JP2006054211A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006054211A
JP2006054211A JP2004010385A JP2004010385A JP2006054211A JP 2006054211 A JP2006054211 A JP 2006054211A JP 2004010385 A JP2004010385 A JP 2004010385A JP 2004010385 A JP2004010385 A JP 2004010385A JP 2006054211 A JP2006054211 A JP 2006054211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
light
emitting element
power feeding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004010385A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4029843B2 (ja
Inventor
Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
Hideaki Kato
英昭 加藤
Kunihiro Jinme
邦博 甚目
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2004010385A priority Critical patent/JP4029843B2/ja
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to TW093106393A priority patent/TWI246780B/zh
Priority to CN2004800064031A priority patent/CN1759492B/zh
Priority to PCT/JP2004/003089 priority patent/WO2004082036A1/ja
Priority to US10/548,560 priority patent/US7824937B2/en
Priority to EP13156568.1A priority patent/EP2596948B1/en
Priority to EP04719060.8A priority patent/EP1603170B1/en
Priority to CN2010101176741A priority patent/CN101789482B/zh
Priority to KR1020057016878A priority patent/KR100693969B1/ko
Priority to US11/036,192 priority patent/US7497597B2/en
Publication of JP2006054211A publication Critical patent/JP2006054211A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4029843B2 publication Critical patent/JP4029843B2/ja
Priority to US12/923,788 priority patent/US8154047B2/en
Priority to US13/419,093 priority patent/US8685766B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】 封止材にガラスを用いて加熱加工する場合でも、熱膨脹・熱収縮の影響が生じないようにした発光装置を提供する。
【解決手段】 LED素子1はサブマウント3に搭載され、このサブマウント3がリードフレームのリード部4A,4Bの先端部に実装される。この先端部、LED素子1、及びサブマウント3は、ガラス材による封止部材5によって所定の形状に封止される。封止部材5には、低融点であると共にリード部4A,4B等の熱膨脹率に近似した熱膨脹率を有するガラス材が用いられる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、発光装置に関し、特に、発光部の高出力化に伴う発熱によって封止部材とリード部との間に熱膨脹に起因するクラック等の発生を防止できるようにした発光装置に関する。
LED(Light-Emitting Diode:発光ダイオード)を光源とする発光装置の代表的な構造として、LED素子及びリード部の所定範囲を透光性を有する封止材料で覆うものがある。この封止材料には、エポキシやシリコン等の樹脂やガラスがあるが、成形性、量産性、及びコストの面から、一般に樹脂が用いられている。
近年、赤色や緑色のLEDと同等の高輝度の青色LEDが開発されたことにより、LED信号機、或いは白色発光のLEDランプ等の用途に供されるようになった。また、より高輝度を得るために高出力のLEDの開発も進められており、すでに数ワットの高出力タイプも製品化されている。高出力タイプのLED素子では、大電流が流れるため、発光特性や耐久性の点から無視できないレベルの発熱が生じる。
かかるLEDランプにおいて、パッケージングを樹脂材にした場合、LED素子の発熱により、樹脂材の黄変等の劣化、各部材間の熱膨脹の差に起因してパッケージにクラックを発生させたり、部材間に剥離が生じることが知られている。また、高出力タイプのLEDランプでは、上記した傾向が顕著に現れることから耐久性に優れるLEDランプが切望されている。
このような樹脂パッケージに特有の黄変等の発生、及び耐熱性、耐久性を改善するものとして、例えば、パッケージ材料にガラス材を用いたものがある(例えば、特許文献1参照。)。
特開平11−204838号公報(図1)
しかし、従来の発光装置によると、ガラスによってLED素子等の封止を行う場合には、一般にガラス材を軟化させて加圧加工するか、溶融ガラスを成形してLED素子等と一体化する必要があることから、加工時の熱に晒されることによって封止対象が熱膨張する。そしてこの状態で一体化し、応力のないものとして形成され、常温へ戻される。このとき、LED素子と接合基板等の熱膨張率との差が大であると、接合界面には熱収縮差に伴う過大な応力がもたらされて接合不良を生じたり、封止材であるガラスにクラックが生じるといった問題がある。
従って、本発明の目的は、封止材にガラスを用いて加熱加工する場合でも、熱膨張・熱収縮の影響が生じないようにした発光装置を提供することにある。
本発明は、上記した目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子の周囲を前記発光素子に対する熱膨張率が150%から500%の範囲の透光性ガラス部および金属部で包囲して形成されることを特徴とする発光装置を提供する。
前記金属部は、前記発光素子に給電するリード状の給電部と、前記発光素子の発光に伴って生じる熱を放熱する放熱部とを有する構成とすることができる。
前記金属部は、前記給電部と前記放熱部とが一体的に形成された構成とすることができる。
前記金属部および前記透光性ガラス部は、略同等の熱膨張率を有する構成とすることができる。
前記金属部は、軟金属で構成されることが好ましい。
