JP2005117860A - 電力変換用モジュールおよび電力変換装置並びに電気自動車用電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 スイッチング素子としての半導体装置における放熱性の向上を図ることにより大容量化を可能とした電力変換用モジュールを提供すると共に、その電力変換用モジュールを用いた電力変換装置を提供する。
【解決手段】 電力変換用モジュール10は複数のSiC半導体装置11が内蔵された熱伝導性材料から形成されたモジュールケース構造体12からなる。各SiC半導体装置11の上面および下面は放熱板15や金属配線板16を介してモジュールケース構造体12に接触される。この電力変換用モジュール10を用いて電力変換装置を構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 電力変換用モジュール10は複数のSiC半導体装置11が内蔵された熱伝導性材料から形成されたモジュールケース構造体12からなる。各SiC半導体装置11の上面および下面は放熱板15や金属配線板16を介してモジュールケース構造体12に接触される。この電力変換用モジュール10を用いて電力変換装置を構成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ハイブリッド自動車や燃料電池自動車等の電気自動車等に適した電力変換用モジュールおよび電力変換装置並びに電気自動車用電力変換装置に関するものである。
従来、ハイブリッド自動車や燃料電池自動車等の電気自動車においては、バッテリの直流電力と3相モータ等における交流電力との間の変換のために、電力変換装置としてのインバータが用いられている。
例えば、図4に示される如く、バッテリ1と3相モータ2との相互間にインバータ3が介在され、インバータ3はバッテリ1からの直流電流を交流に変換して3相モータ2に供給するように構成されている(例えば、非特許文献1参照。)。
また、インバータ3内には、スイッチング素子を構成する複数のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transisitor)等のパワーデバイスを搭載したパワーモジュール4や、パワーモジュール4を制御するコントロールユニット5が備えられ、コントロールユニット5からの制御信号に基づいてパワーモジュール4が動作し、3相モータ2の回転数やトルクを制御する構造とされていた。
CIVIC Hybrid サービスマニュアル 構造編、本田技研工業株式会社、2001年12月2日
しかしながら、上記従来のインバータ3にあっては、パワーモジュール4とコントロールユニット5とを一体に備えた構造とすることを前提としているため、パワーデバイスが制御基板に搭載されたSi(珪素)半導体の動作温度以上で動作することを考慮していなかった。
一方、近年、ハイブリッド自動車や燃料電池自動車等の電気自動車に搭載される電力変換装置に対して、大容量化が要求されている。
そこで、本発明の解決しようとする課題は、スイッチング素子としての半導体装置における放熱性の向上を図ることにより大容量化を可能とした電力変換用モジュールを提供すると共に、その電力変換用モジュールを用いた電力変換装置およびその電力変換装置を用いた電気自動車用電力変換装置を提供することにある。
上記課題を解決するための電力変換用モジュールの手段は、熱伝導性材料によって形成されたモジュールケース構造体に半導体装置が内蔵され、その半導体装置の表面および裏面の両側がモジュールケース構造体に接触され、モジュールケース構造体を通じて放熱可能とされた点にある。
また、前記半導体装置がSiC(炭化珪素)半導体装置とされた構造としてもよい。
さらに、上記課題を解決するための電力変換装置の手段は、前記電力変換用モジュールを用いた点にある。
また、前記電力変換用モジュールの前記半導体装置を駆動する制御回路を備えたコントロールユニットと、電力変換用モジュールとが別体構造とされた構造としてもよい。
さらに、上記課題を解決するための電気自動車用電力変換装置の手段は、前記電力変換装置を用いた点にある。
請求項1に記載の電力変換用モジュールによれば、熱伝導性材料によって形成されたモジュールケース構造体に半導体装置が内蔵され、その半導体装置の表面および裏面の両側がモジュールケース構造体に接触され、モジュールケース構造体を通じて放熱可能とされているため、半導体装置の表面および裏面の両側からモジュールケース構造体に熱が伝導されてモジュールケース構造体の全方位に放熱可能となり、モジュール冷却方法の自由度が向上し、スイッチング素子としての半導体装置の放熱性向上が図れ、大容量化が可能となる。
また、請求項2に記載の電力変換用モジュールによれば、半導体装置がSiC半導体装置とされており、SiC半導体装置はワイドバンドギャップ半導体であるため、高温動作が可能となり、大容量スイッチング素子として機能でき、この点からもモジュールの大容量化が図れる。
また、請求項3に記載の電力変換装置によれば、請求項1または請求項2に記載の電力変換用モジュールを用いているため、大容量化が図れる。
さらに、請求項4に記載の電力変換装置によれば、電力変換用モジュールの半導体装置を駆動する制御回路を備えたコントロールユニットと、電力変換用モジュールとが別体構造とされているため、大容量化によって高温環境となる電力変換用モジュールとは別の場所に、コントロールユニットを配置でき、コントロールユニットに対する温度の影響を有効に回避できる。
また、請求項5に記載の電気自動車用電力変換装置によれば、請求項3または請求項4に記載の電力変換装置を用いているため、大容量化が図れる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明すると、図1は電力変換用モジュール10の断面図、図2はその分解図を示しており、電力変換用モジュール10は、IGBT等のパワーデバイス、即ちワイドバンドギャップ半導体の一例としてのSiC半導体装置(SiC製FET)11がスイッチング素子として用いられ、熱伝導性材料、いわゆる熱伝導性が高い材料により形成されたモジュールケース構造体12に内蔵された構造とされている。
前記モジュールケース構造体12は、モジュール下部構造体12aとモジュール上部構造体12bとからなり、モジュール下部構造体12aは熱伝導性の高い金属(例えば、銅やアルミニウム)、セラミックもしくは樹脂等によって矩形ブロック状に形成され、その上面には複数(例えば6個)のSiC半導体装置11がそれぞれ収容状とされる収容凹部14が形成されている。
そして、各収容凹部14内に、それぞれセラミックや樹脂等の絶縁性を有する放熱板15を介して、各SiC半導体装置11はその電極を上向きにして組み込まれた構造とされている。この際、放熱板15やSiC半導体装置11の組み込みは、接着剤による接着、ハンダ付けもしくはネジ止め構造等を適宜採用すればよい。
なお、この放熱板15は、採用するFETによっては必要とされず、この場合、半導体装置11を直接、モジュール下部構造体12aの収容凹部14に組み付ける構造とすればよい。
また、モジュール上部構造体12bは熱伝導性の高い絶縁性のセラミックもしくは樹脂等により形成されると共に、各収容凹部14を覆ってモジュール下部構造体12aに重合状とされる矩形板状に形成されており、その下面には配線回路を構成すべく、所望にパターン処理された金属配線板16が一体に成形されている。
そして、各SiC半導体装置11の各電極と金属配線板16の対応する各回路とが、ハンダ17やロウ付け等により電気的に接続された状態で、モジュール下部構造体12aとモジュール上部構造体12bとが一体的に結合されている。
このような電力変換用モジュール10の製造に際しては、例えば、各収容凹部14内に、それぞれ絶縁性を有する放熱板15を介して、各SiC半導体装置11はその電極を上向きに組み込まれたモジュール下部構造体12aと、パターン処理された金属配線板16が一体に成形されたモジュール上部構造体12bとを準備し、金属配線板16の所定位置にハンダ17やロウ等をプリントした状態で、モジュール下部構造体12aとモジュール上部構造体12bとをはり合わせ、熱処理することによって各SiC半導体装置11と金属配線板16との電気的接続状態を得る。
また、モジュール下部構造体12aとモジュール上部構造体12bとの結合は、前記電気的接続を取る際に同時に行ってもよいし、レーザ溶接や接着剤等による別の方法を採用してもよい。
そして、この電力変換用モジュール10に環流ダイオードを組み込み、図3に示されるように、電力変換用モジュール10の各SiC半導体装置11を駆動する制御回路を備えた半導体制御装置としてのコントロールユニット19を備えた構造とすれば、ハイブリッド自動車や燃料電池自動車等の電気自動車において、バッテリ1の直流電力と3相モータ2における交流電力との間の変換のための電力変換装置としてのインバータ20が構成される。なお、この図例では、電力変換用モジュール10とコントロールユニット19とが別体構造とされ、互いに配線21で接続された構造とされている。
