JP2004140305A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化および冷却性能の向上を図る。
【解決手段】ソースが高電位側の電源用のリード23に接続されドレインが外部負荷に対する高電位側の出力用のリード28に接続されたPチャネル型MOSFET31と、カソードがリード28に接続されアノードが外部負荷に対する低電位側の出力用のリード29に接続されたダイオード32の各チップをディプレス加工したアイランド38にマウントし、そのアイランド38の反チップマウント面をパッケージの下面に露出させる。
【選択図】 図1
【解決手段】ソースが高電位側の電源用のリード23に接続されドレインが外部負荷に対する高電位側の出力用のリード28に接続されたPチャネル型MOSFET31と、カソードがリード28に接続されアノードが外部負荷に対する低電位側の出力用のリード29に接続されたダイオード32の各チップをディプレス加工したアイランド38にマウントし、そのアイランド38の反チップマウント面をパッケージの下面に露出させる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレーム上に複数のチップをマウントして構成される半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えばMOSFETの場合、Pチャネル型MOSFETとNチャネル型MOSFETとを比較すると、Nチャネル型MOSFETの方がオン抵抗が低い特徴を有しているため、大きい電流を流す必要がある用途例えばモータ負荷を駆動するような場合には、好んでNチャネル型MOSFETが用いられる。特許文献1には、Nチャネル型MOSFETを用いたハイサイドスイッチが開示されている。
【特許文献1】
特開2000−307397号公報
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図8および図9は、モータ駆動用ICの内部のチップ配置および電気的構成を示している。これらの図において、モールドされたIC1は、電源用のリード2、3、制御信号入力用のリード4およびモータ接続用のリード5、6を備えている。そして、リードフレーム上には、リード2と5との間にドレイン・ソース間が接続されたNチャネル型MOSFET7、リード5と6との間にカソード・アノード間が接続されたファーストリカバリータイプのダイオード8、制御信号に基づいてMOSFET7のゲート駆動信号を生成する駆動用IC9、およびコンデンサ10、11、12、13がマウントされている。
【0004】
ここで、MOSFET7とダイオード8は、それぞれ基板の下面側がドレインとカソードであるため、電位の関係上MOSFET7とダイオード8は同一のアイランドにマウントすることができず、図8に示すようにMOSFET7、ダイオード8、駆動用IC9は、それぞれ分離された異なるアイランド14、15、16にマウントされている。
【0005】
MOSFET7とダイオード8は電流が流れることにより発熱するが、その発熱量はモータ定数、PWMのデューティ比などによって変化する。このため、MOSFET7、ダイオード8のそれぞれについて発生した熱がアイランド14、15からインナリード、アウタリードを通して放熱するために十分なアイランドサイズおよびリードサイズが必要となり、IC1のパッケージ17の小型化が困難であった。
【0006】
また、アイランド14、15の反チップ搭載面をパッケージ17の下面側表面に露出させ、放熱板を取り付ける場合においても、電位の異なるアイランド14、15が入り組んだ構造となっているため絶縁を図ることが難しく、必ず絶縁シートを介在させる必要があった。その結果、熱抵抗が増加し、冷却性能が低下するという不都合があった。
【0007】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、小型化および冷却性能の向上を図った半導体集積回路装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載した手段によれば、トランジスタとダイオードはいわゆるハイサイドスイッチを構成し、トランジスタのドレインとダイオードのカソードは同電位となる。一方、トランジスタのチップの基板下面側はドレインまたはコレクタとされ、ダイオードのチップの基板下面側はカソードとされるため、トランジスタとダイオードの各チップを一つのアイランドにマウントすることにより、トランジスタのドレインまたはコレクタとダイオードのカソードとの接続がなされる。
【0009】
トランジスタとダイオードのチップを同一のアイランドにマウントすると、トランジスタとダイオードを異なるアイランドにマウントした場合に比べ、トランジスタとダイオードそれぞれについて放熱に寄与する実効的なアイランドサイズおよびリードサイズが増加して放熱効率が高まる。その結果、全体としてのアイランドサイズを低減することができ、パッケージを小型化できる。