また、本発明は、上記の目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子を搭載するとともに電力を供給するための金属からなる給電部と、前記発光素子と前記給電部の一部とを封止する透光性ガラス部とを有し、前記給電部および前記透光性ガラス部は、前記発光素子に対し、熱膨張率の大なる材料によって形成され、前記発光素子は、前記給電部を含め前記透光性ガラス部によって全体が包囲されていることを特徴とする発光装置を提供する。
また、本発明は、上記の目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子をマウントするサブマウント部と、前記発光素子に電力を供給するための金属からなる給電部と、前記発光素子と前記サブマウント部と前記給電部の一部とを封止する透光性ガラス部とを有し、前記サブマウント部には前記給電部からなる電力を前記発光素子に給電するための電気回路が形成され、前記給電部および前記透光性ガラス部は、前記発光素子あるいは前記サブマウント部に対し、熱膨張率の大なる材料によって形成され、前記発光素子および前記サブマウント部は、前記給電部を含め前記透光性ガラス部によって全体が包囲されていることを特徴とする発光装置を提供する。
前記給電部および前記透光性ガラス部は、略同等の熱膨張率を有して構成されることが好ましい。
前記給電部は、軟金属で構成されることが好ましい。
前記給電部は、熱伝導率が100W・m-1・k-1以上の材料であることが好ましい。
前記サブマウント部材は、熱伝導率が100W・m-1・k-1以上の材料であることが好ましい。
本発明の発光装置によれば、発光素子に対し、熱膨張率が150%から500%の範囲の透光性ガラス部および金属部で全体が包囲されていることにより応力方向が調整されて熱収縮差に起因して生じるクラック等の発生を防止することができる。
また、本発明の発光装置によれば、発光素子に対し、給電部材および封止部材の熱膨張率が大となるように形成されて発光素子は給電部材を含め封止部材によって全体が包囲されていることにより、応力方向が調整されて熱収縮差に起因して生じるクラック等の発生を防止することができる。
また、本発明の発光装置によれば、発光素子あるいはサブマウント部材に対し、給電部材および封止部材の熱膨張率が大となるように形成されていることにより、熱膨脹・熱収縮に起因して生じるクラック等の発生を防止することができる。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。通常、リードフレームには両側に各リード部のアウター側を連結している帯状部が設けられているが、ここでは図示を省略している。また、リードフレーム上には、通常、複数のLED素子が実装されるが、ここではそのうちの1個のみを図示している。更に、図1においては、サブマウントは非断面の状態で図示している。
発光装置10は、金属リード実装タイプであり、実装面にバンプ2を介してフリップチップ接合されるGaN系のLED素子1(熱膨張率4.5〜6×10-6/℃)と、このLED素子1が搭載されるサブマウント3と、サブマウント3が搭載される給電部材としてのCuからなるリード部(熱膨張率15〜17×10-6/℃、熱伝導率400W・m-1・k-1)4A,4Bと、LED素子1を中心にしてその周囲を封止する透明ガラス製の封止部材5とを備えて構成されている。
サブマウント3は、例えば、AlN(窒化アルミニウム:熱膨張率5×10-6/℃、熱伝導率180W・m-1・k-1)が用いられ、バンプ2に接続される電極31A,31BがLED素子1の実装面側に形成されており、反対側の面(リードフレーム側の面)には一対のリード部4A,4Bに接続するための電極32A,32Bが形成されている。リード部4A,4Bの上面のLED素子1の搭載面は、他の部分より1段低く加工されており、この窪み部分内にサブマウント3が配設される。電極31A,31Bと電極32A,32Bとを接続するために、サブマウント3内にはスルーホール33が設けられている。
封止部材5は、透明かつ低融点で、しかも熱膨張率がリード部4A,4Bに近い(又は、所定の熱膨張率差の範囲値内)特性を有するシート状のガラスを熱融着させることによってLED素子1、サブマウント3、およびリード部4A,4Bの一部を封止する透光性ガラス部を形成している。
リード部4Aが正(+)電源供給端子であるとすると、リード部4Aに供給された電流は、リード部4A、電極32A,32Bの一方、ビアホール33の一方、電極31A,31Bの一方、及びバンプ2の一方を経てLED素子1のアノードに流れ、更に、LED素子1のカソードを出た電流は、バンプ2の他方、電極31A,31Bの他方、ビアホール33の他方、及び電極32A,32Bの他方を経てリード部4Bに流れることにより、LED素子1が発光する。
図2は、リードフレームにサブマウントを搭載した状態を示す平面図である。サブマウント3は、中央部にLED素子1を搭載している。リード部4A,4Bは、リードフレームの一部として両側の帯状部分より内側に所定の間隙をもって向かい合うように形成され、1個のLED素子に対して一対が割り当てられている。
図3は、金型を用いてガラス封止を行う直前の状態を示す図である。同図においては図2のA−A部で切断した状態を示している。以下に、図1から図3の図面を参照して発光装置10の製造方法について説明する。
まず、バンプ2が設けられているLED素子1をサブマウント3上に位置決めし、リフローを行ってバンプ2と電極31を電気的に接続すると共に、機械的に固定する。
次にサブマウント3に搭載されたLED素子1をリード部4A,4Bの先端部の窪み内に通電方向を合致させて配置する。なお、サブマウント3は、電極31A,31B,電極32A,32B、及びビアホール33が予め形成済みのものを用いる。
次に、リードフレーム6を金型内に搬入し、LED素子1の上方及び下方にガラスシート7,8を配置する。ガラスシート7,8は、封止部材5を形成するためのものであり、同時に複数個のLED素子1を封止できる大きさを有している。
次に、ガラスシート7を覆うようにして上金型11を配置し、更に、ガラスシート8を覆うようにして下金型12を配置する。次に、真空雰囲気中でガラスシート7,8を450℃に加熱して軟化させた状態で上金型11と下金型12とを図2の矢印方向に移動させることによってガラスシート7,8に圧力をかけると、上金型11の凹部11A及び下金型12の凹部12Aに沿ってガラスシート7,8が図1に示す封止部材5のようなドーム状に成形される。
次に、リードフレーム4の帯部等の不要部分を除去することにより、発光装置10の各々をリードフレーム4から分離する。
発光装置10は、パッド電極108及びn型電極109に電気的に接続されたバンプ2を介して順方向の電圧を印加すると、LED素子1の活性層内においてホール及びエレクトロンのキャリア再結合が発生して発光し、出力光がサファイア基板101を介してLED素子1の外部へ放射される。この出力光は、封止部材5を透過して外部に放射される。
上記した第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)熱膨張率の小なるLED素子1を熱膨張率の大なるガラス材の封止材料5で全体を包囲するように封止したため、熱膨張率の差に基づいて生じる内部応力がLED素子1の中心に向かうように調整される。すなわち、ガラス加工後にガラス材の熱収縮に基づく内部応力が生じても、その内部応力はLED素子1の中心方向に向かう圧縮力となるため、圧縮に対して強度を有するガラス材は破壊することなくガラス封止構造を実現できる。
