JPH05315652A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH05315652A JPH05315652A JP8014392A JP8014392A JPH05315652A JP H05315652 A JPH05315652 A JP H05315652A JP 8014392 A JP8014392 A JP 8014392A JP 8014392 A JP8014392 A JP 8014392A JP H05315652 A JPH05315652 A JP H05315652A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】優れた耐熱特性を有し、しかも光特性が良好な
透光性樹脂で封止された光半導体装置を提供する。 【構成】屈折率がエポキシ樹脂と等しくなるように成分
調整されたフィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封
止された光半導体装置。このフィラーは、主成分Ｓｉ酸
化物に、少なくともＧｅ酸化物またはＰｂ酸化物または
Ｂａ酸化物またはＰ酸化物またはＡｌ酸化物またはＴｉ
酸化物またはＴａ酸化物またはＬａ酸化物または稀元素
酸化物を適当な量添加して、フィラーの屈折率をエポキ
シ樹脂の屈折率と等しくしている。
透光性樹脂で封止された光半導体装置を提供する。 【構成】屈折率がエポキシ樹脂と等しくなるように成分
調整されたフィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封
止された光半導体装置。このフィラーは、主成分Ｓｉ酸
化物に、少なくともＧｅ酸化物またはＰｂ酸化物または
Ｂａ酸化物またはＰ酸化物またはＡｌ酸化物またはＴｉ
酸化物またはＴａ酸化物またはＬａ酸化物または稀元素
酸化物を適当な量添加して、フィラーの屈折率をエポキ
シ樹脂の屈折率と等しくしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体装置に関し、
特に光特性と耐熱特性のすぐれた樹脂封止型光半導体装
置に関する。
特に光特性と耐熱特性のすぐれた樹脂封止型光半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光半導体装置に使用されている透
光性樹脂は、大別するとフィラーを含んでいないタイプ
と、フィラーを含んでいるタイプとに分類される。これ
らの従来の透光性樹脂は、透光性と耐熱特性において、
一長一短の特性を有している。すなわち、フィラーを含
まないタイプの樹脂は、透光性においては優れた特性を
有しているが、耐熱特性は劣る。一方、フィラーを含ん
だ樹脂は、耐熱特性は優れているが、光透過率が低く透
明性はない。
光性樹脂は、大別するとフィラーを含んでいないタイプ
と、フィラーを含んでいるタイプとに分類される。これ
らの従来の透光性樹脂は、透光性と耐熱特性において、
一長一短の特性を有している。すなわち、フィラーを含
まないタイプの樹脂は、透光性においては優れた特性を
有しているが、耐熱特性は劣る。一方、フィラーを含ん
だ樹脂は、耐熱特性は優れているが、光透過率が低く透
明性はない。
【０００３】これらの樹脂を使用した代表的光半導体装
置について述べる。フィラーを含まない樹脂を使用した
例として、図３に示すようなＬＥＤがある。ここで、発
光素子３１は、リードフレーム３２上にマウントされ、
透光性樹脂３３で封止されている。なお図中３４はボン
ディング線である。この透光性樹脂３３は発光素子の光
特性を損わないように、透明性の高い樹脂を使用してい
る。一般にフィラーを添加すると透明性が劣化するの
で、通常この透光性樹脂３３にはフィラーを含まないタ
イプの樹脂が使用される。
置について述べる。フィラーを含まない樹脂を使用した
例として、図３に示すようなＬＥＤがある。ここで、発
光素子３１は、リードフレーム３２上にマウントされ、
透光性樹脂３３で封止されている。なお図中３４はボン
ディング線である。この透光性樹脂３３は発光素子の光
特性を損わないように、透明性の高い樹脂を使用してい
る。一般にフィラーを添加すると透明性が劣化するの
で、通常この透光性樹脂３３にはフィラーを含まないタ
イプの樹脂が使用される。
【０００４】一方フィラーを含んだ樹脂を使用した例と
して、図４に示すようなフォトカプラがある。ここで発
光素子４１と受光素子４２は対向して配置され、透光性
樹脂４３で樹脂封止され、さらに遮光性樹脂４４で二重
に樹脂封止されている。図中４５，４６は各々、リード
フレームとボンディング線を示している。フォトカプラ
の場合は、光特性よりも耐湿性を中心とした信頼性が要
求される。一般に透光性樹脂は、フィラーを含んだタイ
プの方が熱膨張率が低く、またリードフレームとの熱膨
張率差も小さい。このためフィラーを含んだタイプの方
が、高温加熱時に透光性樹脂とリードフレームの界面で
空隙が生じにくく、耐湿性が良い。したがって、フォト
カプラの透光性樹脂にはフィラーを含んだタイプの樹脂
が用いられる。
して、図４に示すようなフォトカプラがある。ここで発
光素子４１と受光素子４２は対向して配置され、透光性
樹脂４３で樹脂封止され、さらに遮光性樹脂４４で二重
に樹脂封止されている。図中４５，４６は各々、リード
フレームとボンディング線を示している。フォトカプラ
の場合は、光特性よりも耐湿性を中心とした信頼性が要
求される。一般に透光性樹脂は、フィラーを含んだタイ
プの方が熱膨張率が低く、またリードフレームとの熱膨
張率差も小さい。このためフィラーを含んだタイプの方
が、高温加熱時に透光性樹脂とリードフレームの界面で
空隙が生じにくく、耐湿性が良い。したがって、フォト
カプラの透光性樹脂にはフィラーを含んだタイプの樹脂
が用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来の光半導
体装置の問題点を述べる。
体装置の問題点を述べる。
【０００６】まず、フィラーを含まない樹脂で封止した
ＬＥＤの場合について述べる。フィラーを含まない透光
または透明性のエポキシ樹脂の熱膨張率は一般に７〜１
０×１０-5程度である。この値は、リードフレームに使
用される鉄や銅または４２合金等の金属の熱膨張率に比
べて、およそ１０倍程度である。このため、組立工程で
のハンダリフロー等で要求される２００℃程度以上の温
度が印加されると、エポキシ樹脂とリードフレームの熱
膨張率の差が原因で、封止樹脂とリードフレーム間に空
隙が生じる。この空隙を通って湿気が半導体素子（ＬＥ
Ｄの場合は発光素子）に到達し、素子特性の劣化を誘発
する。このようにフィラーを含まない透光性樹脂で封止
した従来の光半導体装置は、２６０℃程度以上の高温履
歴で素子特性の劣化を誘発する。すなわち、耐湿性が劣
る。
ＬＥＤの場合について述べる。フィラーを含まない透光
または透明性のエポキシ樹脂の熱膨張率は一般に７〜１
０×１０-5程度である。この値は、リードフレームに使
用される鉄や銅または４２合金等の金属の熱膨張率に比
べて、およそ１０倍程度である。このため、組立工程で
のハンダリフロー等で要求される２００℃程度以上の温
度が印加されると、エポキシ樹脂とリードフレームの熱
膨張率の差が原因で、封止樹脂とリードフレーム間に空
隙が生じる。この空隙を通って湿気が半導体素子（ＬＥ
Ｄの場合は発光素子）に到達し、素子特性の劣化を誘発
する。このようにフィラーを含まない透光性樹脂で封止
した従来の光半導体装置は、２６０℃程度以上の高温履
歴で素子特性の劣化を誘発する。すなわち、耐湿性が劣
る。
【０００７】一方、フィラーを含んだ透光性樹脂の場
合、熱膨張率はおよそ２〜３×１０-5程度にすることが
できる。したがって、この場合には、リードフレームと
の熱膨張率差はさほど大きくない。よって２６０℃程度
の高温履歴でも、封止樹脂とリードフレームの界面に空
隙が生じることはなく、耐湿性は強い。しかしながら、
このフィラーの材質としてＳｉＯ2 を用いているため、
エポキシ樹脂との屈折率差により、光特性、特に樹脂の
透明性と光透過率が大幅に低下する。このことを図６を
用いて説明する。
合、熱膨張率はおよそ２〜３×１０-5程度にすることが
できる。したがって、この場合には、リードフレームと
の熱膨張率差はさほど大きくない。よって２６０℃程度
の高温履歴でも、封止樹脂とリードフレームの界面に空
隙が生じることはなく、耐湿性は強い。しかしながら、
このフィラーの材質としてＳｉＯ2 を用いているため、
エポキシ樹脂との屈折率差により、光特性、特に樹脂の
透明性と光透過率が大幅に低下する。このことを図６を
用いて説明する。
【０００８】図６は、従来の光半導体装置に用いられて
いるフィラーを含んだ透光性樹脂を拡大した図である。
ここで６１はＳｉＯ2 からなるフィラーを示しており、
エポキシ樹脂６２の中に散在している。ＳｉＯ2 の屈折
率は１．４６であるのに対し、エポキシ樹脂の屈折率は
分子構造によって若干異なるが、一般に１．５０〜１．
５６程度の値となる。このような樹脂に光線６３が入射
されると、図に示すように光は散乱される。この結果透
明性は失なわれ、光透過率も大幅に低下する。したがっ
てフィラーを含んだ透光性樹脂で封止した従来の光半導
体装置は、光特性が悪い。例えば、フォトカプラの場
合、光透過率が低いために高い入出力変換特性（ＣＴ
Ｒ）が得られないという問題がある。
いるフィラーを含んだ透光性樹脂を拡大した図である。
ここで６１はＳｉＯ2 からなるフィラーを示しており、
エポキシ樹脂６２の中に散在している。ＳｉＯ2 の屈折
率は１．４６であるのに対し、エポキシ樹脂の屈折率は
分子構造によって若干異なるが、一般に１．５０〜１．
５６程度の値となる。このような樹脂に光線６３が入射
されると、図に示すように光は散乱される。この結果透
明性は失なわれ、光透過率も大幅に低下する。したがっ
てフィラーを含んだ透光性樹脂で封止した従来の光半導
体装置は、光特性が悪い。例えば、フォトカプラの場
合、光透過率が低いために高い入出力変換特性（ＣＴ
Ｒ）が得られないという問題がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、少なくとも発光素子または受光素子が、屈折率がエ
ポキシ樹脂の屈折率と等しくなるように成分調整された
フィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封止されてい
る。また、このフィラーは、主成分がＳｉ酸化物で、か
つＧｅ酸化物，Ｐｂ酸化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａ
ｌ酸化物，Ｔｉ酸化物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元
素酸化物のうち少なくとも一種類以上を適当な量含有す
ることにより、フィラーの屈折率をエポキシ樹脂の屈折
率と等しくすることができる。
は、少なくとも発光素子または受光素子が、屈折率がエ
ポキシ樹脂の屈折率と等しくなるように成分調整された
フィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封止されてい
る。また、このフィラーは、主成分がＳｉ酸化物で、か
つＧｅ酸化物，Ｐｂ酸化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａ
ｌ酸化物，Ｔｉ酸化物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元
素酸化物のうち少なくとも一種類以上を適当な量含有す
ることにより、フィラーの屈折率をエポキシ樹脂の屈折
率と等しくすることができる。
【００１０】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】まず、図５を用いて、本発明の光半導体装
置の主要要素であるフィラーを含んだ樹脂について説明
する。ここでフィラー５１はエポキシ樹脂５２の中に散
在した状態となっている。このフィラーは主成分のＳｉ
酸化物（例えばＳｉＯ2 ）で、かつＧｅ酸化物，Ｐｂ酸
化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａｌ酸化物，Ｔｉ酸化
物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元素酸化物のうち少な
くとも一種類以上を適当な量含有することにより、フィ
ラー５１の屈折率がエポキシ樹脂５２の屈折率と等しく
してある。図７に一例として、Ｓｉ酸化物にＧｅ酸化物
を添加した時の屈折率を示す。Ｇｅ酸化物以外の酸化物
をＳｉ酸化物に添加した場合も図７と同じ様な関係が得
られる（例えば、実測等により求める）。この図７に基
づいてＳｉ酸化物への添加量を調整してフィラーの屈折
率を調整する。このように調整されたフィラーを含む樹
脂に光５３が入射されると、図５に示すように、光５３
はフィラー５１で散乱されることなく透過する。この結
果透明度が高く、また光透過率の高い樹脂が得られる。
置の主要要素であるフィラーを含んだ樹脂について説明