【0010】
請求項2に記載した手段によれば、発熱量の多いトランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランドにディプレス加工が施され、そのアイランドの反チップマウント面がパッケージの表面(下面側)に露出しているので、放熱効率をより高められる。
【0011】
請求項3に記載した手段によれば、異形断面条材の肉厚部にトランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランドが形成され、そのアイランドの反チップマウント面がパッケージの表面(下面側)に露出しているので、放熱効率をより高められる。
【0012】
請求項4に記載した手段によれば、リードフレームのうちトランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランド部と熱伝導率の高い板部材(放熱部材)とが潰し加工、かしめ加工等により一体化され、その板部材の反リードフレーム面がパッケージの表面に露出しているので、放熱効率をより高められる。
【0013】
請求項5に記載した手段によれば、アイランドの露出面と接するように放熱板が取り付けられているのでさらに放熱効率を高められ、車載電子機器など周囲温度の高い環境の下で使用される場合にも動作可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について図1ないし図5を参照しながら説明する。
図5は、半導体集積回路装置(IC)の電気的構成とともに当該ICの実際の使用態様を示している。IC21は、例えば車両に搭載されたモータ22を駆動するために用いられ、高電位側の電源用のリード23にはヒューズ24を介してバッテリ25の正極端子が接続され、低電位側の電源用のリード26にはバッテリ25の負極端子が接続されるようになっている。また、制御信号入力用のリード27にはECU(Electronic Control Unit) 30の制御信号出力端子が接続され、高電位側および低電位側の出力用のリード28、29にはモータ22の正側端子および負側端子が接続されるようになっている。リード26と29はIC21内部において接続されている。
【0015】
IC21は、トランジスタであるPチャネル型MOSFETのベアチップ(以下、MOSFET31と称す)、ファーストリカバリーダイオードのベアチップ(以下、ダイオード32と称す)、制御信号に基づいてMOSFET31のゲート駆動信号を出力する駆動用ICのベアチップ(以下、駆動用IC33と称す)およびチップタイプのコンデンサ34、35、36から構成されている。ダイオード32は電流還流用で、コンデンサ34、35、36はノイズを除去するためのフィルタ用である。Pチャネル型のMOSFET31を用いているため、チャージポンプ回路およびこれに用いるコンデンサは不要となっている。
【0016】
MOSFET31のソースとドレインはそれぞれリード23と28に接続されており、ダイオード32のカソードとアノードはそれぞれリード28と29に接続されている。駆動用IC33は高電位側と低電位側の電源用パッド、制御信号入力用パッド、電圧検出信号入力用パッド、駆動信号出力用パッドを備えており、これらの各パッドはそれぞれリード23と26、リード27、リード28、MOSFET31のゲートに接続されている。コンデンサ34、35、36は、それぞれリード27と26との間、MOSFET31のゲートとリード26との間、リード28と29との間に接続されている。
【0017】
図1および図2は、組立工程においてチップをマウントしワイヤボンディングを行った後のリードフレームの上面図および図1に示す矢印A方向から見た側面図である。図1および図2に示された二点鎖線は、封止工程後のパッケージの外形線である。図3および図4は、樹脂封止された後の下面(裏面)図およびIC21に放熱板を取り付けた状態での側面図である。
【0018】
これらの図において、リードフレーム37の中央部には、ディプレス加工が施されたアイランド38が形成されており、このアイランド38の上面に上記MOSFET31とダイオード32がマウントされている。MOSFET31、ダイオード32の各チップの基板下面側はそれぞれドレイン、カソードとされている。また、図1において、アイランド38の左下部の切欠部に隣接してアイランド39が形成されており、このアイランド39の上面には駆動用IC33がマウントされている。アイランド38からはリード28が延びており、アイランド39からは、リード26と29が互いに反対方向に延びている。なお、MOSFET31のソースとリード23との間およびダイオード32のアノードとリード29との間にはモータ電流が流れるため、この間のワイヤボンディングには複数本のアルミ線が用いられている。