(2)熱膨張率の小なるLED素子1を熱膨張率の小なるサブマウント3に搭載して熱膨張率の大なるリード部4A、4Bに搭載しているため、封止部材5を形成しているガラス材については、熱膨張率の小なるLED素子1と熱膨張率の大なるリード部4A、4Bの双方との接着性が要求されるが、LED素子1に近い熱膨張率のものを選択して封止することが好ましい。Cu等の軟金属によって形成されたリード部4A、4Bはガラス材と比べて弾性に富むことから、仮に、LED素子1およびサブマウント3に対して熱膨張率の差が150%から400%の範囲であれば、ガラス材との良好な接着性を維持しながら熱収縮差に基づく応力を構造的に吸収することができる。このことから、リード部4A、4Bをガラス材で挟み込んで封止する場合でもクラック等の不良を生じることはない。
(3)LED素子1への投入電力が大きく発熱温度が高くなるような場合でも、LED素子1が発する熱を外部放熱することができ、発光効率の低下を効果的に防止できる。特に、サブマウント3およびリード部4A,4Bの熱伝導率を100W・m-1・k-1以上とすることで実現できる。
(4)低融点のガラスシート7,8を用いて封止部材5を形成するので、加熱に要する時間の短縮や、簡易な加熱装置の使用が可能となり、ガラス封止加工が容易になる。
(5)加工時にクラック等の不良を生じにくくなるため、ガラスによる高い封止性を長期にわたって安定的に維持することができ、水中や多湿条件下でも発光特性の低下を生じず、長期にわたる優れた耐久性を発揮する。
なお、第1の実施の形態では、LED素子1としてGaN系のLED素子1を用いた構成を説明したが、LED素子はGaN系に限定されるものではなく、他のLED素子を用いることも可能である。
また、上記した実施の形態では、Cuからなるリード部4A,4BにAlNからなるサブマウント3を搭載した構成を説明したが、例えば、真鍮からなるリード部(熱伝導率106W・m-1・k-1)にSiからなるサブマウント3(熱伝導率170W・m-1・k-1)を搭載するといった構成も可能である。
また、封止部材5についても、シート状のガラスを用いて複数個のLED素子1およびサブマウント3を一括して封止する方法で形成するものに限定されず、溶融させたガラス材をLED素子1およびサブマウント3の周囲に供給して上金型11と下金型12とで加熱プレス成形することによって形成するようにしても良い。また、使用されるガラス材についても光透過性を有するものであれば透明に限定されるものではなく、着色されているものであっても良い。
また、封止部材5は、仕様等に応じて種々の形状にすることができる。例えば、丸形、楕円形、四角形等のほか、レンズ付き、レンズ無し等の形状も可能である。
上記した第1の実施の形態では、金属リードを給電部材とするフリップチップ型発光装置を説明したが、他の形態の発光装置に適用することも可能である。例えば、ワイヤボンディングを用いたフェイスアップ(FU)型の発光装置等にも適用可能である。
図4は、第1の実施の形態に係る発光装置の変形例を示す断面図である。この発光装置10では、封止部材5の熱膨張・熱収縮によるクラックを防止するものとして、サブマウント3の角部を除去することにより傾斜部3Aを設けた構成としている。このようサブマウント3を用いることで、第1の実施の形態の好ましい効果に加えてクラックの発生しにくいガラス封止型発光装置10を実現できる。
図5は、本発明の第2の実施の形態に係るフェイスアップ型の発光装置を示す断面図である。この発光装置40は、先端部に間隔を設けて水平及び一直線上に配置された給電部材としてのリード部4A、4Bと、リード部4Aの先端部の上面に接着剤等を介して搭載されたGaN系のLED素子41と、LED素子41上の2つの電極(図示せず)とリード部4A、4Bとを接続するワイヤ42と、LED素子41及びリード部4A、4Bの先端部を封止するガラス材による封止部材5とを備えて構成されている。
封止部材5は、透明、低融点、及び所定値内の熱膨張率を有するガラス材を用いている。特に、フェイスアップ型では、ワイヤを用いることにより、ガラス封止の際、加熱により軟化したワイヤ42およびワイヤ接続部42Aが加圧によって押しつぶされ易くなるので、ショート等を生じ易くなる。このため、できるだけ低融点のガラス材を用いるのが望ましい。
以下に、発光装置40の組み立てについて説明する。
まず、リードフレームの分離前の状態において、リード部4Aの先端上面にLED素子41が搭載される。次に、LED素子41の上面の1方の電極とリード部4Aの上面とがワイヤ42で接続され、更に、LED素子41の上面の他方の電極とリード部4Bの上面とがワイヤ42で接続される。次に、第1の実施の形態で説明したように、金型によるガラス材の成形が行われ、所定形状の封止部材5が形成される。最後に、リードフレーム4の不要部分が除去されることにより、発光装置40の各々がリードフレーム4から分離される。
図5において、例えば、リード部4Aがアノード側であれば、リード部4Aに直流電源(図示せず)のプラス側が接続され、リード部4Bにはマイナス側が接続される。この通電により、LED素子41が発光する。その光は、LED素子41の上面から出射し、その殆どは封止部材5内を透過して外部へ出光し、他の一部は内面反射を経て封止部材5の外へ出光する。
上記した第2の実施の形態によると、第1の実施の形態の好ましい効果に加え、リード部4A,4Bと封止部材5との熱膨張率の値を考慮し、かつ低融点のガラス材を用いたことにより、フェイスアップ型の発光装置40であっても剥離やクラックの発生を防止することができる。
なお、上記した各実施の形態において、リード部4A,4Bの表面に反射面を形成し、光の出射効率を高めるようにしても良い。
また、LED素子1,42の上部の封止部材5内に、所定の波長の光で励起される蛍光体等を用いた波長変換部を設けることもできる。
更に、上記した各実施の形態においては、1つの封止部材内に配設されるLED素子の個数は1個であるとしたが、LED素子が2個以上のマルチ発光型の発光装置にすることもできる。この場合の発光装置のタイプとしては、フリップチップ接合型である図1の構成が適している。搭載する複数のLED素子は、異なる発光色のLED素子を複数設ける構成でも、同一発光色のLED素子を複数設ける構成でも良い。
更に、LED素子の駆動形態としては、複数のLED素子の全部を並列接続し又はグループ単位で並列接続しても、複数単位に直列接続し又は全数を直列接続しても良い。
また、封止部材5の形状として、頂部にレンズ部が形成された半球状の構成を示したが、封止部材5は図示した形状に限定されるものではなく、レンズ部を有しない形状、多角形、円柱形等、任意の形状にすることができる。
更に、封止部材5の成形に際しては、ガラスシートを用いたが、ガラスシートを用いた方法に限定されるものではなく、他の封止方法を用いても良い。
図6は、本発明の第3の実施の形態に係るフリップチップ型の発光装置を示し(a)は断面図、(b)は(a)の右側面から見た側面図である。なお、第1の実施の形態と同一の構成を有する部分については共通する引用数字を付している。この発光装置10は、図6(a)に示すようにサブマウント素子3をCuからなる放熱部50に搭載して低融点ガラスからなる封止部材5で一体的に封止した構成を有し、封止部材5にはレンズ5Aが形成されている。
サブマウント素子3は、放熱部50に設けられる溝部51に収容されており、その表面に設けられる配線パターン53とLED素子1の電極とがバンプ2によって電気的に接続されることによって給電部の一部を構成している。配線パターン53は、LED素子1との接合後に軟金属であるCuからなるリード部4A、4Bとはんだ接合される。リード部4Bは、図6(b)に示すように溝部51に長方形断面で棒状のガラス材52を介在させることによって放熱部50と絶縁された状態で封止部材5を加熱プレスされる。このとき、リード部4Aについてもリード部4Bと同様に処理される。リード部4A、4Bは、加熱プレスに基づいて溶融したガラス材52および封止部材5により放熱部50と絶縁された状態で一体化される。
