JP2007095932A - 半導体装置、その製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁性を確保して優れた放熱性を有し、また小型化が可能な二重モールド構造の半導体装置およびその製造方法、また、そのような半導体装置を搭載した電子機器を提供する。
【解決手段】光学的に位置決めされた発光素子２および受光素子３を内包するように透光性樹脂による１次モールドを行って１次樹脂封止部９を形成する。発光素子２および受光素子３は高精度で位置決めがなされる。１次樹脂封止部９に放熱体１１を密接させて搭載した状態のもとで、１次樹脂封止部９の外周に遮光性樹脂による２次モールドを行って２次樹脂封止部１０を形成し、併せて２次樹脂封止部１０に放熱体１１を埋設させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、放熱性を向上させた二重モールド構造の半導体装置およびその製造方法、また、そのような半導体装置を搭載した電子機器に関する。

近年の半導体装置（例えば、二重モールド構造の半導体装置である光結合型半導体装置）の技術動向として、パッケージの小型化はもちろん、電流容量の増加が望まれる傾向がある。

図７は、従来例に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。また、図８は、図７で示した従来例に係る二重モールド構造の半導体装置の概略製造工程を説明するフローチャートである。

従来例に係る二重モールド構造の半導体装置は、例えば光結合型半導体装置に適用される。つまり、図７には、半導体装置としての光結合型半導体装置１０１を示している。また、図８には図７の半導体装置を製造する各工程のフローチャートを示している。

光結合型半導体装置１０１は、図８に示すように、ダイボンド工程、ワイヤボンド工程、樹脂封止工程などの処理を施されて形成される。

まず、発光素子１０２および受光素子１０３を各々個別のリードフレーム（発光側リードフレーム１０４、受光側リードフレーム１０５）にダイボンド（ダイボンド工程）し、それぞれに金線などのワイヤ（発光側ワイヤ１０６、受光側ワイヤ１０７）でワイヤボンド（ワイヤボンド工程）を施した後に、発光素子１０２にプリコート樹脂としてのシリコーン樹脂１０８でプリコートを施す（プリコート工程）。

その後、発光側リードフレーム１０４および受光側リードフレーム１０５をスポット溶接（溶接工程）、またはローディングフレーム（不図示）にセットすることなどにより、発光素子１０２および受光素子１０３を光学的に位置決めして対向配置させる。

光学的に位置決めされた発光素子１０２および受光素子１０３を内包するように透光性樹脂による１次モールドを行って１次樹脂封止部１０９を形成する（１次樹脂封止工程）。１次モールドで形成された樹脂バリに対してバリ取りを施した後、１次樹脂封止部１０９の外周の全面に遮光性樹脂による２次モールドを行って２次樹脂封止部１１０を形成する（２次樹脂封止工程）。

２次樹脂封止工程の後、発光側リードフレーム１０４および受光側リードフレーム１０５の外部端子部にめっき処理（外装めっき工程）、タイバーカットおよびリード折り曲げ（フォーミング工程）などを施し、電気特性検査（テスト工程）、外観検査（外観検査工程）を実施した後、梱包（梱包工程）を行い出荷することとなる。

上述したように、従来例に係る半導体装置（光結合型半導体装置１０１）は、１次樹脂封止部１０９の外周の全面に２次樹脂封止部１１０を形成することから、放熱体を取り付けることが困難であり十分な放熱性を得ることが困難であった。また、２次樹脂封止部１１０に対して放熱体を取り付けるためには２次樹脂封止部１１０を放熱体の取り付けができる構造に変更する必要があり、製造工程が複雑になり、大型化するという問題もあった。

図７で示した従来例の他に、放熱体を取り付けた半導体装置として例えば特許文献１、特許文献２に開示されたものが知られている。

特許文献１に開示された半導体装置は、樹脂封止部の内部に放熱体（放熱ブロックまたは放熱板）を内蔵して配置している。しかし、放熱体をリードフレームに配置して形成することから、半導体素子の位置決めが不安定となり、半導体素子の位置精度（光結合型半導体装置に適用した場合には、光学的位置精度）を確保できないという問題があった。また、特許文献１に開示された半導体装置は、二重モールド構造に関するものではなく、光結合型半導体装置への適用は困難であるという問題があった。

特許文献２に開示された半導体装置は、樹脂封止部の内部へ放熱板を内蔵させて、外部にも放熱板を取り付けられる構造としている。しかし、放熱板を半導体素子に対応させて配置していることから、半導体素子の位置決めが不安定となり、半導体素子の位置精度（光結合型半導体装置に適用した場合には、光学的位置精度）を確保できないという問題があった。また、特許文献２に開示された半導体装置は、二重モールド構造に関するものではなく、光結合型半導体装置への適用は困難であるという問題があった。
特開平６−５３３９０号公報 特開平６−１２５０２４号公報

図７に示した従来例に係る半導体装置の場合、光結合型半導体装置１０１単体での放熱性には限界がある。例えば、従来の電流容量のままでパッケージを小型化した場合、あるいは、従来のままのパッケージで電流容量を大きくした場合などには、光結合型半導体装置１０１の温度上昇は過剰なものとなり、受光素子１０３または発光素子１０２が劣化し、または、破壊に至ることがあった。

したがって、従来例に係る半導体装置では、一定の電流容量を超える場合は、パッケージ本体を大きくすること、または、２次樹脂封止部１１０の外部に放熱板を取り付けることなどにより放熱性を向上させる必要があった。つまり、小型化することが困難であった。

また、光結合型半導体装置１０１は、入力出力間を電気的に絶縁することを目的とした素子であることから、特許文献１または特許文献２に開示された技術を単純に適用して受光素子または発光素子を直接放熱体にダイボンドし、放熱体を外部へ露出させるような構造にした場合、受光素子および発光素子相互間の位置精度を維持することができない。

したがって、国内の電気用品安全法（電安法）や海外の安全規格など公的機関で規定されている空間距離や沿面距離など絶縁性の基準を満足することができないだけでなく、現実問題として、１次・２次間（受光素子および発光素子相互間）のショートなどが発生する危険性があるので、特許文献１または特許文献２に開示されたような構造を採用することはできなかった。つまり、絶縁性を確保した状態で放熱体を設けて放熱性を向上することは困難であった。

また、二重モールド構造の半導体装置では放熱体を取り付けることが容易ではないことから、放熱性に限界があり、小型化することができないという問題があった。つまり、放熱性を確保する必要がある場合には半導体装置を小型化することは困難であった。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、１次樹脂封止部の外周を樹脂封止する２次樹脂封止部により１次樹脂封止部に密接させた放熱体を埋設する構成とすることにより、絶縁性を確保して優れた放熱性を有し、また小型化が可能な二重モールド構造の半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

また、本発明は、優れた放熱性を有する半導体装置を搭載する電子機器とすることにより、放熱性に優れ信頼性が高い電子機器を提供することを他の目的とする。

本発明に係る半導体装置は、半導体素子を樹脂封止した１次樹脂封止部と、該１次樹脂封止部の外周を樹脂封止する２次樹脂封止部とを備える半導体装置において、前記１次樹脂封止部に密接し、前記２次樹脂封止部に埋設された放熱体を備えることを特徴とする。

この構成により、１次樹脂封止部が半導体素子の位置精度を維持して絶縁性を確保した状態で、２次樹脂封止部が放熱体を強固に保持することができるので、確実に放熱性を向上することができる半導体装置となる。したがって、同一の電流容量とした場合には、従来の半導体装置に比較して小型化した半導体装置とすることが可能となる。また、１次樹脂封止部を同一寸法とした場合には電流容量をさらに大きくした半導体装置とすることも可能となる。

本発明に係る半導体装置では、前記放熱体は、前記２次樹脂封止部により被覆されていることを特徴とする。

この構成により、放熱体は完全に埋設されることとなるから、半導体装置の外形を２次樹脂封止部で画定することが可能となり、放熱体が外部に与える影響を防止すことができる。

本発明に係る半導体装置では、前記放熱体は、前記２次樹脂封止部から露出していることを特徴とする。

この構成により、放熱体の放熱効率を向上することが可能となり、半導体装置の放熱性を向上することができる。

本発明に係る半導体装置では、前記放熱体は、付加放熱体を取り付けるための取り付け部を備えることを特徴とする。

この構成により、付加放熱体を容易に取り付けることが可能となり、さらに放熱性を向上させた半導体装置とすることができ、より大きな電流容量の半導体装置とすることができる。

本発明に係る半導体装置では、前記取り付け部に前記付加放熱体を取り付けたことを特徴とする。

この構成により、放熱性をさらに向上させ、所望の放熱性を確保することができる。

本発明に係る半導体装置では、前記取り付け部は、凹形状であることを特徴とする。

この構成により、取り付け部の凹形状に整合する凸形状を有する付加放熱体を容易に嵌合することが可能となる。

本発明に係る半導体装置では、前記取り付け部は、凸形状であることを特徴とする。

この構成により、取り付け部の凸形状に整合する凹形状を有する付加放熱体を容易に嵌合することが可能となる。

本発明に係る半導体装置では、前記取り付け部は、螺子状としてあることを特徴とする。

この構成により、螺子状の凹形状または凸形状に整合する螺子状の凸形状または凹形状を有する付加放熱体を容易に螺合することが可能となる。

本発明に係る半導体装置では、前記取り付け部は、蟻溝であることを特徴とする。

この構成により、蟻溝に整合して形成された蟻状の凸形状を有する付加放熱体を容易に嵌合することが可能となる。

本発明に係る半導体装置では、前記取り付け部は、逆Ｔ字形の溝であることを特徴とする。

この構成により、逆Ｔ字形の溝に整合して形成された逆Ｔ字形の凸形状を有する付加放熱体を容易に嵌合することが可能となる。

本発明に係る半導体装置では、前記半導体素子は、発光素子および受光素子であることを特徴とする。

この構成により、放熱性に優れた光結合型半導体装置とすることができる。

本発明に係る半導体装置では、前記１次樹脂封止部は透光性樹脂で形成してあり、前記２次樹脂封止部は遮光性樹脂で形成してあることを特徴とする。

この構成により、放熱性に優れた光結合型半導体装置とすることができる。

本発明に係る電子機器では、半導体装置を搭載した電子機器において、前記半導体装置は、本発明に係る半導体装置であることを特徴とする。

この構成により、放熱性に優れた半導体装置（光結合型半導体装置）を搭載する電子機器とすることができることから、放熱性に優れた信頼性の高い電子機器を実現でき、電流容量を維持して製品の小型化を図ることが可能となる。

本発明に係る半導体装置の製造方法では、リードフレームに搭載された半導体素子を樹脂封止して１次樹脂封止部を形成する１次樹脂封止工程と、前記１次樹脂封止部の外周を樹脂封止して２次樹脂封止部を形成する２次樹脂封止工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記１次樹脂封止工程の後、前記１次樹脂封止部に放熱体を密接させ、前記２次樹脂封止工程で前記１次樹脂封止部と前記放熱体とを一体に樹脂封止することを特徴とする。

この構成により、半導体素子の位置精度を維持して絶縁性を確保した状態で、半導体装置の放熱性を向上することができる。つまり、放熱体による半導体素子の位置決めへの影響を防止し、また、１次樹脂封止部から放熱体への熱伝導性を確保できることから、半導体装置の放熱性を確実に向上することができる。

本発明に係る二重モールド構造の半導体装置およびその製造方法によれば、１次樹脂封止部に密接し、２次樹脂封止部に埋設された放熱体を備える構成とすることから、１次樹脂封止部により入出力間（１次・２次間）の空間距離、沿面距離を確保すること、および半導体素子が搭載されるリードフレーム（発光側リードフレームおよび受光側リードフレーム）と放熱体の間の絶縁性を１次樹脂封止部により確保することができるので、半導体素子の位置精度および絶縁性を確保した状態で、優れた放熱性を有することが可能となる。

つまり、国内の電安法や海外の安全規格などの公的機関で規定されている空間距離や沿面距離などの基準を満足することができ、かつ、１次・２次間のショートなどの危険性を回避できるので、安全性に問題が無く、電流容量を大きくすることが可能な半導体装置（光結合型半導体装置）とすることができる。

したがって、同一電流容量の場合には半導体装置（光結合型半導体装置）を小型化することができ、また、１次樹脂封止部を同一形状とした場合には電流容量を大きくすることが可能になるという効果を奏する。

本発明に係る二重モールド構造の半導体装置によれば、外部に付加放熱体を設けることができることから、放熱性をさらに大きく調整することが可能となり、放熱性に問題が生じることのない半導体装置（光結合型半導体装置）とすることができるという効果を奏する。

本発明に係る電子機器によれば、本発明に係る半導体装置（光結合型半導体装置）を搭載する構成とすることから、放熱性に優れた半導体装置を搭載した電子機器となるので、放熱性に優れた信頼性の高い電子機器を実現することができるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。また、図２は、図１で示した本発明の実施の形態１に係る二重モールド構造の半導体装置の概略製造工程を説明するフローチャートである。

本実施の形態に係る二重モールド構造の半導体装置は、具体的には例えば光結合型半導体装置として構成されている。つまり、図１には、半導体装置としての光結合半導体装置１を示している。また、図２には図１の半導体装置としての光結合半導体装置１を製造する工程のフローチャートを示している。

光結合型半導体装置１は、次に示すように、ダイボンド工程、ワイヤボンド工程、樹脂封止工程などの処理を施されて形成される。

まず、発光素子２および受光素子３をそれぞれ個別のリードフレーム（発光側リードフレーム４、受光側リードフレーム５）にダイボンド（ダイボンド工程）し、それぞれに金線などのワイヤ（発光側ワイヤ６、受光側ワイヤ７）でワイヤボンド（ワイヤボンド工程）を施した後に、発光素子２にプリコート樹脂としてのシリコーン樹脂８でプリコートを施す（プリコート工程）。

その後、発光側リードフレーム４および受光側リードフレーム５をスポット溶接（溶接工程）、またはローディングフレーム（不図示）にセットすることなどにより、発光素子２および受光素子３を光学的に位置決めして対向配置させる。

光学的に位置決めされた発光素子２および受光素子３を内包するように透光性樹脂による１次モールドを行って１次樹脂封止部９を形成する（１次樹脂封止工程）。発光素子２および受光素子３の位置関係は、発光側リードフレーム４および受光側リードフレーム５によって画定され１次樹脂封止部９により固定されることから、発光素子２および受光素子３は高精度で位置決めがなされる。

１次モールドで形成された樹脂バリに対してバリ取りを施した後、１次樹脂封止部９に放熱体１１を密接させて搭載した（放熱体搭載工程）状態のもとで、１次樹脂封止部９の外周に遮光性樹脂による２次モールドを行って２次樹脂封止部１０を形成し、併せて２次樹脂封止部１０に放熱体１１を埋設させる（２次樹脂封止工程）。なお、放熱体搭載工程での放熱体１１と１次樹脂封止部９とは、適宜の接着剤を用いて接着しても良いし、また、単に機械的に押圧した状態とすることも可能である。

本実施の形態では、放熱体１１は、２次樹脂封止部１０により被覆され、２次樹脂封止部１０によって完全に表面を覆われている状態としてある。したがって、光結合型半導体装置１は、外形を２次樹脂封止部１０により画定されることから、放熱体１１が外部に与える影響を防止することができる。

２次樹脂封止工程の後、発光側リードフレーム４および受光側リードフレーム５の外部端子部にめっき処理（外装めっき工程）、タイバーカットおよびリード折り曲げ（フォーミング工程）などを施し、電気特性検査（テスト工程）、外観検査（外観検査工程）を実施した後、梱包（梱包工程）を行い出荷することとなる。

本実施の形態の光結合型半導体装置１によれば、発光側リードフレーム４および受光側リードフレーム５は１次樹脂封止部９により確実に樹脂封止されるので相互間の絶縁性を確保することができる。

また、発光側リードフレーム４および受光側リードフレーム５は１次樹脂封止部９により周囲（外部）から絶縁されることから、発光側リードフレーム４および受光側リードフレーム５と放熱体１１との間は充填された１次樹脂封止部９によって確実に絶縁されることとなり、放熱体１１が発光素子２および受光素子３（発光側リードフレーム４および受光側リードフレーム５）に対してショートなどの電気的な問題を及ぼすことは全くない。

つまり、国内の電安法や海外の安全規格などの公的機関で規定されている空間距離や沿面距離などの基準を満足することができ、さらに、１次・２次間のショートなどの危険性も回避できるので安全性の問題が生じることがない。

また、放熱体１１を１次樹脂封止部９に密接させていることから、光結合型半導体装置１の放熱性が大きく向上するので、通電時の発熱が緩和され、パッケージの小型化や、同一パッケージとした場合の電流容量を大きくすることが可能となる。

なお、本実施の形態に係る構成は、光結合型半導体装置１以外の一般的な二重モールド型の半導体装置に適用することも可能である。

＜実施の形態２＞
図３は、本発明の実施の形態２に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。なお、製造工程は実施の形態１と同様であるので説明は省略する。

本実施の形態に係る二重モールド構造の半導体装置の基本構成は、実施の形態１に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態１と同様に光結合型半導体装置１として構成されている。以下主に実施の形態１と異なる点について説明する。

本実施の形態に係る光結合型半導体装置１の放熱体１１は、実施の形態１と同様に１次樹脂封止部９に密接して搭載される（放熱体搭載工程）。なお、放熱体１１と１次樹脂封止部９とは、適宜の接着剤を用いて接着しても良いし、また、単に機械的に押圧した状態とすることも可能である。

放熱体１１を１次樹脂封止部９に密接して搭載した状態のもとで、１次樹脂封止部９の外周に遮光性樹脂による２次モールドを行って２次樹脂封止部１０を形成し、併せて２次樹脂封止部１０に放熱体１１を埋設させる（２次樹脂封止工程）。

本実施の形態では、放熱体１１は、２次樹脂封止部１０の表面から露出するように埋設され、２次樹脂封止部１０の表面に対して一部を露出した形態としてある。露出させた部分を適宜の形状としてさらに放熱性を向上することが可能である。例えば、放熱体１１の露出した部分の形状を円柱状、フィン状などの突起状として放熱性が向上するものとすることも可能である。

つまり、放熱体１１を１次樹脂封止部９に密接させて、２次樹脂封止部１０から露出させることから、光結合型半導体装置１の放熱性が更に向上するので、通電時の発熱が緩和され、パッケージの小型化や、同一パッケージとした場合の電流容量を大きくすることが可能となる。

＜実施の形態３＞
図４は、本発明の実施の形態３に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。なお、製造工程は実施の形態１と同様であるので説明は省略する。

本実施の形態に係る二重モールド構造の半導体装置の基本構成は、実施の形態１、実施の形態２に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態１、実施の形態２と同様に光結合型半導体装置１として構成されている。以下主に実施の形態１、実施の形態２と異なる点について説明する。

本実施の形態に係る光結合型半導体装置１の放熱体１１は、実施の形態１、実施の形態２と同様に１次樹脂封止部９に密接して搭載される（放熱体搭載工程）。なお、放熱体１１と１次樹脂封止部９とは、適宜の接着剤を用いて接着しても良いし、また、単に機械的に押圧した状態とすることも可能である。

放熱体１１を１次樹脂封止部９に密接して搭載した状態のもとで、１次樹脂封止部９の外周に遮光性樹脂による２次モールドを行って２次樹脂封止部１０を形成し、併せて２次樹脂封止部１０に放熱体１１を埋設させる（２次樹脂封止工程）。

本実施の形態では、放熱体１１は、実施の形態２と同様に、２次樹脂封止部１０の表面から露出するように埋設され、２次樹脂封止部１０の表面に対して一部を露出した形態としてある。また、放熱体１１は、付加放熱体１２を取り付けるための取り付け部１１ｂをさらに備え、取り付け部１１ｂに付加放熱体１２を取り付けてある。

取り付け部１１ｂを備えることにより、放熱性の仕様に応じて付加放熱体１２の着脱を容易に実行することが可能となる。つまり、付加放熱体１２を取り付けた状態で出荷しても良いし、また、出荷後にユーザーが必要に応じて取り付けるようにすることも可能である。なお、付加放熱体１２を取り付けた状態で出荷する場合には、付加放熱体１２の取り付けは梱包工程前の適宜の工程（例えばテスト工程前またはテスト工程終了後）で行えば良い。

本実施の形態では、取り付け部１１ｂの形状を凹形状としてある。取り付け部１１ｂの凹形状は、例えば穴、または溝などとすることができる。したがって、凹形状に整合して形成された凸形状を有する付加放熱体１２を容易かつ強固に取り付けることが可能となる。つまり、取り付け部１１ｂを凹形状とすることにより、凸形状を有する付加放熱体１２を容易に凹形状に嵌合することができる。

また、本実施の形態では、取り付け部１１ｂの形状を凹形状としてあるが、凸形状とすることも可能である（不図示）。取り付け部１１ｂの凸形状は、例えば突起、円柱状、またはレール状などとすることができる。したがって、凸形状に整合して形成された凹形状を有する付加放熱体１２を容易かつ強固に取り付けることが可能となる。つまり、取り付け部１１ｂを凸形状とすることにより、凹形状を有する付加放熱体１２を容易に凸形状に嵌合することができる。また、取り付け部１１ｂの凸形状自体を放熱手段として用いることも可能となる。

また、取り付け部１１ｂの形状（凹形状または凸形状）にさらに加工を施して螺子を設けた螺子状とすることができる。螺子状とすることにより、付加放熱体１２の着脱をさらに容易に行えるようになる。つまり、付加放熱体１２を取り付け部１１ｂの螺子状に整合した螺子状（凸形状または凹形状）とすることにより、付加放熱体１２および取り付け部１１ｂ相互の螺合を容易に行うことが可能となる。

付加放熱体１２を設けることにより、光結合型半導体装置１の放熱性をさらに向上することができるので、通電時の発熱が緩和され、パッケージの小型化や、同一パッケージとした場合の電流容量を大きくすることが可能となる。

また、追加放熱体１２の大きさ、形状などを適宜変更することができることから、放熱性を調整することが可能となり最適な放熱特性を実現することが可能となる。

＜実施の形態４＞
図５は、本発明の実施の形態４に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。なお、製造工程は実施の形態１と同様であるので説明は省略する。

本実施の形態に係る二重モールド構造の半導体装置の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態３に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態１ないし実施の形態３と同様に光結合型半導体装置１として構成されている。以下主に実施の形態１ないし実施の形態３と異なる点について説明する。

本実施の形態では、放熱体１１は、実施の形態２、実施の形態３と同様に、２次樹脂封止部１０の表面から露出するように埋設され、２次樹脂封止部１０の表面に対して一部を露出した形態としてある。また、放熱体１１は、取り付け部１１ｂに付加放熱体１２を取り付けてある。取り付け部１１ｂを備えることにより、放熱性の仕様に応じて付加放熱体１２の着脱を容易に実行することが可能となる。

本実施の形態では、取り付け部１１ｂの形状を側面にテーパを有する蟻溝で構成した凹形状としてある。したがって、蟻溝に整合して形成された蟻状の凸形状を有する付加放熱体１２を容易かつ強固に取り付けることが可能となる。

なお、凹凸の関係を逆にして、取り付け部１１ｂの形状を蟻状の凸形状とし、付加放熱体１２を蟻溝の凹形状とすることも可能である。この場合には、取り付け部１１ｂの凸形状による放熱作用を活用して付加放熱体１２を省略することも可能である。

付加放熱体１２を設けることにより、光結合型半導体装置１の放熱性をさらに向上することができるので、通電時の発熱が緩和され、パッケージの小型化や、同一パッケージとした場合の電流容量を大きくすることが可能となる。

＜実施の形態５＞
図６は、本発明の実施の形態５に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。なお、製造工程は実施の形態１と同様であるので説明は省略する。

本実施の形態に係る二重モールド構造の半導体装置の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態４に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態１ないし実施の形態４と同様に光結合型半導体装置１として構成されている。以下主に実施の形態１ないし実施の形態４と異なる点について説明する。

本実施の形態では、放熱体１１は、実施の形態２ないし実施の形態４と同様に、２次樹脂封止部１０の表面から露出するように埋設され、２次樹脂封止部１０の表面に対して一部を露出した形態としてある。また、放熱体１１は、取り付け部１１ｂに付加放熱体１２を取り付けてある。取り付け部１１ｂを備えることにより、放熱性の仕様に応じて付加放熱体１２の着脱を容易に実行することが可能となる。

本実施の形態では、取り付け部１１ｂの形状を逆Ｔ字型の溝で構成した凹形状としてある。したがって、逆Ｔ字型の溝に整合して形成された逆Ｔ字型の凸形状を有する付加放熱体１２を容易かつ強固に取り付けることが可能となる。

なお、凹凸の関係を逆にして、取り付け部１１ｂの形状をＴ字型の凸形状とし、付加放熱体１２をＴ字型の凹形状とすることも可能である。この場合には、取り付け部１１ｂの凸形状による放熱作用を活用して付加放熱体１２を省略することも可能である。

付加放熱体１２を設けることにより、光結合型半導体装置１の放熱性をさらに向上することができるので、通電時の発熱が緩和され、パッケージの小型化や、同一パッケージとした場合の電流容量を大きくすることが可能となる。

＜実施の形態６＞
本実施の形態に係る電子機器（不図示）は、実施の形態１ないし実施の形態５のいずれか一つに記載した半導体装置を搭載した電子機器である。放熱性に優れた半導体装置（光結合型半導体装置１）を搭載する電子機器とすることから、放熱性に優れた信頼性の高い電子機器とすることができる。

特に電源、ＯＡ機器、家電製品、ＦＡ機器などの電子機器で電流容量の増加が必要とされる場合や、電流容量を維持しながら製品の小型化を図る必要がある電子機器に用いることにより大きな効果を奏する。

なお、本発明は、上述した実施の形態１ないし実施の形態６に示した構成に限定されるものではなく、本発明の範囲内で変更を施すことが可能である。また、上述したとおり半導体装置は光結合型半導体装置１に限定されるものではない。

本発明の実施の形態１に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。 図１で示した本発明の実施の形態１に係る二重モールド構造の半導体装置の概略製造工程を説明するフローチャートである。 本発明の実施の形態２に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。 本発明の実施の形態３に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。 本発明の実施の形態４に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。 本発明の実施の形態５に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。 従来例に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。 図７で示した従来例に係る二重モールド構造の半導体装置の概略製造工程を説明するフローチャートである。

符号の説明

１ 光結合型半導体装置（半導体装置）
２ 発光素子
３ 受光素子
４ 発光側リードフレーム
５ 受光側リードフレーム
６ 発光側ワイヤ
７ 受光側ワイヤ
８ シリコーン樹脂
９ １次樹脂封止部
１０ ２次樹脂封止部
１１ 放熱体
１１ｂ 取り付け部
１２ 追加放熱体

Claims (14)

1. 半導体素子を樹脂封止した１次樹脂封止部と、該１次樹脂封止部の外周を樹脂封止する２次樹脂封止部とを備える半導体装置において、
   前記１次樹脂封止部に密接し、前記２次樹脂封止部に埋設された放熱体を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 前記放熱体は、前記２次樹脂封止部により被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記放熱体は、前記２次樹脂封止部から露出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記放熱体は、付加放熱体を取り付けるための取り付け部を備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記取り付け部に前記付加放熱体を取り付けたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記取り付け部は、凹形状であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記取り付け部は、凸形状であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置。
8. 前記取り付け部は、螺子状としてあることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記取り付け部は、蟻溝であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
10. 前記取り付け部は、逆Ｔ字形の溝であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
11. 前記半導体素子は、発光素子および受光素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記１次樹脂封止部は透光性樹脂で形成してあり、前記２次樹脂封止部は遮光性樹脂で形成してあることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. 半導体装置を搭載した電子機器において、前記半導体装置は、請求項１ないし請求項１２のいずれか一つに記載の半導体装置であることを特徴とする電子機器。
14. リードフレームに搭載された半導体素子を樹脂封止して１次樹脂封止部を形成する１次樹脂封止工程と、前記１次樹脂封止部の外周を樹脂封止して２次樹脂封止部を形成する２次樹脂封止工程とを備える半導体装置の製造方法において、
    前記１次樹脂封止工程の後、前記１次樹脂封止部に放熱体を密接させ、前記２次樹脂封止工程で前記１次樹脂封止部と前記放熱体とを一体に樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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