【0019】
樹脂封止されたパッケージ40の下面(裏面)には、図3に示すように上記アイランド38の下面(反チップマウント面)が、上記パッケージ40の下面と面一となるように露出している。パッケージ40には、図4に示すように放熱板41が取り付けられるようになっている。
【0020】
次に、本実施形態の作用および効果について説明する。
ECU30からIC21に対し制御信号が与えられると、IC21内の駆動用IC33は制御信号に応じたPWM駆動信号を生成し、その駆動信号をMOSFET31のゲートに出力する。この場合、駆動信号が0VになるとMOSFET31がオンとなり、当該MOSFET31からリード28を介してモータ22に電流が流れる。そして、駆動信号が5VになるとMOSFET31がオフに転じ、モータ22に流れていた電流はダイオード32に還流する。これにより、モータ22には、実効的にPWMのデューティ比に応じた大きさの電圧が印加される。
【0021】
MOSFET31とダイオード32に電流が流れると熱損失が発生し、チップ温度が上昇する。MOSFET31の熱損失(ドレイン損失)は、IC21の出力電流(モータ電流)が増大すると大きくなり、ダイオード32の熱損失は、IC21の出力電流とPWMのデューティ比に依存して変化する。
【0022】
本実施形態では、MOSFET31とダイオード32はいわゆるハイサイドスイッチを構成しており、MOSFET31のドレインとダイオード32のカソードは同電位となる。また、MOSFET31およびダイオード32の各チップの基板下面側はそれぞれドレイン、カソードとなっているため、MOSFET31とダイオード32の各チップを一つのアイランド38にマウントすることが可能となる。
【0023】
このようにMOSFET31とダイオード32のチップを同一のアイランド38にマウントすると、従来構成のようにMOSFET31とダイオード32を異なるアイランドにマウントした場合(図8参照)に比べ、MOSFET31とダイオード32それぞれについて放熱に寄与する実効的なアイランドサイズおよびリードサイズが増加するので放熱効率が高まる。その結果、全体としてのアイランドサイズを低減することができ、パッケージ40を小型化できる。
【0024】
また、アイランド38をディプレス加工して、そのアイランド38の反チップマウント面がパッケージ40の下面に露出しているので、放熱効率をより高められる。さらに、パッケージ40の下面側に放熱板41を取り付けると、アイランド38の露出面と放熱板41とが接するので、さらに放熱効率を高められ、車載電子機器など周囲温度の高い環境の下でも動作可能となる。
【0025】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について、樹脂封止されたICの横断面図である図6を参照しながら説明する。
この図6に示すIC42は、上述したIC21と同様に図5に示す回路構成を備えており、そのリードフレーム43の形状とチップの配置は、上方から見て図1とほぼ同様となっている。ただし、リードフレーム43には、均一の厚みを持つ材料に替えて異形断面条材が用いられている。この異形断面条材からなるリードフレーム43は、図1に示す矢印A方向に沿って肉厚部を有しており、その肉厚部にアイランド38、39が形成されている。リードフレーム43の上面(チップ搭載面)は平坦とされている。
【0026】
樹脂封止されたパッケージ44の下面(裏面)には、リードフレーム43の肉厚部の下面(反チップマウント面)が、当該パッケージ44の下面と面一となるように露出している。この場合、電位の異なるアイランド38、39がともに露出しているため、パッケージ44には絶縁シート45を介して放熱板41が取り付けられるようになっている。
【0027】
本実施形態によっても、発熱するMOSFET31とダイオード32がマウントされたアイランド38の反チップマウント面がパッケージ44の下面に露出しているので、放熱効率を高められる。また、放熱板41を取り付ければ、絶縁シート45を介在させる必要があるものの、MOSFET31とダイオード32がマウントされたアイランド38を放熱板41により直接的に冷却することができ、車載電子機器など周囲温度の高い環境の下でも動作可能となる。
【0028】
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について、樹脂封止されたICの横断面図である図7を参照しながら説明する。
この図7に示すIC46も図5に示す回路構成を備えており、そのリードフレーム47の形状とチップの配置は、上方から見て図1とほぼ同様となっている。リードフレーム47のうちアイランド38には、アイランド38とほぼ同一形状であって銅などの熱伝導率の高い放熱部材48(板部材に相当)が、その端部に潰し加工、かしめ加工等を施すことにより一体化されている。
【0029】
