JP4254470B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置に関し、特に、高出力化に伴う発光素子の発熱を効果的に放熱できるようにした発光装置に関する。
近年、高出力のLED(Light-Emitting Diode:発光ダイオード)の開発が進められており、すでに数ワットの大出力タイプも製品化されている。LEDは発熱の少ないことが特徴であるが、高出力(高輝度)タイプのLED素子は大電流が流れるため、無視できないレベルの発熱が生じる。
従来、LED素子は高出力ではなかったため、特に放熱対策はとられておらず、リード部分から放熱させることで済んでいた。そして、発熱が問題になる場合には、LED素子を搭載している部材の下面に銅製の放熱板を取り付けるなどの対策が取られていた(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1に記載されるLEDパッケージは、ヒートシンクとなるスラグがインサートモールドされると共に成形された埋め込みプラスチック材料を有するリードフレームに挿入される。スラグには、熱伝導性に優れる副基台を介して発光ダイオードダイ(LEDダイ)が直接的又は間接的に取り付けられ、LEDダイにはLEDが実装される。LED及び発光ダイオードダイとリードフレームとの間は、ワイヤによって接続される。
このような構成では、LEDダイはスラグに熱的に結合されているため、LEDダイは従来のパッケージよりも低い接合温度に維持される。温度が低くなることで、LEDダイは大きな熱応力を受けることがなくなり、大電力動作における信頼性及び良好な特性を維持することができる。
特開2000−150967号公報([0008]、図2)
しかし、従来の発光装置によると、スラグはプラスチック材料でインサートモールドされたリードフレームに挿入される構成であるため、LEDダイからスラグへの熱伝導が十分でなく、従って十分な放熱効果が得られず、LED素子の高出力化に対応することができないという問題がある。
従って、本発明の目的は、高出力化に伴う発光素子の発熱を効果的に放熱できるようにした発光装置を提供することにある。
本発明は、上記の目的を達成するため、発光素子と、一方の端部が前記発光素子に電気接続されると共に、前記発光素子に電源を供給するための端子として機能するリードと、前記発光素子が搭載されると共に、前記発光素子の熱を放熱する金属ベース部と、前記発光素子を覆う透光性の樹脂又はガラスによる封止部材とを備え、前記リードは、金属板材からなり、前記金属ベース部にガラス材からなる耐熱性絶縁性部材によって保持されていることを特徴とする発光装置を提供する。
前記発光素子と前記リードとの接続を電極又は配線層を介して行うサブマウントを有し、前記発光素子は、前記サブマウントを介して、前記金属ベース部に搭載されていることが好ましい。
前記金属ベース部に重なるように接合され又は前記金属ベース部に一体加工された金属製の反射鏡部を有しても良い。
前記金属ベース部あるいは前記反射鏡部の少なくとも一方に、放熱フィンが形成されていても良い。
前記金属ベース部は、シート状のヒートシンクが装着されていても良い。
本発明の発光装置によれば、サブマウントを金属ベース部に搭載し、この金属ベース部に金属製の反射鏡を接合した構成により、発光素子からの熱は金属ベース部及び金属製の反射鏡に導かれるために高い放熱効率が得られ、高出力化型の発光素子における発熱を効果的に放熱でき、発光素子の高出力化に対応することが可能になる。また、保持部材は、耐熱性の部材で構成されているので、鉛フリーはんだのリフロー炉処理を行える耐熱性を有する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)はA−A断面図、(c)はB−B断面図である。通常、リードフレームには両側に各リード部のアウター側を連結している帯状部が設けられているが、ここでは図示を省略している。また、リードフレーム上には、通常、複数のLED素子(発光素子)が実装されるが、ここでは1個のみを図示している。
この発光装置10は、放熱器としての金属ベース部11と、この金属ベース部11に重ね合わされる金属反射鏡12(反射鏡部)と、金属ベース部11の所定位置に搭載されるサブマウント13と、このサブマウント13上に搭載されるLED素子14と、金属ベース部11に形成された溝(図示せず)に埋設されると共にサブマウント13の両側に一直線上になるように配設された絶縁封着ガラス15a,15bと、この絶縁封着ガラス15a,15bに重なるようにして配設されたリード部(金属リード)16a,16bと、このリード部16a,16bを覆うように設けられる絶縁封着ガラス17a,17bと、透光性のガラス又は樹脂が用いられ、金属反射鏡12の凹部内に充填される封止部材18とを備えて構成されている。発光装置10は、全体として短い円柱形の外形を有している。
金属ベース部11は、銅、アルミニウム等の熱伝導性に優れる金属が用いられ、LED素子14の消費電力等に応じて十分な放熱効果が得られる厚み及び大きさを有している。
