KR101101709B1 - Ｌｅｄ 어레이 방열모듈 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 LED 어레이 방열모듈은 LED(109)와, 상기 LED(109)의 저부에 부착된 방열 슬러그(108)와, 상기 LED(109)의 리드(107)를 포함하는 LED 단위모듈이 하나 이상 정렬되어 구성된 LED 어레이 모듈에서 상기 LED 단위모듈에 부착되어 이의 열을 방출하기 위한 LED 어레이 방열모듈에 있어서, 방열판(101)과; 상기 방열판(101)의 상면에 형성되고, 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화보론(BN) 및 질화실리콘(Si3N4)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104)과; 상기 절연후막층(104)의 상면과 상기 각 방열 슬러그(108)의 저면 사이에 접합 배치되는 하나 이상의 제1솔더층(106)과; 상기 절연후막층(104)의 상면에 상기 각 LED 단위모듈의 측방으로 배치되고 이를 구동하는 하나 이상의 어레이 전극층(105)과; 상기 각 어레이 전극층(105)의 상면에 배치되고 상기 리드(107)와 연결되어 상기 리드(107)와 상기 어레이 전극층(105)을 각각 전기적으로 연결하는 하나 이상의 제2솔더층(106')을 포함한다.
Description
본 발명은 방열효과가 개선된 LED 어레이 방열모듈에 관한 것이다. 또한, 이의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 긴 수명과 낮은 소비전력으로 인해 다양한 용도로 각광받고 있으며, 특히 옥내외 조명용으로 유망하다.
일반적으로, LED는 PCB(Printed Circuit Board: PCB) 기판에 직접 장착하기 위하여 표면실장소자(Surface Mount Device: SMD) 구조로 제조되며, 이러한 구조에서 LED의 수명과 조도 개선을 위한 방열기술이 주된 이슈로 된다. 예를 들어, 가로등의 경우 적어도 50W 이상, 바람직하게는 100~150W급의 고출력 파워 LED 패키지가 요구되는데, 일반적으로 LED 패키지 구조상 접합온도가 120℃에 도달하면 LED 칩이 손상되므로, 이렇게 고전류를 인가하는 파워 패키지의 경우, 발생하는 열을 방출하는 기술이 최대 핵심과제로 된다.
도 1 및 도 2는 종래 개발된 LED 모듈로서, 특히 도 1은 메탈 PCB를 이용하고 도 2는 써멀비아(thermal via)를 이용하는 방열 패키지 구조를 각각 도시한다.
먼저 도 1을 참조하면, LED 칩(9)은 열전도성이 뛰어난 방열 슬러그(heat slug: 8) 상에 설치되고 이는 상부에 배치된 투명렌즈를 포함하는 플라스틱 패키지(10)로 몰딩되어 LED 패키지를 구성한다. 또한, LED 칩(9)의 캐소드(미도시) 및 애노드(미도시)에 각각 전기적 연결된 리드(7)는 각각 LED 칩(9)을 구동하기 위한 어레이전극(5)과 솔더(6)에 의해 접합된다. 또한, 상기 LED 패키지는 표면실장을 위하여 메탈층(3)과, 에폭시 수지 또는 세라믹으로 된 절연층(4)으로 구성되는 PCB 기판(3, 4)에 부착되며, 이 PCB 기판은 방열을 위하여 방열판(heat sink: 1)에 부착된다. 그리고, 이러한 부착들은 통상 방열시트, 방열본드, 방열테이프 및 방열 페이스트로 되는 군에서 선택되는 열전달소재(Thermal Interface Material: TIM)(2)를 통하여 이루어진다.
이러한 모듈구조는 LED 칩(9) 저면에 부착된 방열 슬러그(8)를 통해 열 방출이 비교적 용이할 수는 있으나, 고출력 파워 LED의 경우에는 LED 칩(9)과 방열 슬러그(8) 간의 열 저항과, 열전달소재(2) 자체의 열 저항으로 인하여 방열효율이 매우 낮다. 특히, 이러한 열전달소재(2)는 그 열전도도가 상용제품의 경우 평균 약 2W/m·K, 최대 4W/m·K 수준에 불과하다.
이러한 점을 감안하여, 도 2의 방열 패키지는 LED 패키지 하부의 PCB 기판(3, 4)을 관통하여 써멀비아(thermal via: 11)를 형성하고 이로써 슬러그(8) 하부의 열전달소재(2)와 방열판(1) 상부의 열전달소재(2) 간의 방열통로를 형성함으로써 도 1의 방열 패키지보다 개선된 방열효과를 얻도록 한다.