樹脂封止されたパッケージ44の下面(裏面)には、放熱部材48の下面(反リードフレーム面)が、当該パッケージ44の下面と面一となるように露出している。パッケージ44には放熱板41が取り付けられるようになっている。
【0030】
本実施形態によっても、MOSFET31とダイオード32がマウントされたアイランド38が、熱伝導性が良く且つパッケージ44の下面に露出する放熱部材48と一体化されているので、放熱効率を高められる。また、放熱板41を取り付ければ、アイランド38の放熱効率をより高められるので、車載電子機器など周囲温度の高い環境の下でも動作可能となる。
【0031】
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に示す各実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形または拡張が可能である。
MOSFET31に替えて、PNP形バイポーラトランジスタ、Pチャネル型IGBTなどを用いても良い。
放熱板41は必要に応じて取り付ければよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示すチップマウント後のリードフレームの上面図
【図2】図1に示す矢印A方向から見た側面図
【図3】樹脂封止された後の下面図
【図4】ICに放熱板を取り付けた状態の側面図
【図5】ICの電気的構成を示す図
【図6】本発明の第2の実施形態を示すICの縦断面図
【図7】本発明の第3の実施形態を示す図6相当図
【図8】従来技術を示す図1相当図
【図9】図5相当図
【符号の説明】
21、42、46はIC(半導体集積回路装置)、23はリード(電源供給用リード)、28、29はリード(出力用リード)、31はMOSFET(トランジスタ)、32はダイオード、37、43、47はリードフレーム、38はアイランド、40、44はパッケージ、41は放熱板、48は放熱部材(板部材)である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレーム上に複数のチップをマウントして構成される半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えばMOSFETの場合、Pチャネル型MOSFETとNチャネル型MOSFETとを比較すると、Nチャネル型MOSFETの方がオン抵抗が低い特徴を有しているため、大きい電流を流す必要がある用途例えばモータ負荷を駆動するような場合には、好んでNチャネル型MOSFETが用いられる。特許文献1には、Nチャネル型MOSFETを用いたハイサイドスイッチが開示されている。
【特許文献1】
特開2000−307397号公報
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図8および図9は、モータ駆動用ICの内部のチップ配置および電気的構成を示している。これらの図において、モールドされたIC1は、電源用のリード2、3、制御信号入力用のリード4およびモータ接続用のリード5、6を備えている。そして、リードフレーム上には、リード2と5との間にドレイン・ソース間が接続されたNチャネル型MOSFET7、リード5と6との間にカソード・アノード間が接続されたファーストリカバリータイプのダイオード8、制御信号に基づいてMOSFET7のゲート駆動信号を生成する駆動用IC9、およびコンデンサ10、11、12、13がマウントされている。
【0004】
ここで、MOSFET7とダイオード8は、それぞれ基板の下面側がドレインとカソードであるため、電位の関係上MOSFET7とダイオード8は同一のアイランドにマウントすることができず、図8に示すようにMOSFET7、ダイオード8、駆動用IC9は、それぞれ分離された異なるアイランド14、15、16にマウントされている。
【0005】
MOSFET7とダイオード8は電流が流れることにより発熱するが、その発熱量はモータ定数、PWMのデューティ比などによって変化する。このため、MOSFET7、ダイオード8のそれぞれについて発生した熱がアイランド14、15からインナリード、アウタリードを通して放熱するために十分なアイランドサイズおよびリードサイズが必要となり、IC1のパッケージ17の小型化が困難であった。
【0006】
また、アイランド14、15の反チップ搭載面をパッケージ17の下面側表面に露出させ、放熱板を取り付ける場合においても、電位の異なるアイランド14、15が入り組んだ構造となっているため絶縁を図ることが難しく、必ず絶縁シートを介在させる必要があった。その結果、熱抵抗が増加し、冷却性能が低下するという不都合があった。
【0007】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、小型化および冷却性能の向上を図った半導体集積回路装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載した手段によれば、トランジスタとダイオードはいわゆるハイサイドスイッチを構成し、トランジスタのドレインとダイオードのカソードは同電位となる。一方、トランジスタのチップの基板下面側はドレインまたはコレクタとされ、ダイオードのチップの基板下面側はカソードとされるため、トランジスタとダイオードの各チップを一つのアイランドにマウントすることにより、トランジスタのドレインまたはコレクタとダイオードのカソードとの接続がなされる。
【0009】
トランジスタとダイオードのチップを同一のアイランドにマウントすると、トランジスタとダイオードを異なるアイランドにマウントした場合に比べ、トランジスタとダイオードそれぞれについて放熱に寄与する実効的なアイランドサイズおよびリードサイズが増加して放熱効率が高まる。その結果、全体としてのアイランドサイズを低減することができ、パッケージを小型化できる。
【0010】
請求項2に記載した手段によれば、発熱量の多いトランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランドにディプレス加工が施され、そのアイランドの反チップマウント面がパッケージの表面(下面側)に露出しているので、放熱効率をより高められる。
【0011】
請求項3に記載した手段によれば、異形断面条材の肉厚部にトランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランドが形成され、そのアイランドの反チップマウント面がパッケージの表面(下面側)に露出しているので、放熱効率をより高められる。
【0012】
請求項4に記載した手段によれば、リードフレームのうちトランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランド部と熱伝導率の高い板部材(放熱部材)とが潰し加工、かしめ加工等により一体化され、その板部材の反リードフレーム面がパッケージの表面に露出しているので、放熱効率をより高められる。
【0013】
請求項5に記載した手段によれば、アイランドの露出面と接するように放熱板が取り付けられているのでさらに放熱効率を高められ、車載電子機器など周囲温度の高い環境の下で使用される場合にも動作可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について図1ないし図5を参照しながら説明する。
図5は、半導体集積回路装置(IC)の電気的構成とともに当該ICの実際の使用態様を示している。IC21は、例えば車両に搭載されたモータ22を駆動するために用いられ、高電位側の電源用のリード23にはヒューズ24を介してバッテリ25の正極端子が接続され、低電位側の電源用のリード26にはバッテリ25の負極端子が接続されるようになっている。また、制御信号入力用のリード27にはECU(Electronic Control Unit) 30の制御信号出力端子が接続され、高電位側および低電位側の出力用のリード28、29にはモータ22の正側端子および負側端子が接続されるようになっている。リード26と29はIC21内部において接続されている。
【0015】
IC21は、トランジスタであるPチャネル型MOSFETのベアチップ(以下、MOSFET31と称す)、ファーストリカバリーダイオードのベアチップ(以下、ダイオード32と称す)、制御信号に基づいてMOSFET31のゲート駆動信号を出力する駆動用ICのベアチップ(以下、駆動用IC33と称す)およびチップタイプのコンデンサ34、35、36から構成されている。ダイオード32は電流還流用で、コンデンサ34、35、36はノイズを除去するためのフィルタ用である。Pチャネル型のMOSFET31を用いているため、チャージポンプ回路およびこれに用いるコンデンサは不要となっている。
【0016】
MOSFET31のソースとドレインはそれぞれリード23と28に接続されており、ダイオード32のカソードとアノードはそれぞれリード28と29に接続されている。駆動用IC33は高電位側と低電位側の電源用パッド、制御信号入力用パッド、電圧検出信号入力用パッド、駆動信号出力用パッドを備えており、これらの各パッドはそれぞれリード23と26、リード27、リード28、MOSFET31のゲートに接続されている。コンデンサ34、35、36は、それぞれリード27と26との間、MOSFET31のゲートとリード26との間、リード28と29との間に接続されている。
【0017】
図1および図2は、組立工程においてチップをマウントしワイヤボンディングを行った後のリードフレームの上面図および図1に示す矢印A方向から見た側面図である。図1および図2に示された二点鎖線は、封止工程後のパッケージの外形線である。図3および図4は、樹脂封止された後の下面(裏面)図およびIC21に放熱板を取り付けた状態での側面図である。
【0018】
これらの図において、リードフレーム37の中央部には、ディプレス加工が施されたアイランド38が形成されており、このアイランド38の上面に上記MOSFET31とダイオード32がマウントされている。MOSFET31、ダイオード32の各チップの基板下面側はそれぞれドレイン、カソードとされている。また、図1において、アイランド38の左下部の切欠部に隣接してアイランド39が形成されており、このアイランド39の上面には駆動用IC33がマウントされている。アイランド38からはリード28が延びており、アイランド39からは、リード26と29が互いに反対方向に延びている。なお、MOSFET31のソースとリード23との間およびダイオード32のアノードとリード29との間にはモータ電流が流れるため、この間のワイヤボンディングには複数本のアルミ線が用いられている。
【0019】
樹脂封止されたパッケージ40の下面(裏面)には、図3に示すように上記アイランド38の下面(反チップマウント面)が、上記パッケージ40の下面と面一となるように露出している。パッケージ40には、図4に示すように放熱板41が取り付けられるようになっている。
【0020】
次に、本実施形態の作用および効果について説明する。
ECU30からIC21に対し制御信号が与えられると、IC21内の駆動用IC33は制御信号に応じたPWM駆動信号を生成し、その駆動信号をMOSFET31のゲートに出力する。この場合、駆動信号が0VになるとMOSFET31がオンとなり、当該MOSFET31からリード28を介してモータ22に電流が流れる。そして、駆動信号が5VになるとMOSFET31がオフに転じ、モータ22に流れていた電流はダイオード32に還流する。これにより、モータ22には、実効的にPWMのデューティ比に応じた大きさの電圧が印加される。
【0021】
MOSFET31とダイオード32に電流が流れると熱損失が発生し、チップ温度が上昇する。MOSFET31の熱損失(ドレイン損失)は、IC21の出力電流(モータ電流)が増大すると大きくなり、ダイオード32の熱損失は、IC21の出力電流とPWMのデューティ比に依存して変化する。
【0022】
本実施形態では、MOSFET31とダイオード32はいわゆるハイサイドスイッチを構成しており、MOSFET31のドレインとダイオード32のカソードは同電位となる。また、MOSFET31およびダイオード32の各チップの基板下面側はそれぞれドレイン、カソードとなっているため、MOSFET31とダイオード32の各チップを一つのアイランド38にマウントすることが可能となる。
【0023】
このようにMOSFET31とダイオード32のチップを同一のアイランド38にマウントすると、従来構成のようにMOSFET31とダイオード32を異なるアイランドにマウントした場合(図8参照)に比べ、MOSFET31とダイオード32それぞれについて放熱に寄与する実効的なアイランドサイズおよびリードサイズが増加するので放熱効率が高まる。その結果、全体としてのアイランドサイズを低減することができ、パッケージ40を小型化できる。
【0024】
また、アイランド38をディプレス加工して、そのアイランド38の反チップマウント面がパッケージ40の下面に露出しているので、放熱効率をより高められる。さらに、パッケージ40の下面側に放熱板41を取り付けると、アイランド38の露出面と放熱板41とが接するので、さらに放熱効率を高められ、車載電子機器など周囲温度の高い環境の下でも動作可能となる。
【0025】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について、樹脂封止されたICの横断面図である図6を参照しながら説明する。
この図6に示すIC42は、上述したIC21と同様に図5に示す回路構成を備えており、そのリードフレーム43の形状とチップの配置は、上方から見て図1とほぼ同様となっている。ただし、リードフレーム43には、均一の厚みを持つ材料に替えて異形断面条材が用いられている。この異形断面条材からなるリードフレーム43は、図1に示す矢印A方向に沿って肉厚部を有しており、その肉厚部にアイランド38、39が形成されている。リードフレーム43の上面(チップ搭載面)は平坦とされている。
【0026】
樹脂封止されたパッケージ44の下面(裏面)には、リードフレーム43の肉厚部の下面(反チップマウント面)が、当該パッケージ44の下面と面一となるように露出している。この場合、電位の異なるアイランド38、39がともに露出しているため、パッケージ44には絶縁シート45を介して放熱板41が取り付けられるようになっている。
【0027】
本実施形態によっても、発熱するMOSFET31とダイオード32がマウントされたアイランド38の反チップマウント面がパッケージ44の下面に露出しているので、放熱効率を高められる。また、放熱板41を取り付ければ、絶縁シート45を介在させる必要があるものの、MOSFET31とダイオード32がマウントされたアイランド38を放熱板41により直接的に冷却することができ、車載電子機器など周囲温度の高い環境の下でも動作可能となる。