第3の実施の形態によると、サブマウント素子3を搭載した放熱部50をガラス材からなる封止部材5で一体的に封止するようにしたため、第1の実施の形態の好ましい効果に加えてサブマウント素子3から伝わる熱の放熱性を高めることができ、ガラス封止加工時だけでなく、例えば、大電流化によってLED素子1からの発熱量が増大する場合であっても放熱性に優れ、かつ、熱膨張率差によるパッケージクラックを生じにくい発光装置1が得られる。
なお、上記した第3の実施の形態では、Cuからなる放熱部50を用いた構成を説明したが、例えば、Cu合金やアルミニウム等の熱伝導性が良好で、かつ、封止部材5との熱膨張率差が小であるものを用いることもできる。仮に、アルミニウムからなる放熱部50とした場合には、LED素子1およびサブマウント3に対して熱膨張率の差は約500%となる。
図7は、本発明の第4の実施の形態に係るフェイスアップ型の発光装置を示し(a)は断面図、(b)は(a)の右側面から見た側面図である。なお、第2の実施の形態と同一の構成を有する部分については共通する引用数字を付している。この発光装置40は、図7(a)に示すようにCuからなる放熱部50の中央にLED素子40を接着し、このLED素子40に給電するリード部4A、4BとLED素子40の電極とをワイヤ42で電気的に接続して構成されている。また、LED素子40、ワイヤ42、およびリード部4A、4Bは低融点ガラスの加工時の熱に対して耐熱性を有するようにシリコン樹脂からなるシリコンコート部60によって覆われている。封止部材5はシリコンコート部60を覆うとともに放熱部50と一体化されている。なお、封止部材5にはレンズ5Aが形成されている。
第4の実施の形態によると、フェイスアップ型の発光装置40であっても耐熱性および弾性を有するシリコンコート部60によってLED素子41の周囲を覆うことにより、ガラス封止加工時の圧力によるLED素子41の電極やワイヤ42の変形を防ぎながらガラス封止が可能となるため、第2の実施の形態の好ましい効果に加えてLED素子41の実装性に優れ、ガラス封止加工時だけでなく、例えば、大電流化によってLED素子41からの発熱量が大になる場合であっても放熱性が良好で、かつ、熱膨張率差によるパッケージクラックを生じにくい発光装置1が得られる。また、シリコンコート部60は、蛍光体を含有させたものであっても良い。
なお、上記した第4の実施の形態では、放熱部50に搭載されたLED素子41に対して一対のリード部4A、4Bから給電する構成を説明したが、例えば、放熱部50と一方のリード部を一体化し、他方のリード部と放熱部50とをガラス材52によって絶縁する構成としても良い。
また、コート材としてシリコン樹脂を用いる他に、セラミックコート材等の他の耐熱性を有する材料を用いることができる。このコート材を施す構成については、フェイスアップ型のLED素子に限定されず、フリップチップ型LED素子へも適用することができる。
本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 リードフレームにサブマウントを搭載した状態を示す平面図である。 金型を用いてガラス封止を行う直前の状態を示す図である。同図においては図2のA−A部で切断した状態を示している。 本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の変形例を示す断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係るフェイスアップ型の発光装置を示す断面図である。 本発明の第3の実施の形態に係るフリップチップ型の発光装置を示し(a)は断面図、(b)は(a)の右側面から見た側面図である。 本発明の第4の実施の形態に係るフェイスアップ型の発光装置を示し(a)は断面図、(b)は(a)の右側面から見た側面図である。
符号の説明
1、LED素子 2、バンプ 3、サブマウント 3A、傾斜部
4、リードフレーム 4A、リード部 4B、リード部
5、封止部材 5A、レンズ 6、リードフレーム 7、ガラスシート
8、ガラスシート 10、発光装置 11、上金型
11A、凹部 12、下金型 12A、凹部 31A、電極
31B、電極 32A、電極 32B、電極 33、ビアホール
40、発光装置 41、LED素子 42、ワイヤ
42A、ワイヤ接続部 50、放熱部 51、溝部 52、ガラス材
53、配線パターン 60、シリコンコート部

Claims (12)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子の周囲を前記発光素子に対する熱膨張率が150%から500%の範囲の透光性ガラス部および金属部で包囲して形成されることを特徴とする発光装置。
  2. 前記金属部は、前記発光素子に給電するリード状の給電部と、前記発光素子の発光に伴って生じる熱を放熱する放熱部とを有することを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記金属部は、前記給電部と前記放熱部とが一体的に形成されていることを特徴とする請求項2記載の発光装置。
  4. 前記金属部および前記透光性ガラス部は、略同等の熱膨張率を有して構成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。
  5. 前記金属部は、軟金属からなることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の発光装置。
  6. 発光素子と、
    前記発光素子を搭載するとともに電力を供給するための金属からなる給電部と、
    前記発光素子と前記給電部の一部とを封止する透光性ガラス部とを有し、
    前記給電部および前記透光性ガラス部は、前記発光素子に対し、熱膨張率の大なる材料によって形成され、前記発光素子は、前記給電部を含め前記透光性ガラス部によって全体が包囲されていることを特徴とする発光装置。
  7. 発光素子と、
    前記発光素子をマウントするサブマウント部と、
    前記発光素子に電力を供給するための金属からなる給電部と、
    前記発光素子と前記サブマウント部と前記給電部の一部とを封止する透光性ガラス部とを有し、
    前記サブマウント部には前記給電部からなる電力を前記発光素子に給電するための電気回路が形成され、
    前記給電部および前記透光性ガラス部は、前記発光素子あるいは前記サブマウント部に対し、熱膨張率の大なる材料によって形成され、前記発光素子および前記サブマウント部は、前記給電部を含め前記透光性ガラス部によって全体が包囲されていることを特徴とする発光装置。
  8. 前記給電部および前記透光性ガラス部は、略同等の熱膨張率を有して構成されることを特徴とする請求項6又は7のいずれかに記載の発光装置。
  9. 前記給電部は、軟金属からなることを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載の発光装置。
  10. 前記給電部は、熱伝導率が100W・m-1・k-1以上の材料である請求項6から9のいずれかに記載の発光装置。
  11. 前記サブマウント部は、熱伝導率が100W・m-1・k-1以上の材料である請求項7記載の発光装置。
  12. 前記給電部および前記透光性ガラス部は、前記発光素子あるいは前記サブマウント部に対し150%以上の線熱膨張率の材料である請求項7から11のいずれかに記載の発光装置。

