TWI429100B - 發光二極體封裝與其製造方法 - Google Patents

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Description

發光二極體封裝與其製造方法
本發明係與發光二極體(light-emitting diode,LED)及其製造方法有關。
LED封裝包括LED與用以施加驅動訊號至LED與支撐該LED的印刷電路板(printed circuit board,PCB)。
LED是一種將電能轉換為光的裝置,在電能被轉換為光的過程中會產生熱,上述被產生的熱會降低LED的驅動特性。
因此,有需要將LED所產生的熱有效地吸收。
同時,LED封裝可附接一散熱構件(heatsink member)至一PCB,以便讓LED所產生的熱迅速地被吸收。
然而,在有附接散熱構件的情況下,製程會變得複雜而成本也會增加。
同樣地,散熱構件附接的位置也會影響到從LED所發出的光,所以LED晶片的發光效率會降低。
本發明係揭示一種LED封裝與其製造方法,用以實質上排除肇因於先前技術的限制與缺失。
本發明的一實施例提供一種LED封裝與一製造方法,讓LED所產生的熱可被有效地吸收。
本發明的一實施例提供一種LED封裝與一製造方法,能夠防止發光效率降低,同時讓LED所產生的熱可被有效地吸收。
有關本發明的額外優點、目的與特點將會在以下的實施方式說明中部分地提出,而熟悉此技藝者在檢視過以下的詳細說明與本發明的實例後,將更為清楚地了解本發明。本發明的目的與其他優點可由本發明的實施方式說明與申請專利範圍,以及所附的圖表所特別提出的結構,予以實現和達成。
本發明的一實施例提供一種發光二極體(LED)封裝,包含:一具有溝槽的金屬板;一位於該金屬板上的絕緣層;位於該絕緣層上的電路式樣;以及一位於該絕緣層上與該電路式樣電氣地連接之發光二極體。
一種用以製造一發光二極體(LED)的方法,該方法包含以下的步驟:準備一金屬核心印刷電路板;選擇性地移除一被容納於該金屬核心印刷電路板內的金屬板以形成溝槽;以及於該金屬核心印刷電路板上架設一發光二極體。
本發明的一實施例提供一種設備,包含:一具有溝槽的金屬板;一位於該金屬板上的絕緣層;一位於該絕緣層上的電路式樣;以及一位於該絕緣層上與該電路式樣電氣地連接之電子裝置。
根據本發明的實施例所提出之LED封裝可讓熱被有效地吸收。
根據本發明的實施例所提出之LED封裝可讓熱被有效地吸收,同時不會降低LED晶片的發光效率。
應可了解的是,前述的一般說明與以下有關本發明的詳細說明係用以示範和解釋,以針對所揭示的發明提供進一步的解說。
以下將參考本發明的較佳實施例詳細說明,並以附屬圖表作為範例。應可了解的是,當一元件被指為在另一元件「之上/之下」,其可能直接位於另一元件之上,或者其中也有可能會有中間元件。
第一圖至第四圖所示為根據本發明的第一實施例之用以製造一LED封裝的方法之示意圖。第一圖與第二圖為示範地解釋用以形成金屬核心印刷電路板(metal core printed circuit board,MCPCB)的製程之示意圖。
以下將根據本發明的實施例描述用以將MCPCB的散熱效應最大化的方法。
參考第一圖,一絕緣層(insulating layer)11係被形成於一金屬板(metal plate)10上。
絕緣層11可以是一樹脂層。舉例來說,以玻璃環氧基(glass epoxy-based)為主的材料之FR4樹脂層可作為該樹脂層。
金屬板10係採用像是鋁(Al)或金(Au)等具有優異熱傳導性的金屬,形成具有數個至數十個mm的厚度,並作為散熱器的用途。
絕緣層11係利用具有高機械強度與優異耐久性的FR4樹脂層,所以即使它的厚度薄,受熱也只有少許變形,同時它具有黏著性,因此適合用來形成一層。
同時,絕緣層11可利用壓機(press)或熱壓縮工模(thermal compressing jig)而被形成於金屬板10的上表面。絕緣層11可藉由壓機或熱壓縮工模所施加的熱而黏附至金屬板10。
參考第一圖,電路式樣(circuit pattern)12係被形成於絕緣層11上。
電路式樣12係以像是銅的金屬所形成。電路式樣12可藉由形成半導體電路的製程技術,像是光微影技術(photolithography)、金屬化、以及蝕刻等而形成。
如第一圖與第一圖所示,透過上述的製程,MCPCB與其上所形成的電路式樣12得以準備。
參考第三圖,反射層13係被選擇性地形成於絕緣層11上。
反射層13可藉由鍍膜(coating)方法於絕緣層11上沒有形成電路式樣12的部分形成。
反射層13係設計用來提升從LED晶片發出的光的亮度,並且適當地形成於絕緣層11的一部分,並將架設LED的區域與形成電路式樣12的區域納入考量。
反射層13包含一白色樹脂(white resin),該白色樹脂係以二氧化鈦(TiO2 )和一樹脂作為一主要成份,混合碳酸鈣(CaCO3)、硫酸鋇(BaSO4 )、以及氧化鋅(ZnO)的至少其中之一而形成。當然了,除了白色樹脂以外,反射層13也可利用白色染料形成。
儘管在第三圖中反射層13並沒有形成於電路式樣12之間,但是根據選擇的不同,反射層13也可形成於電路式樣12之間。
網版印刷(Screen printing),而非使用氣壓的點膠(dispensing),係被用來讓白色樹脂形成反射層13的形式。
網版印刷與使用氣壓的點膠相較,可以在相當短的時間內在大面積上鍍上白色樹脂,而且所需的成本低。
就網版印刷來說,具有50 μm厚度的網版遮罩(screen mask)係形成於電路式樣12上,而排除網版遮罩的部分則利用一壓擠器(squeeze)填滿白色樹脂。
詳細地說,壓擠器沿著網版遮罩的上表面以預先決定的方向移動,同時擦上液體的白色樹脂,所以排除網版遮罩的部分會被填入液體的白色樹脂。
排除網版遮罩的部分會被填入液體的白色樹脂,使得白色樹脂的表面平面化,和網版遮罩的上表面均等。同樣地,移掉網版遮罩後,會以預先決定的溫度執行退火,以便將白色樹脂硬化。
參考第四圖,當由白色樹脂形成的反射層13被形成後,LED晶片14會被架設於MCPCB之上。
詳細地說,LED晶片14係被架設在電路式樣12上,而LED晶片14係以接線15電氣地連接至電路式樣12。同樣地,一模造部分(molding portion)16係被形成以覆蓋LED晶片14與接線15。
LED晶片14可被形成於絕緣層11或反射層13之上。
同時,LED晶片14可藉由覆晶結合(flip-bonding)而被架設於一矽光學平台(Silicon Optical Bench,SiOB)上。用以讓LED晶片14藉由覆晶結合架設於其上的SiOB係藉由具有熱傳導性的糊劑而被架設於絕緣層11上,所以LED晶片14可利用導線架(lead frame)而電氣地連接至電路式樣12。
當LED晶片14被架設於MCPCB上之後,金屬板10、絕緣層11、以及反射層13係被選擇性地移除以於金屬板10的上表面內形成複數個溝槽(groove)17。
由於絕緣層11與反射層13的一部分係從溝槽的上表面被移除,溝槽17的下表面與側邊會暴露至空氣中。因此,金屬板10的散熱效應可被最大化。
同時,LED晶片14可於溝槽17形成後被架設於MCPCB上。
在此,複數個溝槽17可藉由使用鑽孔機或研磨機的機械方法,或使用蝕刻的化學方法而加以形成。
因此,根據上述實施例的LED封裝,package of the above embodiment,a surface area of the需用做散熱器的金屬板10的表面積會因為複數個溝槽17的設置而擴大,所以由LED晶片14所產生的熱可被有效地吸收。因此,LED晶片14的熱穩定性可提升,而LED晶片14的效能也可提升。
第五圖所示為根據本發明的第二實施例之LED封裝之示意圖。
第五圖所示的LED封裝與第四圖的LED封裝的不同點在於,第五圖提供了複數個形成於金屬板10的下表面的溝槽17。
因此,形成反射層13的面積增加,所以發光效率甚至也可提升,而溝槽17的數目增加,可讓散熱效應最大化。
第六圖所示為根據本發明的第三實施例之LED封裝之示意圖。
第六的LED封裝與第四圖和第五圖所示的LED封裝的不同之處在於,第六圖提供了複數個形成於金屬板10的上表面與下表面的溝槽17。
複數個溝槽17的散熱效應可被最大化。
同時,在金屬板10的上表面的溝槽17與在金屬板10的下表面的溝槽17在被形成時的位置彼此不同。也就是說,溝槽17不會在形成於金屬板的上表面的溝槽17的下方部分形成,而溝槽17會在沒有溝槽17的金屬板的上表面的下方部分形成。
換句話說,形成於金屬板的上表面的溝槽17與形成於金屬板的下表面的溝槽17並不在同一線上。
如此一來可維持金屬板10的機械強度。
儘管本發明是以有架設LED晶片於其上的LED封裝之實施例作為說明,不過本發明也可應用於有架設積體電路(IC)以及電阻等各種電子裝置於其上的MCPCB。
本發明的實施例可應用於有電子裝置被架設於其上的電路板。
熟悉此技藝者應可了解本發明具有各種修改與變動。因此,各種替代、修改和變動,均應視為在所附專利申請範圍與其相等的範圍內。
10...金屬板
11...絕緣層
12...電路式樣
13...反射層
14...LED晶片
15...接線
16...模造部份
17...溝槽
本發明內的附屬圖表係用以提供有關本發明的進一步說明,並被包含與構成本專利申請案的一部分,本發明所圖示的實施例與詳細說明係用以解釋本發明的原則,而在圖中:第一圖至第四圖所示為根據本發明的第一實施例之用以製造一LED封裝的方法之示意圖;第五圖所示為根據本發明的第二實施例之LED封裝之示意圖;以及第六圖所示為根據本發明的第三實施例之LED封裝之示意圖。
10...金屬板
11...絕緣層
12...電路式樣
13...反射層
14...LED晶片
15...接線
16...模造部份
17...溝槽

Claims (19)

  1. 一種發光二極體(LED)封裝,包含:一具有溝槽的金屬板,該溝槽係被形成於該金屬板的一表面;位於該金屬板上的電路式樣;一反射層於金屬板上;以及一位於該金屬板上與該電路式樣電氣地連接之發光二極體,其中,該金屬板被該溝槽分開一第一表面與一第二表面,其中該發光二極體形成於該第一表面,該反射層形成於該第二表面之上。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光二極體封裝,其中該溝槽之底面高於該金屬板之下表面。
  3. 如申請專利範圍第1項之發光二極體封裝,其中該些溝槽係被形成於該金屬板的一上表面與一下表面的至少其中之一。
  4. 如申請專利範圍第1項之發光二極體封裝,其中該該金屬板更包含一絕緣層。
  5. 如申請專利範圍第1項之發光二極體封裝,其中該些溝槽係被形成於該金屬板的一上表面與一下表面,以及在該上表面的該些溝槽與在該下表面的該些溝槽並不在同一線上。
  6. 如申請專利範圍第1項之發光二極體封裝,其中該金屬板具有至少一部分暴露於一上方,而該發光二極體係沿著該上方形成。
  7. 如申請專利範圍第1項之發光二極體封裝,其中該反射層係以二氧化鈦(TiO2 )和一樹脂的一主要成份混合碳酸鈣(CaCO3 )、硫酸鋇(BaSO4 )、以及氧化鋅(ZnO)的至少其中 之一而形成。
  8. 如申請專利範圍第1項之發光二極體封裝,包含一用以保護該些電路式樣與該發光二極體的至少一部分的模造部份。
  9. 一種用以製造一發光二極體(LED)的方法,該方法包含以下的步驟:準備一金屬核心印刷電路板;選擇性地移除一被容納於該金屬核心印刷電路板內的金屬板以形成溝槽;以及於該金屬核心印刷電路板上架設一發光二極體,其中該些溝槽係藉由選擇性地移除該金屬板與形成於該金屬板的一上表面上的一絕緣層,而被形成於該金屬板的該上表面。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法,包含於該金屬核心印刷電路板上形成一反射層的步驟。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法,其中該些溝槽係藉由選擇性地移除該金屬板的一下表面而被形成於該金屬板的該下表面。
  12. 一種用以製造一發光二極體(LED)的方法,該方法包含以下的步驟:準備一金屬核心印刷電路板;選擇性地移除一被容納於該金屬核心印刷電路板內的金屬板以形成溝槽;以及於該金屬核心印刷電路板上架設一發光二極體,其中該些溝槽係藉由選擇性地移除該金屬板與形成於該金屬板的一上表面上的一絕緣層,以及該金屬板的一下表面,而被形成於該金屬板的該上表面與該下表面。
  13. 如申請專利範圍第9項之方法,其中該些溝槽係利用一機械方法與一化學方法的其中之一而被形成。
  14. 如申請專利範圍第10項之方法,其中該反射層包含一白色樹脂,該白色樹脂係以二氧化鈦(TiO2 )和一樹脂作為一主要成份,以網版印刷混合碳酸鈣(CaCO3 )、硫酸鋇(BaSO4 )、以及氧化鋅(ZnO)的至少其中之一而形成。
  15. 如申請專利範圍第9項之方法,其中在準備一金屬核心印刷電路板的步驟中包含以下的步驟:於該金屬板上形成一絕緣層;以及於該絕緣層上形成電路式樣。
  16. 一種設備,包含:一具有溝槽的金屬板,該溝槽係被形成於該金屬板的一表面;一位於該金屬板上的電路式樣;以及一反射層於金屬板上;一與該電路式樣電氣地連接之電子裝置,其中,該金屬板被該溝槽分開一第一表面與一第二表面,其中該電子裝置形成於該第一表面,該反射層形成於該第二表面之上。
  17. 如申請專利範圍第16項之設備,其中該些溝槽係被形成於該金屬板的一上表面與一下表面的至少其中之一。
  18. 如申請專利範圍第16項之設備,其中該些溝槽係被形成於該金屬板的一上表面,以及該絕緣層與該些電路式樣係被形成於沒有形成該些溝槽的區域上。
  19. 如申請專利範圍第16項之設備,其中該些溝槽係被形成於該金屬板的一上表面與一下表面,以及在該上表面的該些溝槽與在該下表面的該些溝槽並不在同一線上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101210090B1 (ko) * 2006-03-03 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법
WO2010021089A1 (ja) * 2008-08-21 2010-02-25 パナソニック株式会社 照明用光源
KR101134555B1 (ko) * 2009-03-23 2012-04-16 금호전기주식회사 발광소자 장착용 인쇄회로기판
KR101124102B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-21 삼성전기주식회사 발광 소자 패키지용 기판 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20110068689A (ko) * 2009-12-16 2011-06-22 삼성전기주식회사 광학소자용 패키지 기판 및 그 제조방법
US8616732B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illumination device
KR101121151B1 (ko) * 2010-03-19 2012-03-20 주식회사 대원이노스트 Led 모듈 및 그 제조 방법
KR101037168B1 (ko) * 2010-06-04 2011-05-26 지성수 절연 및 방열성능이 향상된 방열피씨비 및 이의 제조방법
KR101101709B1 (ko) * 2010-12-16 2012-01-05 한국세라믹기술원 Led 어레이 방열모듈 및 이의 제조방법
KR101166066B1 (ko) 2010-12-21 2012-07-19 주식회사 루셈 발광다이오드 패키지
KR101775428B1 (ko) * 2010-12-28 2017-09-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN102104092A (zh) * 2011-01-13 2011-06-22 北京易光天元半导体照明科技有限公司 一种利于散热的新型led封装方法和装置
WO2012101547A1 (en) * 2011-01-25 2012-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based modular assembly
TWI419270B (zh) * 2011-03-24 2013-12-11 Chipmos Technologies Inc 封裝堆疊結構
TW201347244A (zh) * 2012-05-10 2013-11-16 Gem Weltronics Twn Corp 一體化高效率多層式照明裝置
KR101236715B1 (ko) * 2012-08-28 2013-02-25 주식회사 썬엘이디 실리콘 성형 방식을 이용한 칩온보드댐을 포함한 led 모듈의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 led 모듈
JP5784658B2 (ja) * 2013-02-28 2015-09-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び製造装置
EP2806211A1 (en) * 2013-05-21 2014-11-26 OSRAM GmbH Solid-state lighting device and related process
KR101592649B1 (ko) * 2013-12-24 2016-02-12 현대자동차주식회사 헤드램프용 레이저 광학계
CN104613379B (zh) * 2015-02-06 2017-12-26 东莞佰鸿电子有限公司 一种蓝宝石印刷电路板led灯具及其制作方法
CN105655472A (zh) * 2016-02-02 2016-06-08 上海鼎晖科技股份有限公司 一种金属导热柱cob led光源
CN106449563B (zh) * 2016-11-29 2018-11-13 卡姆丹克太阳能(江苏)有限公司 一种具有鳍形结构的晶圆封装
CN106449443B (zh) * 2016-11-29 2019-01-01 海安浩驰科技有限公司 一种具有鳍形结构的晶圆封装方法
DE102019126021A1 (de) * 2019-09-26 2021-04-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
CN111048651B (zh) * 2019-12-27 2021-12-17 广州市鸿利秉一光电科技有限公司 一种高反射率uvled基板及生产方法
US11894357B2 (en) * 2020-09-10 2024-02-06 Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation System-level packaging structure and method for LED chip
WO2023133720A1 (zh) * 2022-01-12 2023-07-20 谢华棣 立体散热电路板组的制造方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6028366U (ja) * 1983-08-03 1985-02-26 昭和アルミニウム株式会社 凝縮器
JPH0416468Y2 (zh) * 1986-07-31 1992-04-13
JPH0677540A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JPH08204294A (ja) * 1995-01-27 1996-08-09 Fuji Electric Co Ltd 放熱フィン一体形プリント配線板
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Led光源及びその製造方法
JPH11284110A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Onkyo Corp ヒートシンクにおけるパワートランジスタの取付構造
JP3605547B2 (ja) * 1999-06-11 2004-12-22 松下電器産業株式会社 放熱基板及びその製造方法
JP3640153B2 (ja) * 1999-11-18 2005-04-20 松下電工株式会社 照明光源
TW507482B (en) * 2000-06-09 2002-10-21 Sanyo Electric Co Light emitting device, its manufacturing process, and lighting device using such a light-emitting device
JP3602453B2 (ja) * 2000-08-31 2004-12-15 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP3472252B2 (ja) * 2000-09-07 2003-12-02 日本リークレス工業株式会社 膨張黒鉛製ヒートシンクの製造方法
US6906455B2 (en) * 2001-02-26 2005-06-14 Sony Corporation Transfer foil, transfer method, transfer apparatus, flat cathode-ray tube, and its manufacturing method
JP2003249675A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子アレイ
JP2003304000A (ja) 2002-04-08 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP3838164B2 (ja) * 2002-06-18 2006-10-25 住友電気工業株式会社 光通信用素子と光通信用素子の製造方法
JP3655267B2 (ja) * 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
TW578280B (en) * 2002-11-21 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US7420271B2 (en) * 2003-02-20 2008-09-02 Tsung Hsin Chen Heat conductivity and brightness enhancing structure for light-emitting diode
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
TW560813U (en) * 2003-03-06 2003-11-01 Shang-Hua You Improved LED seat
TW594950B (en) * 2003-03-18 2004-06-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US6864513B2 (en) * 2003-05-07 2005-03-08 Kaylu Industrial Corporation Light emitting diode bulb having high heat dissipating efficiency
EP2365539B1 (en) * 2003-05-26 2018-05-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device
KR100524656B1 (ko) 2003-09-30 2005-10-31 서울반도체 주식회사 다색 발광다이오드 패키지 및 다색 발광다이오드 시스템
JP4966656B2 (ja) * 2003-05-28 2012-07-04 ソウル半導体株式会社 複数のヒートシンクを有する発光ダイオードパッケージ
KR100455089B1 (ko) 2003-05-28 2004-11-06 서울반도체 주식회사 고출력 반도체 발광 소자용 패키지 구조 및 이를 사용하는 반도체 발광 소자
US6983086B2 (en) * 2003-06-19 2006-01-03 Intel Corporation Thermally isolating optical devices
JP4254470B2 (ja) * 2003-10-10 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置
JP2005056653A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 光源装置
JP4400327B2 (ja) * 2003-09-11 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 タイル状素子用配線形成方法
US20050077616A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Ng Kee Yean High power light emitting diode device
JP2005217147A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Seiko Epson Corp 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置
US20050199899A1 (en) 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED
CN1708212A (zh) * 2004-06-11 2005-12-14 周明庆 导热基板装置
US7745832B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-29 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
JP4618682B2 (ja) 2005-01-28 2011-01-26 株式会社神戸製鋼所 耐水素脆化特性に優れた高強度ばね用鋼
US7411225B2 (en) * 2005-03-21 2008-08-12 Lg Electronics Inc. Light source apparatus
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
TWI280332B (en) * 2005-10-31 2007-05-01 Guei-Fang Chen LED lighting device
KR101210090B1 (ko) * 2006-03-03 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법
US20080175003A1 (en) * 2007-01-22 2008-07-24 Cheng Home Electronics Co., Ltd. Led sunken lamp

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