JP2851984B2 - 電力半導体装置 - Google Patents

電力半導体装置

Info

Publication number
JP2851984B2
JP2851984B2 JP6503493A JP6503493A JP2851984B2 JP 2851984 B2 JP2851984 B2 JP 2851984B2 JP 6503493 A JP6503493 A JP 6503493A JP 6503493 A JP6503493 A JP 6503493A JP 2851984 B2 JP2851984 B2 JP 2851984B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
semiconductor device
resin
power semiconductor
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6503493A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06275863A (ja
Inventor
享 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Original Assignee
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC filed Critical Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority to JP6503493A priority Critical patent/JP2851984B2/ja
Publication of JPH06275863A publication Critical patent/JPH06275863A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2851984B2 publication Critical patent/JP2851984B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H01L2924/13033—TRIAC - Triode for Alternating Current - A bidirectional switching device containing two thyristor structures with common gate contact

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電力半導体装置の構造、
特にその放熱構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の電力半導体装置を示す図
であり、同図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は
上面側からの透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図
である。
【０００３】図３に示すように、従来の電力半導体装置
は、発光側リードフレーム１及び受光側リードフレーム
２を有し、前記発光側リードフレーム１に発光ダイオー
ド等の発光素子３が搭載され、前記受光側リードフレー
ム２にフォトトライアック等の受光素子４及びトライア
ック素子，サイリスタ等の電力制御用半導体素子５が搭
載される。
【０００４】前記発光側リードフレーム１と前記受光側
リードフレーム２とは、互いに相対向する位置に配置さ
れ、前記発光素子３及び受光素子４並びにトライアック
素子５は、図示の如く、透光性樹脂６にて封止され、更
に該透光性樹脂６の外周は高熱伝導性の遮光性樹脂７に
て封止されてなる構造である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構造の電力半導体
装置において、トライアック素子５は駆動時に高熱を発
する。従来の電力半導体装置は、この熱を放出するため
に、前記発光素子２及び受光素子４並びにトライアック
素子５を封止する透光性樹脂６の外周を、高熱伝導性の
遮光性樹脂７にて封止し、該遮光性樹脂７から熱を放出
する構成としていた。
【０００６】ところが、内方の封止材である透光性樹脂
６は低熱伝導性であるため、トライアック素子５で発し
た熱を透光性樹脂６を介して遮光性樹脂７にて伝達して
たのでは熱伝達率が悪く、あまり高い放熱性が望めず、
電力半導体装置としての熱抵抗が大きくなった。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、放熱性を向上し、熱抵抗の低減が図れる電力半導体
装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電力半導体装置
は、電気信号を光に変換する発光素子と、該発光素子か
らの光を電気信号に変換する受光素子と、該受光素子に
接続された電力制御用半導体素子とを有し、これらが樹
脂封止されてなる電力半導体装置において、前記発光素
子及び受光素子部を透光性樹脂により封止するととも
に、前記透光性樹脂及び電力制御用半導体素子部を高熱
伝導性の遮光性樹脂により封止してなることを特徴とす
るものである。
【０００９】
【作用】上記の構成によれば、電力半導体装置におい
て、発光素子及び受光素子の部分を透光性樹脂により封
止するとともに、該透光性樹脂及び電力制御用半導体素
子の部分を高熱伝導性の遮光性樹脂により封止する構成
なので、前記電力制御用半導体素子で発生した熱は効率
良く、直接高熱伝導性の遮光性樹脂に伝達され、続いて
該遮光性樹脂より放熱されることから、電力半導体装置
としての放熱性を向上でき、熱抵抗を低減できる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す図であり、同
図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上面側から
の透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図である。
【００１１】図１の如く、本発明の電力半導体装置は、
発光側リードフレーム１１と受光側リードフレーム１２
とを有する。前記発光側リードフレーム１１は、電気信
号を光信号に変換する発光ダイオード等の発光素子１３
が搭載され、また前記受光側リードフレーム１２は前記
発光素子１３からの光信号を受光して電気信号に変換す
るフォトトライアツク等の受光素子１４と、該受光素子
１４と接続されたトライアック素子，サイリスタ等の電
力制御用半導体素子１５とが搭載され、所望のフレーム
−素子間がワイヤーにて接続されている。
【００１２】また、前記発光側リードフレーム１１と受
光側リードフレーム１２とは、前記発光素子１３と受光
素子１４とが光学的に結合するように対向配置される。
【００１３】透光性樹脂１６は、前記発光素子１３及び
受光素子１４をモールドし、前記発光素子１３及び受光
素子１４間の入・出力を絶縁するとともに光路を形成す
るものであり、更に前記透光性樹脂１６及びトライアッ
ク素子１５が外乱光の遮断及び内部光の伝達率の向上並
びに放熱部分となる高熱伝導性の遮光性樹脂１７にてモ
ールドされている。
【００１４】前記透光性樹脂１６及び遮光性樹脂１７
は、例えば共にエポキシ樹脂からなり、前記遮光性樹脂
１７はエポキシ樹脂内にシリカを多く含ませることによ
り高熱伝導性とすることができる。
【００１５】このような構成の電力半導体装置におい
て、前記トライアック素子１５は駆動時に高熱を発する
が、この熱は前記トライアック素子１５をモールドして
いる高熱伝導性の遮光性樹脂１７に効率良く、直接熱伝
達され、続いて前記遮光性樹脂１７から放熱される。
【００１６】このように、本発明の電力半導体装置は、
発光素子１３及び受光素子１４が透光性樹脂１６にて封
止され、更に該透光性樹脂１６及びトライアック素子１
５が高熱伝導性の遮光性樹脂１７にて封止されてなる構
成なので、前記トライアック素子１５で発生する熱を効
率良く、直接前記遮光性樹脂１７に伝達し、続いて該遮
光性樹脂１７から放熱されることから、電力半導体装置
としての放熱性を向上させ、熱抵抗を低減することがで
きる。
【００１７】上記実施例では、電力制御用半導体素子と
してトライアック素子を用いた構成のみ説明したが、サ
イリスタを用いた場合にも同様の構成・効果が得られ
る。
【００１８】図２は他の実施例を示す図であり、同図
（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上面側からの
透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図である。
【００１９】本実施例は、図１に示す実施例と相違する
点のみ説明する。図１に示す実施例では、発光側リード
フレーム１１と受光側リードフレーム１２とを対向配置
しているが、本実施例の電力半導体装置では、発光側リ
ードフレーム１１と受光側リードフレーム１２とが平面
状に配置され、両リードフレーム１１，１２が重ならな
い形状に形成されている。尚、発光素子１３と受光素子
１４とは透光性樹脂１６と遮光性樹脂１７の境界面を反
射面とする等により光学的に接続できるよう配置される
ことは勿論である。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明の電力半導体装置
によれば、発光素子及び受光素子部が透光性樹脂にて封
止され、更に該透光性樹脂及び電力制御用半導体素子部
が高熱伝導性の遮光性樹脂にて封止されてなる構成なの
で、前記電力制御用半導体素子で発生した熱が効率良く
直接前記遮光性樹脂に伝達され、該遮光性樹脂より放熱
される。従って、電力半導体装置としての放熱性が向上
され、熱抵抗が低減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す図であり、図（ａ）は
正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透視図であ
り、図（ｃ）は右側面断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す図であり、図（ａ）
は正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透視図で
あり、図（ｃ）は右側面断面図である。
【図３】従来例を示す図であり、図（ａ）は正面断面図
であり、図（ｂ）は上面側からの透視図であり、図
（ｃ）は右側面断面図である。
【符号の説明】
１３ 発光素子 １４ 受光素子 １５ 電力制御用半導体素子（トライアック素子） １６ 透光性樹脂 １７ 遮光性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/12 H01L 23/29 H01L 23/31 H01L 23/48 H01L 29/74 H03K 17/70 - 17/78