更に、金属ベース部11は、LED素子14を中心にして一直線上に溝(図示せず)が形成されている。この溝は、絶縁封着ガラス15a,15b、リード部16a,16b、及び絶縁封着ガラス17a,17bを埋設できるだけの深さを有している。リード部16a,16bは、絶縁封着ガラス15a,15bと17a,17bで挟持された状態で溝内に配設されるため、リード部16a,16bは金属ベース部11と絶縁され、電気的に接続されることはない。なお、金属ベース部11は、金属反射鏡12と同一サイズにしているが、金属反射鏡12より大きくすることも、四角形等の他の形状にすることもできる。
金属反射鏡12は、銅、アルミニウム等の熱伝導性に優れる金属が用いられ、中心部にはすり鉢形の凹部が形成され、その内表面には銀蒸着、クロームや銀のメッキ、銀色又は白色の表面処理等によって鏡面状態に仕上げられていることにより、反射面12aが形成されている。これにより、金属反射鏡12の横方向から出射した光を前面へ効果的に導くことができる。また、金属反射鏡12は、銅(Cu)等の熱伝導性の良い金属を用いているため、反射鏡としての機能のほかに放熱器としても機能する。
サブマウント13は、例えば高熱伝導のAlN(窒化アルミニウム)が用いられ、内部には必要に応じて素子破壊防止用のツェナーダイオード等が設けられている。サブマウント13は四角形で段差を有する外形を有し、その最上面にはLED素子14が搭載され、下段の両側の上面にリード部16a,16bの先端部が載置される。サブマウント13は、上面及び側面に電極(いずれも図示せず)を有している。上面の電極と側面の電極との接続は、配線層によることもスルーホールによることも可能であるが、ここでは、その図示を省略している。
LED素子14は、GaN、AlInGaP等の材料を用いて作られた高出力型であり、そのチップサイズは、0.3×0.3mm(標準サイズ)、1×1mm(ラージサイズ)等である。そして、LED素子14は、電極又はバンプを接続要素とするフリップチップ(FC)型(ここでは、素子下面の接続部の図示は省略している。)であり、封止部材18に粘度の高いガラス材を用いる場合に適している。他に、ワイヤを接続要素とするフェイスアップ型があり、ガラス封止ではワイヤが変形するおそれがある場合には、封止部材18に粘度の低い樹脂材を用いることができるので好ましい。
絶縁封着ガラス15a,15b,17a,17bは、透光性の有無を問わないが、金属ベース部11やリード部16a,16bと同等の熱膨張率を有するガラス材を用いる。封止部材18は、透光性のシリコン樹脂、又は透光性で低融点のガラス材を用いる。
次に、発光装置10の組み立てについて説明する。
まず、金属ベース部11の中心部にサブマウント13を搭載し、接着剤等により固定する。次に、金属ベース部11上の溝に、棒状に加工された絶縁封着ガラス15a,15bを載置し、この絶縁封着ガラス15上にリード部16a,16b及び絶縁封着ガラス17a,17bを重ねて載置する。更に、金属反射鏡12を絶縁封着ガラス17a,17b及び金属ベース部11の露出面に載置する。この状態のまま高温雰囲気下で加圧プレスを行い、絶縁封着ガラス15a,15b,17a,17b、リード部16a,16bのそれぞれと、金属反射鏡12を固定する。
リード部16a,16bは、先端部以外の側面及び上下面が絶縁封着ガラス15a,15b,17a,17bにより絶縁されるので、金属ベース部11及び金属反射鏡12に接触することはない。次に、サブマウント13の最上面にLED素子14を搭載し、リフローを行うことにより、サブマウント13の電極又は配線層と、LED素子14のバンプ又は電極との半田接続及び固定が行われる。最後に、金属反射鏡12のすり鉢形の凹部内にシリコーン樹脂材による封止部材18を充填する。以上により、発光装置10が完成する。
例えば、リード部16aがLED素子14のアノード側に接続されているとすると、リード部16aに直流電源(図示せず)のプラス側が接続され、リード部16bにはマイナス側が接続される。電源供給に伴い、電流は、リード部16a→サブマウント13→LED素子14→サブマウント13→リード部16bの経路で流れることにより、LED素子14が発光する。LED素子14の上面から出た光は封止部材18内を通過して外部へ出光し、LED素子14の側面部から出た光は金属反射鏡12の反射面12aで反射した後、封止部材18内を通過して外部へ出光する。
上記した第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)ガラス材による絶縁封着ガラス15a,15b,17a,17bによりリード部16a,16bが絶縁されていることにより、リード部16a,16bと金属ベース部11及び金属反射鏡12との接触を防止することができる。
(2)リード部16a,16bの敷設部を除いた他の部分は、金属ベース部11と金属反射鏡12とが直接に接合するため、LED素子14からサブマウント13及びリード部16a,16bに伝導した熱は、金属ベース部11及び金属反射鏡12に効果的に伝熱され、金属ベース部11及び金属反射鏡12により放熱される。従って、LED素子14が高出力型であっても、熱効率が高められ、LED素子14、絶縁封着ガラス15a,15b,17a,17b、及び封止部材18にダメージを及ぼすことがなくなる。この効果は、特にラージサイズの発光装置において顕著になる。
