JP2851985B2 - 電力半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
- H01L2924/13033—TRIAC - Triode for Alternating Current - A bidirectional switching device containing two thyristor structures with common gate contact
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電力半導体装置の構造、
特にその放熱構造の改良に関する。
特にその放熱構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の電力半導体装置を示す図で
あり、同図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上
面側からの透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図で
ある。
あり、同図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上
面側からの透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図で
ある。
【０００３】従来の電力半導体装置は、図４の如く、一
次側リードフレーム１と二次側リードフレーム２とから
なり、前記一次側リードフレーム１は、発光ダイオード
等の発光素子３を搭載する発光素子搭載用リードフレー
ム４とヒートシンク用リードフレーム５とを備え、前記
二次側リードフレーム２は、フォトトライアック等の受
光素子６を搭載する受光素子搭載用リードフレーム７と
トライアック素子，サイリスタ等の電力制御用半導体素
子８を搭載する電力制御用半導体素子搭載用リードフレ
ーム９とを備え、所望のフレーム−素子間がワイヤーに
て接続されている。
次側リードフレーム１と二次側リードフレーム２とから
なり、前記一次側リードフレーム１は、発光ダイオード
等の発光素子３を搭載する発光素子搭載用リードフレー
ム４とヒートシンク用リードフレーム５とを備え、前記
二次側リードフレーム２は、フォトトライアック等の受
光素子６を搭載する受光素子搭載用リードフレーム７と
トライアック素子，サイリスタ等の電力制御用半導体素
子８を搭載する電力制御用半導体素子搭載用リードフレ
ーム９とを備え、所望のフレーム−素子間がワイヤーに
て接続されている。
【０００４】さらに、前記一次側リードフレーム１及び
二次側リードフレーム２は、互いに相対向する位置に配
置され、前記一次側リードフレーム１及び二次側リード
フレーム２の一部を除く透光性樹脂１０にて封止され、
更に該透光性樹脂１０の外周は高熱伝導性の遮光性樹脂
１１にて封止されてなる構造である。
二次側リードフレーム２は、互いに相対向する位置に配
置され、前記一次側リードフレーム１及び二次側リード
フレーム２の一部を除く透光性樹脂１０にて封止され、
更に該透光性樹脂１０の外周は高熱伝導性の遮光性樹脂
１１にて封止されてなる構造である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構造の電力半導体
装置において、電力制御用半導体素子８は駆動時に高熱
を発する。従来の電力半導体装置はこの熱の放出を、透
光性樹脂１０を介して高熱伝導性の遮光性樹脂１１より
放熱するとともに、前記透光性樹脂１０を介してヒート
シンク用リードフレーム５で熱をひろい端子，及びさら
に透光性樹脂１０を介して前記遮光性樹脂１１より放熱
していた。
装置において、電力制御用半導体素子８は駆動時に高熱
を発する。従来の電力半導体装置はこの熱の放出を、透
光性樹脂１０を介して高熱伝導性の遮光性樹脂１１より
放熱するとともに、前記透光性樹脂１０を介してヒート
シンク用リードフレーム５で熱をひろい端子，及びさら
に透光性樹脂１０を介して前記遮光性樹脂１１より放熱
していた。
【０００６】ところが、内方の封止材である前記透光性
樹脂１０は低熱伝導性であるため、前記電力制御用半導
体素子８で発生した熱を前記透光性樹脂１０を介して前
記遮光性樹脂１１に伝達し、該遮光性樹脂１１より放熱
していたのではあまり高い放熱性が望めず、電力半導体
装置としての熱抵抗が大きくなった。
樹脂１０は低熱伝導性であるため、前記電力制御用半導
体素子８で発生した熱を前記透光性樹脂１０を介して前
記遮光性樹脂１１に伝達し、該遮光性樹脂１１より放熱
していたのではあまり高い放熱性が望めず、電力半導体
装置としての熱抵抗が大きくなった。
【０００７】本発明は、上記課題に鑑み、放熱性を向上