JP2004010385A 2003-03-10 2004-01-19 発光装置 Expired - Fee Related JP4029843B2 (ja)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004010385A JP4029843B2 (ja) 2004-01-19 2004-01-19 発光装置
KR1020057016878A KR100693969B1 (ko) 2003-03-10 2004-03-10 고체 소자 디바이스 및 그 제조 방법
PCT/JP2004/003089 WO2004082036A1 (ja) 2003-03-10 2004-03-10 固体素子デバイスおよびその製造方法
US10/548,560 US7824937B2 (en) 2003-03-10 2004-03-10 Solid element device and method for manufacturing the same
EP13156568.1A EP2596948B1 (en) 2003-03-10 2004-03-10 Method of making a semiconductor device
EP04719060.8A EP1603170B1 (en) 2003-03-10 2004-03-10 Method for manufacturing a solid-state optical element device
TW093106393A TWI246780B (en) 2003-03-10 2004-03-10 Solid-state component device and manufacturing method thereof
CN2004800064031A CN1759492B (zh) 2003-03-10 2004-03-10 固体元件装置的制造方法
CN2010101176741A CN101789482B (zh) 2003-03-10 2004-03-10 固体元件装置及其制造方法
US11/036,192 US7497597B2 (en) 2004-01-19 2005-01-18 Light emitting apparatus
US12/923,788 US8154047B2 (en) 2003-03-10 2010-10-07 Solid element device and method for manufacturing the same
US13/419,093 US8685766B2 (en) 2003-03-10 2012-03-13 Solid element device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004010385A JP4029843B2 (ja) 2004-01-19 2004-01-19 発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007214639A Division JP4165610B2 (ja) 2007-08-21 2007-08-21 発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006054211A true JP2006054211A (ja) 2006-02-23
JP4029843B2 JP4029843B2 (ja) 2008-01-09

Family

ID=34792301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004010385A Expired - Fee Related JP4029843B2 (ja) 2003-03-10 2004-01-19 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7497597B2 (ja)
JP (1) JP4029843B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0364552A (ja) * 1989-08-02 1991-03-19 Toyota Autom Loom Works Ltd ジェットルームにおける緯入れ制御方法
JP2013524485A (ja) * 2010-03-25 2013-06-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光デバイス用キャリア
JPWO2013115379A1 (ja) * 2012-02-02 2015-05-11 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
KR20160035226A (ko) * 2014-09-23 2016-03-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN106159055A (zh) * 2010-10-12 2016-11-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有减小的外延应力的发光器件
KR20170114721A (ko) * 2016-04-06 2017-10-16 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지
KR101824034B1 (ko) 2011-05-24 2018-01-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1759492B (zh) * 2003-03-10 2010-04-28 丰田合成株式会社 固体元件装置的制造方法
DE102005042778A1 (de) * 2004-09-09 2006-04-13 Toyoda Gosei Co., Ltd., Nishikasugai Optische Festkörpervorrichtung
JP2006156668A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
US20060231737A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Asahi Glass Company, Limited Light emitting diode element
KR100629496B1 (ko) * 2005-08-08 2006-09-28 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
KR100983836B1 (ko) 2005-09-20 2010-09-27 파나소닉 전공 주식회사 Led조명 기구
JP5209177B2 (ja) * 2005-11-14 2013-06-12 新光電気工業株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP3992059B2 (ja) * 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2007157940A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
EP2023408A4 (en) * 2006-05-18 2011-06-29 Asahi Glass Co Ltd PROCESS FOR MANUFACTURING AN ILLUMINATING ELEMENT AND LIGHTING ELEMENT