(3)発光装置は、耐熱性の低い樹脂材料を保持部に用いておらず、リード部16a、16bは、ガラス材によって、金属ベース部11に取り付けられている。このため、鉛フリーはんだ対応のリフロー炉処理にも十分耐える。
図2は、第2の実施の形態に係る発光装置の構成を示す図であり、(a)は平面、(b)はA−A断面図、(c)はB−B断面図である。また、第1の実施の形態と同一である部分については共通する引用数字を付している。
第2の実施の形態の発光装置20は、リード部の取り出し方と、金属反射鏡を一体化した金属ベース部の構造について第1の実施の形態の発光装置10と相違している。すなわち、同一方向からアノード用及びカソード用のリード部を取り出すと共に、反射鏡部分と放熱器部分を金型又はフライス盤加工等により一体加工した金属ベース部21としている。
発光装置20は、放熱器と反射鏡を兼ねる金属ベース部21、金属ベース部21の所定位置に搭載されるサブマウント22と、このサブマウント22上に搭載されるLED素子14と、金属ベース部21に形成された溝状の切欠部23と、この切欠部23内に所定の空間を確保しながら配設されたリード部24a,24bと、金属ベース部21の凹部内に充填される封止部材18と、角棒状に加工されてリード部24a,24bを金属ベース部11に対して絶縁する絶縁封着ガラス25とを備えて構成されている。
金属ベース部21は、第1の実施の形態の金属ベース部11及び金属反射鏡12と同じ材料が用いられる。金属ベース部21にはLED素子14が中心になるようにしてすり鉢形の反射面21aが形成され、更に、リード部24a,24bを絶縁状態に配設するための縦溝状の切欠部23が形成されている。切欠部23の底部には、絶縁封着ガラス25が設置され、この絶縁封着ガラス25の上面にリード部24a,24bが設置される。
サブマウント22は、高熱伝導のAlN(窒化アルミニウム)が用いられ、また、必要に応じて素子破壊防止用のツェナーダイオード等を内蔵している。図3(b)に示すように、サブマウント22の段差部は、片側(図2の右側)にのみ形成されており、この段差部の上面には、並べた状態のリード部24a,24bの各先端部が載置され、その先端面又は下面がサブマウント22側の電極(図示せず)に半田等により接続される。
次に、発光装置20の製造手順について説明する。まず、金属ベース部21上の中心部にサブマウント22を搭載し、接着剤等により固定する。次に、サブマウント22の段差部にリード部24a,24bの先端部が突き合わせるように並設され、この状態のままリード部24a,24bの先端部とサブマウント22の電極(又は配線層の所定部分)とを加熱炉等により接続する。次に、サブマウント22の最上面にLED素子14を搭載し、リフローを行ってLED素子14とサブマウント22の回路部(電極、配線層等)とを電気的及び物理的に接続する。なお、LED素子14を先にサブマウント22に搭載した後、このサブマウント22にリード部24a,24bを搭載及び接続する順序であってもよい。
上記した第2の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)切欠部23内にはリード部24a,24bが配設されるのみで、上部は空間になっているので、この切欠部23には金属ベース部21の反射面21aは存在しない。従って、LED素子14の点灯時には、照射光に若干の光ムラが生じることは避けられないが、金属ベース部21が第1の実施の形態の金属ベース部11と金属反射鏡12を一体化した構造であるため、製造工程が減らせると共に加工が容易になるほか、コストダウンを図ることができる。
図3は、第3の実施の形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第3の実施の形態は、第1の実施の形態の構成において、金属反射鏡の上面に放熱フィンを有する発光装置30としたところに特徴がある。
発光装置30は、金属ベース部11に接着される金属反射鏡31は、最上面の部分に複数の放熱フィン32が形成されている。放熱フィン32は、LED素子14を中心にして、金属反射鏡31の円周方向に一定間隔に形成されている。
上記した第3の実施の形態によると、放熱フィン32を設けたことにより、金属反射鏡31の外気との接触面積が増大すると共に、側面からも効果的に放熱が行われる様になる。このように、放熱面積が増大する結果、良好な放熱効果が得られる。
図4は、第4の実施の形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第4の実施の形態の発光装置40は、前記各実施の形態における金属ベース部の機能と金属反射鏡の機能を一体化したところに特徴がある。
発光装置40は、段差部を有するヒートシンク41と、前記段差部のリード部の取り付け位置に配設された絶縁体42a,42bと、この絶縁体42a,42bの水平部上に先端が介在するように配置されるリード部43a,43bと、ヒートシンク41の上部に形成されたすり鉢形部分(凹部)の底面に装着されたサブマウント43と、このサブマウント43の上面に搭載されたLED素子44と、このLED素子44を覆うようにしてサブマウント43の凹部内に充填された透光性のガラス又は樹脂による封止部材45とを備えて構成されている。