し、熱抵抗の低減が図れる電力半導体装置を提供するこ
とを目的とするものである。
し、熱抵抗の低減が図れる電力半導体装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電力半導体装置
は、ヒートシンク用リードフレームを有する一次側リー
ドフレームと、二次側リードフレームとが透光性樹脂に
て封止され、該透光性樹脂部の外周が高熱伝導性の遮光
性樹脂にて封止されてなる電力半導体装置において、前
記ヒートシンク用リードフレームは、電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム接触部及び遮光性樹脂接触部
からなり、それぞれ各部は電力制御用半導体素子搭載用
リードフレーム及び遮光性樹脂と接触させてなることを
特徴とするものである。
は、ヒートシンク用リードフレームを有する一次側リー
ドフレームと、二次側リードフレームとが透光性樹脂に
て封止され、該透光性樹脂部の外周が高熱伝導性の遮光
性樹脂にて封止されてなる電力半導体装置において、前
記ヒートシンク用リードフレームは、電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム接触部及び遮光性樹脂接触部
からなり、それぞれ各部は電力制御用半導体素子搭載用
リードフレーム及び遮光性樹脂と接触させてなることを
特徴とするものである。
【０００９】さらに、上記構成において、前記遮光性樹
脂接触部における遮光性樹脂接触面にフィンが形成さ
れ、該フィンを前記遮光性樹脂に埋込ませてなることを
特徴とするものである。
脂接触部における遮光性樹脂接触面にフィンが形成さ
れ、該フィンを前記遮光性樹脂に埋込ませてなることを
特徴とするものである。
【００１０】
【作用】上記の構成によれば、電力半導体装置におい
て、ヒートシンク用リードフレームは、電力制御用半導
体素子搭載用リードフレーム接触部及び遮光性樹脂接触
部からなり、それぞれ各部は電力制御用半導体素子搭載
用リードフレーム及び高熱伝導性の遮光性樹脂と接触さ
せてなる構成なので、発熱体となる電力制御用半導体素
子の熱は効率良く前記ヒートシンク用リードフレームを
介して前記遮光性樹脂へ伝達され、続いて該遮光性樹脂
より放熱されるので、放熱量が大きくなり電力半導体装
置としての熱抵抗を低減できる。
て、ヒートシンク用リードフレームは、電力制御用半導
体素子搭載用リードフレーム接触部及び遮光性樹脂接触
部からなり、それぞれ各部は電力制御用半導体素子搭載
用リードフレーム及び高熱伝導性の遮光性樹脂と接触さ
せてなる構成なので、発熱体となる電力制御用半導体素
子の熱は効率良く前記ヒートシンク用リードフレームを
介して前記遮光性樹脂へ伝達され、続いて該遮光性樹脂
より放熱されるので、放熱量が大きくなり電力半導体装
置としての熱抵抗を低減できる。
【００１１】さらに、前記遮光性樹脂接触部における遮
光性樹脂接触面にフィンが形成され、該フィンを前記遮
光性樹脂に埋込ませることにより、前記遮光性樹脂接触
部及び遮光性樹脂間の熱伝達をさらに向上できる。
光性樹脂接触面にフィンが形成され、該フィンを前記遮
光性樹脂に埋込ませることにより、前記遮光性樹脂接触
部及び遮光性樹脂間の熱伝達をさらに向上できる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す図であり、同
図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上面側から
の透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図である。
図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上面側から
の透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図である。
【００１３】図１の如く、本発明の電力半導体装置は、
一次側リードフレーム２１及び二次側リードフレーム２
２とを含む。前記一次側リードフレーム２１は、電気信
号を光信号に変換する発光ダイオード等の発光素子２３
が搭載された発光素子搭載用リードフレーム２４と、ヒ
ートシンク用リードフレーム２５とを有する。また、前
記二次側リードフレーム２２は、前記発光素子２３から
の光信号を受光して電気信号に変換するフォトトライア
ック等の受光素子２６が搭載された受光素子搭載用リー
ドフレーム２７と、前記受光素子２６と接続されたトラ
イアック素子，サイリスタ等の電力制御用半導体素子２
８が搭載された電力制御用半導体素子搭載用リードフレ
ーム２９とを有する。前記電力制御用半導体素子２８
は、前記電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム２