【0028】
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について、樹脂封止されたICの横断面図である図7を参照しながら説明する。
この図7に示すIC46も図5に示す回路構成を備えており、そのリードフレーム47の形状とチップの配置は、上方から見て図1とほぼ同様となっている。リードフレーム47のうちアイランド38には、アイランド38とほぼ同一形状であって銅などの熱伝導率の高い放熱部材48(板部材に相当)が、その端部に潰し加工、かしめ加工等を施すことにより一体化されている。
【0029】
樹脂封止されたパッケージ44の下面(裏面)には、放熱部材48の下面(反リードフレーム面)が、当該パッケージ44の下面と面一となるように露出している。パッケージ44には放熱板41が取り付けられるようになっている。
【0030】
本実施形態によっても、MOSFET31とダイオード32がマウントされたアイランド38が、熱伝導性が良く且つパッケージ44の下面に露出する放熱部材48と一体化されているので、放熱効率を高められる。また、放熱板41を取り付ければ、アイランド38の放熱効率をより高められるので、車載電子機器など周囲温度の高い環境の下でも動作可能となる。
【0031】
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に示す各実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形または拡張が可能である。
MOSFET31に替えて、PNP形バイポーラトランジスタ、Pチャネル型IGBTなどを用いても良い。
放熱板41は必要に応じて取り付ければよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示すチップマウント後のリードフレームの上面図
【図2】図1に示す矢印A方向から見た側面図
【図3】樹脂封止された後の下面図
【図4】ICに放熱板を取り付けた状態の側面図
【図5】ICの電気的構成を示す図
【図6】本発明の第2の実施形態を示すICの縦断面図
【図7】本発明の第3の実施形態を示す図6相当図
【図8】従来技術を示す図1相当図
【図9】図5相当図
【符号の説明】
21、42、46はIC(半導体集積回路装置)、23はリード(電源供給用リード)、28、29はリード(出力用リード)、31はMOSFET(トランジスタ)、32はダイオード、37、43、47はリードフレーム、38はアイランド、40、44はパッケージ、41は放熱板、48は放熱部材(板部材)である。
Claims (5)
- リードフレーム上に複数のチップがマウントされ樹脂封止された半導体集積回路装置において、
ソースまたはエミッタが高電位側の電源供給用リードに接続されドレインまたはコレクタが外部負荷に対する高電位側の出力用リードに接続されたPチャネル型またはPNP形のトランジスタと、カソードが前記高電位側の出力用リードに接続されアノードが前記外部負荷に対する低電位側の出力用リードに接続された還流用のダイオードとを備え、これらトランジスタとダイオードの各チップが一つのアイランドにマウントされていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記トランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランドにディプレス加工が施され、そのアイランドの反チップマウント面がパッケージの表面に露出していることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記リードフレームは異形断面条材からなり、その肉厚部に前記トランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランドが形成されており、そのアイランドの反チップマウント面がパッケージの表面に露出していることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記リードフレームのうち前記トランジスタとダイオードのチップがマウントされるアイランド部に対し熱伝導率の高い板部材が一体化されており、その板部材の反リードフレーム面がパッケージの表面に露出していることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記アイランドの露出面と接するように放熱板が取り付けられていることを特徴とする請求項2ないし4の何れかに記載の半導体集積回路装置。
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