ヒートシンク41は、Cuを用いて形成されており、段差部より下側には放熱フィン41aが形成され、段差部より上側には外形が円筒状を成すと共に内面にすり鉢形の反射面41bが形成された反射鏡部41cが形成されている。
絶縁体42a,42bは“L”字形の断面形状を有し、反射鏡部41cの外周面に密着するように配設されている。ここでは、絶縁体42a,42bは“L”字形の2つの部品から成るものとしているが、“L”字形の断面形状を有するリングであってもよい。絶縁体42a,42bとしては、耐熱性と絶縁性を備える材料、例えば、ガラス、セラミック等で、リード部16a,16bやヒートシンク41と同等の熱膨張率を有することが望ましい。
サブマウント43は、サブマウント13,23と同じ材料を用いる。ここでは、図面を簡略化するため、サブマウント43を通してリード部16a,16bとLED素子44を接続する構成(配線導体、電極、スルーホール等)については図示を省略している。
発光装置40においては、LED素子44による動作時の熱がサブマウント43を通してヒートシンク41に伝熱され、大部分は放熱フィン41aで放熱され、他の一部は反射鏡部41cで放熱される。放熱フィン41aは外気との接触面積が大きいため、効果的に熱交換が行われる。
上記した第4の実施の形態によると、放熱フィン41aと反射面41bとが一体化されているため、伝熱を妨げる部分が介在しないので、他の実施の形態に比べて発光装置40の放熱効果を高めることができる。更に、構造が簡単であるため、組み立てを簡略にすることができる。
なお、上記したヒートシンク41は、Cu以外の熱伝導性に優れる金属で形成しても良く、例えば、Al、AlN(窒化アルミ)等を用いることが可能である。
また、第4の実施の形態においては、他の実施の形態における金属ベース部11と金属反射鏡12を一体化したヒートシンク41による構成とし、その下面に放熱フィン41aを設ける構成にしたが、他の実施の形態と同様に金属ベース部11と金属反射鏡12に分け、金属ベース部11に放熱フィン41aを設ける構成であってもよい。
図5は、第5の実施の形態に係る発光装置の構成を示す図である。前記各実施の形態が放熱を金属ベース部と金属反射鏡、又はヒートシンクで行っていたのに対し、第5の実施の形態による発光装置50は、放熱の殆どを付加装置が負担する構成にしたところに特徴がある。付加装置として、ヒートパイプ又は同一原理によるものを用いることができる。
発光装置50は、基本的な構成について第1の実施の形態と同一であるが、絶縁封着ガラス15a,15b,17a,17b、及びリード部16a,16bの図示を省略しており、更に、サブマウントについての形状を簡略化している。
発光装置50は、LED素子14による発熱を外部に伝熱するために、シート状ヒートシンク51が用いられている。シート状ヒートシンク51は、例えば、「ペラフレックス」(登録商標)を用いることができる。このシート状ヒートシンク51は、発光装置50を大形化できないできない場合、発熱部に十分な放熱スペースを確保できない場合、筐体の外で放熱しなければならない場合等に適している。また、シート状ヒートシンク51は、厚みが0.6mm、幅が20mm、長さが150mm程度の寸法でありながら、10ワット程度までの放熱に供することができるという特長がある。
シート状ヒートシンク51は、その一方の端部が金属ベース部11の上面(サブマウント13と接する面)に設置され、他方の端部には放熱器52が取り付けられている。放熱器52に代えて、他の部材、例えば、発光装置50が適用される電子機器の筐体を利用することもできる。また、シート状ヒートシンク51は、金属ベース部11の上面に配設したが、金属ベース部11の下面に配設してもよい。
上記した第5の実施の形態によると、金属ベース部11にシート状ヒートシンク51を設けたため、金属ベース部11の厚み等を小さくしても放熱効率を高めることができる。また、LED素子14の長時間点灯による発光装置50の温度上昇を防止できる。従って、高出力の発熱装置に適している。
なお、第5の実施の形態では、発光装置10に設けられていなかった放熱フィン12aが金属反射鏡に設けられているが、これを設けない構成であってもよい。
図6は、第6の実施の形態に係る発光装置の構成を示す図であり、発光装置60は、リード部26が、多層セラミックス基板によって形成され、ろう材によって、金属ベース部21と金属反射鏡12とに固定されている点が第1の実施の形態と相違している。
図7は、第6の実施の形態に係るリード部を部分的に示し、(a)は側面図、(b)は(a)のA−A部における平面図、(c)は(a)のB−B部における断面図、(d)は(a)のC−C部における底面図である。
リード部26は、ガラス含有Al23(熱膨張率:13.2×10-6/℃)の2層基板であり、金属によるパターン26a、26b、26c,26dが形成されている。パターン26a、26bはLED素子14に電力を供給するためのもので、サブマウント22との接点と外部端子部とは、表面に露出しているが、大半は基板内を通っている。パターン26c、26dは電気的接続を目的としたものではなく、ろう材を介して金属ベース部21、あるいは、金属反射鏡12に接着固定することを目的としたものである。ろう材は、Au−Si系材料(溶融温度:360℃、熱膨張率:13.9×10-6/℃)を用いている。