９における前記受光素子２４側寄り部分に載置されてい
る。また、上記素子２３，２６，２８は所望のフレーム
−素子間がワイヤーにて接続されている。
一次側リードフレーム２１及び二次側リードフレーム２
２とを含む。前記一次側リードフレーム２１は、電気信
号を光信号に変換する発光ダイオード等の発光素子２３
が搭載された発光素子搭載用リードフレーム２４と、ヒ
ートシンク用リードフレーム２５とを有する。また、前
記二次側リードフレーム２２は、前記発光素子２３から
の光信号を受光して電気信号に変換するフォトトライア
ック等の受光素子２６が搭載された受光素子搭載用リー
ドフレーム２７と、前記受光素子２６と接続されたトラ
イアック素子，サイリスタ等の電力制御用半導体素子２
８が搭載された電力制御用半導体素子搭載用リードフレ
ーム２９とを有する。前記電力制御用半導体素子２８
は、前記電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム２
９における前記受光素子２４側寄り部分に載置されてい
る。また、上記素子２３，２６，２８は所望のフレーム
−素子間がワイヤーにて接続されている。
【００１４】前記ヒートシンク用リードフレーム２５
は、長手方向中央部に切り込みが形成されており、該切
り込み部を境として電力制御用半導体素子搭載用リード
フレーム接触部３０と遮光性樹脂接触部３１とから構成
されている。
は、長手方向中央部に切り込みが形成されており、該切
り込み部を境として電力制御用半導体素子搭載用リード
フレーム接触部３０と遮光性樹脂接触部３１とから構成
されている。
【００１５】前記一次側リードフレーム１１と二次側リ
ードフレーム１２とは、前記発光素子２３と受光素子２
６とが光学的に結合するよう互いに相対向する位置に配
置されるが、前記ヒートシンク用リードフレーム２５に
おける電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム接触
部３０については、前記電力制御用半導体素子搭載用リ
ードフレーム２９と接するよう前記遮光性樹脂接触部３
１とは逆に下方に折り曲げられ、前記電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム接触部３０のほぼ全域がポッ
ト溶接等の溶接にて前記電力制御用半導体素子搭載用リ
ードフレーム２９と接続される。
ードフレーム１２とは、前記発光素子２３と受光素子２
６とが光学的に結合するよう互いに相対向する位置に配
置されるが、前記ヒートシンク用リードフレーム２５に
おける電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム接触
部３０については、前記電力制御用半導体素子搭載用リ
ードフレーム２９と接するよう前記遮光性樹脂接触部３
１とは逆に下方に折り曲げられ、前記電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム接触部３０のほぼ全域がポッ
ト溶接等の溶接にて前記電力制御用半導体素子搭載用リ
ードフレーム２９と接続される。
【００１６】前記一次側リードフレーム１１及び二次側
リードフレーム１２の一部を除く部分は、前記発光素子
２３及び受光素子２６間の入・出力を絶縁するとともに
光路を形成するため透光性樹脂３２にて封止されるが、
図１（ｃ）の如く、前記ヒートシンク用リードフレーム
２５における遮光性樹脂接触部３１の遮光性樹脂接触面
のみは前記透光性樹脂３２から露出するよう封止され
る。さらに、前記透光性樹脂封止部３２の外周及び遮光
性樹脂接触部３１における遮光性樹脂接触面は、外乱光
の遮断及び内部光の伝達率の向上並びに放熱部となる高
熱伝導性の遮光性樹脂３３により封止されている。これ
により、前記遮光性樹脂接触部３１と遮光性樹脂３３と
は接触する構成となる。ここで、前記電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム２９を直接遮光性樹脂３３に
接触しないのは、製造工程において、透光性樹脂３２に
より封止した後のバリ取り工程でストレスが素子２６に
直接加わらないようにした為である。尚、発光素子搭載
用リードフレーム２４及び受光素子搭載用リードフレー
ム２７についても上記と同様である。
リードフレーム１２の一部を除く部分は、前記発光素子
２３及び受光素子２６間の入・出力を絶縁するとともに
光路を形成するため透光性樹脂３２にて封止されるが、
図１（ｃ）の如く、前記ヒートシンク用リードフレーム
２５における遮光性樹脂接触部３１の遮光性樹脂接触面
のみは前記透光性樹脂３２から露出するよう封止され
る。さらに、前記透光性樹脂封止部３２の外周及び遮光