그러나, 이 경우에는 부가적인 비아홀(via hole) 형성을 위한 드릴링(drilling) 공정과 비아홀 충전공정 및 그 충전소재가 필요하므로, 제조단가가 상승한다. 뿐만 아니라, 전술한 종래기술 모두 방열 슬러그(8)로 전달된 열이 저부의 방열판(1)으로 전달되기 위해서는 반드시 PCB 기판(3, 4)의 상대적으로 열전도도가 매우 취약한 에폭시 수지 또는 세라믹 재질의 절연층(4)을 통과하여야 하므로, 이러한 절연층(3)이 궁극적으로 열전달의 병목원인으로 되어 결국 방열효율을 크게 떨어뜨리게 된다.
이에, 본 발명은 방열효과가 개선된 LED 어레이 방열모듈 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 의한 LED 어레이 방열모듈은 LED(109)와, 상기 LED(109)의 저부에 부착된 방열 슬러그(108)와, 상기 LED(109)의 리드(107)를 포함하는 LED 단위모듈이 하나 이상 정렬되어 구성된 LED 어레이 모듈에서 상기 LED 단위모듈에 부착되어 이의 열을 방출하기 위한 LED 어레이 방열모듈에 있어서, 방열판(101)과; 상기 방열판(101)의 상면에 형성되고, 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화보론(BN) 및 질화실리콘(Si3N4)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104)과; 상기 절연후막층(104)의 상면과 상기 각 방열 슬러그(108)의 저면 사이에 접합 배치되는 하나 이상의 제1솔더층(106)과; 상기 절연후막층(104)의 상면에 상기 각 LED 단위모듈의 측방으로 배치되고 이를 구동하는 하나 이상의 어레이 전극층(105)과; 상기 각 어레이 전극층(105)의 상면에 배치되고 상기 리드(107)와 연결되어 상기 리드(107)와 상기 어레이 전극층(105)을 각각 전기적으로 연결하는 하나 이상의 제2솔더층(106')을 포함할 수 있다. 또한, 상기 LED 어레이 방열모듈은 상기 어레이 전극층(105)과 동일한 조성으로 되고 상기 제1솔더층(106)의 저면과 상기 절연후막층(104)의 상면 사이에 각각 배치되어 이들의 부착을 개선하는 하나 이상의 더미 전극층(105')을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 LED 어레이 방열모듈은 상기 제1솔더층(106)의 저면과 상기 절연후막층(104)의 상면 사이에 각각 배치되고 상기 제1솔더층(106)보다 더 높은 열전도도를 갖는 하나 이상의 메탈후막층(106")을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 LED 어레이 방열모듈은 상기 제2솔더층(106') 영역 이외의 상기 각 어레이 전극층(105) 상면 부위를 피복하는 상부절연층(111)을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 LED 어레이 방열모듈은 상기 절연후막층(104)과 함께 상기 방열판(101)의 상면에 형성되고 유리, 세라믹 및 이들의 복합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104')을 더 포함하고, 상기 절연후막층(104)은 상기 방열 슬러그(108) 저면의 하방영역에서 최소한 이를 포함하는 면적으로 상기 방열판(101)의 상면부위에 하나 이상 배치되고, 상기 절연후막층(104')은 상기 방열판(101)의 그 나머지 상면부위에 하나 이상 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 관점에 의한 LED 어레이 방열모듈의 제조방법은 LED(109)와, 상기 LED(109)의 저부에 부착된 방열 슬러그(108)와, 상기 LED(109)의 리드(107)를 포함하는 LED 단위모듈이 하나 이상 정렬되어 구성된 LED 어레이 모듈에서 상기 LED 단위모듈에 부착되어 이의 열을 방출하기 위한 LED 어레이 방열모듈의 제조방법에 있어서, 방열판(101) 상부에 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화보론(BN) 및 질화실리콘(Si3N4)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104)을 증착하는 단계(a)와; 상기 절연후막층(104)의 상부에 어레이 전극층(105)과 이와 동일한 조성의 더미 전극층(105')을 하나 이상 동시에 스크린 인쇄하는 단계(b)와; 상기 각 어레이 전극층(105)의 일부 상부영역에 상부절연층(111)을 하나 이상 형성하는 단계(c)와; 상기 각 더미 전극층(105')의 상부에 제1솔더층(106)을, 그리고 상기 각 어레이 전극층(105)의 나머지 상부영역에 제2솔더층(106')을 하나 이상 동시에 형성하고, 이로써 상기 LED 어레이 방열모듈이 형성되는 단계(d)와; 상기 형성된 LED 어레이 방열모듈을 소결하는 단계(e)와; 상기 소결된 LED 어레이 방열모듈의 상기 제1솔더층(106)의 상부에 상기 방열 슬러그(108)의 저면을 각각 접합하고 상기 리드(107)를 상기 제2솔더층(106')에 각각 전기적 연결하여 상기 LED 단위모듈을 각각 실장하는 단계(f)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 LED 어레이 방열모듈의 제조방법은 상기 단계(a)에서 상기 절연후막층(104)은 상기 방열 슬러그(108) 저면의 하방영역에서 최소한 이를 포함하는 면적으로 상기 방열판(101)의 상면부위에 증착되고, 상기 단계(a) 이후 상기 단계(b) 이전에 유리, 세라믹 및 이들의 복합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104')을 상기 방열판(101)의 그 나머지 상면부위에 하나 이상 스크린 인쇄하는 단계(a')를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 절연후막층(104)을 증착하는 단계(a)는 상온후막증착법(room temperature deposition)으로 실시될 수 있다. 또한, 상기 단계(a) 이후 상기 단계(b) 이전에 100~500℃로 어닐링함이 바람직하다. 또한, 상기 단계(a') 이후 상기 단계(b) 이전에 500℃ 이하로 열처리함이 바람직하다.
본 발명의 LED 어레이 방열모듈에 의하면, 고출력 LED 어레이 모듈에서 기존의 에폭시 수지계 PCB나 메탈 PCB를 사용하지 않고 방열판 상에 직접 고열전도성의 절연후막층과 전도층을 형성함으로써 공정의 단순화에 의해 제조비용이 감소하고, LED 소자에서 발생하는 열을 상기 절연후막층 등을 통해 발산함으로써 방열효과가 개선된다. 더욱이 본 발명에서는 상기 고열전도성 절연후막층을 LED 소자의 방열부위에만 선택적으로 형성할 수도 있어 고가 열전도성 세라믹 소재의 절감과 공정의 편의성이 제공된다.
도 1은 종래 LED 어레이 방열모듈의 개략 구조도.
도 2는 종래 LED 어레이 방열모듈의 개략 구조도.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 구현예에 의한 LED 방열모듈의 개략 구조도.
도 4a~4b는 각각 본 발명의 바람직한 다른 일 구현예에 의한 LED 방열모듈의 개략 구조도.
도 5a~5h는 도 4a에 도시한 구현예의 제조공정을 설명하는 도면.
도 6은 도 3에 도시한 LED 단위모듈을 정렬하여 구성한 조명용의 고출력 LED 어레이 모듈의 개략 구조도.
도 2는 종래 LED 어레이 방열모듈의 개략 구조도.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 구현예에 의한 LED 방열모듈의 개략 구조도.
도 4a~4b는 각각 본 발명의 바람직한 다른 일 구현예에 의한 LED 방열모듈의 개략 구조도.
도 5a~5h는 도 4a에 도시한 구현예의 제조공정을 설명하는 도면.
도 6은 도 3에 도시한 LED 단위모듈을 정렬하여 구성한 조명용의 고출력 LED 어레이 모듈의 개략 구조도.
본 발명에서는 LED 패키지로부터 저부의 방열판로 이르는 열전달 통로에 있어서 열전달의 병목현상 요인으로 되는 PCB 절연기판을 사용하지 않고 방열판(heat sink) 상에 LED 소자를 직접 마운팅함으로써 방열효율을 크게 향상시킬 수 있는 구조의 방열 패키지를 제시한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 구현예에 의한 LED 방열모듈의 개략 구조도이다.
도 3을 참조하면, LED 모듈은 스테인레스 스틸(SUS), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 카본 및 그라핀 중의 하나 이상으로 되는 방열판(101) 상에 고열전도성의 절연후막층(104)을 통하여 직접 마운팅된다. 따라서, 종래와 같은 열전달소재(TIM)를 포함하지 않는다. 상기 절연후막층(104)은 바람직하게는 고열전도성의 세라믹 소재인 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화보론(BN) 및 질화실리콘(Si3N4) 중의 하나 이상으로 되며, 또한 열전도도를 배가시키기 위해 임의로 소량의 폴리머 및/또는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속분말이 이에 첨가될 수도 있다. 첨가시, 그 첨가량은 15vol% 이하로 됨이 바람직하고, 첨가후 혼합분말의 절연저항이 1GΩ(@ LED 정격전압) 이상으로 되도록 함이 더욱 바람직하다.
