KR20030048805A - 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조 - Google Patents

광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20030048805A
KR20030048805A KR1020010078836A KR20010078836A KR20030048805A KR 20030048805 A KR20030048805 A KR 20030048805A KR 1020010078836 A KR1020010078836 A KR 1020010078836A KR 20010078836 A KR20010078836 A KR 20010078836A KR 20030048805 A KR20030048805 A KR 20030048805A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
led
mirror
light
increasing
Prior art date
Application number
KR1020010078836A
Other languages
English (en)
Inventor
정혜정
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020010078836A priority Critical patent/KR20030048805A/ko
Publication of KR20030048805A publication Critical patent/KR20030048805A/ko

Links

Abstract

본 발명은 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩의 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 엘이디 칩을 구비하는 엘이디에 있어서, 상기 엘이디 칩은, 상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성하고, 상기 엘이디 칩의 측면인 경사면 또는 경사면과 밑면을 빛의 반사가 가능한 금속 재질로 미러 코팅하는 것을 특징으로 한다.
따라서 상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면 엘이디 칩을 상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성한 후, 측면인 경사면 또는 경사면과 밑면을 금속 재질로 미러 코팅함으로써 엘이디 칩 옆면과 밑면에서 나오는 빛을 엘이디 상단부로 보내서 발광 손실을 최소화함으로써 발광 효율을 높일 수 있다.

Description

광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조{LED CHIP STRUCTURE FOR INCREASING A LIGHT EFFICIENCY}
본 발명은 엘이디 칩 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 엘이디 칩을 상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성한 후, 측면인 경사면을 금속 재질로 미러 코팅(Mirror Coating)함으로써 발광 손실을 최소화하여 발광 효율을 높이도록 하는 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조에 관한 것이다.
일반적으로 엘이디(LED : Light Emitting Diode)는 발광 다이오드를 뜻하며, 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선 또는 빛으로 신호를 보내고 받는 데 사용되는 반도체의 일종으로 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용된다.
이러한 엘이디는 반도체라는 특성으로 인해 처리속도, 전력소모, 수명 등의 제반사항에서 큰 장점을 보여 각종 전자제품의 전자표시부품으로 각광받고 있다. 그리고 높은 휘도의 제품들이 생산되면서 앞으로 조명기구의 역할도 대치할 수 있을 것이다. 또한 기존 전구램프처럼 눈이 부시거나 필라멘트가 단락되는 경우가 없는 엘이디는 소형으로 제작되어 각종 표시소자로 폭넓게 사용되고 있으며 반영구적인 수명(약1백만 시간)으로 그 활용도가 높다. 특히 청색 엘이디의 상용화로 엘이디의 풀 컬러 표현이 가능해지고 가격도 크게 낮출 수 있게 되면서 제품의 활용도는 급속히 높아질 전망이다.
이러한 엘이디는 도 1에 도시된 바와 같이 은(Ag) 도금된 컵(1)의 중앙부에 엘이디 칩(2)을 위치시킨 다음 엘이디 칩(2)의 측면을 통해 방사되는 빛을 컵(1)을 이용하여 집광하는 방식이 사용된다.
그러나 이러한 종래의 엘이디는 은도금된 컵의 제작 과정상의 문제에 따라 컵의 각도와 길이가 달라지게 되어 이에 따라 휘도의 차이가 심하고, 엘이디 칩을 정렬시키는 과정에서 정확한 위치에 정렬이 어려워 칩의 위치에 따라 엘이디의 방사각의 차이가 발생하는 문제점이 있다.
또한 컵에 도금된 은의 두께에 따라서 엘이디 칩 옆면에서 나오는 빛을 반사하는 정도가 달라져서 발광 손실을 가져와 발광 효율이 떨어지는 다른 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 엘이디 칩을 상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성한 후, 측면인 경사면 또는 경사면과 밑면을 금속 재질로 미러 코팅(Mirror Coating)함으로써 엘이디 칩 옆면과 밑면에서 나오는 빛을 엘이디 상단부로 보내서 발광 손실을 최소화함으로써 발광 효율을 높이도록 하는데 있다.
도 1은 종래의 엘이디 칩의 구성을 나타낸 단면도
도 2는 본 발명의 일실시예 따른 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩의 구성을 나타낸 단면도
도 3은 본 발명의 다른 실시예 따른 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩의 구성을 나타낸 단면도
<도면중 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 엘이디 칩111 : 경사면
120 : 미러212 : 밑면
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,
엘이디 칩을 구비하는 엘이디에 있어서,
상기 엘이디 칩은,
상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성하고, 상기 엘이디 칩의 측면인 경사면을 빛의 반사가 가능한 금속 재질로 미러 코팅하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징은,
엘이디 칩을 구비하는 엘이디에 있어서,
상기 엘이디 칩은,
상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성하고, 상기 엘이디 칩의 측면인 경사면 및 밑면을 빛의 반사가 가능한 금속 재질로 미러 코팅하는 것을특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 광 효율을 높이기 위한 엘이디의 구성을 도 2 및 도 3을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
〈제 1실시예〉
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩의 구성 및 작용을 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 엘이디(100)는, 엘이디 칩(110)이 상면에 상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성하며, 이의 측면인 경사면(111)을 빛의 반사가 가능한 금속 재질로 미러 코팅하여 미러(120)를 형성한다. 여기에서 금속 재질은 은(Ag)이다. 여기에서 엘이디 칩의 경사면(111)의 각도는 발광 효율을 극대화시킬 수 있는 각도이며, 코팅된 미러의 두께는 빛이 보강 간섭을 할 수 있는 두께로, 엘이디 칩(110)의 크기에 따라 그 각도 및 두께가 결정된다.
〈제 2실시예〉
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩의 구성 및 작용을 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 엘이디(200)는, 엘이디 칩(210)이 상면에 상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성하며, 이의 측면인 경사면(211) 및 저면인 밑면(212)을 빛의 반사가 가능한 금속 재질로 미러 코팅하여 미러(220)를 형성한다. 여기에서 금속 재질은 은(Ag)이다. 여기에서 엘이디 칩의 경사면(211)의 각도는 발광 효율을 극대화시킬 수 있는 각도이며, 코팅된 미러의 두께는 빛이 보강 간섭을 할 수 있는 두께로, 엘이디 칩(210)의 크기에 따라 그 각도 및 두께가 결정된다.
상기와 같이 제 1실시예 및 제 2실시예와 같이 엘이디 칩의 측면을 일정 경사를 가지면서 균일하도록 절단하고, 절단면, 즉 경사면 또는 경사면과 밑면에 은을 일정 두께로 코팅하여 미러를 형성함으로써 엘이디 칩의 측면을 통해 발생되는 광이 전방, 즉 엘이디 칩의 상면측으로 진행하여 발광 손실을 줄이게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조에 의하면, 엘이디 칩을 상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성한 후, 측면인 경사면 또는 경사면과 밑면을 금속 재질로 미러 코팅함으로써 엘이디 칩 옆면과 밑면에서 나오는 빛을 엘이디 상단부로 보내서 발광 손실을 최소화함으로써 발광 효율을 높일 수 있다.

Claims (2)

  1. 엘이디 칩을 구비하는 엘이디에 있어서,
    상기 엘이디 칩은,
    상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성하고, 상기 엘이디 칩의 측면인 경사면을 빛의 반사가 가능한 금속 재질로 미러 코팅하는 것을 특징으로 하는 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조.
  2. 엘이디 칩을 구비하는 엘이디에 있어서,
    상기 엘이디 칩은,
    상단부가 넓고 하단부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성하고, 상기 엘이디 칩의 측면인 경사면 및 밑면을 빛의 반사가 가능한 금속 재질로 미러 코팅하는 것을 특징으로 하는 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조.
KR1020010078836A 2001-12-13 2001-12-13 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조 KR20030048805A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010078836A KR20030048805A (ko) 2001-12-13 2001-12-13 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010078836A KR20030048805A (ko) 2001-12-13 2001-12-13 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030048805A true KR20030048805A (ko) 2003-06-25

Family

ID=29574659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010078836A KR20030048805A (ko) 2001-12-13 2001-12-13 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030048805A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100665182B1 (ko) * 2005-06-03 2007-01-09 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR100689985B1 (ko) * 2005-07-19 2007-03-08 박교양 Led칩 하우징과 이 led칩 하우징의 반사면 가공방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012929A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードの実装構造
KR19990006588A (ko) * 1997-06-03 1999-01-25 키 파멜라 라우 반도체 발광 디바이스 및 그의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012929A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードの実装構造
KR19990006588A (ko) * 1997-06-03 1999-01-25 키 파멜라 라우 반도체 발광 디바이스 및 그의 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100665182B1 (ko) * 2005-06-03 2007-01-09 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR100689985B1 (ko) * 2005-07-19 2007-03-08 박교양 Led칩 하우징과 이 led칩 하우징의 반사면 가공방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10439112B2 (en) Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
CN100359708C (zh) 发光装置及照明装置
TWI249254B (en) LED lamp
US8922108B2 (en) Remote component devices, systems, and methods for use with light emitting devices
CN102575819A (zh) 附灯头的灯以及照明器具
US10928012B2 (en) Light emitting diode filament lamp with V-geometry
CN102903833A (zh) 广角室内照明灯
CN102315208A (zh) 带有镶嵌陶瓷板的led光源封装结构
KR20140018979A (ko) 발광 다이오드(led) 패키지들, 시스템들, 디바이스들 및 이와 관련된 방법들
CN100456504C (zh) 一种超大功率照明级发光二极管金属封装结构
JP2005210042A (ja) 発光装置および照明装置
JP2005159263A (ja) 発光装置および照明装置
JP2005039194A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
TWI464915B (zh) 發光裝置及其製作方法、燈泡
KR20030048805A (ko) 광 효율을 높이기 위한 엘이디 칩 구조
KR20050084730A (ko) 발광 다이오드용 전구의 방열구조
KR101185533B1 (ko) 직선형 led 조명 유닛의 제조 방법과 그 제조 방법에 의하여 제조된 직선형 led 조명 유닛
CN102255036A (zh) 一种大功率基板的led封装结构
US20190226643A1 (en) Led filament
CN1316640C (zh) 可提高发光作用区域的发光元件
CN200941393Y (zh) 一种超大功率照明级发光二极管金属封装结构
JP2006093612A (ja) 発光装置および照明装置
JP2005039193A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
CN216528887U (zh) 一种光型集中的led灯
CN210778592U (zh) 一种舞台灯光源

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application