性樹脂接触部３１における遮光性樹脂接触面は、外乱光
の遮断及び内部光の伝達率の向上並びに放熱部となる高
熱伝導性の遮光性樹脂３３により封止されている。これ
により、前記遮光性樹脂接触部３１と遮光性樹脂３３と
は接触する構成となる。ここで、前記電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム２９を直接遮光性樹脂３３に
接触しないのは、製造工程において、透光性樹脂３２に
より封止した後のバリ取り工程でストレスが素子２６に
直接加わらないようにした為である。尚、発光素子搭載
用リードフレーム２４及び受光素子搭載用リードフレー
ム２７についても上記と同様である。
【００１７】上記透光性樹脂３２及び遮光性樹脂３３
は、例えば共にエポキシ樹脂からなり、前記遮光性樹脂
３３はエポキシ樹脂内にシリカを多く含ませることによ
り高熱伝導性とすることができる。
は、例えば共にエポキシ樹脂からなり、前記遮光性樹脂
３３はエポキシ樹脂内にシリカを多く含ませることによ
り高熱伝導性とすることができる。
【００１８】このように、上記構造の電力半導体装置
は、ヒートシンク用リードフレーム２５が電力制御用半
導体素子搭載用リードフレーム接触部３０及び遮光性樹
脂接触部３１からなり、それぞれ各部３０，３１は電力
制御用半導体素子搭載用リードフレーム２９及び高熱伝
導性の遮光性樹脂３３に接触させてなる構成なので、電
力制御用半導体素子２８で発生した熱は、電力制御用半
導体素子搭載用リードフレーム２９、電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム接触部３０、遮光性樹脂接触
部３１、遮光性樹脂３３の順に順次に熱伝達され、前記
遮光性樹脂３３より放熱される。ここで、前記電力制御
用電力半導体素子２８及び遮光性樹脂３３間の熱伝達経
路は、熱の伝導性の高いリードフレーム例えば、Ｃｕ等
であるため、熱を効率よく伝達される。従って前記遮光
性樹脂３３からの放熱量を向上でき、電力半導体装置と
しての熱抵抗を低減できる。これにより、外形を変える
ことなく電流容量をアップすることが可能となる。
は、ヒートシンク用リードフレーム２５が電力制御用半
導体素子搭載用リードフレーム接触部３０及び遮光性樹
脂接触部３１からなり、それぞれ各部３０，３１は電力
制御用半導体素子搭載用リードフレーム２９及び高熱伝
導性の遮光性樹脂３３に接触させてなる構成なので、電
力制御用半導体素子２８で発生した熱は、電力制御用半
導体素子搭載用リードフレーム２９、電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム接触部３０、遮光性樹脂接触
部３１、遮光性樹脂３３の順に順次に熱伝達され、前記
遮光性樹脂３３より放熱される。ここで、前記電力制御
用電力半導体素子２８及び遮光性樹脂３３間の熱伝達経
路は、熱の伝導性の高いリードフレーム例えば、Ｃｕ等
であるため、熱を効率よく伝達される。従って前記遮光
性樹脂３３からの放熱量を向上でき、電力半導体装置と
しての熱抵抗を低減できる。これにより、外形を変える
ことなく電流容量をアップすることが可能となる。
【００１９】図２は他の実施例を示す図であり、同図
（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上面側からの
透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図である。
（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上面側からの
透視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図である。
【００２０】本実施例について、図１に示す実施例と相
違する点のみ説明する。図２の如く、本実施例の電力半
導体装置は、ヒートシンク用リードフレーム２５におけ
る遮光性樹脂接触部３１に、曲げ加工によりフィン３
４，３４を形成し、該フィン３４を遮光性樹脂３３に埋
込ませてなるものである。
違する点のみ説明する。図２の如く、本実施例の電力半
導体装置は、ヒートシンク用リードフレーム２５におけ
る遮光性樹脂接触部３１に、曲げ加工によりフィン３
４，３４を形成し、該フィン３４を遮光性樹脂３３に埋
込ませてなるものである。
【００２１】前記フィン３４は、例えば、前記遮光性樹
脂接触部３１に略Ｌ字状の切り目を設け、該切り目の内
側部分を遮光性樹脂側へ起こすことにより形成される。
脂接触部３１に略Ｌ字状の切り目を設け、該切り目の内
側部分を遮光性樹脂側へ起こすことにより形成される。
【００２２】このように、遮光性樹脂接触部３１にフィ
ン３４を形成し、該フィン３４を遮光性樹脂３３に埋込