実際のリードとなるパターン26a、26bは、耐熱性絶縁部材であるセラミックス中を通っているので、リード部26を導電性材料を用いて固定しても、電気的短絡は、生じない。また、セラミックス部材を銅材(熱膨張率:16×10-6/℃)と同等の熱膨張率としたので、高温での加工を行っても熱膨張率差のために剥離やクラックが発生しないものができる。
また、アノード、カソードを同一方向から引き出すものとしても、回路パターンは基材に精度良く形成できるので、パターン26a、26bが接触して電気的短絡が生じることを防止できる。
さらに、外部端子を電気接続する際に、熱伝導性の高くないガラス含有Al2O3基板のパターンからは、熱が逃げにくいので、はんだ付けを行い易い。
上記した各実施の形態においては、蛍光体層を封止部材18,45内に設置し、波長変換を行わせることもできる。蛍光体層は、例えば、LED素子が青色発光である場合、この青色光によって励起されることにより黄色光を放射する特性を有するCe(セリウム):YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)を蛍光体として用いる。
なお、各実施の形態において、金属反射鏡12,22、反射面41bの底部の絶縁封着ガラス17a,17b、サブマウント13,23,43の表面に銀やアルミニウムによるメッキ又は蒸着等による反射面を形成し、光の出射効率を高めるようにしてもよい。
更に、各実施の形態においては、1つの封止部材内に配設されるLED素子の個数は1個であるとしたが、LED素子が2個以上のマルチ発光型の発光装置にすることもできる。搭載する複数のLED素子は、異なる発光色のLED素子を複数設ける構成でも、同一発光色のLED素子を複数設ける構成でもよい。更に、LED素子の駆動形態としては、複数のLED素子の全部を並列接続し又はグループ単位で並列接続しても、複数単位に直列接続し又は全数を直列接続してもよい。
また、封止部材18,45は、上面が平面であるとしたが、他の形状、例えば半球形のレンズ形状であってもよい。
上記各実施の形態においては、LED素子14,44は、フリップチップ実装される構成を説明したが、フェイスアップタイプ(上面にアノード、カソード電極を有し、ワイヤにより電気接続するもの)や、アノード、カソード電極がそれぞれ上下面に形成され、上面電極はワイヤにより電気接続されるものであっても良い。フリップチップタイプでなければ、サブマウント13、22、43を用いず、金属ベース部11、21、およびヒートシンク41に直接マウントしても良い。なお、サブマウントを設けた方が、LED素子が発する熱によりLED素子と金属ベース部、ヒートシンクとの熱膨張率差によって生じる応力を軽減できるが、一方で放熱性は直接マウントの方が優れる。
本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)はA−A断面図、(c)はB−B断面図である。 第2の実施の形態に係る発光装置の構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)はA−A断面図、(c)はB−B断面図である。 第3の実施の形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第4の実施の形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第5の実施の形態に係る発光装置の構成を示す図である。 第6の実施の形態に係る発光装置の構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)はA−A断面図、(c)はB−B断面図である。 第6の実施の形態に係るリード部を部分的に示し、(a)は側面図、(b)は(a)のA−A部における平面図、(c)は(a)のB−B部における断面図、(d)は(a)のC−C部における底面図である。
符号の説明
10,20,30,40,50 発光装置
11 金属ベース部
12 金属反射鏡
12a 反射面
13 サブマウント
14 LED素子
15a,15b,17a,17b 絶縁封着ガラス
16a,16b リード部
18 封止部材
21 金属ベース部
22 サブマウント
23 切欠部
24a,24b リード部(金属リード)
25 絶縁封着ガラス
31 金属反射鏡
32 放熱フィン
41 ヒートシンク
41a 放熱フィン
41b 反射面
41c 反射鏡部
42a,42b 絶縁体
43 サブマウント
43a,43b リード部
44 LED素子
45 封止部材
51 シート状ヒートシンク
52 放熱器

Claims (5)

  1. 発光素子と、
    一方の端部が前記発光素子に電気接続されると共に、前記発光素子に電源を供給するための端子として機能するリードと、
    前記発光素子が搭載されると共に、前記発光素子の熱を放熱する金属ベース部と、
    前記発光素子を覆う透光性の樹脂又はガラスによる封止部材とを備え、
    前記リードは、金属板材からなり、前記金属ベース部にガラス材からなる耐熱性絶縁性部材によって保持されていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記発光素子と前記リードとの接続を電極又は配線層を介して行うサブマウントを有し、
    前記発光素子は、前記サブマウントを介して、前記金属ベース部に搭載されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記金属ベース部に重なるように接合され又は前記金属ベース部に一体加工された金属製の反射鏡部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記金属ベース部あるいは前記反射鏡部の少なくとも一方に、放熱フィンが形成されていることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の発光装置。
  5. 前記金属ベース部は、シート状のヒートシンクが装着されていることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の発光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4124129B2 (ja) * 2004-01-23 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクタ
KR100688626B1 (ko) * 2005-05-07 2007-03-02 아로 주식회사 발광다이오드용 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛
KR100601891B1 (ko) * 2005-08-04 2006-07-19 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
WO2007088584A1 (ja) 2006-01-31 2007-08-09 Fujitsu Limited 光モジュールおよびその製造方法
JP2007227489A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放熱基板及びその製造方法並びにそれを用いた発光モジュール
KR101210090B1 (ko) * 2006-03-03 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법
TWI314366B (en) * 2006-04-28 2009-09-01 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
US20080049445A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Backlight Using High-Powered Corner LED
EP2077420A1 (en) * 2006-10-10 2009-07-08 NeoBulb Technologies, Inc. A semiconductor light-emitting module
US20080089072A1 (en) * 2006-10-11 2008-04-17 Alti-Electronics Co., Ltd. High Power Light Emitting Diode Package
JP5188120B2 (ja) 2007-08-10 2013-04-24 新光電気工業株式会社 半導体装置
DE102008021435A1 (de) * 2008-04-29 2009-11-19 Schott Ag Gehäuse für LEDs mit hoher Leistung
KR101018119B1 (ko) * 2008-09-04 2011-02-25 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지
JP5645392B2 (ja) * 2009-11-30 2014-12-24 京セラ株式会社 光電変換装置用部品および光電変換装置
KR101157530B1 (ko) * 2009-12-16 2012-06-22 인탑스엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP6205894B2 (ja) * 2012-07-04 2017-10-04 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置
KR102157065B1 (ko) * 2014-03-25 2020-09-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP6477734B2 (ja) * 2016-06-30 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

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