JP4905009B2 (ja) * 2006-09-12 2012-03-28 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
TW200834968A (en) * 2007-02-13 2008-08-16 Harvatek Corp Method of making light-emitting diode structure with high heat dissipation effect and structure made thereby
KR100883075B1 (ko) * 2007-03-02 2009-02-10 엘지전자 주식회사 전계발광소자
KR20090124906A (ko) * 2007-03-12 2009-12-03 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 고출력 발광 장치 및 그것에 이용하는 패키지
JP5233170B2 (ja) * 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
WO2008152945A1 (ja) * 2007-06-15 2008-12-18 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製造方法
KR20090015734A (ko) 2007-08-09 2009-02-12 엘지이노텍 주식회사 광원 장치
DE102007046337A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP5061139B2 (ja) * 2009-02-12 2012-10-31 株式会社住田光学ガラス 発光装置の製造方法
JP5298987B2 (ja) * 2009-03-17 2013-09-25 豊田合成株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP5327042B2 (ja) * 2009-03-26 2013-10-30 豊田合成株式会社 Ledランプの製造方法
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5585013B2 (ja) * 2009-07-14 2014-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5659519B2 (ja) 2009-11-19 2015-01-28 豊田合成株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置
US8545083B2 (en) * 2009-12-22 2013-10-01 Sumita Optical Glass, Inc. Light-emitting device, light source and method of manufacturing the same
CN102130268A (zh) * 2010-01-19 2011-07-20 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 固态发光元件及光源模组
US8486761B2 (en) 2010-03-25 2013-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices
US9759843B2 (en) * 2010-06-28 2017-09-12 Axlen, Inc. Optical beam shaping and polarization selection on LED with wavelength conversion
JP2012064787A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
FR2969311B1 (fr) * 2010-12-20 2013-01-18 Rhodia Acetow Gmbh Module de source lumineuse a led (diode electroluminescente)
JP5049382B2 (ja) 2010-12-21 2012-10-17 パナソニック株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
US20150001570A1 (en) * 2011-09-02 2015-01-01 King Dragon International Inc. LED Package and Method of the Same
US9117941B2 (en) * 2011-09-02 2015-08-25 King Dragon International Inc. LED package and method of the same
JP2013069960A (ja) 2011-09-26 2013-04-18 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
US9773950B2 (en) 2012-04-06 2017-09-26 Ctlab Co. Ltd. Semiconductor device structure
JP5609925B2 (ja) 2012-07-09 2014-10-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102012106290B4 (de) * 2012-07-12 2017-11-09 Schott Ag Beleuchtungs- oder Lichtempfangseinrichtung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
KR101984897B1 (ko) * 2012-12-10 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US8890196B2 (en) * 2013-03-14 2014-11-18 Goldeneye, Inc. Lightweight self-cooling light sources
JP6623508B2 (ja) * 2014-09-30 2019-12-25 日亜化学工業株式会社 光源及びその製造方法、実装方法
JP6555907B2 (ja) 2015-03-16 2019-08-07 アルパッド株式会社 半導体発光装置
JPWO2016190207A1 (ja) * 2015-05-28 2018-03-15 住友化学株式会社 Ledデバイス、ledモジュール及び紫外線発光装置
JP6699742B2 (ja) * 2016-09-20 2020-05-27 三菱電機株式会社 半導体装置
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) * 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
TWI635470B (zh) * 2017-07-04 2018-09-11 錼創科技股份有限公司 發光模組及顯示裝置
US20190267526A1 (en) 2018-02-26 2019-08-29 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor Light Emitting Devices And Method Of Manufacturing The Same
WO2020142656A1 (en) 2019-01-04 2020-07-09 Engent, Inc. Systems and methods for precision placement of components
JP7071648B2 (ja) 2019-05-16 2022-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2801375A (en) * 1955-08-01 1957-07-30 Westinghouse Electric Corp Silicon semiconductor devices and processes for making them
DE1252806B (de) * 1963-12-23 1967-10-26 Nippon Electric Co In Glas eingeschmolzenes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JPS5227995B2 (ja) 1971-08-18 1977-07-23
JPS5429866B2 (ja) 1972-03-03 1979-09-26
JPS4953387A (ja) 1972-09-27 1974-05-23
JPS5433683A (en) * 1977-07-08 1979-03-12 Hitachi Ltd Air seal mounting for light emitting element
KR860001491B1 (ko) 1981-10-30 1986-09-27 코오닝 그라아스 와아크스 정밀유리제품의 성형방법
JPS6196780A (ja) 1984-10-17 1986-05-15 Stanley Electric Co Ltd Ledチツプのコ−テイング方法
JPS6331557A (ja) 1986-07-23 1988-02-10 川崎重工業株式会社 振動ミル
JPS6367792A (ja) 1986-09-09 1988-03-26 Fujitsu Ltd 光電子部品の実装構造
JPH05315652A (ja) 1992-04-02 1993-11-26 Nec Corp 光半導体装置
JPH05343744A (ja) 1992-06-05 1993-12-24 Nisshin Steel Co Ltd ダイボンド型発光ダイオード及びその製造方法
JPH06289321A (ja) 1993-04-01 1994-10-18 Seiko Epson Corp 検光子及び光学素子及び受光素子及び光ヘッド及び光磁気信号検出手段及び位置誤差信号検出手段及び光学素子製造方法
JPH0778658A (ja) 1993-09-09 1995-03-20 Urban Techno Inc:Kk ローパスフィルタ内蔵コネクタ
JP3287436B2 (ja) 1993-09-27 2002-06-04 キヤノン株式会社 半導体装置の作製方法
US5391523A (en) * 1993-10-27 1995-02-21 Marlor; Richard C. Electric lamp with lead free glass
JP3150025B2 (ja) 1993-12-16 2001-03-26 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2600616B2 (ja) * 1994-09-08 1997-04-16 日本電気株式会社 光結合装置
JPH08102553A (ja) 1994-09-30 1996-04-16 Rohm Co Ltd 素子封止型発光デバイス
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
JP3656316B2 (ja) 1996-04-09 2005-06-08 日亜化学工業株式会社 チップタイプled及びその製造方法
JP3672280B2 (ja) 1996-10-29 2005-07-20 株式会社シチズン電子 スルーホール電極付き電子部品の製造方法
JPH10190190A (ja) 1996-10-31 1998-07-21 Hoya Corp 基板およびその製造方法
JP3257455B2 (ja) 1997-07-17 2002-02-18 松下電器産業株式会社 発光装置
JPH11116275A (ja) 1997-10-13 1999-04-27 Ohara Inc 低温封着用組成物
JPH11177129A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Rohm Co Ltd チップ型led、ledランプおよびledディスプレイ
JP2924961B1 (ja) 1998-01-16 1999-07-26 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製法
DE19803936A1 (de) 1998-01-30 1999-08-05 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3500304B2 (ja) 1998-04-23 2004-02-23 京セラ株式会社 半導体素子支持部材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ
JP4262818B2 (ja) 1999-02-22 2009-05-13 株式会社東芝 鉄−ニッケル系合金部材およびガラス封止部品
JP2000340876A (ja) 1999-03-23 2000-12-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 光半導体素子用パッケージおよびその製造方法
JP3723698B2 (ja) 1999-06-30 2005-12-07 京セラ株式会社 光素子キャリア及びその実装構造
JP3540215B2 (ja) 1999-09-29 2004-07-07 株式会社東芝 エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JP2000233939A (ja) 1999-11-26 2000-08-29 Asahi Techno Glass Corp 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス
TW465123B (en) 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
JP4601128B2 (ja) 2000-06-26 2010-12-22 株式会社光波 Led光源およびその製造方法
JP2002055211A (ja) 2000-08-10 2002-02-20 Sony Corp マイクロプリズムおよび光学素子の製造方法
JP3425750B2 (ja) 2000-09-05 2003-07-14 日本電気硝子株式会社 封着材料
JP2002094123A (ja) 2000-09-14 2002-03-29 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4763122B2 (ja) 2000-09-20 2011-08-31 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002134821A (ja) 2000-10-23 2002-05-10 Furukawa Electric Co Ltd:The 光素子用容器およびその製造方法
