KR101210090B1 - 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법 - Google Patents

금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속판; 상기 금속판 위에 구비된 절연체층; 상기 절연체 상의 일측에 형성된 다수의 회로패턴; 상기 다수의 회로패턴을 둘러싸도록 형성된 반사 코팅막; 및 상기 반사 코팅막의 상부 일측면에서 내측으로 또는 상기 금속판의 하부 일측면에서 내측으로 소정 깊이와 소정 폭을 가지는 요홈 형태로 구비된 다수의 커팅 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 금속 코어 인쇄회로기판을 형성하는 금속 코어 인쇄회로기판 형성단계; 상기 금속 코어 인쇄회로기판에 발광 다이오드를 실장하는 발광 다이오드 실장단계; 및 상기 금속 코어 인쇄회로기판의 상부면, 하부면중 어느 하나 이상의 면에서 내측으로 소정 깊이와 소정 폭의 요홈 형태를 가지는 다수의 커팅 라인을 형성하는 커팅 라인 형성단계를 포함하는 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법에 관한 것이다.
금속 코어 인쇄회로기판, 커팅 라인, 방열

Description

금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키징 방법{Metal core printed circuit board and light-emitting diode packaging method thereof}
도 1은 종래의 BGA(Ball Grid Array) 패키지의 구성을 도시한 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 형성된 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징하는 과정을 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따라 형성된 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징한 상태를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 형성된 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징한 상태를 도시한 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10,20,30: 금속판 11,21,31: FR4 수지층
12,12-1,12-2,22,22-1,22-2,32,32-1,32-2: 회로패턴
13,23,33: 반사 코팅막 14,24,34: 발광 다이오드 칩
15,25,35: 와이어 16,26,36: 몰딩부
17,27,37-1,37-2: 커팅라인
본 발명은 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키징 방법에 관한 것으로, 특히 방열 특성을 향상시킨 금속 코어 인쇄회로기판의 구조와 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 볼그리드 어레이(BGA:Ball Grid Array) 패키지를 도시하고, 볼그리드 어레이 패키지(1)에는 인쇄회로기판(2)상에 칩(3)이 설치되어 있고, 상기 칩(3)은 몰딩 컴파운드(4)로 몰딩되어 외부환경으로부터 보호된다. 그리고, 상기 기판(2)의 하면에는 패키지(1) 외부와의 신호 및 전원전달을 위한 솔더볼(5)이 설치되어 있다. 상기 인쇄회로기판(2)과 칩(3)은 골드 와이어(6)에 의해 연결되어 전기적 신호가 상호 간에 전달된다.
한편, 상기 칩(3)의 상면에는 상기 칩(3)에서 발생하는 열을 방출하기 위한 히트 싱크(7)가 설치되어 있다. 상기 히트 싱크(7)는 일반적으로 알루미늄 등의 금속재질로 이루어지고, 그 하면이 상기 칩(3)의 상면과 접촉되고, 그 상면은 상기 몰딩 컴파운드(4)의 외부로 노출되어 있다. 그리고, 열의 방출을 더욱 원활하게 하기 위해 상기 히트 싱크(7)의 상면에는 방열 돌출부(8)가 형성되어 있다.
이와 같이 히트 싱크(7)를 사용하는 것은 상기 칩(3)이 작은 크기의 부품에 엄청난 수의 기능소자가 집적되어 있어, 작동시 상당히 많은 열이 발생하기 때문이다. 따라서 이와 같은 열을 적절히 방열시키지 못하면 전자가 고열에 의해 여기 상태가 되므로 칩(3)이 제 기능을 발휘하지 못하게 되므로, 상기와 같이 히트 싱크(7)를 설치하여 칩(3)에서 발생하는 열을 방출시키게 된다.
그러나, 이와 같이 히트 싱크(7)를 칩(3)의 상부에 설치하게 되면, 상기 칩(3)이 반도체 발광 소자인 경우 발광된 빛이 외부로 방출될 공간이 없어지므로, 이와 같이 히트 싱크(7)를 일반적인 구조로 설치할 수 없는 문제점이 있다.
그리고, 빛의 방출 공간을 일부 형성하여 히트 싱크(7)를 설치한다고 하여도, 패키지(1)의 크기가 커지게 되고, 주위 부품에 전자기적 영향을 미치는 문제를 유발하며, 골드 와이어(6)가 열에 의해 절단되는 문제점이 발생될 확률이 있다.
그리고, 이와 같이 방열부재인 히트 싱크(7)를 별도로 패키지(1)에 설치하는 경우에는 이를 설치하기 위한 공정이 필요하고 별도의 부품이 추가되는 것이므로 패키지(1)의 원가가 상승하는 문제점이 발생한다.
본 발명은 종래의 발광 다이오드의 패키지에서 발생하는 열을 효과적으로 방열할 수 있는 MCPCB의 구조를 제공하여 발광 다이오드의 신뢰성을 향상시키는데 목적이 있다.
본 발명에 의한 금속 코어 인쇄회로기판은 금속판; 상기 금속판 위에 구비된 절연체층; 상기 절연체 상의 일측에 형성된 다수의 회로패턴; 상기 다수의 회로패턴을 둘러싸도록 형성된 반사 코팅막; 및 상기 반사 코팅막의 상부 일측면에서 내측으로 또는 상기 금속판의 하부 일측면에서 내측으로 소정 깊이와 소정 폭을 가지는 요홈 형태로 구비된 다수의 커팅 라인을 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 금속 코어 인쇄회로기판의 상기 반사 코팅막은 산화티 탄과 수지를 주성분으로 하여, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화아연, 및 산화티탄중 선택된 어느 하나를 혼합한 백색의 화이트 수지를 사용한다.
본 발명에 의한 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법은 금속 코어 인쇄회로기판을 형성하는 금속 코어 인쇄회로기판 형성단계; 상기 금속 코어 인쇄회로기판에 발광 다이오드를 실장하는 발광 다이오드 실장단계; 및 상기 금속 코어 인쇄회로기판의 상부면, 하부면중 어느 하나 이상의 면에서 내측으로 소정 깊이와 소정 폭의 요홈 형태를 가지는 다수의 커팅 라인을 형성하는 커팅 라인 형성단계를 포함한다.
본 발명에 의한 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법은 금속 코어 인쇄회로기판을 형성하는 금속 코어 인쇄회로기판 형성단계; 상기 금속 코어 인쇄회로기판의 상부면, 하부면중 어느 하나 이상의 면에서 내측으로 소정 깊이와 소정 폭의 요홈 형태를 가지는 다수의 커팅 라인을 형성하는 커팅 라인 형성단계; 및 상기 금속 코어 인쇄회로기판에 발광 다이오드를 실장하는 발광 다이오드 실장단계를 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법 중 상기 금속 코어 인쇄회로기판 형성단계는, 금속판에 절연체층을 형성하는 절연체층 형성단계; 상기 절연체층의 일측에 발광 다이오드 실장영역을 형성하는 실장영역 형성단계; 및 상기 절연체층의 발광 다이오드 실장영역을 둘러싸는 반사 코팅막을 형성하는 반사 코팅막 형성단계를 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키 징 방법 중 상기 실장영역 형성단계는 상기 절연체층 위에 회로패턴을 형성하는 회로패턴 형성단계; 상기 회로패턴의 일측 위에 발광 다이오드를 실장하는 발광 다이오드 실장단계; 및 상기 발광 다이오드를 몰딩하는 몰딩단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 형성된 금속 코어 인쇄회로기판(이하, MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board)로 지칭함)상에 발광 다이오드를 패키징하는 과정을 도시한 단면도이다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 금속판(10) 상에 절연체층, 예컨대 유리 에폭시계 재질인 FR4 수지층(11)을 접착한다. 여기서, 금속판(10)은 Al, Au 등과 같이 열전도성을 가진 금속 재질로 수 mm 내지 수십 mm의 두께로 이루어지고 히트 싱크(heat sink)로서의 역할을 하게 되며, FR4 수지층(11)은 절연체층으로서 기계적 강도가 높고 내구성이 우수하여 얇은 두께로 이루어진 경우에도 열에 의한 변형이 작으며 접착성이 있어 레이어를 형성하는데 적합한 재질이다.
이와 같은 FR4 수지층(11)은 접착성이 있기 때문에, 프레스 또는 열압착 지그(jig)를 이용하여 금속판(10)의 상부면에 접합 될 때 프레스 또는 열압착 지그에 의해 가해지는 열에 의해 FR4 수지층(11)이 접합 된다.
FR4 수지층(11)을 금속판(10)의 상부면에 접합한 후, 도 2b에 도시된 바와 같이 FR4 수지층(11) 상에 전원공급 또는 열전도 등을 위한 회로패턴(12,12-1,12-2)을 형성한다. 여기서, 회로패턴(12,12-1,12-2)은 구리와 같은 금속재질을 사용하고 반도체 회로형성을 위한 공정기술 예를 들어, 광리소그라피(photo- lithography), 메탈라이제이션(metallization), 에칭 등을 이용하여 형성할 수 있다.
