 발광칩(110)이 탑재된 반사컵(120)과 기판(130)상에는 상기 발광칩(110)과 제 1,2외부전극(131)(132)및 와이어(115)(115a)(151b)를 외부환경으로 부터 보호할 수 있도록 수지부(150)를 성형한다.

상기 수지부(150)는 상기 발광칩(110)에서 발광된 빛을 외부로 조사할 수 있도록 투명성 수지로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 투명성 수지에는 발광칩(110)으로부터 발생되는 R,G,B계열의 파장을 갖는 유색광을 백색광으로 전환하여 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질을 포함한다.

또한, 상기 수지부(150)의 상부면에는 발광된 빛의 출사각을 넓히거나 좁힐 수 있도록 빛을 굴절시키는 렌즈(L)를 적어도 하나 구비한다.

h. 상기 방열체의 하부면에 전기적인 교류/직류작용을 제어하는 구동회로부를 구비하는 단계

상기 방열체(140)의 하부면에는 전기적인 교류/직류작용을 제어할 수 있도록 정류기, 변압기및 소켓과 같은 전자부품이 실장된 구동회로부(170)를 추가하여 구비할 수 있다.

상기 구동회로부(170)는 상기 기판(130), 방열체(140)를 관통하는 비어홀(미도시)을 매개로 하여 상기 기판(130)과 전기적으로 연결되어 상기 발광칩(110)으로 공급되는 전원의 전류, 전압을 제어할 수 있는 것이다.

본 발명은 특정한 실시예와 관련하여 도시되고 설명되었지만, 이하의 특허청 구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다.

상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 프레스가공되는 반사컵, 전극이 패턴인쇄되는 기판 및 반사컵이 배치되는 배치홈을 갖도록 몰드성형되는 방열체를 구비함으로써, 종래와 같이 리드프레임을 타공, 절곡하는 공정과 방열부를 별도로 기계가공하는 공정이 불필요해지고, 전체적인 구성부품수를 줄일 수 있기 때문에, 패키지의 조립 공정을 단순화하여 작업생산성을 향상시킬 수 있고, 제조원가를 절감할 수 있다.

또한, 발광칩이 탑재되는 반사컵과 방열체가 넓은 접촉을 갖추어 패키지의 방열특성을 보다 향상시킬 수 있고, 제품의 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 얻어진다.

Claims (49)

1. 전원인가시 빛을 발생시키는 발광칩;

   상기 발광칩이 바닥면에 탑재되고, 일정각도로 경사진 내부면에 반사판을 갖는 전도성 반사컵;

   상기 반사컵이 삽입되어 배치되는 적어도 하나의 배치공이 관통형성되고, 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 제 1,2외부전극이 패턴인쇄된 기판; 및

   상기 기판과 상단이 접합되고, 상기 반사컵의 외부면이 절연체를 매개로 밀착되어 고정되는 적어도 하나의 배치홈을 상부면에 함몰형성한 방열체 ; 를 포함하는 고출력 LED 패키지.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 발광칩은 P,N전극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 발광다이오드임을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
3. 제 2항에 있어서,

   상기 발광칩의 전극은 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 반사컵의 바닥면에 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극중 나머지 하나와 와이어를 매개로 연결됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 발광칩은 P,N전극이 상부면에 형성된 수평형 발광다이오드임을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 발광칩의 전극은 상기 제 1,2외부전극과 복수개의 와이어를 매개로 각각 연결됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 반사컵은 바닥면으로 갈수록 폭이 좁아지는 단면상의 몸체와, 상기 배치공에 걸리도록 상기 몸체의 상단에 형성되는 플랜지부를 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 플랜지부는 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 접합됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 절연막은 열전도성 절연소재로 구비됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 절연막은 상기 반사컵의 최하부 외부면으로부터 상기 기판과 대응하는 상부 외부면까지 구비됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
10. 제 1항에 있어서,

    상기 배치공의 내부면은 상기 반사컵의 경사진 외부면과 동일한 경사각도로 구비됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
11. 제 1항에 있어서,

    상기 방열체는 방열표면적을 높일 수 있도록 하부로 개방된 적어도 하나의 냉각핀을 구비함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
12. 제 1항에 있어서,

    상기 방열체는 내부에 냉각용 액체가 채워지는 캐비티를 갖는 금속몸체로 구비됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
13. 제 1항에 있어서,

    상기 방열체는 하부면에 전기적인 교류/직류작용을 제어하는 구동회로부를 추가 구비함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
14. 제 1항에 있어서,

    상기 반사컵과 기판상에는 상기 발광칩을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명성 수지가 채워지는 수지부를 추가 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
15. 제 14항에 있어서,

    상기 반사컵에 채워지는 투명성 수지는 상기 발광칩으로부터 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질을 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
16. 제 1항에 있어서,

    상기 발광칩의 상부에는 적어도 하나의 렌즈를 추가 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
17. 전원인가시 빛을 발생시키는 발광칩;

    상기 발광칩이 바닥면에 탑재되고, 일정각도로 경사진 내부면에 반사판을 갖는 비전도성 반사컵;

    상기 반사컵이 삽입되어 배치되는 적어도 하나의 배치공이 관통형성되고, 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 제 1,2외부전극이 패턴인쇄된 기판; 및

    상기 기판과 상단이 접합되고, 상기 반사컵의 외부면이 밀착되어 고정되는 적어도 하나의 배치홈을 상부면에 함몰형성한 방열체 ; 를 포함하는 고출력 LED 패 키지.
18. 제 17항에 있어서,

    상기 발광칩은 P,N전극이 상부면에 형성된 수평형 발광다이오드임을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
19. 제 18항에 있어서,

    상기 발광칩의 전극은 상기 제 1,2외부전극과 복수개의 와이어를 매개로 각각 연결됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
20. 제 17항에 있어서,

    상기 발광칩은 P,N전극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 발광다이오드임 을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
21. 제 20항에 있어서,

    상기 발광칩의 전극은 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 반사컵의 내부면에 형성된 내부배선과 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극중 나머지 하나와 와이어를 매개로 연결됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
22. 제 17항에 있어서,

    상기 반사컵은 바닥면으로 갈수록 폭이 좁아지는 단면상의 몸체와, 상기 배치공에 걸리도록 상기 몸체의 상단에 형성되는 플랜지부를 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
23. 제 17항에 있어서,

    상기 반사컵은 열전도성 접착제를 매개로 하여 상기 방열체의 배치홈에 조립됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
24. 제 17항에 있어서,

    상기 배치공의 내부면은 상기 반사컵의 경사진 외부면과 동일한 경사각도로 구비됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
25. 제 17항에 있어서,

    상기 방열체는 방열표면적을 높일 수 있도록 하부로 개방된 적어도 하나의 냉각핀을 구비함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
26. 제 17항에 있어서,

    상기 방열체는 내부에 냉각용 액체가 채워지는 캐비티를 갖는 금속몸체로 구비됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
27. 제 17항에 있어서,

    상기 방열체는 하부면에 전기적인 교류/직류작용을 제어하는 구동회로부를 추가 구비함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
28. 제 17항에 있어서,

    상기 반사컵과 기판상에는 상기 발광칩을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명성 수지가 채워지는 수지부를 추가 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
29. 제 28항에 있어서,

    상기 반사컵에 채워지는 투명성 수지는 상기 발광칩으로부터 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질을 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
30. 제 17항에 있어서,

    상기 발광칩의 상부에는 적어도 하나의 렌즈를 추가 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
31. a. 반사컵을 제공하는 단계;

    b. 상부면에 제 1,2외부전극이 패턴인쇄되고 적어도 하나의 배치공이 관통형성된 기판을 제공하는 단계;

    c. 상기 배치공과 일치되는 배치홈을 상부면에 함몰형성한 방열체를 제공하는 단계;

    d. 상기 방열체의 상부면에 상기 기판의 하부면을 접합하는 단계;

    e. 상기 반사컵의 바닥면에 발광칩을 탑재하여 상기 기판과 전기적으로 연결하는 단계; 및

    f. 상기 반사컵의 바닥면에 발광칩을 탑재하여 상기 기판과 전기적으로 연결하는 단계 ;를 포함하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
32. 제 31항에 있어서,

    상기 a 단계는 금속원판을 상,하부금형사이에 배치하여 프레싱하는 단계와, 상부는 개방되고 하부는 밀폐된 컵상의 몸체와, 상기 몸체의 상단으로 부터 외주방향으로 확장된 플랜지부로 이루어진 전도성 반사컵을 형성하는 단계 및 상기 반사컵에 절연막을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
33. 제 32항에 있어서,

    상기 절연막은 상기 전도성 반사컵을 열전도성이 우수한 수지액이 채워진 욕조내로 침지시켜 형성함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
34. 제 32항에 있어서,

    상기 절연막은 상기 전도성 반사컵의 하부면으로부터 상기 몸체와 플랜지부사이의 경계부위까지 도포됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
35. 제 32항에 있어서,

    상기 몸체의 경사진 내부면에 반사막을 형성함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
36. 제 31항에 있어서,

    상기 a 단계는 비전도성 소재를 상,하부금형사이의 캐비티내로 주입하는 단계와, 상기 상,하부금형을 일정시간 경과후 분리하여 상부는 개방되고 하부면은 밀페된 컵상의 몸체와, 그 최상단으로부터 수평방향으로 연장되는 플랜지부로 이루어진 비전도성 반사컵을 성형하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
37. 제 36항에 있어서,

    상기 비전도성 반사컵의 내부면에는 수직형 발광칩의 하부단이 접합되는 내부전극을 형성함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
38. 제 36항에 있어서,

    상기 몸체의 경사진 내부면에 반사막을 형성함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
39. 제 31항에 있어서,

    상기 c단계는 상기 방열체의 성형시 하부면에 하부로 개방된 냉각핀을 형성함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
40. 제 31항에 있어서,

    상기 d단계는 상기 기판의 배치공과 상기 방열체의 배치홈의 중심이 동일한 수직축상에 위치되도록 상하접합됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
41. 제 31항에 있어서,

    상기 e단계는 상기 발광칩의 전극이 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 전도성 반사컵의 바닥면에 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극중 나머지 하나와 와이어를 매개로 연결됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
42. 제 41항에 있어서,

    상기 발광칩은 P,N극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 발광다이오드임을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
43. 제 31항에 있어서,

    상기 e단계는 상기 발광칩의 전극이 상기 제 1,2외부전극과 복수개의 와이어 를 매개로 각각 연결됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
44. 제 43항에 있어서,

    상기 발광칩은 P,N전극이 상부면에 형성된 수평형 발광칩임을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
45. 제 31항에 있어서,

    상기 e단계는 상기 발광칩의 전극이 상기 제 1,2외부전극중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 비전도성 반사컵의 내부면에 형성된 내부배선과 하부단이 전기적으로 접합되고, 상기 제 1,2외부전극중 나머지 하나와 와이어를 매개로 연결됨을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
46. 제 31항에 있어서,

    상기 반사컵과 기판상에 투명성 수지를 채워 수지부를 성형하는 g 단계를 추가 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
47. 제 46항에 있어서,

    상기 g단계는 상기 투명성 수지에 백색광을 유색광으로 전환하여 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질을 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
48. 제 31항에 있어서,

    상기 발광칩의 상부에 발광된 빛의 출사각을 넓히거나 좁힐 수 있도록 빛을 굴절시키는 렌즈를 적어도 하나 배치함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.
49. 제 31항에 있어서,

    상기 방열체의 하부면에 전기적인 교류/직류작용을 제어할 수 있도록 구동회로부를 구비하는 h단계를 추가 포함함을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지 제조방법.

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