する。ここでフィラー５１はエポキシ樹脂５２の中に散
在した状態となっている。このフィラーは主成分のＳｉ
酸化物（例えばＳｉＯ2 ）で、かつＧｅ酸化物，Ｐｂ酸
化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａｌ酸化物，Ｔｉ酸化
物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元素酸化物のうち少な
くとも一種類以上を適当な量含有することにより、フィ
ラー５１の屈折率がエポキシ樹脂５２の屈折率と等しく
してある。図７に一例として、Ｓｉ酸化物にＧｅ酸化物
を添加した時の屈折率を示す。Ｇｅ酸化物以外の酸化物
をＳｉ酸化物に添加した場合も図７と同じ様な関係が得
られる（例えば、実測等により求める）。この図７に基
づいてＳｉ酸化物への添加量を調整してフィラーの屈折
率を調整する。このように調整されたフィラーを含む樹
脂に光５３が入射されると、図５に示すように、光５３
はフィラー５１で散乱されることなく透過する。この結
果透明度が高く、また光透過率の高い樹脂が得られる。
【００１２】一方、封止樹脂の熱膨張率は、エポキシ樹
脂に、低熱膨張率のフィラーを混合させることにより、
２．０〜３．０×１０-5以下に調整している。上記した
ような添加物を入れたフィラー自体の熱膨張率は１×１
０-5以下なので、フィラーをエポキシ樹脂に混合したと
きの熱膨張率は図８に示すように変化する。このため、
フィラーとエポキシ樹脂との混合率を調整することで、
封止樹脂の熱膨張率を２．０〜３．０×１０-5以下にす
ることができる。
脂に、低熱膨張率のフィラーを混合させることにより、
２．０〜３．０×１０-5以下に調整している。上記した
ような添加物を入れたフィラー自体の熱膨張率は１×１
０-5以下なので、フィラーをエポキシ樹脂に混合したと
きの熱膨張率は図８に示すように変化する。このため、
フィラーとエポキシ樹脂との混合率を調整することで、
封止樹脂の熱膨張率を２．０〜３．０×１０-5以下にす
ることができる。
【００１３】以上説明したフィラーを含んだ樹脂で封止
した光半導体装置は、光特性及び耐熱性の双方とも良好
な特性が得られる。以下実施例をもとに本発明について
説明する。
した光半導体装置は、光特性及び耐熱性の双方とも良好
な特性が得られる。以下実施例をもとに本発明について
説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例を示す図であ
り、ＬＥＤに適用した例である。ここで発光素子１１は
リードフレーム１２上にマウントされ、樹脂１３で封止
されている。この封止樹脂は、上記に説明した屈折率が
エポキシ樹脂の屈折率と等しくなるように成分調整され
たフィラーを含んだエポキシ系透光性樹脂である。な
お、成分調整は図７，図８に基づいて行った。
り、ＬＥＤに適用した例である。ここで発光素子１１は
リードフレーム１２上にマウントされ、樹脂１３で封止
されている。この封止樹脂は、上記に説明した屈折率が
エポキシ樹脂の屈折率と等しくなるように成分調整され
たフィラーを含んだエポキシ系透光性樹脂である。な
お、成分調整は図７，図８に基づいて行った。
【００１５】このような構造にすることにより、発光素
子１１から出射された光が樹脂１３で散乱されることな
く良好な光特性を得ることができる。さらに樹脂１３と
リードフレーム１２の熱膨張率差を低く抑えることがで
きるので、組立工程での２６０℃程度の高温履歴でも強
い耐湿性を得ることができる。なお図１中１４はボンデ
ィング線を示している。以上の効果は、受光素子の場合
にも、また、発光素子と受光素子が組み合わさったフォ
トインタラプタにおいても同様に得られる。
子１１から出射された光が樹脂１３で散乱されることな
く良好な光特性を得ることができる。さらに樹脂１３と
リードフレーム１２の熱膨張率差を低く抑えることがで
きるので、組立工程での２６０℃程度の高温履歴でも強
い耐湿性を得ることができる。なお図１中１４はボンデ
ィング線を示している。以上の効果は、受光素子の場合
にも、また、発光素子と受光素子が組み合わさったフォ
トインタラプタにおいても同様に得られる。
【００１６】次に図２を用いて、本発明の第２の実施例
を説明する。図２は、本発明の光半導体装置をフォトカ
プラに適用した例である。ここで発光素子２１と受光素