ませることにより、前記遮光性樹脂接触部３１と遮光性
樹脂３３との接触面積が広くなり、遮光性樹脂接触部３
１及び遮光性樹脂３３間の熱伝達をさらに向上できる。
ン３４を形成し、該フィン３４を遮光性樹脂３３に埋込
ませることにより、前記遮光性樹脂接触部３１と遮光性
樹脂３３との接触面積が広くなり、遮光性樹脂接触部３
１及び遮光性樹脂３３間の熱伝達をさらに向上できる。
【００２３】図３は更に他の実施例を示す図であり、同
図（ａ）は正面図であり、同図（ｂ）は上面側からの透
視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図である。
図（ａ）は正面図であり、同図（ｂ）は上面側からの透
視図であり、同図（ｃ）は右側面断面図である。
【００２４】本実施例について、図１に示す実施例と相
違する点のみ説明する。図３の如く、本実施例の電力半
導体装置は、ヒートシンク用リードフレーム２５におけ
る遮光性樹脂接触部３１の遮光性樹脂接触面にフィン３
４を有する金属板３５を搭載し、前記フィン３４を遮光
性樹脂３３に埋込ませてなるものである。
違する点のみ説明する。図３の如く、本実施例の電力半
導体装置は、ヒートシンク用リードフレーム２５におけ
る遮光性樹脂接触部３１の遮光性樹脂接触面にフィン３
４を有する金属板３５を搭載し、前記フィン３４を遮光
性樹脂３３に埋込ませてなるものである。
【００２５】前記金属板３５は、例えば、前記フィン３
４と嵌合する凹部を有する所望の金型内にＣｕを注入し
て形成され、前記遮光性樹脂接触面にポット溶接等によ
り搭載されてなる。
４と嵌合する凹部を有する所望の金型内にＣｕを注入し
て形成され、前記遮光性樹脂接触面にポット溶接等によ
り搭載されてなる。
【００２６】このように、本実施例においても、図２に
示す実施例と同様、遮光性樹脂接触部３１と遮光性樹脂
３３との接触面積が広くなるので図２に示す実施例と同
様の効果を得ることができる。
示す実施例と同様、遮光性樹脂接触部３１と遮光性樹脂
３３との接触面積が広くなるので図２に示す実施例と同
様の効果を得ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明の電力半導体装置
によれば、ヒートシンク用リードフレームは、電力制御
用半導体素子搭載用リードフレーム接触部及び遮光性樹
脂接触部からなり、それぞれ各部は電力制御用半導体素
子搭載用リードフレーム及び高熱伝導性の遮光性樹脂と
接触させてなる構成なので、電力半導体素子で発生する
熱は前記ヒートシンク用リードフレームを介して遮光性
樹脂へ伝達し、放熱されることから、前記遮光性樹脂か
らの放熱量が向上され、電力半導体素子としての熱抵抗
が低減される。
によれば、ヒートシンク用リードフレームは、電力制御
用半導体素子搭載用リードフレーム接触部及び遮光性樹
脂接触部からなり、それぞれ各部は電力制御用半導体素
子搭載用リードフレーム及び高熱伝導性の遮光性樹脂と
接触させてなる構成なので、電力半導体素子で発生する
熱は前記ヒートシンク用リードフレームを介して遮光性
樹脂へ伝達し、放熱されることから、前記遮光性樹脂か
らの放熱量が向上され、電力半導体素子としての熱抵抗
が低減される。
【００２８】さらに、前記遮光性樹脂接触部における遮
光性樹脂接触面にフィンを形成し、該フィンを遮光性樹
脂に埋込ませることにより、前記遮光性樹脂接触部及び
遮光性樹脂間の熱伝達がさらに向上される。
光性樹脂接触面にフィンを形成し、該フィンを遮光性樹
脂に埋込ませることにより、前記遮光性樹脂接触部及び
遮光性樹脂間の熱伝達がさらに向上される。
【図１】本発明の一実施例を示す図であり、図（ａ）は
正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透視図であ
り、図（ｃ）は右側面断面図である。
正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透視図であ
り、図（ｃ）は右側面断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す図であり、図（ａ）
は正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透視図で
あり、図（ｃ）は右側面断面図である。
は正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透視図で
あり、図（ｃ）は右側面断面図である。
【図３】本発明の更に他の実施例を示す図であり、図
（ａ）は正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透
視図であり、図（ｃ）は右側面断面図である。
（ａ）は正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透
視図であり、図（ｃ）は右側面断面図である。
【図４】従来例を示す図であり、図（ａ）は正面断面図
であり、図（ｂ）は上面側からの透視図であり、図
（ｃ）は右側面断面図である。
であり、図（ｂ）は上面側からの透視図であり、図
（ｃ）は右側面断面図である。
２１ 一次側リードフレーム ２２ 二次側リードフレーム ２５ ヒートシンク用リードフレーム ２９ 電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム ３０ 電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム接触
部 ３１ 遮光性樹脂接触部 ３２ 透光性樹脂 ３３ 遮光性樹脂 ３４ フィン
部 ３１ 遮光性樹脂接触部 ３２ 透光性樹脂 ３３ 遮光性樹脂 ３４ フィン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 29/74 Ｋ 25/07 Ｌ 25/18 23/30 Ｅ 27/14 25/04 Ｃ 29/74 27/14 Ｚ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/12 H01L 23/29 H01L 23/31 H01L 23/48 H01L 29/74 H03K 17/70 - 17/78
Claims (2)
- 【請求項１】 ヒートシンク用リードフレームを有する
一次側リードフレームと、二次側リードフレームとが透
光性樹脂にて封止され、該透光性樹脂部の外周が高熱伝
導性の遮光性樹脂にて封止されてなる電力半導体装置に
おいて、前記ヒートシンク用リードフレームは、電力制
御用半導体素子搭載用リードフレーム接触部及び遮光性
樹脂接触部からなり、それぞれ各部は電力制御用半導体
素子搭載用リードフレーム及び遮光性樹脂と接触させて
なることを特徴とする電力半導体装置。 - 【請求項２】 前記遮光性樹脂接触部における遮光性樹
脂接触面にフィンが形成され、該フィンを前記遮光性樹
脂に埋込ませてなることを特徴とする請求項１記載の電
力半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7559893A JP2851985B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | 電力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7559893A JP2851985B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | 電力半導体装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH06291362A JPH06291362A (ja) | 1994-10-18 |
| JP2851985B2 true JP2851985B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=13580807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7559893A Expired - Fee Related JP2851985B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | 電力半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2851985B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7019394B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-03-28 | Intel Corporation | Circuit package and method of plating the same |
| JP2007095932A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Sharp Corp | 半導体装置、その製造方法および電子機器 |
-
1993
- 1993-04-01 JP JP7559893A patent/JP2851985B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291362A (ja) | 1994-10-18 |
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