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気信号を光に変換する発光素子と、該
    発光素子からの光を電気信号に変換する受光素子と、該
    受光素子に接続された電力制御用半導体素子とを有し、
    これらが樹脂封止されてなる電力半導体装置において、
    前記発光素子及び受光素子部を透光性樹脂により封止す
    るとともに、前記透光性樹脂及び電力制御用半導体素子
    部を高熱伝導性の遮光性樹脂により封止してなることを
    特徴とする電力半導体装置。
JP6503493A 1993-03-24 1993-03-24 電力半導体装置 Expired - Fee Related JP2851984B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6503493A JP2851984B2 (ja) 1993-03-24 1993-03-24 電力半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6503493A JP2851984B2 (ja) 1993-03-24 1993-03-24 電力半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06275863A JPH06275863A (ja) 1994-09-30
JP2851984B2 true JP2851984B2 (ja) 1999-01-27

Family

ID=13275297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6503493A Expired - Fee Related JP2851984B2 (ja) 1993-03-24 1993-03-24 電力半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2851984B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124500A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Sharp Corp 光結合素子
KR100763863B1 (ko) * 2006-11-06 2007-10-05 한국 고덴시 주식회사 포토 트라이악의 구조

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06275863A (ja) 1994-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0170023B1 (ko) 반도체 패키지
JP2600616B2 (ja) 光結合装置
JP2851984B2 (ja) 電力半導体装置
JPH1125465A (ja) 半導体レーザ装置
JPS60137042A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JPS60137041A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JP2851985B2 (ja) 電力半導体装置
JP3467174B2 (ja) 光結合素子
JPH077110A (ja) 半導体装置
IE822681L (en) Semiconductor devices with heat-dissipating means
JPH0648883Y2 (ja) 光結合素子
JP2802009B2 (ja) ソリッドステートリレー
JPS6081877A (ja) 光結合半導体装置
JPH06326230A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6254974A (ja) 光結合半導体装置
JPH0651001Y2 (ja) 光結合素子
JPS5911457Y2 (ja) 光結合半導体装置
JPH07283349A (ja) 半導体装置
JPS6381987A (ja) 光結合型半導体装置
JPH06151947A (ja) 光結合素子
JPH07122779A (ja) フォトカプラ
JPS5688383A (en) Optical coupling element
JP3245494B2 (ja) 光結合装置の製造方法
JPH0479380A (ja) 多チャンネルホトカプラ
JPH07162031A (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees