JP2003124500A - 光結合素子 - Google Patents
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Abstract
冷却、温度検出およびエネルギーの有効利用が可能であ
り、かつ、今まで行っていた熱設計の簡略化や、温度検
出による安全性の向上および省エネルギー化を図る。 【解決手段】 入力側リードフレーム3b上に設置され
た発光素子4と、出力側リードフレーム3a上に配置さ
れた受光素子5と、出力側リードフレームの3a表面に
設置されており、かつ、この出力側リードフレーム3a
を介して受光素子5に接続されている負荷駆動用半導体
素子2と、これら発光素子4、受光素子5および負荷駆
動用半導体素子2を保護するパッケージとしての封止用
樹脂部6とからなる光結合素子であって、同一パッケー
ジ内に熱電変換素子1が組み込まれている。
Description
子とが光学的に結合され一体化されてなる光結合素子に
関するものである。特に、同一パッケージ内に負荷駆動
用の半導体素子を含むソリッドステートリレーのような
光結合素子に関するものである。
ジ内に樹脂によって封止された発光素子と受光素子と負
荷駆動用半導体素子とが含まれている、例えばソリッド
ステートリレー等といったものがある。このソリッドス
テートリレーには、例えば負荷駆動用半導体素子として
トライアックを用いたもの(以下、「トライアック出力
のソリッドステートリレー」ともいう)がある。
リレーは、図10に示すように、電気信号を光に変換す
る発光素子(主に、ガリウムヒ素LED(light−
emitting diode)やガリウムアルミニウ
ムヒ素LED)101と、光を電気信号に変換する受光
素子(ここでは、フォトトライアック)102と、この
受光素子102に接続された負荷駆動用トライアック1
03とを組み合わせた構造となっているが、自らの動作
に要する消費電力により発熱し、温度上昇により素子性
能が低下するといった欠点を有している。
は、発光素子および受光素子にも熱的ストレスを与える
ことになり、各素子の経年変化に影響を与えている。
工夫が必要になる。この熱設計の工夫の一例として、負
荷駆動用半導体素子より発生する熱量を短時間に多く発
散させるために、パッケージサイズを大きくする等の素
子構造の工夫、またはヒートシンクや空冷ファン等の付
加等がある。
光結合素子において実施されていた熱設計の工夫は、既
に限界に近いところまで達しており、このような光結合
素子を用いて形成された装置全体の小型化に関して大き
な妨げになっている。
回路において故障が発生し、急激に素子定格以上の電流
が流れると熱設計以上に発熱し、光結合装置が破壊され
てしまうといった可能性もある。そして、安全性をます
ます高めるためには、発熱等といった異常時には光結合
素子をオフ状態にさせる機能が光結合素子に付加されて
いることが好ましい。
結合素子内で余分に消費されていることになるため、結
果として、光結合素子を駆動するよりも大きなエネルギ
ーを要してしまうことになる。従って、あらゆる分野で
省エネルギー化が進められている現状を考慮した場合に
おいても、発熱により無駄に消費されてしまうエネルギ
ーを有効利用する必要がある。
されたものであり、光結合素子パッケージ内においての
強制的な冷却、温度検出およびエネルギーの有効利用が
可能であり、かつ、今まで行っていた熱設計の簡略化
や、温度検出による安全性の向上および省エネルギー化
を図ることを可能にする光結合素子を提供することを目
的としている。
入力側リードフレーム上に設置された発光素子と、出力
側リードフレーム上に配置された受光素子と、出力側リ
ードフレームの表面に設置されており、かつ、この出力
側リードフレームを介して受光素子に接続されている負
荷駆動用半導体素子と、これら発光素子、受光素子およ
び負荷駆動用半導体素子を保護するパッケージとしての
封止用樹脂部とからなる光結合素子であって、同一パッ
ケージ内に熱電変換素子が組み込まれているといったも
のである。
換素子を設置した場合よりもパッケージ内の温度制御に
よる熱設計の簡略化および温度検出による安全性の向上
が可能となり、さらに発電による省エネルギー化を熱源
部分で直接的に実施することができるようになるため、
より大きな効果が得られるようになる。
フレームのうち、負荷駆動用半導体素子が設置されてい
る位置の裏面に設置されているものであってもよい。
負荷駆動用半導体素子のうち最も大量の電流が流れ温度
が高くなる負荷駆動用半導体素子の裏面に出力側リード
フレームを介して熱電変換素子を設置することができ、
熱電変換素子での発電をより効率良く行なうことができ
る。
フレームとは電気的に絶縁されたリードフレーム上に配
置されているものであってもよい。
負荷駆動用半導体素子のうち最も大量の電流が流れ温度
が高くなる負荷駆動用半導体素子に対向する位置に熱電
変換素子を設置しているので、熱電変換素子での発電を
より効率良く行なうことができる。
手段が設けられているものであってもよい。
圧を印加することができるので、その結果、熱電変換素
子の一方の面が冷却されもう一方の面からは放熱が起こ
り、放熱する面をパッケージの外側方向に配置すること
により熱放散を強制的に行なうことができる。
を熱電変換素子において電圧に変換することにより得ら
れた電流を、入力電流として発光素子の入力部に導く手
段が設けられているものであってもよい。
の電位が光結合素子への印加電圧よりも大きくなったと
きに、前記手段により、熱電変換素子から出力された電
流を熱電変換素子から発光素子へ供給することができる
ので、省エネルギー化が可能となる。
るかまたは熱電変換素子に電圧を印加するかを選択して
切り替える手段が設けられているものであってもよい。
の発電・冷却双方の機能を切り替えることができる。
を熱電変換素子において電圧に変換することにより得ら
れた起電力に基づきパッケージ内の温度を検出し、異常
加熱時に入力電流または出力電流を遮断する手段を備え
ているものであってもよい。
して、異常加熱時には入力電流を遮断することにより、
高温時の異常動作を防ぐことができる。
ドフレームに接していない少なくとも1つの面が封止用
樹脂部で覆われずに露出されている、または封止用樹脂
部のうちこの面を覆う部分が薄く形成されているもので
あってよい。
他方の面との間の温度差を大きくすることができる。
施の形態について説明する。
トリレーであり、同一パッケージ内に熱電変換素子が組
み込まれていることを特徴とするものである。
類の金属または半導体が組み合わされたものであり、一
方の面に温度の高いものを接触させ、かつ、他方の面に
温度の低いものを接触させることにより起電力が生じる
ゼーベック効果を有するとともに、外部電圧を印加する
ことにより、一方の面で吸熱が起こり、かつ、他方の面
で放熱が起こるペルチェ効果を有しているものを指す。
むことにより、パッケージ外に熱電変換素子を設置した
場合よりもパッケージ内の温度制御による熱設計の簡略
化および温度検出による安全性の向上が可能となる。さ
らに、発電による省エネルギー化を熱源部分で直接的に
実施することができるようになるため、より大きな効果
が得られる。特に、熱電変換素子の一方の面を最も温度
の高くなる負荷駆動用半導体素子の近傍に設置し、か
つ、熱電変換素子の他方の面を光結合素子の周囲温度に
より近い箇所に設置することにより、一方の面と他方の
面との間でより大きな温度差が生じるため、ゼーベック
効果およびペルチェ効果をより効果的に利用することが
できる。
する際にも部品点数を削減することができる。
実施例1について図面を参照しつつ説明する。
示す説明図である。
導体素子(例えばトライアック)2が設置されている出
力側リードフレーム3aの裏面(図1においては下面)
に熱電変換素子1が設置されていることを特徴とするも
のである。
ム3bの表面(図1においては下面)に設置された発光
素子4と、出力側リードフレーム3aの表面(図1にお
いては上面)のうち、発光素子4に対向する位置に設置
された受光素子5と、出力側リードフレーム3aの表面
に設置されており、この出力側リードフレーム3aを介
して受光素子5に接続されている負荷駆動用半導体素子
2と、出力側リードフレーム3aのうち、負荷駆動用半
導体素子2が設置されている位置の裏面に設置された熱
電変換素子1と、発光素子4、受光素子5、負荷駆動用
半導体素子2および熱電変換素子1を覆い保護する封止
用樹脂部6とから構成されている。
子4、受光素子5および負荷駆動用半導体素子2のうち
最も大量の電流が流れ温度が高くなる負荷駆動用半導体
素子2の裏面に、出力側リードフレーム3aを介して熱
電変換素子1を設置することができ、熱電変換素子1で
の発電をより効率良く行なうことができる。
換素子1との間で電流が流れる場合には、出力側リード
フレーム3a表面に熱電変換素子1を設置する際に、絶
縁ペースト13を用いればよい。
実施例2について図面を参照しつつ説明する。
示す説明図である。
とほぼ同様の構成を有しているが、熱電変換素子1が、
負荷駆動用半導体素子2が設置されている出力側リード
フレーム3aとは電気的に絶縁された熱電変換素子用リ
ードフレーム3c上に設置されている点が異なってい
る。この熱電変換素子1は、熱電変換素子用リードフレ
ーム3cの上面のうち、負荷駆動用半導体素子2に対向
する位置に設置されている。
び負荷駆動用半導体素子2のうち最も大量の電流が流れ
温度が高くなる負荷駆動用半導体素子2に対向する位置
に熱電変換素子1を設置しているので、熱電変換素子1
での発電をより効率良く行なうことができる。
ーム3aとは別のリードフレーム上に設置することによ
り、熱電変換素子1と負荷駆動用半導体素子2との間の
電気的絶縁を容易に得ることができる。
実施例3について図面を参照しつつ説明する。
示す説明図である。
2の光結合素子において、熱電変換素子1に電圧を印加
する手段(即ち、熱電変換素子1の入力部に接続された
入力端子7aおよび出力部に接続された出力端子7b)
を設けることにより、ペルチェ効果を用いてパッケージ
内の温度を強制的に冷却することを特徴とするものであ
る。
素子のパッケージ内に、入力端子7aと出力端子7bと
に接続された熱電変換素子1を設けることにより、熱電
変換素子1に強制的に電圧を印加することができる。こ
の電圧の印加により熱電変換素子1の一方の面が冷却さ
れ、もう一方の面からは放熱が起こるが、放熱する面を
パッケージの外側方向に配置することにより熱放散を強
制的に行なうことができる。
実施例4について図面を参照しつつ説明する。
示す説明図である。
2の光結合素子において、負荷駆動用半導体素子2から
の熱をゼーベック効果を用いて熱電変換素子1で電圧に
変換し、発光素子4への入力電流として用いる手段(第
1整流用ダイオード8aおよび第2整流用ダイオード8
b)を備えていることを特徴とする。
ように、発光素子4の入力部に第1整流用ダイオード8
aが接続されており、この第1整流用ダイオード8aと
発光素子4の入力部とを接続する配線部分に第2整流用
ダイオード8bを介して熱電変換素子1の出力部が接続
されている。
子を、ソリッドステートリレー10として用いて、外部
回路である入力電流駆動回路20に接続した場合につい
て、図面を参照しつつ説明する。
に結合させた状態の一例を示す回路図である。
CMOS IC(Complementary Met
al−Oxide Semiconductor、N−
channel Metal−Oxide Semic
onductor(NMOS)とP−channel
Metal−Oxide Semiconductor
(PMOS)とを組み合わせた半導体集積回路)21
と、ベースが第1抵抗22を介してCOMS IC21
に接続されており、エミッタが接地されている入力ドラ
イバー用トランジスタ23と、一端部が入力ドライバー
用トランジスタ23のベースに接続されており、他端部
が接地されている第2抵抗24とから構成されている。
トリレー10は制限抵抗31を介して入力電流駆動回路
20に接続されており、制限抵抗31の一端部は入力ド
ライバー用トランジスタ23のコレクタに接続されてお
り、他端部は発光素子4の出力部に接続されている。
部には電圧+Vccが印加されており、熱電変換素子1
の出力部は接地されている。
入力電流駆動回路20とを結合させた状態において、ま
ず、発光素子4を駆動させるために電圧+Vccを印加
してソリッドステートリレー10を駆動させると、負荷
駆動用半導体素子2(ここではトライアックを用いてい
る)に電流が流れるにつれパッケージ内の温度が上昇
し、熱電変換素子1においてゼーベック効果による発電
が行なわれる。そして、熱電変換素子1における発電の
電位が電圧+Vccよりも大きくなったときに、第1整
流用ダイオード8aおよび第2整流用ダイオード8bに
より電流方向を制限することで、電流が熱電変換素子1
から発光素子4へ供給される。これにより、省エネルギ
ー化が可能となる。
実施例5について図面を参照しつつ説明する。
示す説明図である。
2の光結合素子において、熱電変換素子1から電圧を抽
出するか、または熱電変換素子1に電圧を印加するかを
選択して切り替える手段(スイッチング素子9)を設け
たことを特徴とするものである。
ように、熱電変換素子1と第2整流用ダイオード8bと
の間にスイッチング素子9が直列に接続されており、熱
電変換素子1とスイッチング素子9とを接続する配線部
分に第3整流用ダイオード8cの一端部(カソード)が
接続されている。
ンのスイッチング素子であり、通常駆動時には、負荷駆
動用半導体素子2で発生した熱から熱電変換素子1にお
いてゼーベック効果による発電が行なわれ、発光素子4
に電流が供給される。そして、パッケージ内の温度が異
常に上昇した時には、スイッチング素子9がオフ状態に
なり、熱電変換素子1に電圧が印加され、ペルチェ効果
によるパッケージ内の強制冷却が行なわれる。
応じて熱電変換素子1の発電・冷却双方の機能を切り替
えることができる。
実施例6について図面を参照しつつ説明する。
実施例6を示す説明図である。
2の光結合素子において、負荷駆動用半導体素子2から
の熱を熱電変換素子1で電圧に変換することにより得ら
れた起電力を測定することにより、パッケージ内の温度
を検出し、異常加熱時には入力電流または出力電流を遮
断する手段(電流遮断機能付電位差検出回路11)を備
えていることを特徴とするものである。
ように、熱電変換素子1の入力部と出力部とがそれぞれ
電流遮断機能付電位差検出回路11の一入力部と一出力
部とに接続されており、電流遮断機能付電位差検出回路
11の他入力部が光結合素子の入力端子に接続されてお
り、電流遮断機能付電位差検出回路11の他出力部が発
光素子4の入力部に接続されている。
ージ内の温度を電流遮断機能付電位差検出回路11にて
検出し、異常加熱時には入力電流を遮断することが可能
になる。従って、高温時の異常動作を防ぐことができ
る。
が並列に接続された電流遮断機能付電位差検出回路11
を、負荷駆動用半導体素子2と光結合素子の出力端子1
2との間に直列に接続して、異常加熱時には出力電流を
遮断することにより、高温時の異常動作を防ぐような構
成にしてもよい。
実施例7について図面を参照しつつ説明する。
示す説明図である。
4の光結合素子において、熱電変換素子1と光結合素子
の他の構成要素との間に温度差をもたせることを目的と
して、熱電変換素子用リードフレーム3c上に設置され
た熱電変換素子1の、熱電変換素子用リードフレーム3
cに接していない面Sを、封止用樹脂部6で覆わずに露
出しておくこと特徴とするものである。
換素子1の一方の面Sを直接周囲温度に接触させること
ができ、熱電変換素子1の一方の面Sと熱電変換素子用
リードフレーム3cに接している面との温度平衡状態を
防ぐことができる。そのため、実施例3に示す光結合素
子では冷却効果を高めることができ、実施例4に示す光
結合素子では発電効率を高めることができる。
する代わりに、封止用樹脂部6のうちのこの面S上を覆
う部分を非常に薄くしてもよい。この場合も、熱電変換
素子1の一方の面Sを露出した場合と同様の効果が得ら
れる。
レーム上に設置された発光素子と、出力側リードフレー
ム上に配置された受光素子と、出力側リードフレームの
表面に設置されており、かつ、この出力側リードフレー
ムを介して受光素子に接続されている負荷駆動用半導体
素子と、これら発光素子、受光素子および負荷駆動用半
導体素子を保護するパッケージとしての封止用樹脂部と
からなる光結合素子であって、同一パッケージ内に熱電
変換素子が組み込まれているといったものであり、この
発明によれば、光結合素子パッケージ内においての強制
的な冷却、温度検出およびエネルギーの有効利用が可能
であり、かつ、今まで行っていた熱設計の簡略化や、温
度検出による安全性の向上および省エネルギー化を図る
ことができる。
フレームのうち、負荷駆動用半導体素子が設置されてい
る位置の裏面に設置されているものであってもよく、こ
の場合には、熱電変換素子での発電をより効率良く行な
うことができる。
フレームとは電気的に絶縁されたリードフレーム上に配
置されているものであってもよく、この場合には、熱電
変換素子での発電をより効率良く行なうことができる。
手段が設けられているものであってもよく、この場合に
は、熱電変換素子の一方の面が冷却されもう一方の面か
らは放熱が起こり、放熱する面をパッケージの外側方向
に配置することにより熱放散を強制的に行なうことがで
きる。
を熱電変換素子において電圧に変換することにより得ら
れた電流を、入力電流として発光素子の入力部に導く手
段が設けられているものであってもよく、この場合に
は、省エネルギー化が可能となる。
るかまたは熱電変換素子に電圧を印加するかを選択して
切り替える手段が設けられているものであってもよく、
この場合には、必要に応じて熱電変換素子の発電・冷却
双方の機能を切り替えることができる。
を熱電変換素子において電圧に変換することにより得ら
れた起電力に基づきパッケージ内の温度を検出し、異常
加熱時に入力電流または出力電流を遮断する手段を備え
ているものであってもよく、この場合には、高温時の異
常動作を防ぐことができる。
ドフレームに接していない少なくとも1つの面が封止用
樹脂部で覆われずに露出されている、または封止用樹脂
部のうちこの面を覆う部分が薄く形成されているもので
あってよく、この場合には、ゼーベック効果およびペル
チェ効果をより効果的に利用することができる。
ある。
ある。
ある。
ある。
状態の一例を示す回路図である。
ある。
明図である。
説明図である。
ある。
説明図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 入力側リードフレーム上に設置された発
光素子と、出力側リードフレーム上に配置された受光素
子と、出力側リードフレームの表面に設置されており、
かつ、この出力側リードフレームを介して受光素子に接
続されている負荷駆動用半導体素子と、これら発光素
子、受光素子および負荷駆動用半導体素子を保護するパ
ッケージとしての封止用樹脂部とからなる光結合素子で
あって、同一パッケージ内に熱電変換素子が組み込まれ
ていることを特徴とする光結合素子。 - 【請求項2】 前記熱電変換素子が、出力側リードフレ
ームのうち、負荷駆動用半導体素子が設置されている位
置の裏面に設置されている請求項1記載の光結合素子。 - 【請求項3】 前記熱電変換素子が、出力側リードフレ
ームとは電気的に絶縁されたリードフレーム上に設置さ
れている請求項1記載の光結合素子。 - 【請求項4】 前記熱電変換素子に電圧を印加する手段
が設けられている請求項1、2または3記載の光結合素
子。 - 【請求項5】 前記負荷駆動用半導体素子からの熱を熱
電変換素子において電圧に変換することにより得られた
電流を、入力電流として発光素子の入力部に導く手段が
設けられている請求項1、2または3記載の光結合素
子。 - 【請求項6】 前記熱電変換素子から電圧を抽出するか
または熱電変換素子に電圧を印加するかを選択して切り
替える手段が設けられている請求項1、2または3記載
の光結合素子。 - 【請求項7】 前記負荷駆動用半導体素子からの熱を熱
電変換素子において電圧に変換することにより得られた
起電力に基づきパッケージ内の温度を検出し、異常加熱
時に入力電流または出力電流を遮断する手段を備えてい
る請求項1、2または3記載の光結合素子。 - 【請求項8】 前記熱電変換素子表面のうち、リードフ
レームに接していない少なくとも1つの面が封止用樹脂
部で覆われずに露出されているか、または封止用樹脂部
のうちこの面を覆う部分が薄く形成されている請求項2
または3記載の光結合素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013214640A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Aisin Seiki Co Ltd | 温度制御装置 |
JP2015050218A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽光発電装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251944A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Sharp Corp | ソリッドステートリレー |
WO2006098966A2 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Combe Incorporated | Stable mixed emulsions comprising semisolid dispersions of at least two discrete and distinctly different particle size ranges |
CA2600288A1 (en) * | 2005-09-19 | 2007-04-12 | Combe Incorporated | Stable emulsion systems with high salt tolerance |
US7598511B2 (en) | 2007-11-23 | 2009-10-06 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Energy saving driving circuit and associated method for a solid state relay |
US7759753B2 (en) * | 2008-02-13 | 2010-07-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit die, integrated circuit package, and packaging method |
TWI516028B (zh) * | 2013-06-20 | 2016-01-01 | 財團法人工業技術研究院 | 高低壓隔離內埋功率模組 |
JP2015035439A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 光結合装置及び光結合装置の製造方法 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0563119A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH05262048A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Nippon Paper Ind Co Ltd | 感熱記録シート |
JPH06252297A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Sharp Corp | ソリッドステートリレー |
JPH06275863A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Sharp Corp | 電力半導体装置 |
JPH06290476A (ja) * | 1993-04-01 | 1994-10-18 | Seiko Epson Corp | 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド |
JPH07162031A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nec Corp | 光半導体装置 |
JPH07243782A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-19 | Hitachi Ltd | ヒートパイプ式放熱器 |
JPH08107167A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH08288438A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-11-01 | Hitachi Ltd | 電子機器の冷却装置 |
JPH10209350A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Yazaki Corp | 半導体装置 |
JPH11135692A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Sony Corp | 集積回路 |
JPH11150220A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Toshiba Corp | 半導体冷却装置 |
JPH11224922A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2000340846A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線データ通信モジュール、及びその製造方法 |
JP2001015657A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換装置 |
JP2001281478A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-10 | Fujitsu Ltd | 光集積回路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02143548A (ja) | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH03214653A (ja) | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5647034A (en) * | 1994-10-03 | 1997-07-08 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Operation displaying semiconductor switch |
JPH10209487A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Nec Corp | 固体リレーおよびその製造方法 |
JP3191729B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2001-07-23 | 日本電気株式会社 | 光半導体モジュールとその製造方法 |
JP2001264593A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光装置 |
US6754407B2 (en) * | 2001-06-26 | 2004-06-22 | Intel Corporation | Flip-chip package integrating optical and electrical devices and coupling to a waveguide on a board |
-
2001
- 2001-10-15 JP JP2001317090A patent/JP2003124500A/ja active Pending
-
2002
- 2002-10-15 US US10/270,329 patent/US6897487B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0563119A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH05262048A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Nippon Paper Ind Co Ltd | 感熱記録シート |
JPH06252297A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Sharp Corp | ソリッドステートリレー |
JPH06275863A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Sharp Corp | 電力半導体装置 |
JPH06290476A (ja) * | 1993-04-01 | 1994-10-18 | Seiko Epson Corp | 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド |
JPH07162031A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nec Corp | 光半導体装置 |
JPH07243782A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-19 | Hitachi Ltd | ヒートパイプ式放熱器 |
JPH08107167A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH08288438A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-11-01 | Hitachi Ltd | 電子機器の冷却装置 |
JPH10209350A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Yazaki Corp | 半導体装置 |
JPH11135692A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Sony Corp | 集積回路 |
JPH11150220A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Toshiba Corp | 半導体冷却装置 |
JPH11224922A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2000340846A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線データ通信モジュール、及びその製造方法 |
JP2001015657A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換装置 |
JP2001281478A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-10 | Fujitsu Ltd | 光集積回路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013214640A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Aisin Seiki Co Ltd | 温度制御装置 |
JP2015050218A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽光発電装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6897487B2 (en) | 2005-05-24 |
US20030072544A1 (en) | 2003-04-17 |
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