JP2002134792A (ja) 2000-10-25 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 白色半導体発光装置の製造方法
US6417019B1 (en) 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
JP2002348133A (ja) 2001-05-24 2002-12-04 Canon Inc 光学ガラス成形品および光学素子の製造方法
JP4034589B2 (ja) * 2001-06-06 2008-01-16 株式会社オハラ 光学ガラス
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP2003008071A (ja) 2001-06-22 2003-01-10 Stanley Electric Co Ltd Led基板アセンブリを使用したledランプ
JP4789358B2 (ja) * 2001-07-03 2011-10-12 株式会社オハラ 光学ガラス
JP4058933B2 (ja) 2001-10-26 2008-03-12 松下電工株式会社 高熱伝導性立体基板の製造方法
CN1759492B (zh) * 2003-03-10 2010-04-28 丰田合成株式会社 固体元件装置的制造方法
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0364552A (ja) * 1989-08-02 1991-03-19 Toyota Autom Loom Works Ltd ジェットルームにおける緯入れ制御方法
JP2013524485A (ja) * 2010-03-25 2013-06-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光デバイス用キャリア
JP2016129233A (ja) * 2010-03-25 2016-07-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 発光デバイス用キャリア
CN106159055A (zh) * 2010-10-12 2016-11-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有减小的外延应力的发光器件
KR101824034B1 (ko) 2011-05-24 2018-01-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JPWO2013115379A1 (ja) * 2012-02-02 2015-05-11 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US9391050B2 (en) 2012-02-02 2016-07-12 Citizen Holdings Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method for same
KR20160035226A (ko) * 2014-09-23 2016-03-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102231645B1 (ko) * 2014-09-23 2021-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR20170114721A (ko) * 2016-04-06 2017-10-16 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지
KR102514851B1 (ko) * 2016-04-06 2023-03-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
JP4029843B2 (ja) 2008-01-09
US20050161771A1 (en) 2005-07-28
US7497597B2 (en) 2009-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4029843B2 (ja) 発光装置
JP4303550B2 (ja) 発光装置
JP4192742B2 (ja) 発光装置
US8193014B2 (en) Manufacturing method of light-emitting diode
US7391153B2 (en) Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
US7935978B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
JP4254669B2 (ja) 発光装置
US8030762B2 (en) Light emitting diode package having anodized insulation layer and fabrication method therefor
US7999277B2 (en) Light emitting device and production method of same
JP3948488B2 (ja) 発光装置
US20090095967A1 (en) Light emitting device
JP2006093697A (ja) 静電放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード
JP2013062416A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP4775403B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP4147353B2 (ja) 発光装置
JP5126127B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP4016925B2 (ja) 発光装置
JP4165610B2 (ja) 発光装置の製造方法
JPWO2008139981A1 (ja) 発光装置および発光装置用パッケージ集合体
JP2008282917A (ja) 発光装置および発光装置を作製する基板用リードフレーム
JP4293216B2 (ja) 発光装置
JP2007087669A (ja) Led照明器具の製造方法
JP2008198831A (ja) 発光ダイオードユニットおよび発光ダイオードユニットの製造方法
JP2007088082A (ja) 発光装置
JP7512012B2 (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070821

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070925

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071008

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131026

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees