JP2007012721A - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 冷却用基体23と、この基体23の表裏の面の各々に実装される少なくとも2つのパワー半導体素子15,28とから構成されるパワー半導体モジュール10であって、パワー半導体素子15,28はIGBT15とダイオード28を含み、IGBT15は基体23の表裏の面の一方または他方に実装され、ダイオード28は基体23の表裏の面の一方または他方であって、基体23を間に介してIGBT15の実装位置に一致する位置に実装される。
【選択図】 図9
Description
第1に、インバータ等を構成するスイッチング半導体素子(IGBT等)やダイオードのパワー半導体素子を冷却用基体を挟んでその表裏の両面に実装し、一方の面のスイッチング半導体素子の実装位置と他方の面のダイオードの実装位置が表裏関係で一致させたため、電気自動車の車速に応じて発熱時期が異なるスイッチング半導体素子とダイオードの発熱を冷却用基体上で時間的に分離し、基体における不均一な熱分布や温度勾配を低減することができる。
第2に、パワー半導体素子は、冷却用基体を挟んでその両面に実装されるため、投影面積が小さいパワー半導体モジュール構造にすることができる。
第3に、ヒートシンクまたは絶縁基板に両面実装を行うので立体構造をとることができ、さらに両面から接触受熱を行うことでヒートシンクの伝熱面を小容積で得ることができ、ヒートシンク等の容積は小さくできる。これにより、車載しても設置スペースを減少させることができる。
第4に、液冷式の薄型のマイクロチャンネル型ヒートシンクを使用し、高電圧側回路と低電圧側回路を冷却用基体を間に介して配置しかつ電流の流れる向きを反対にすることで磁気的な相殺が生じ、さらに表裏の面に実装されたパワー半導体素子を接続することで素子間の配線を短くでき、インダクタンス成分を低減することができる。なおインダクタンス成分の低減化は、パワー半導体素子の発熱量が低減されてヒートシンクが不要の場合であっても、パワー半導体素子の配置関係に対して適用することができる。
第5に、ノイズ特性も良好となり、サージ電圧等の問題も発生しなくなる。
第6に、発熱体であるパワー半導体素子が冷却用基体の表裏の両面に実装されているため、熱応力による変形はバランスされ、パワー半導体モジュール内部の変形(歪み)を抑えることができる。
第7に、従来のパワー半導体モジュールの実装構造からヒートスプレッダやサーマルグリスを除いた部品で構成することができるため、冷却器込みのパワー半導体モジュールとして低コスト化、小容量化、軽量化ができる。
第8に、ヒートシンク等の冷却用基体に到るまでの部品の点数を削減できるので、内部熱抵抗を減少し、放熱性を向上することができる。
第9に、樹脂モールド化したケースにすることで接続端子の取出し面を片側に集約できるため、組立性を向上し、組立時間を短縮することができる。また接続端子位置が片側なので容易に接続を行うことができ、パワー半導体モジュールに対する配線によるアクセススペースを削減することができる。
以上の各効果については、単相用電気回路または三相用電気回路に用いられるパワー半導体モジュールのそれぞれに対して発揮される。
11 パワー半導体ユニット
12 ケース
13 電極パターン
14 配線基板
15 IGBT
16 ゲート配線基板
17 ゲート外部接続端子
18 コレクタ配線基板
19 バスバー
20 IGBT
21 バスバー
22 ゲート外部接続端子
23 ヒートシンク(冷却用基体)
24 絶縁基板
25 絶縁基板
26 金属箔
27 金属箔
28 ダイオード
29 電極パターン
30 ダイオード
31 電極パターン
Claims (11)
- 冷却用基体と、この基体の表裏の面の各々に実装される少なくとも2つのパワー半導体素子とから構成されるパワー半導体モジュールであって、
前記パワー半導体素子は、スイッチ機能を備えるスイッチング半導体素子と、ダイオードとを含み、
前記スイッチング半導体素子は前記基体の前記表裏の面の一方または他方に実装され、
前記ダイオードは前記基体の前記表裏の面の一方または他方であって、前記基体を間に介して前記スイッチング半導体素子の実装位置に一致する位置に実装される、
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 少なくとも4つの前記スイッチング半導体素子と少なくとも4つの前記ダイオードはインバータ回路を形成し、
前記基体の表裏の面のうち、その一方の面に前記インバータ回路の高電位側の前記スイッチング半導体素子と前記ダイオードを実装し、その他方の面に前記インバータ回路の低電位側の前記スイッチング半導体素子と前記ダイオードを実装し、
前記基体の表裏の面の間で前記スイッチング半導体素子の実装位置と前記ダイオードの実装位置を一致させる、
ことを特徴とする請求項1記載のパワー半導体モジュール。 - 前記ダイオードは前記スイッチング半導体素子に付加される転流ダイオードであることを特徴とする請求項1または2記載のパワー半導体モジュール。
- 前記基体の表裏の面の一方に実装された高電位側の前記スイッチング半導体素子と前記ダイオードに基づく電気回路で流れる電流の向きと、前記基体の表裏の面の他方に実装された低電位側の前記スイッチング半導体素子と前記ダイオードに基づく電気回路で流れる電流の向きとが反対になるように配線経路が形成されることを特徴とする請求項2または3記載のパワー半導体モジュール。
- 前記冷却用基体は冷却液が流通するマイクロチャンネルを有するヒートシンクであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記ヒートシンクは、前記基体の表裏の面のそれぞれに対応して個別にマイクロチャンネルを有することを特徴とする請求項5記載のパワー半導体モジュール。
- 前記スイッチング半導体素子と前記ダイオードは前記マイクロチャンネルにおける前記冷却液の流通方向に沿って並べて配置することを特徴とする請求項5記載のパワー半導体モジュール。
- 前記冷却用基体は、電気絶縁性を有する基板であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記スイッチング半導体素子はSiC半導体で形成されることを特徴とする請求項8記載のパワー半導体モジュール。
- 前記パワー半導体素子からの入出力端子は前記表裏の面の一方または他方のいずれか片面側に集約したことを特徴とする請求項5または8記載のパワー半導体モジュール。
- 前記基体の表裏の面の間で実装位置が一致する前記スイッチング半導体素子と前記ダイオードを配線で接続するようにしたことを特徴とする請求項1記載のパワー半導体モジュール。
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