従って、コントロールユニット19からの制御信号に基づいて電力変換用モジュール10の各SiC半導体装置11が動作し、3相モータ2の回転数やトルクが制御される。
本実施形態の電力変換用モジュール10は以上のように構成されており、内蔵されている各SiC半導体装置11はその上面である表面およびその下面である裏面が、それぞれ金属配線板16や放熱板15を介してモジュール下部構造体12aやモジュール上部構造体12bに接触されているため、モジュール下部構造体12aやモジュール上部構造体12bを通じて放熱可能とされ、ここに、モジュールケース構造体12外周の全方位に放熱可能となり、電力変換用モジュール10の冷却方法の自由度が向上するため、搭載場所に応じて最適な冷却方法が採用でき、スイッチング素子としての各SiC半導体装置11の放熱性向上が図れ、大容量化が可能となる。
特に、スイッチング素子としてワイドバンドギャップ半導体であるSiC半導体装置11を使用しているため、高温動作可能な大容量スイッチング素子を提供でき、モジュール10の動作温度を300℃以上まで保証し得る利点がある。
また、各収容凹部14内に放熱板15を介してSiC半導体装置11が組み込まれたモジュール下部構造体12aと、パターン処理された金属配線板16が一体に形成されたモジュール上部構造体12bとをはり合わせることにより電力変換用モジュール10を製造する構造であり、モジュール10の構造の簡素化が図れ、ワイヤボンディングや配線板へのスイッチング素子の組み付け等がなくなり、封止材も不要となる等、モジュール製造工数を削減できる利点もある。
従って、このような電力変換用モジュール10を用いた電力変換装置としてのインバータ20によれば、大容量化が図れ、特に、電力変換用モジュール10とコントロールユニット19とを別体構造とすることにより、SiC半導体装置11によって高温環境となる電力変換用モジュール10とは、別の離れた場所にコントロールユニット19を配置することができ、温度の影響を有効に回避できる。
また、従来のような一体構造の場合と比較して、それぞれをコンパクトに構成でき、自動車等に対する搭載時における設置スペースの融通性向上が図れる利点もある。
なお、モジュールケース構造体12を形成する熱伝導性材料としては前記開示のものに限られず、熱伝導性の高い材料であればよく、窒化アルミニウム、タングステン合金(Cu−W)、炭化珪素等であってもよい。
1 バッテリ
2 3相モータ
10 電力変換用モジュール
11 SiC半導体装置
12 モジュールケース構造体
12a モジュール下部構造体
12b モジュール上部構造体
19 コントロールユニット
20 インバータ
2 3相モータ
10 電力変換用モジュール
11 SiC半導体装置
12 モジュールケース構造体
12a モジュール下部構造体
12b モジュール上部構造体
19 コントロールユニット
20 インバータ
Claims (5)
- 熱伝導性材料によって形成されたモジュールケース構造体に半導体装置が内蔵され、その半導体装置の表面および裏面の両側がモジュールケース構造体に接触され、モジュールケース構造体を通じて放熱可能とされたことを特徴とする電力変換用モジュール。
- 請求項1に記載の電力変換用モジュールにおいて、
前記半導体装置がSiC半導体装置とされたことを特徴とする電力変換用モジュール。 - 請求項1または請求項2に記載の電力変換用モジュールを用いたことを特徴とする電力変換装置。
- 請求項3に記載の電力変換装置において、
前記電力変換用モジュールの前記半導体装置を駆動する制御回路を備えたコントロールユニットと、電力変換用モジュールとが別体構造とされたことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項3または請求項4に記載の電力変換装置を用いたことを特徴とする電気自動車用電力変換装置。
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2003
- 2003-10-10 JP JP2003352338A patent/JP2005117860A/ja active Pending
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