子２２は対向して配置され、透光性樹脂２３で樹脂封止
され、さらに遮光性樹脂２４で二重に樹脂封止されてい
る。図中２５，２６は各々リードフレームとボンディン
グ線を示している。この透光性樹脂２３は上記に説明し
た屈折率がエポキシ樹脂の屈折率と等しくなるように成
分調整されたフィラーを含んだエポキシ系樹脂である。
このような構造にすることにより、発光素子１１から出
射した光が高い効率で受光素子１２に伝わるこの結果、
高い入出力変換時（ＣＴＲ）が得られるまた一方、第１
の実施例で説明したのと同様に、組立工程での２６０℃
程度の高温履歴でも強い耐湿性が得られる。以上、本発
明をフォトカプラに適用すると強い耐熱性を保ったま
ま、高い入出力変換効率が得られる。
を説明する。図２は、本発明の光半導体装置をフォトカ
プラに適用した例である。ここで発光素子２１と受光素
子２２は対向して配置され、透光性樹脂２３で樹脂封止
され、さらに遮光性樹脂２４で二重に樹脂封止されてい
る。図中２５，２６は各々リードフレームとボンディン
グ線を示している。この透光性樹脂２３は上記に説明し
た屈折率がエポキシ樹脂の屈折率と等しくなるように成
分調整されたフィラーを含んだエポキシ系樹脂である。
このような構造にすることにより、発光素子１１から出
射した光が高い効率で受光素子１２に伝わるこの結果、
高い入出力変換時（ＣＴＲ）が得られるまた一方、第１
の実施例で説明したのと同様に、組立工程での２６０℃
程度の高温履歴でも強い耐湿性が得られる。以上、本発
明をフォトカプラに適用すると強い耐熱性を保ったま
ま、高い入出力変換効率が得られる。
【００１７】なお、実施例ではフィラーとして主成分が
Ｓｉ酸化物、また、このＳｉ酸化物に添加する材料がＧ
ｅ酸化物，Ｐｂ酸化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａｌ酸
化物，Ｔｉ酸化物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元素酸
化物を示したが、屈折率が封止樹脂の屈折率に近く、か
つ、透明で熱膨張率が小さい材料であれば上記以外の材
料をフィラーとしてもよい。
Ｓｉ酸化物、また、このＳｉ酸化物に添加する材料がＧ
ｅ酸化物，Ｐｂ酸化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａｌ酸
化物，Ｔｉ酸化物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元素酸
化物を示したが、屈折率が封止樹脂の屈折率に近く、か
つ、透明で熱膨張率が小さい材料であれば上記以外の材
料をフィラーとしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光半導体
装置は、少なくとも発光素子または受光素子を、屈折率
がエポキシ樹脂の屈折率と等しくなるように成分調整さ
れたフィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封止され
ている。そしてこのフィラーは主成分Ｓｉ酸化物で、か
つＧｅ酸化物，Ｐｂ酸化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａ
ｌ酸化物，Ｔｉ酸化物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元
素酸化物を少なくとも一種類以上を適当な含有すること
により、フィラーの屈折率をエポキシ樹脂の屈折率と等
しくしてある。
装置は、少なくとも発光素子または受光素子を、屈折率
がエポキシ樹脂の屈折率と等しくなるように成分調整さ
れたフィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封止され
ている。そしてこのフィラーは主成分Ｓｉ酸化物で、か
つＧｅ酸化物，Ｐｂ酸化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａ
ｌ酸化物，Ｔｉ酸化物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元
素酸化物を少なくとも一種類以上を適当な含有すること
により、フィラーの屈折率をエポキシ樹脂の屈折率と等
しくしてある。
【００１９】このような構造にすることにより、透光性
樹脂中での光散乱を抑えられ、また透光性樹脂の熱膨張
率を２．０〜３．０×１０-5以下に抑えられる。その結
果光特性及び耐熱特性に優れた光半導体装置を提供でき
るという効果が得られる。
樹脂中での光散乱を抑えられ、また透光性樹脂の熱膨張
率を２．０〜３．０×１０-5以下に抑えられる。その結
果光特性及び耐熱特性に優れた光半導体装置を提供でき
るという効果が得られる。
【図１】本発明の光半導体装置の一実施例を示す図であ
り、ＬＥＤに適用した例である。
り、ＬＥＤに適用した例である。
【図２】本発明の光半導体装置の第２の実施例を示す図
であり、フォトカプラに適用した例である。
であり、フォトカプラに適用した例である。
【図３】従来の光半導体装置を示す図であり、各々、Ｌ
ＥＤの例である。
ＥＤの例である。
【図４】従来の光半導体装置（フォトカプラ）を示す図
である。
である。
【図５】本発明の光半導体装置に使用される透光性樹脂
へ光が入射された時の状態を示す図である。
へ光が入射された時の状態を示す図である。
【図６】従来の光半導体装置に使用されている透光性樹
脂に光が入射された時の状態を示す図である。
脂に光が入射された時の状態を示す図である。
【図７】ＧｅＯ2 ドープドＳｉ酸化物の屈折率を示す図
である。
である。
【図８】フィラーを混合したエポキシ樹脂の熱膨張率を
示す図である。
示す図である。
１１，２１，３１，４１ 発光素子 １２，２５，３２，４５ リードフレーム １３，２３ 屈折率がエポキシ樹脂と等しくなるよう
成分調整されたフィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂 １４，２６，３４，４６ ボンディング線 ２２，４２ 受光素子 ２４，４４ 遮光性樹脂 ３３，４３ 従来の透光性樹脂 ５１ 屈折率がエポキシ樹脂と等しくなるよう成分調
整されたフィラー ５２，６２ エポキシ樹脂 ５３，６３ 光線 ６１ Ｓｉ酸化物からなる従来のフィラー
成分調整されたフィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂 １４，２６，３４，４６ ボンディング線 ２２，４２ 受光素子 ２４，４４ 遮光性樹脂 ３３，４３ 従来の透光性樹脂 ５１ 屈折率がエポキシ樹脂と等しくなるよう成分調
整されたフィラー ５２，６２ エポキシ樹脂 ５３，６３ 光線 ６１ Ｓｉ酸化物からなる従来のフィラー
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも発光素子または受光素子を、
フィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封止する光半
導体装置において、該フィラーの屈折率が、上記エポキ
シ樹脂の屈折率と等しいことを特徴とする光半導体装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光半導体装置において、
フィラーの主成分がＳｉ酸化物で、かつＧｅ酸化物，Ｐ
ｂ酸化物，Ｂａ酸化物，Ｐ酸化物，Ａｌ酸化物，Ｔｉ酸
化物，Ｔａ酸化物，Ｌａ酸化物，稀元素酸化物のうち少
なくとも一種類以上を含有していることを特徴とする光
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8014392A JPH05315652A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8014392A JPH05315652A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315652A true JPH05315652A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=13710051
Family Applications (1)
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| JP8014392A Withdrawn JPH05315652A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH05315652A (ja) |
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