이러한 절연후막층(104)은 소위 에어로졸 증착법인 상온후막증착법(room temperature deposition)을 포함한 해당 분야의 공지된 모든 제조방법으로 수㎛~수십㎛ 두께로 형성될 수 있다. 상온후막증착법의 일 예는 본 출원인의 특허 제966487호(2010. 6. 21 등록)에 상세히 개시되어 있으며, 이는 혼합분말에 기계적 진동을 인가하며 이송가스를 입사함으로써 에어로졸화된 고상의 분체를 생성하고 이 고상의 분체를 상온에서 소정의 기판상에 분사하여 그 충돌 에너지에 의해 후막을 형성한다. 즉, 이러한 상온후막증착법에 의하면, 본 구현예의 전술한 절연후막층(104)의 세라믹 소재분말에 기계적 진동을 인가하며 이송가스를 입사함으로써 에어로졸화된 고상의 분체를 생성하고 이를 방열판(101) 상에 분사 및 충돌시킴으로써 이 충돌 에너지에 의해 고밀도의 절연후막층(104)이 상온에서 형성된다. 이때, 일 실시예로서 전술한 절연후막층(104)의 세라믹 소재분말은 미리 300~400℃의 온도에서 6~12시간 열처리하여 분말을 완전히 건조함으로써 후막증착시 분말의 응집을 방지함이 바람직하다. 또한, 상기 이송가스는 일 실시예로서 헬륨: 질소 = 2000~4000 : 0~2000 sccm, 바람직하게는 헬륨: 질소 = 2500~3500 : 500~1500 sccm으로 배합될 수 있다. 또한, 이러한 두 혼합가스의 총량은 3000~6000sccm으로 됨이 바람직하다. 만일 혼합 가스의 양이 부족할 시에는 치밀한 막의 형성이 어렵고, 가스양이 과다할 경우는 증착보다는 기판 에칭 내지는 성형막의 내부 스트레스 과다로 인해 증착 중 또는 증착 후 균열 및 박리 현상을 초래하게 된다.
LED 모듈의 LED 칩(109)은 열전도성이 뛰어난 방열 슬러그(108) 상에 설치되고, 일반적으로 이는 LED 칩(109)을 보호하고 발산광을 소정 방향으로 유도하기 위해 상부에 배치된 투명렌즈(미도시)를 포함하는 플라스틱 패키지(110)로 몰딩된다. 또한, LED 칩(109)의 캐소드(미도시) 및 애노드(미도시)에 각각 전기적 연결된 리드(107)는 각각 LED 칩(109)을 구동하기 위한 어레이전극(105)과 솔더층(106')을 통하여 접합된다.
또한, 상기 방열 슬러그(108)는 우수한 열전도성의 솔더층(106)에 부착되어 방열판(101)으로의 방열통로를 이룬다. 솔더층(106, 106')은 SnPb37, Au80Sn20, Ag3.5Sn96.5, 카본, CNT 충전 에폭시(CNT filled epoxy), 방열테이프(thermal tape) 등을 포함한 공지된 모든 소재로 될 수 있으며, 특히 SnPb37, Au80Sn20, Ag3 .5Sn96 .5로 됨이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, SnPb37의 열전도도는 약 50.9 W/m·K(@25㎛), Au80Sn20의 열전도도는 약 59W/m·K, 그리고 무연(Pb-free) 솔더인 Ag3 .5Sn96 .5의 열전도도는 약 33W/m·K 정도인데 반해 Ag의 열전도도는 429W/m·K이므로, 상기 솔더층(106)에 Ag로 되는 메탈후막층(106")을 부착함으로써 방열효과를 배가시킬 수 있다. 더더욱 바람직하게는, 이때 사용되는 Ag 소재는 평균입경 1㎛ 이하, 바람직하게는 600㎚ 이하의 나노분말로 되고 LED 모듈과 솔더층(106') 간을 리드(7)로 솔더링시 일반적인 리플로우 솔더링 온도인 240℃ 이하에서 소결되는 Ag 페이스트로 될 수 있다. 또한, 상기 솔더층(106, 106') 및 메탈후막층(106")은 후막 스크린인쇄법을 포함한 모든 공지된 제조법으로 형성될 수 있으며, 메탈후막층(106")과 어레이 전극(105)은 동시에 스크린인쇄될 수 있다.
다만, 솔더층(106)은 일반적으로 소재특성상 절연후막층(104)에 부착이 그다지 용이하지 않으므로, 어레이 전극(105)의 스크린인쇄시 어레이 전극(105)과 동일한 조성으로 여분으로 형성되는 더미 전극층(105')을 통하여 절연후막층(104)에 부착됨이 바람직하다. 이러한 어레이 전극(105) 및 더미 전극층(105')은 양호한 전기전도성의 은(Ag), 동(Cu) 및 이들의 합금으로 되는 금속분말을 포함하는 페이스트로 되고, 바람직하게는 상기 금속분말 대비 1~5wt%의 글라스 프릿을 포함하는 조성으로 된다.
또한, 외부환경에 대한 신뢰성 및 절연성을 확보하기 위하여 솔더층(106')이 커버하지 않는 어레이 전극(105) 표면을 유리, 세라믹 또는 이들의 복합체 조성으로 되는 상부절연층(111)으로 커버하는 것이 바람직하다.
한편, 도 3에 도시한 구현예의 구조는 고가의 절연후막층(104)이 방열판(101) 전면 상에 걸쳐 형성되어 비경제적일 수 있다. 일 예로서, 50W급의 경우에는 현재 약 100×100㎟ 크기의 기판면적이 필요하고, 실용화가능한 가로등의 경우에는 적어도 100~150W급의 LED 어레이 모듈이 필요하므로, 이 경우 필요한 방열기판의 면적은 더욱 증대되어, 도 3의 구현예와 같이 고가의 절연후막층(104)이 방열판(101) 전면 상에 걸쳐 형성되는 경우, 고가의 원료비용과 장시간의 후막도포공정이 소요되는 문제가 발생한다. 이러한 문제는 상기 절연후막층(104)의 면적을 줄임으로써 해결할 수 있으며, 이의 구현예들을 도 4a 및 4b에 도시된 개략구조를 통하여 설명한다. 도 4a 및 4b는 각각 본 발명의 바람직한 다른 일 구현예에 의한 LED 방열모듈의 개략 구조도이다.
먼저 도 4a를 참조하면, 본 구현예에서는 절연후막층(104)이 LED 플라스틱 패키지(110)의 방열 슬러그(108)의 하부와, LED 소자의 리드(107)가 솔더링되는 프레임 솔더층(106')의 하부의 영역에만 형성된다. 즉, 본 구현예의 절연후막층(104)은 방열판(101) 전면 상에서 어레이전극(105)의 하부영역만을 제외하고 형성되며, 나머지 상기 어레이전극(105)의 하부영역은 저가의 물질 조성의 절연후막층(104')이 형성된다. 이때, 상기 절연후막층(104)의 조성물질로는 전술하였듯이 고가의 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화보론(BN) 및 질화실리콘(Si3N4) 중의 하나 이상으로 되며, 또한 열전도도를 배가시키기 위해 임의로 소량의 폴리머 및/또는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속분말이 이에 첨가될 수도 있다. 또한, 상기 절연후막층(104')의 조성물질로는 유리, 세라믹과 유리-세라믹 복합체로 되는 군에서 하나 이상 선택될 수 있으며 이외에도 이 분야에서 공지된 모든 소재가 사용될 수 있다.
또한, 도 4b의 구현예는 도 4a 구현예의 절연후막층(104)의 면적을 더욱 축소한 것이다. 즉, 본 구현예의 절연후막층(104)은 LED 소자의 방열이 집중되는 방열 슬러그(108)의 하부 영역만을 커버하도록 전술한 고가의 조성물질로 형성되고, 나머지 영역은 전술한 저가의 절연후막층(104')으로 커버된다.
전술한 도 3 및 도 4a~4b의 구현예들은 절연후막층들(104, 104')의 각 면적만 다를 뿐 전체 구성요소들은 동일하므로, 도 4a 구현예의 제조방법만을 도 5a~5h를 참조하며 설명하며, 기타 도 3 및 도 4b 구현예들의 제조방법도 이와 동일한 방법으로 수행된다. 도 5a~5h는 도 4a 구현예의 제조방법을 도시한다.
먼저, 방열판(101) 상에 마스크(150)를 형성하고, 이러한 마스크(150)는 메탈 마스크, 마스크 필름, 마스크 테이프 등을 포함하는 해당 분야의 공지된 모든 재료로 될 수 있다(도 5a~5b).
그리고, 전술한 조성물질의 절연후막층(104)을 소위 에어로졸 증착법인 상온후막증착법을 포함한 공지된 모든 방법으로 증착하여 소정의 패턴(104)을 수㎛~수십㎛ 두께로 형성한 후(도 5c), 상기 마스크(150)를 에칭 등으로 제거한다(도 5d). 이때, 상기 증착공정에서 방열판(101)과 증착된 절연후막층(104) 간에 내재한 스트레스를 완화하고 증착된 절연후막층(104)의 물리적 특성을 개선 및 안정화하기 위하여 100~500℃ 범위의 온도로 어닐링함이 바람직하다.
그리고, 방열판(101) 상의 나머지 부분을 전술한 조성물질의 절연후막층(104')을 스크린인쇄법을 포함한 공지된 모든 방법으로 도포하고, 이를 500℃ 이하, 바람직하게는 250~500℃ 범위의 온도로 열처리하여 절연후막층(104')을 형성한다(도 5e).
그리고, 상기 절연후막층(104, 104') 상에 어레이 전극(105) 및 더미 전극층(105')을 후막 스크린 인쇄법 등 공지된 제법으로 형성하고, 어레이 전극(105) 및/또는 더미 전극(105')의 상부에 상부절연층(111)과 솔더층(106, 106')을 각각 후막 스크린 인쇄법 등 공지된 제법으로 형성한다(도 5f~5g). 이때, 상부절연층(111)은 유리, 세라믹 또는 이들의 복합체 조성으로 된다. 특히, 상기 형성된 어레이 전극(105) 및 더미 전극층(105')과 상부절연층(111)은 이후 동시 소결(co-firing)됨이 바람직하며, 이의 열처리 온도는 통상 융점이 660℃ 부근인 알루미늄(Al)을 방열판(101) 소재로 할 경우, 560℃ 이하, 바람직하게는 500℃ 이하, 더욱 바람직하게는 250~500℃이다.
그리고, LED 패키지(110)의 방열 슬러그(108)를 표면실장하고, 그의 리드(107)를 솔더층(106')에 각각 리플로우 솔더링한다(도 5h).
또한, 도 6은 특히 도 3에 도시한 LED 단위모듈(100)을 다수의 직렬/병렬로 반복 구성하여 조명용의 고출력 LED 어레이 모듈(100')로 구성한 것이다. 물론, 이외에도 도 4a 및/또는 도 4b의 LED 단위모듈(100)로 대체될 수도 있으며, 또는 도 3과 도 4a 및 4b의 각 LED 단위모듈(100)이 함께 조합될 수도 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 구현예 및 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.
일 예를 들면, 도 3~5에 도시된 본 발명의 구현예들에 있어서, 방열판(101) 내부에 다수의 미소통로로 되는 히트파이프(도 3, 4a, 4b 및 6의 "112")가 더 형성될 수 있다. 이러한 히트 파이프의 내부에는 물, 알콜 또는 불활성 액체로 되는 작동유체가 액상 또는 기상으로 포화상태를 이룰 수 있고, 응축부와 증발부 간의 유동이 기상 간의 압력 차이와 액상의 표면장력에 의해 형성되어 별도의 동력 공급없이 열전달이 이루어지므로, 방열효율이 크게 향상된다. 또한, 다른 일 예로 이러한 히트파이프에 공지된 통상의 냉각수 순환장치가 부가될 수 있고, 이로써 냉각수가 순환되어 방열을 배가시킬 수 있다.
100: LED 단위모듈, 100': LED 어레이 모듈, 1, 101: 방열판, 2: 열전달소재(TIM), 3: 메탈층, 4: 절연층(PCB 기판), 5: 절연층, 6, 106, 106': 솔더층, 7, 107: 리드, 8, 108: 방열 슬러그, 9, 109: LED 칩, 10, 110: 패키지, 104: 절연후막층, 105: 어레이 전극층, 105': 더미 전극층, 106": 메탈 후막층, 111: 상부 절연층, 112: 히트파이프, 113: 메탈후막층
Claims (28)
- LED(109)와, 상기 LED(109)의 저부에 부착된 방열 슬러그(108)와, 상기 LED(109)의 리드(107)를 포함하는 LED 단위모듈이 하나 이상 정렬되어 구성된 LED 어레이 모듈에서 상기 LED 단위모듈에 부착되어 이의 열을 방출하기 위한 LED 어레이 방열모듈에 있어서,
방열판(101)과;
상기 방열판(101)의 상면에 형성되고, 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화보론(BN) 및 질화실리콘(Si3N4)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104)과;
상기 절연후막층(104)의 상면과 상기 각 방열 슬러그(108)의 저면 사이에 접합 배치되는 하나 이상의 제1솔더층(106)과;
상기 절연후막층(104)의 상면에 상기 각 LED 단위모듈의 측방으로 배치되고 이를 구동하는 하나 이상의 어레이 전극층(105)과;
상기 각 어레이 전극층(105)의 상면에 배치되고 상기 리드(107)와 연결되어 상기 리드(107)와 상기 어레이 전극층(105)을 각각 전기적으로 연결하는 하나 이상의 제2솔더층(106')을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항에 있어서,
상기 어레이 전극층(105)과 동일한 조성으로 되고 상기 제1솔더층(106)의 저면과 상기 절연후막층(104)의 상면 사이에 각각 배치되어 이들의 부착을 개선하는 하나 이상의 더미 전극층(105')을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항에 있어서,
상기 제1솔더층(106)의 저면과 상기 절연후막층(104)의 상면 사이에 각각 배치되고 상기 제1솔더층(106)보다 더 높은 열전도도를 갖는 하나 이상의 메탈후막층(106")을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항에 있어서,
상기 제2솔더층(106') 영역 이외의 상기 각 어레이 전극층(105) 상면 부위를 피복하는 상부절연층(111)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항에 있어서,
상기 절연후막층(104)의 조성은 은(Ag), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속분말을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제5항에 있어서,
상기 절연후막층(104)의 조성은 폴리머를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 금속분말은 상기 조성 총량대비 15vol% 이하로 함유되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 금속분말은 상기 LED(109)의 정격전압에서 상기 절연후막층(104)의 절연저항이 1GΩ 이상이 되도록 하는 양으로 함유되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제4항에 있어서,
상기 상부절연층(111)은 유리, 세라믹 또는 이들의 복합체 조성으로 되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 절연후막층(104)과 함께 상기 방열판(101)의 상면에 형성되고 유리, 세라믹 및 이들의 복합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104')을 더 포함하고, 상기 절연후막층(104)은 상기 방열 슬러그(108) 저면의 하방영역에서 최소한 이를 포함하는 면적으로 상기 방열판(101)의 상면부위에 하나 이상 배치되고, 상기 절연후막층(104')은 상기 방열판(101)의 그 나머지 상면부위에 하나 이상 배치되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 솔더층(106, 106')은 SnPb37, Au80Sn20, Ag3 .5Sn96 .5로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제3항에 있어서,
상기 메탈후막층(106")의 조성은 Ag인 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제3항에 있어서,
상기 메탈후막층(106")은 평균입경이 1㎛ 이하의 Ag 분말로 이루어진 페이스트로 되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 어레이 전극층(105)은 은(Ag), 동(Cu) 및 이들의 합금 중에서 선택된 하나 이상의 금속 분말을 포함하는 페이스트로 되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제14항에 있어서,
상기 페이스트는 상기 금속 분말 대비 1~5wt%의 글라스 프릿을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 방열판(101)은 스테인레스 스틸(SUS), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 카본 및 그라핀 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 방열판(101)은 히트 파이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈. - LED(109)와, 상기 LED(109)의 저부에 부착된 방열 슬러그(108)와, 상기 LED(109)의 리드(107)를 포함하는 LED 단위모듈이 하나 이상 정렬되어 구성된 LED 어레이 모듈에서 상기 LED 단위모듈에 부착되어 이의 열을 방출하기 위한 LED 어레이 방열모듈의 제조방법에 있어서,
방열판(101) 상부에 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화보론(BN) 및 질화실리콘(Si3N4)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104)을 형성하는 단계(a)와;
상기 절연후막층(104)의 상부에 어레이 전극층(105)과 이와 동일한 조성의 더미 전극층(105')을 하나 이상 동시에 형성하는 단계(b)와;
상기 각 어레이 전극층(105)의 일부 상부영역에 상부절연층(111)을 하나 이상 형성하는 단계(c)와;
상기 각 더미 전극층(105')의 상부에 제1솔더층(106)을, 그리고 상기 각 어레이 전극층(105)의 나머지 상부영역에 제2솔더층(106')을 하나 이상 동시에 형성하고, 이로써 상기 LED 어레이 방열모듈이 형성되는 단계(d)와;
상기 형성된 LED 어레이 방열모듈을 소결하는 단계(e)와;
상기 소결된 LED 어레이 방열모듈의 상기 제1솔더층(106)의 상부에 상기 방열 슬러그(108)의 저면을 각각 접합하고 상기 리드(107)를 상기 제2솔더층(106')에 각각 전기적 연결하여 상기 LED 단위모듈을 각각 실장하는 단계(f)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제18항에 있어서,
상기 단계(a)에서 상기 절연후막층(104)은 상기 방열 슬러그(108) 저면의 하방영역에서 최소한 이를 포함하는 면적으로 상기 방열판(101)의 상면부위에 형성되고, 상기 단계(a) 이후 상기 단계(b) 이전에 유리, 세라믹 및 이들의 복합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 조성으로 되는 절연후막층(104')을 상기 방열판(101)의 그 나머지 상면부위에 하나 이상 형성하는 단계(a')를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 절연후막층(104)은 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제19항에 있어서,
상기 어레이 전극층(105), 더미 전극층(105'), 상부절연층(111), 제1솔더층(106), 제2솔더층(106') 및 절연후막층(104') 중의 하나 이상은 스크린 인쇄하여 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제20항에 있어서,
상기 증착은 상온후막증착(room temperature deposition)하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제22항에 있어서,
상기 절연후막층(104)의 조성분말은 상기 상온후막증착 이전에 300~400℃로 열처리하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제22항에 있어서,
상기 상온후막증착은 헬륨 및 질소의 혼합가스를 3000~6000sccm의 총량으로 이송가스로서 사용하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제18항에 있어서,
상기 단계(a) 이후 상기 단계(b) 이전에 100~500℃로 어닐링하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제19항에 있어서,
상기 단계(a') 이후 상기 단계(b) 이전에 500℃ 이하로 열처리하는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 단계(e)의 소결온도는 560℃ 이하로 되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법. - 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 단계(f)의 전기적 연결은 리플로우 솔더링으로 실시되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이 방열모듈의 제조방법.
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| KR (1) | KR101101709B1 (ko) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101598045B1 (ko) | 2015-10-20 | 2016-02-29 | 에이펙스인텍 주식회사 | 직접 접촉식 방열봉 및 내열렌즈가 내장되어 방수 및 방열성능을 향상시키는 cob 타입의 엘이디모듈 |
| KR20170064896A (ko) * | 2015-12-02 | 2017-06-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법 |
| KR101831780B1 (ko) * | 2015-12-14 | 2018-02-27 | 엘지전자 주식회사 | 광원모듈, 광원모듈의 제조방법, 및 이를 포함하는 조명기기 |
| US9970648B2 (en) | 2015-07-06 | 2018-05-15 | Lg Electronics Inc. | Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same |
| US10228119B2 (en) | 2015-12-14 | 2019-03-12 | Lg Electronics Inc. | Light source module |
| US10401015B2 (en) | 2015-07-06 | 2019-09-03 | Lg Electronics Inc. | Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same |
| CN117537304A (zh) * | 2023-11-21 | 2024-02-09 | 东莞市粤广创照明有限公司 | 一种智慧城市用led智慧路灯 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070002732A (ko) * | 2005-06-30 | 2007-01-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 발광다이오드 패키지 제조방법, 백라이트 유닛 및액정표시장치 |
| KR20070090509A (ko) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법 |
| US20070291503A1 (en) | 2004-02-26 | 2007-12-20 | Marco Friedrich | Light-Emitting Diode Arrangement for a High-Power Ligth-Emitting Diode and Method for Producing a Light-Emitting Diode Arrangement |
-
2010
- 2010-12-16 KR KR1020100128963A patent/KR101101709B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070291503A1 (en) | 2004-02-26 | 2007-12-20 | Marco Friedrich | Light-Emitting Diode Arrangement for a High-Power Ligth-Emitting Diode and Method for Producing a Light-Emitting Diode Arrangement |
| KR20070002732A (ko) * | 2005-06-30 | 2007-01-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 발광다이오드 패키지 제조방법, 백라이트 유닛 및액정표시장치 |
| KR20070090509A (ko) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9970648B2 (en) | 2015-07-06 | 2018-05-15 | Lg Electronics Inc. | Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same |
| US10401015B2 (en) | 2015-07-06 | 2019-09-03 | Lg Electronics Inc. | Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same |
| EP3116038B1 (en) * | 2015-07-06 | 2019-10-02 | LG Electronics Inc. | Light source module, lighting device including the same and method for fabrication the same |
| KR101598045B1 (ko) | 2015-10-20 | 2016-02-29 | 에이펙스인텍 주식회사 | 직접 접촉식 방열봉 및 내열렌즈가 내장되어 방수 및 방열성능을 향상시키는 cob 타입의 엘이디모듈 |
| KR20170064896A (ko) * | 2015-12-02 | 2017-06-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법 |
| KR102459096B1 (ko) * | 2015-12-02 | 2022-10-26 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법 |
| KR101831780B1 (ko) * | 2015-12-14 | 2018-02-27 | 엘지전자 주식회사 | 광원모듈, 광원모듈의 제조방법, 및 이를 포함하는 조명기기 |
| US10228119B2 (en) | 2015-12-14 | 2019-03-12 | Lg Electronics Inc. | Light source module |
| CN117537304A (zh) * | 2023-11-21 | 2024-02-09 | 东莞市粤广创照明有限公司 | 一种智慧城市用led智慧路灯 |
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