회로패턴(12,12-1,12-2)을 형성한 후, 회로패턴(12,12-1,12-2)의 외측으로 회로패턴(12,12-1,12-2)을 둘러싸는 반사 코팅막(13)을 형성한다. 반사 코팅막(13)은 차후에 회로패턴(12)에 실장될 발광 다이오드 칩(14)에서 발광하는 광의 휘도를 향상시키기 위해 반사율이 높은 재질로 형성되고, 제 1 실시예에서는 예컨대, 산화티탄과 수지를 주성분으로 하여 탄산칼슘, 황산바륨, 산화아연, 산화티탄 등을 혼합한 백색의 화이트 수지를 사용한다. 물론, 여기서 백색의 화이트 수지 이외에 백색 안료를 이용하여 반사 코팅막(13)을 형성할 수도 있다.
여기서, 반사 코팅막(13)은 회로패턴(12,12-1,12-2)을 둘러싸지 않고 회로패턴(12-1,12-2) 및 회로패턴(12-1,12-2)과 연결된 와이어(15)을 덮도록 형성될 수도 있다.
이런 화이트 수지를 반사 코팅막(13)으로 도포하기 위해서, 종래에 널리 사용되는 공압 방식의 디스펜싱(Dispensing) 방식이 아닌 스크린 프린팅(Screen Printing) 방식을 제안한다. 스크린 프린팅 방식은 종래의 공압 방식의 디스펜싱 방식에 비해 짧은 시간에 많은 면적을 도포할 수 있으며 설비 투자비용이 적다.
스크린 프린팅 방식으로 반사 코팅막(13)으로 화이트 수지를 도포하기 위해, FR4 수지(11)상에 형성된 회로패턴(12,12-1,12-2) 위에 두께가 예컨대, 50㎛인 스크린 마스크(도시하지 않음)를 형성하고, 이후 스퀴즈(squeeze)(도시하지 않음)를 이용하여 스크린 마스크 이외의 부분에 화이트 수지를 채우도록 한다. 구체적으로, 스퀴즈는 스크린 마스크의 상측면을 따라 기설정된 방향으로 액상의 화이트 수지를 문지르면서 이동하고, 따라서 액상의 화이트 수지는 스크린 마스크 이외의 부분에 채워진다.
스크린 마스크 이외의 부분에 액상의 화이트 수지가 채워진 후, 스크린 마스크를 제거하고 기설정된 온도로 어닐링을 수행하여 화이트 수지가 경화(cure)되게 하며, 화이트 수지의 표면이 스크린 마스크의 상부 표면과 동일하게 평평해지도록 한다.
이와 같이 화이트 수지로 이루어진 반사 코팅막(13)을 형성한 후, 도 2d에 도시된 바와 같이 발광 다이오드 칩(14)을 회로패턴(12)에 장착하고 와이어(15)를 이용하여 발광 다이오드 칩(14)과 회로패턴(12-1,12-2)에 와이어 본딩으로 연결하며 몰딩부(16)를 구비한다. 여기서, 발광 다이오드 칩(14)이 회로패턴(12)과 와이어(15)를 이용하지 않고 예를 들어, SiOB(Silicon Optical Bench: 실리콘 광학 벤치)를 이용하여 SiOB에 발광 다이오드 칩(14)을 플립 본딩하고 발광 다이오드 칩(14)이 플립 본딩된 SiOB(도시하지 않음)를 열전도성을 가진 페이스트(도시하지 않음)를 이용하여 FR4 수지(11) 상에 장착하며 리드 프레임을 이용하여 전기적 연결을 이룰 수도 있다.
발광 다이오드 칩(14)을 실장한 뒤, 금속판(10), FR4 수지(11), 화이트 수지로 이루어진 반사 코팅막(13)을 포함하는 MCPCB의 상측면에서 하측 방향으로 소정 깊이의 요홈 형태를 가지는 다수의 커팅 라인(17)을 형성한다.
이때, 커팅 라인(16)이 형성된 뒤, 발광 다이오드 칩(14)이 실장될 수도 있 다.
여기서, 다수의 커팅 라인(17)은 기계적 방법, 예컨대 드릴링 머신 또는 밀링머신을 이용하여 형성할 수 있거나, 또는 에칭 방법을 이용하여 수십 ㎛의 미세한 폭으로 형성될 수도 있다.
이와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따라 형성된 다수의 커팅 라인(17)을 포함하는 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징한 상태는 금속판(10)이 전자장치의 일측에 장착되어 사용되는 경우에 적합한 형태이다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 형성된 다수의 커팅 라인(17)에 의해 방열을 위한 단면적이 상당히 넓어짐으로써, 발광 다이오드 칩(14) 등에서 발생하는 열이 다수의 커팅 라인(17)을 통해 효과적으로 대량 방열할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드 칩(14)에 대한 열적 신뢰성을 향상시킬 수 있어, 발광 다이오드 칩(14)의 성능을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따라 형성된 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징한 상태를 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따라 형성된 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징한 상태를 도시한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 2 실시예에 따라 형성된 MCPCB 상에 발광 다이오드를 패키징한 상태는 본 발명의 제 1 실시예와 유사하게 금속판(20) 상에 접착된 FR4 수지층(21)과 같은 절연체층, 회로패턴(22,22-1,22-2)을 둘러싸는 화이트 수지로 이루어진 반사 코팅막(23), 회로패턴(22,22-1,22-2) 상에 실장된 발 광 다이오드 칩(24)과 몰딩부(26)를 포함하여 구성된다.
본 발명의 제 2 실시예는 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 1 실시예와 상이하게 다수의 커팅 라인(27)이 금속판(20)의 상부면이 아니라 금속판(20)의 하부면에서 내측으로 소정 깊이로 형성된다. 따라서, 다수의 커팅 라인(27)이 형성된 금속판(20)은 방열을 위한 단면적이 상당히 넓어져 방열 기능의 히트 싱크로서의 역할을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
이어서, 본 발명의 제 3 실시예에 따라 형성된 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징한 상태를 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 형성된 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징한 상태를 도시한 단면도로서, 본 발명의 제 3 실시예에 따라 형성된 MCPCB 상에 발광 다이오드를 패키징한 상태는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예와 유사하게 금속판(30) 상에 접착된 FR4 수지층(31)과 같은 절연체층, 회로패턴(32,32-1,32-2)을 둘러싸는 화이트 수지로 이루어진 반사 코팅막(33), 회로패턴(32,32-1,32-2) 상에 실장된 발광 다이오드 칩(34)과 몰딩부(36)를 포함하여 구성된다.
본 발명의 제 3 실시예는 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예와 유사하게 다수의 커팅 라인(37-1,37-2)이 MCPCB의 반사 코팅막(33) 상부면과 금속판(30)의 하부면에서 내측으로 서로 엇갈리게 소정 깊이로 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예와 제 2 실시예에 따라 형성된 MCPCB상에 발광 다이오드를 패키징한 상태보다 단면적이 더욱 넓어진 방열면적을 구비할 수 있 게 되어, 발광 다이오드 칩(34)에서 발생한 열을 효과적으로 방열할 수 있게 된다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따라 발광 다이오드 칩에만 한정이 되는 것이 아니라 발열량이 많은 여타의 전자소자에도 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명은 발광 다이오드 칩 등에서 발생하는 열을 효과적으로 방열할 수 있는 MCPCB의 커팅 라인 구조를 제공하여 발광 다이오드 칩의 열적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 금속판;
    상기 금속판 위에 구비된 절연체층;
    상기 절연체 상의 일측에 형성된 다수의 회로패턴;
    상기 다수의 회로패턴을 둘러싸도록 형성된 반사 코팅막; 및
    상기 반사 코팅막의 상부 일측면에서 내측으로 또는 상기 금속판의 하부 일측면에서 내측으로 소정 깊이와 소정 폭을 가지는 요홈 형태로 구비된 다수의 커팅 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연체층은 FR4로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 코팅막은 백색의 화이트 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 커팅 라인은 밀링머신을 이용하는 기계적인 방식 또는 에칭 방식을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판.
  5. 금속 코어 인쇄회로기판을 형성하는 금속 코어 인쇄회로기판 형성단계;
    상기 금속 코어 인쇄회로기판에 발광 다이오드를 실장하는 발광 다이오드 실장단계; 및
    상기 금속 코어 인쇄회로기판의 상부면, 하부면중 어느 하나 이상의 면에서 내측으로 소정 깊이와 소정 폭의 요홈 형태를 가지는 다수의 커팅 라인을 형성하는 커팅 라인 형성단계를 포함하는 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법.
  6. 금속 코어 인쇄회로기판을 형성하는 금속 코어 인쇄회로기판 형성단계;
    상기 금속 코어 인쇄회로기판의 상부면, 하부면중 어느 하나 이상의 면에서 내측으로 소정 깊이와 소정 폭의 요홈 형태를 가지는 다수의 커팅 라인을 형성하는 커팅 라인 형성단계; 및
    상기 금속 코어 인쇄회로기판에 발광 다이오드를 실장하는 발광 다이오드 실장단계를 포함하는 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 금속 코어 인쇄회로기판 형성단계는
    금속판에 절연체층을 형성하는 절연체층 형성단계;
    상기 절연체층의 일측에 발광 다이오드 실장영역을 형성하는 실장영역 형성단계; 및
    상기 절연체층의 발광 다이오드 실장영역을 둘러싸는 반사 코팅막을 형성하는 반사 코팅막 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 실장영역 형성단계는
    상기 절연체층 위에 회로패턴을 형성하는 회로패턴 형성단계;
    상기 회로패턴의 일측 위에 발광 다이오드를 실장하는 발광 다이오드 실장단계; 및
    상기 발광 다이오드를 몰딩하는 몰딩단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 절연체층은 FR4로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사 코팅막은 백색의 화이트 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법.
  11. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 다수의 커팅 라인은 밀링머신을 이용하는 기계적인 방식 또는 에칭 방싱을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 코어 인쇄회로기판을 이용한 발광 다이오드 패키징 방법.
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TW096107087A TWI429100B (zh) 2006-03-03 2007-03-02 發光二極體封裝與其製造方法
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101210090B1 (ko) * 2006-03-03 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법
WO2010021089A1 (ja) * 2008-08-21 2010-02-25 パナソニック株式会社 照明用光源
KR101134555B1 (ko) * 2009-03-23 2012-04-16 금호전기주식회사 발광소자 장착용 인쇄회로기판
KR101124102B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-21 삼성전기주식회사 발광 소자 패키지용 기판 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20110068689A (ko) * 2009-12-16 2011-06-22 삼성전기주식회사 광학소자용 패키지 기판 및 그 제조방법
US8616732B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illumination device
KR101121151B1 (ko) * 2010-03-19 2012-03-20 주식회사 대원이노스트 Ｌｅｄ 모듈 및 그 제조 방법
KR101037168B1 (ko) * 2010-06-04 2011-05-26 지성수 절연 및 방열성능이 향상된 방열피씨비 및 이의 제조방법
KR101101709B1 (ko) * 2010-12-16 2012-01-05 한국세라믹기술원 Ｌｅｄ 어레이 방열모듈 및 이의 제조방법
KR101166066B1 (ko) 2010-12-21 2012-07-19 주식회사 루셈 발광다이오드 패키지
KR101775428B1 (ko) * 2010-12-28 2017-09-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN102104092A (zh) * 2011-01-13 2011-06-22 北京易光天元半导体照明科技有限公司 一种利于散热的新型led封装方法和装置
WO2012101547A1 (en) * 2011-01-25 2012-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based modular assembly
TWI419270B (zh) * 2011-03-24 2013-12-11 Chipmos Technologies Inc 封裝堆疊結構
TW201347244A (zh) * 2012-05-10 2013-11-16 Gem Weltronics Twn Corp 一體化高效率多層式照明裝置
KR101236715B1 (ko) * 2012-08-28 2013-02-25 주식회사 썬엘이디 실리콘 성형 방식을 이용한 칩온보드댐을 포함한 ｌｅｄ 모듈의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 ｌｅｄ 모듈
JP5784658B2 (ja) * 2013-02-28 2015-09-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び製造装置
EP2806211A1 (en) * 2013-05-21 2014-11-26 OSRAM GmbH Solid-state lighting device and related process
KR101592649B1 (ko) * 2013-12-24 2016-02-12 현대자동차주식회사 헤드램프용 레이저 광학계
CN104613379B (zh) * 2015-02-06 2017-12-26 东莞佰鸿电子有限公司 一种蓝宝石印刷电路板led灯具及其制作方法
CN105655472A (zh) * 2016-02-02 2016-06-08 上海鼎晖科技股份有限公司 一种金属导热柱cob led光源
CN106449563B (zh) * 2016-11-29 2018-11-13 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 一种具有鳍形结构的晶圆封装
CN106449443B (zh) * 2016-11-29 2019-01-01 海安浩驰科技有限公司 一种具有鳍形结构的晶圆封装方法
DE102019126021A1 (de) * 2019-09-26 2021-04-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
CN111048651B (zh) * 2019-12-27 2021-12-17 广州市鸿利秉一光电科技有限公司 一种高反射率uvled基板及生产方法
US11894357B2 (en) * 2020-09-10 2024-02-06 Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation System-level packaging structure and method for LED chip
WO2023133720A1 (zh) * 2022-01-12 2023-07-20 谢华棣 立体散热电路板组的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003304000A (ja) 2002-04-08 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード用パッケージの製造方法
KR100455089B1 (ko) 2003-05-28 2004-11-06 서울반도체 주식회사 고출력 반도체 발광 소자용 패키지 구조 및 이를 사용하는 반도체 발광 소자
US20050199899A1 (en) 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6028366U (ja) * 1983-08-03 1985-02-26 昭和アルミニウム株式会社 凝縮器
JPH0416468Y2 (ko) * 1986-07-31 1992-04-13
JPH0677540A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JPH08204294A (ja) * 1995-01-27 1996-08-09 Fuji Electric Co Ltd 放熱フィン一体形プリント配線板
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JPH11284110A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Onkyo Corp ヒートシンクにおけるパワートランジスタの取付構造
JP3605547B2 (ja) * 1999-06-11 2004-12-22 松下電器産業株式会社 放熱基板及びその製造方法
JP3640153B2 (ja) * 1999-11-18 2005-04-20 松下電工株式会社 照明光源
TW507482B (en) * 2000-06-09 2002-10-21 Sanyo Electric Co Light emitting device, its manufacturing process, and lighting device using such a light-emitting device
JP3602453B2 (ja) * 2000-08-31 2004-12-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP3472252B2 (ja) * 2000-09-07 2003-12-02 日本リークレス工業株式会社 膨張黒鉛製ヒートシンクの製造方法
US6906455B2 (en) * 2001-02-26 2005-06-14 Sony Corporation Transfer foil, transfer method, transfer apparatus, flat cathode-ray tube, and its manufacturing method
JP2003249675A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子アレイ
JP3838164B2 (ja) * 2002-06-18 2006-10-25 住友電気工業株式会社 光通信用素子と光通信用素子の製造方法
JP3655267B2 (ja) * 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
TW578280B (en) * 2002-11-21 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US7420271B2 (en) * 2003-02-20 2008-09-02 Tsung Hsin Chen Heat conductivity and brightness enhancing structure for light-emitting diode
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
TW560813U (en) * 2003-03-06 2003-11-01 Shang-Hua You Improved LED seat
TW594950B (en) * 2003-03-18 2004-06-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US6864513B2 (en) * 2003-05-07 2005-03-08 Kaylu Industrial Corporation Light emitting diode bulb having high heat dissipating efficiency
WO2004105142A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
KR100524656B1 (ko) 2003-09-30 2005-10-31 서울반도체 주식회사 다색 발광다이오드 패키지 및 다색 발광다이오드 시스템
WO2004107461A1 (en) 2003-05-28 2004-12-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
US6983086B2 (en) * 2003-06-19 2006-01-03 Intel Corporation Thermally isolating optical devices
JP4254470B2 (ja) * 2003-10-10 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置
JP2005056653A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 光源装置
JP4400327B2 (ja) * 2003-09-11 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 タイル状素子用配線形成方法
US20050077616A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Ng Kee Yean High power light emitting diode device
JP2005217147A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Seiko Epson Corp 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置
CN1708212A (zh) * 2004-06-11 2005-12-14 周明庆 导热基板装置
US7745832B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-29 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
JP4618682B2 (ja) 2005-01-28 2011-01-26 株式会社神戸製鋼所 耐水素脆化特性に優れた高強度ばね用鋼
US7411225B2 (en) * 2005-03-21 2008-08-12 Lg Electronics Inc. Light source apparatus
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
TWI280332B (en) * 2005-10-31 2007-05-01 Guei-Fang Chen LED lighting device
KR101210090B1 (ko) * 2006-03-03 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법
US20080175003A1 (en) * 2007-01-22 2008-07-24 Cheng Home Electronics Co., Ltd. Led sunken lamp

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003304000A (ja) 2002-04-08 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード用パッケージの製造方法
KR100455089B1 (ko) 2003-05-28 2004-11-06 서울반도체 주식회사 고출력 반도체 발광 소자용 패키지 구조 및 이를 사용하는 반도체 발광 소자
US20050199899A1 (en) 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED

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