CN109994458B - 发光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 148
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 97
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 80
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 80
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 42
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 7
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 LuAG Chemical compound 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种发光装置，包括一第一发光单元、一第二发光单元、一散热基板、多个第一凸块以及多个第二凸块。散热基板设置于第一发光单元与第二发光单元之间。这些第一凸块连接于第一发光单元与散热基板之间。这些第二凸块连接于第二发光单元与散热基板之间。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置，且尤其涉及一种用以提高散热效率的发光装置。
背景技术
发光二极管(Light emitting diode,LED)具有亮度高、省电、环保及耐用等优点，然而，发光二极管的输入功率有部分会转变成热量，当发光二极管的温度超过80℃时，将会大幅降低发光二极管的发光性能，缩短发光二极管寿命。为了提高发光二极管的发光效率，需通过散热更佳的散热模块将发光二极管产生的热传导出去，尤其是双面光源或多光源的发光装置。
发明内容
本发明涉及一种发光装置，可通过散热效率更高的散热基板将热传导出去。
本发明提出一种发光装置，包括一第一发光单元、一第二发光单元、一散热基板、多个第一凸块以及多个第二凸块。散热基板设置于第一发光单元与第二发光单元之间。该些第一凸块连接于第一发光单元与散热基板之间。该些第二凸块连接于第二发光单元与散热基板之间。
在一实施例中，该第一发光单元包括至少一第一发光元件、一第一电路基板以及一第一封装材料，该第一发光元件设置于该第一电路基板上，且该第一封装材料覆盖该第一发光元件。
在一实施例中，第二发光单元，包括至少一第二发光元件、一第二电路基板以及一第二封装材料，该第二发光元件设置于该第二电路基板上，且该第二封装材料覆盖该第二发光元件。
在一实施例中，该散热基板容置于一基座中，其中该基座具有一连接部以及彼此相对的一第一开口区以及一第二开口区，且该第一发光单元及该第二发光单元分别显露于该第一开口区及该第二开口区中。
在一实施例中，发光装置还包括多个固定件，用以将该散热基板固定于该连接部上，且该第一发光单元及该第二发光单元通过该散热基板将热传导至该连接部。
在一实施例中，该散热基板为陶瓷基板或金属芯印刷电路板。
在一实施例中，该散热基板具有一金属芯层，该第一发光元件及第二发光元件产生的热分别经由该金属芯层传导至该连接部。
在一实施例中，该散热基板还包括二个金属块部，设置于该金属芯层的相对两侧，并显露该二个金属块部的相对二个表面。
在一实施例中，该二个金属块部及该金属芯层的材质为铜、铝或其组合。
在一实施例中，该第一凸块包括至少一第一导热凸块，该第二凸块包括至少一第二导热凸块，其中该第一导热凸块与该第二导热凸块分别与该二个金属块部相互接触。
在一实施例中，该散热基板包括一基材、多个第一电极接垫、多个第二电极接垫以及多个导通孔，该些第一电极接垫设置于该基材的第一表面，该些第二电极接垫设置于该基材的第二表面，该些第一电极接垫与该些第二电极接垫通过贯穿该基材的该些导通孔电性连接。
本发明提出一种发光装置，包括一第一发光单元、一第二发光单元、一散热基板以及多个导通孔。散热基板设置于第一发光单元与第二发光单元之间。该些导通孔设置于散热基板中，其中第一发光单元与第二发光单元经由该些导通孔电性连接。
在一实施例中，该散热基板包括多个第一电极接垫、多个第二电极接垫、一第一环状金属层以及一第二环状金属层，其中该些第一电极接垫及该第一发光单元位于该第一环状金属层所围成的一第一封装区中，该些第二电极接垫及该第二发光单元位于该第二环状金属层所围成的一第二封装区中。
在一实施例中，该散热基板还包括一正电压电极与一负电压电极，该些正电压电极与该负电压电极通过分别穿过该第一环状金属层的一第一连接线与一第二连接线与该些第一电极接垫电性连接。
在一实施例中，发光装置还包括一第一封装材料以及一第二封装材料，分别覆盖该第一环状金属层所围成的该第一封装区及该第二环状金属层所围成的该第二封装区。
在一实施例中，发光装置还包括一第一波长转换层以及一第二波长转换层，分别覆盖于该第一发光单元与该第二发光单元上。
在一实施例中，发光装置还包括一第一粘胶以及一第二粘胶，该第一粘胶至少部分覆盖该第一发光单元的侧面，该第二粘胶至少部分覆盖该第二发光单元的侧面。
在一实施例中，该散热基板为陶瓷基板或金属芯印刷电路板。
在一实施例中，该散热基板具有一金属芯层，该第一发光元件及第二发光元件产生的热分别经由该金属芯层传导至外部。
在一实施例中，该散热基板包括一电路基板以及一散热芯板，该散热芯板设置于该电路基板的一开口中，该散热芯板为陶瓷基板或金属芯印刷电路板
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：
附图说明
图1A示出依照本发明一实施例的发光装置的示意图。
图1B示出依照本发明另一实施例的发光装置的示意图。
图2A示出图1A的发光装置的散热基板的示意图。
图2B示出图1A的发光装置的散热基板的示意图。
图3A及图3B分别示出依照本发明一实施例的发光装置的正面及背面示意图。
图4A示出图3A的发光装置沿着A-A’剖面的剖面示意图。
图4B示出依照本发明一实施例的发光装置的剖面示意图。
图4C示出依照本发明另一实施例的发光装置的剖面示意图。
图4D示出依照本发明另一实施例的发光装置的剖面示意图。
图5A示出依照本发明一实施例的发光装置的剖面示意图。
图5B示出依照本发明另一实施例的发光装置的侧面示意图。
图6A及图6B示出依照本发明一实施例的发光装置的制作方法的流程示意图。
图7示出图6B的发光装置沿着B-B’剖面的剖面示意图。
【符号说明】
100：发光装置
110：第一发光单元
120：第二发光单元
130：散热基板
140：第一凸块
143：第二凸块
112：第一发光元件
114：第一电路基板
116：第一封装材料
122：第二发光元件
124：第二电路基板
126：第二封装材料
141：第一导热凸块
142：第一电极凸块
144：第二导热凸块
145：第二电极凸块
137：第一电极接垫
138：第二电极接垫
150：基座
150A：连接部
151：第一开口区
153：第二开口区
131：金属芯层
135：图案化第一绝缘层
136：图案化第二绝缘层
137：第一电极接垫
138：第二电极接垫
1391：图案化第一防焊层
1392：图案化第二防焊层
132：芯部
133：第一金属块部
134：第二金属块部
1331：上表面
1341：下表面
1332：第一抗氧化层
1342：第二抗氧化层
131’：金属芯层
133’：第一金属块
134’：第二金属块
101：发光装置
200：发光装置
231：基材
234：导通孔
232：第一表面
233：第二表面
237：第一电极接垫
238：第二电极接垫
235：第一封装区
239：第二封装区
2352：第一间隔沟槽
2392：第二间隔沟槽
243：正电压电极
244：负电压电极
2421：第一连接线
2422：第二连接线
2441、2431导电孔
1161：第一封胶体
1162：第二封胶体
2351：第一沟槽
2391：第二沟槽
118：第一波长转换层
128：第二波长转换层
S 1：水平尺寸
S2：水平尺寸
118S、128S：侧面
112S、122S：侧面
1163：第一粘胶
1164：第一侧部
1263：第二粘胶
1264：第二侧部
300：发光装置
330：散热基板
420：散热芯板
410：电路基板
430：散热基板
具体实施方式
以下提出实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本发明欲保护的范围。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考所附附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。
依照本发明的的一实施例，提出一种发光装置，设置于一基座150上，基座150例如是车用照明装置的灯架。参照图1A，发光装置100包括一第一发光单元110、一第二发光单元120、一散热基板130，以及多个第一凸块140和多个第二凸块143，第一凸块140和第二凸块143将第一发光单元110和第二发光单元120连接在散热基板130上。多个固定件146将发光装置100固定在基座150上。
第一发光单元110和第二发光单元120例如是发光二极管模块，第一发光单元110包括至少一第一发光元件112、一第一电路基板114以及一第一封装材料116，第二发光单元120包括至少一第二发光元件122、一第二电路基板124以及一第二封装材料126。第一发光元件112设置于第一电路基板114上，第一封装材料116封装第一发光元件112和第一电路基板114，其中第一发光元件112的数量可为一个或多个，其数量不局限于本实施例的附图所示出。第一电路基板114例如是覆铜基板(Copper Clad Laminate,CCL)、陶瓷基板、金属芯印刷电路板(Metal Core PCB,MCPCB)或其他具有导电线路的载板，本发明对此不加以限制，第二发光单元120的结构和材料与第一发光单元110相同或相似，在此不再重复说明。
在本实施例中，第一电路基板114和第二电路基板124例如是陶瓷基板，由于陶瓷基板的散热效率高，因此，第一发光元件112和第二发光元件122所产生的热H可分别快速地经由第一电路基板114和第二电路基板124传导至散热基板130，减少发光元件的热累积，以提高发光元件的发光效率。封装材料覆盖发光元件，以避免发光元件受到外部环境条件(湿气与温度)的影响。
参照图1A，第一发光单元110与第二发光单元120共用一个散热基板130。其中，散热基板130设置于第一发光单元110与第二发光单元120之间，第一电路基板114通过第一凸块140固定在散热基板130的第一表面(例如上表面)，且第二电路基板124通过第二凸块143固定在散热基板130的第二表面(例如下表面)。
第一凸块140包括至少一第一导热凸块141，可将第一发光元件112产生的热H传导至散热基板130，且第一凸块140还可包括至少一第一电极凸块142，用以电性连接散热基板130上的一第一电极接垫137。此外，第二凸块143包括至少一第二导热凸块144，可将第二发光元件122产生的热H传导至散热基板130，且第二凸块143还可包括至少一第二电极凸块145，用以电性连接散热基板130上的一第二电极接垫138。第一凸块140及第二凸块143可为焊料凸块、无铅凸块、金凸块、铜凸块等，本发明对此不加以限制。
参照图1A，散热基板130容置于一基座150中，而固定件146用以将散热基板130的相对两侧固定于基座150上。在一实施例中，基座150具有一连接部150A。连接部150A例如由基座150的两个组件组合而成，第一组件152具有一第一开口区151，第二组件154具一有第二开口区153。当基座150与发光装置100未接合时，可先将散热基板130设置于第一组件152与第二组件154之间，并夹持住散热基板130的两端。固定件146分别穿过散热基板130、第一组件152与第二组件154，而将发光装置100固定在基座150的连接部150A上，使第一发光单元110及第二发光单元120分别于第一开口区151及第二开口区153中露出，并朝基座150的上下两侧出光，而作为双面光源。
在本实施例中，固定件146例如为螺丝、卡扣件、铆钉或其他固持结构，而连接部150A及散热基板130设有穿孔，可让固定件146穿过以将散热基板130固定在连接部150A，但在本发明其他实施例中固定件146不局限于本实施例附图所示出。散热基板130固定于基座150的连接部150A之后，第一发光单元110及第二发光单元120可通过散热基板130将热H传导至连接部150A。因此，可减少发光装置100的热累积，以提高发光装置100的发光效率。
参照图1A及图2A，其中图2A的散热基板130是示出图1A中发光装置100的散热基板130的剖面示意图。在一实施例中，散热基板130例如为金属芯印刷电路板(Metal CorePCB,MCPCB)或其他高散热的载板。以双面覆铜的铜芯基板为例，散热基板130包括一金属芯层131、一图案化第一绝缘层135、一图案化第二绝缘层136、多个第一电极接垫137、多个第二电极接垫138、一图案化第一防焊层1391以及一图案化第二防焊层1392。金属芯层131具有一体成形的一芯部132及位于芯部132的上下两侧的一第一金属块部133以及一第二金属块部134。图案化第一绝缘层135及图案化第二绝缘层136包覆金属芯层131上下两侧的周围，显露出第一金属块部133的上表面1331及第二金属块部134的下表面1341。此外，第一电极接垫137设置于图案化第一绝缘层135上，图案化第一防焊层1391覆盖图案化第一绝缘层135且显露出第一电极接垫137。另外，第二电极接垫138设置于图案化第二绝缘层136上，图案化第二防焊层1392覆盖图案化第二绝缘层136且显露出第二电极接垫138。
参照图2A，在一实施例中，金属芯层131的芯部132由中心沿着一水平方向往两侧延伸，而第一金属块部133与第二金属部块134分别突出于芯部132相对的上下两侧。因此，在图1A中的第一发光元件112及第二发光元件122产生的热H，可分别经由相互接触的第一导热凸块141与第一金属块部133以及相互接触的第二导热凸块144与第二金属块部134传导至芯部132，再由芯部132传导至散热基板130的两侧的连接部150A，以增加散热效率。在一实施例中，第一金属块部133及第二金属块部134的上表面1331及下表面1341还可分别设置一第一抗氧化层1332及一第二抗氧化层1342，第一抗氧化层1332及第二抗氧化层1342的材质例如为金或银。
参照图1A及图2B，其中图2B的散热基板130示出图1A的发光装置100的散热基板130另一实施例的剖面示意图。在另一实施例中，散热基板130包括一金属芯层131’、一第一金属块133’、一第二金属块134’、一图案化第一绝缘层135、一图案化第二绝缘层136、一第一导电层1371、一第二导电层1381、至少一第一电极接垫137、至少一第二电极接垫138、一图案化第一防焊层1391以及一图案化第二防焊层1392。金属芯层131’设置于第一金属块133’及第二金属块134’之间，图案化第一绝缘层135及图案化第二绝缘层136包覆金属芯层131’上下侧面的周围，仅显露出第一金属块133’的上表面1331’及第二金属块134’的下表面1341’。此外，第一电极接垫137设置于第一导电层1371上，图案化第一防焊层1391覆盖第一导电层1371且显露出第一电极接垫137。另外，第二电极接垫138设置于第二导电层1381上，图案化第二防焊层1392覆盖第二导电层1381且显露出第二电极接垫138。
参照图2B，在一实施例中，金属芯层131’由中心沿着一水平方向往两侧延伸，而第一金属块133’与第二金属块134’分别突出于金属芯层131’相对的上下两侧。因此，在图1A中的第一发光元件112及第二发光元件122产生的热H可分别经由相接触的第一导热凸块141与第一金属块133’以及相接触的第二导热凸块144与第二金属块134’传导至金属芯层131’，再由金属芯层131’传导至散热基板130的两侧，以增加散热效率。在一实施例中，第一金属块133’及第二金属块134’的上表面1331’及下表面1341’还可分别设置一第一抗氧化层1332及一第二抗氧化层1342，第一抗氧化层1332及第二抗氧化层1342的材质例如为金或银。此外，第一金属块133’、第二金属块134’及金属芯层131’的材质例如为铜、铝或其组合。
依照本发明的另一实施例，提出一种发光装置。参照图1B，发光装置101包括一第一发光单元110、一第二发光单元120、一散热基板130以及多个固定件146。本实施例与上述实施例的发光装置100相似，相同的元件以相同的元件符号表示，不同之处在于，第一发光单元110与第二发光单元120可直接设置于散热基板130上，不需通过电路基板设置于散热基板130上。
第一发光单元110及第二发光单元120例如是发光二极管模块，第一发光元件112设置在散热基板130的第一表面(例如上表面)，且第二发光元件122设置在散热基板130的第二表面(例如下表面)。散热基板130例如是陶瓷基板、金属芯印刷电路板(MCPCB)或其他具有导电线路的载板，本发明对此不加以限制。
如图1B所示，散热基板130容置于一基座150中，而固定件146用以将散热基板130的相对两侧固定于基座150的连接部150A上，使第一发光单元110及第二发光单元120分别显露于基座150的一第一开口区151及一第二开口区153中，以作为双面光源。
参照图3A、图3B及图4A，其中图3A及图3B分别示出依照本发明一实施例的发光装置200的正面及背面示意图，图4A示出图3A的发光装置200沿着A-A’剖面的剖面示意图。发光装置200包括一第一发光单元110、一第二发光单元120以及一散热基板230。上述的散热基板230可应用于图1B中作为散热基板130。
散热基板230包括一基材231、多个第一电极接垫237、多个第二电极接垫238以及多个导通孔234。第一电极接垫237设置于基材231的第一表面232，第二电极接垫238设置于基材231的第二表面233。第一电极接垫237与第二电极接垫238通过贯穿基材231的导通孔234电性连接。第一发光单元110包括至少一第一发光元件112，其与散热基板230的第一表面232上的第一电极接垫237电性连接。第二发光单元120包括至少一第二发光元件122，其与散热基板230的第二表面233上的第二电极接垫238电性连接。导通孔234贯穿基材231并电性连接于第一电极接垫237与第二电极接垫238之间。
在一实施例中，散热基板230还可包括用以围绕一第一封装区235的第一环状金属层240以及围绕一第二封装区239的第二环状金属层241。多个第一电极接垫237及多个第一发光元件112位于第一封装区235内，多个第一电极接垫237通过多个第一间隔沟槽2352相互隔离，且每个第一发光元件112横跨于相对应的第一间隔沟槽2352上方并与两相邻的第一电极接垫237电性连接，以形成一第一串联电路。此外，多个第二电极接垫238及多个第二发光元件122位于第二封装区239中，多个第二电极接垫238通过多个第二间隔沟槽2392相互隔离，且每个第二发光元件122横跨于相对应的第一间隔沟槽2392上方并与两相邻的第二电极接垫238电性连接，以形成一第二串联电路。
参照图3A，在本实施例中，散热基板230还可包括连接至第一串联电路及第二串联电路的例如一正电压电极243以及例如一负电压电极244，用以分别接收来自于一电源的一正电压以及一负电压。正电压电极243与负电压电极244例如设置于散热基板230的第一表面232上，并可通过分别穿过第一环状金属层240的一第一连接线2421与一第二连接线2422，与两分离的第一电极接垫237电性连接。在另一实施例中(未示出于附图中)，正电压电极243与负电压电极244例如设置于散热基板230的第二表面233，并可通过分别穿过第二环状金属层241的二个连接线与两分离的第二电极接垫238电性连接。
参照图4B，在另一实施例中，散热基板230的上下相对两侧的封装区内，还可分别包括一第一封装材料116以及一第二封装材料126。各个封装材料116、126分别具有一第一封胶体1161、1261以及一第二封胶体1162、1262。于散热基板230的第一表面232上，第一封胶体1161至少部分设置于第一沟槽2351内并且环绕该些第一电极接垫237与该些第一发光元件112。第二封胶体1162位于该些第一电极接垫237上方及第一间隔沟槽2352内，并包覆该些第一发光元件112。此外，于散热基板230的第二表面233上，第一封胶体1261至少部分设置于第二沟槽2391内并且环绕于该些第二电极接垫238与该些第二发光元件122。第二封胶体1262位于第二电极接垫238上方及第二间隔沟槽2392内，并包覆该些第二发光元件122。
第一封胶体1161及第二封胶体1162例如为环氧树脂之类的热固性高分子材料，先将半固化的第一封胶体1161填入于第一沟槽2351及第二沟槽2391内并加热固化以形成一封闭的或开放的环状堤坝(dam)，接着，将半固化的第二封胶体1162分别填入第一封胶体1161于散热基板230的上下侧表面所围成的空间内，以包覆第一发光元件112及第二发光元件122的周围并加热固化。上述的填胶制造可于散热基板230的第一表面232上形成第一封胶体1161及第二封胶体1162之后并加热固化，再于散热基板230的第二表面233上形成另一个第一封胶体1161及另一个第二封胶体1162并加热固化。
参照图4B，在一实施例中，发光装置200还可包括一第一波长转换层118以及一第二波长转换层128。第一波长转换层118设置于该些第一发光元件112上，第二波长转换层128设置于该些第二发光元件122上。第一波长转换层118例如覆盖全部第一发光元件112的上表面，亦即，在本实施例中，第一波长转换层118的水平尺寸S1相对大于第一发光元件112的水平尺寸S2。此外，第二波长转换层128例如覆盖部分第二发光元件122的上表面，亦即，在本实施例中，第二波长转换层128的水平尺寸S1相对大于第二发光元件122的水平尺寸S2。也就是说，第一波长转换层118的侧面118S延伸超过第一发光元件112的侧面112S之外，第二波长转换层128的侧面128S延伸超过第二发光元件122的侧面122S之外。
在一实施例中，波长转换层例如是由硫化物(Sulfide)、钇铝石榴石(YAG)、LuAG、硅酸盐(Silicate)、氮化物(Nitride)、氮氧化物(Oxynitride)、氟化物(Fluoride)、TAG、KSF、KTF等荧光体材料所制成。
在一实施例中，第二封胶体1162例如为光反射性材料，第二封胶体1162可将自发光元件112、122的侧面发出的至少部分光线反射至波长转换层118、128，以增加发光装置100的出光效率。在一实施例中，第二封胶体1162也可延伸至波长转换层118、128的侧面，使波长转换层118、128的上表面与第二封胶体1162的上表面大致上切齐，如图4C所示。
参照图4C，在一实施例中，可采用例如是涂布或点胶技术，形成一第一粘胶1163于该些第一发光元件112的上表面。接着，将第一波长转换层118设置于第一粘胶1163上，由于第一粘胶1163被第一波长转换层118挤压，使第一粘胶1163往第一发光元件112的两侧流动而形成一第一侧部1164。第一侧部1164因胶体干燥固化后的表面张力作用而形成一凹面，第一侧部1164至少部分覆盖第一发光元件112的侧面112S。此外，由于第二封胶体1162覆盖于第一侧部1164的周围，因此，第二封胶体1162对应于凹面形成朝向第一发光元件112的一凸面。第二封胶体1162的凸面可将自第一发光元件112侧面发出的至少部分光线反射至第一波长转换层118，以增加发光装置200的出光效率。
同样，在图4C中，可采用例如是涂布或点胶技术，形成一第二粘胶1263于该些第二发光元件122的上表面。接着，将第二波长转换层128设置于第二粘胶1263上，由于第二粘胶1263被第二波长转换层128挤压，使第二粘胶1263往第二发光元件122的两侧流动而形成一第二侧部1264。第二侧部1264因胶体干燥固化后的表面张力作用而形成一凹面，第二侧部1264至少部分覆盖第二发光元件122的侧面122S。此外，由于第二封胶体1162覆盖于第二侧部1264的周围，因此，第二封胶体1162对应于凹面形成朝向第二发光元件122的一凸面。第二封胶体1162的凸面可将自第二发光元件122侧面发出的至少部分光线反射至第二波长转换层128，以增加发光装置200的出光效率。
参照图4D，在一实施例中，第一波长转换层118的水平尺寸S1例如实质等于第一发光元件112的水平尺寸S2。也就是说，第一波长转换层118的侧面118S实质切齐于第一发光元件112的侧面112S。同样，第二波长转换层128的侧面切齐于第二发光元件122的侧面122S。此外，虽然附图未示出，在另一实施例中，波长转换层的水平尺寸例如小于发光元件的水平尺寸，也就是说，波长转换层仅覆盖发光元件的部分上表面，使得波长转换层的侧面内缩于发光元件的侧面之内。
在一实施例中，散热基板230的基材231例如由陶瓷材料所形成，陶瓷材料可例如包括氮化铝、氧化铝。此外，虽然图未示出，发光元件112、122可包含第一型半导体层、第二型半导体层及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层。第一型半导体层例如是N型半导体层，而第二型半导体层则为P型半导体层。发光元件112、122例如以覆晶方式固定于电极接垫上。由于以陶瓷材料制作的散热基板230的基材231与发光元件112、122的热膨胀系数相近，可避免发光元件112、122受到热应力破坏，进而提高发光元件的封装可靠度，且发光元件产生的热可快速经由散热基板230传导，以减少发光元件的热累积。
第一环状金属层240、第二环状金属层241、第一电极接垫237、第二电极接垫238的材质例如为铜，例如以图案化的铜层形成。在某些实施例中，散热基板230可进一步包括形成一镀层(图未示出)于图案化的铜层上，以防止铜层氧化。
在一实施例中，可以用喷涂或表面贴合荧光胶片的方式于发光元件的上表面上形成波长转换层。利用喷涂的方式可于发光元件上形成较共形的(conformal)波长转换层。
依照本发明一实施例，提出一种发光装置，以作为由成串的发光二极管所组成的灯丝体(filament)光源。参照图5A及图5B，发光装置300包括一第一发光单元110、一第二发光单元120以及一散热基板330。第一发光单元110包括多个第一发光元件112，第二发光单元120包括多个第二发光元件122。第一发光元件112串联排列在散热基板330的第一电极接垫237上，以形成第一串联电路。第二发光元件122串联排列在散热基板330的第二电极接垫238上，以形成第二串联电路。此外，第一串联电路与第二串联电路可通过贯穿散热基板330的基材331的导通孔334彼此电性连接。虽然图未示出，在本实施例中，散热基板330还可包括连接至第一串联电路及第二串联电路的一正电极接垫以及一负电极接垫，用以分别接收来自于一电源的一正电压以及一负电压。图5A及图5B的发光装置300相似，差异仅在于：在图5A中，第一发光元件112与第二发光元件122上下对齐配置；在图5B中，第一发光元件112与第二发光元件122上下交错配置。
此外，发光装置300还可包括一第一波长转换层118以及一第二波长转换层128。第一波长转换层118设置于第一发光元件112上，第二波长转换层128设置于第二发光元件122上。第一波长转换层118例如以喷涂或点胶的方式覆盖所有第一发光元件112的表面，且第二波长转换层128例如以喷涂或点胶的方式覆盖所有第二发光元件122的表面。
在一实施例中，散热基板330的基材331例如由陶瓷材料所形成，陶瓷材料可例如包括氮化铝、氧化铝。在另一实施例中，基材331可为金属芯印刷电路板(MCPCB)或其他具有导电线路的载板，以提高散热效果。
接着，依照本发明一实施例，提出另一种发光装置400。参照图6A及图6B，发光装置400包括一电路基板410、一散热芯板420以及一第一发光单元110。电路基板410具有一开口412，用以容纳散热芯板420，以组合一散热基板430。电路基板410例如是印刷电路板或其他具有导电线路的载板，散热芯板420例如为陶瓷基板、铜芯基板或金属芯印刷电路板(MCPCB)。电路基板410与散热芯板420之间可通过绝缘层相连为一体，以将散热芯板420固定于电路基板410中。此外，第一发光单元110包括至少一第一发光元件112，且第一发光元件112可通过后续制作的电极接垫彼此电性连接，以形成一第一串联电路。正电压电极243与负电压电极244例如设置于散热基板430的第一表面432，并可通过一第一连接线2421与一第二连接线2422分别与第一电极接垫电性连接。
参照图7，其示出图6B的发光装置400沿着B-B’剖面的剖面示意图。图案化第一绝缘层135及图案化第二绝缘层136包覆电路基板410与散热芯板420，至少一第一电极接垫237以及一图案化第一防焊层1391形成于图案化第一绝缘层135上。图案化第一防焊层1391覆盖图案化第一绝缘层135且显露出第一电极接垫237。此外，发光装置400还可包括设置于图案化第一绝缘层135上且连接至第一串联电路的至少一正电压电极243以及至少一负电压电极244，用以分别接收来自于一电源的一正电压以及一负电压。此外，正电压电极243以及负电压电极244可通过各自对准的导电孔2441、2431与电路基板410电性连接。上述图6A、图6B及图7的散热基板430可作为图4A至图4D所示出的双面发光装置200的散热基板230或图1B所示出的双面发光装置101的散热基板130。
参照图6B，由于散热芯板420固定于电路基板410中，第一发光单元110可通过散热芯板420将热传导至外部。因此，可减少发光装置400的热累积，以提高发光装置400的发光效率。
本发明上述实施例所揭示的发光装置，可通过散热效率更高的散热基板将热传导出去，避免发光元件的热累积，以提高发光元件的发光性能，增加发光元件的寿命。
综上所述，虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更改与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。
Claims (11)
1.一种发光装置，包括：
第一发光单元；
第二发光单元；
散热基板，设置于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间；以及
多个导通孔，设置于所述散热基板中，其中所述第一发光单元与所述第二发光单元经由所述多个导通孔电性连接，其中所述散热基板包括多个第一电极接垫、多个第二电极接垫、第一环状金属层以及第二环状金属层，所述多个第一电极接垫及所述第一发光单元位于所述第一环状金属层所围成的第一封装区中，并且所述多个第二电极接垫及所述第二发光单元位于所述第二环状金属层所围成的第二封装区中，其中所述散热基板还包括正电压电极与负电压电极，所述正电压电极与所述负电压电极通过分别穿过所述第一环状金属层的第一连接线与第二连接线与所述多个第一电极接垫电性连接。
2.根据权利要求1所述的发光装置，还包括第一封装材料以及第二封装材料，分别覆盖所述第一环状金属层所围成的所述第一封装区及所述第二环状金属层所围成的所述第二封装区。
3.根据权利要求1所述的发光装置，还包括第一波长转换层以及第二波长转换层，分别覆盖于所述第一发光单元与所述第二发光单元上。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述第一发光单元包括多个第一发光元件、第一封胶体以及第二封胶体，所述第一封胶体环绕所述多个第一发光元件，并且所述第二封胶体设置于环绕所述多个第一电极接垫的第一沟槽内。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述第一波长转换层的上表面与所述第一封胶体的上表面大致上切齐。
6.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述第一波长转换层的水平尺寸实质等于所述多个第一发光元件中的每个第一发光元件的水平尺寸。
7.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述第一封胶体由光反射性材料形成。
8.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述第二发光单元包括多个第二发光元件、第一封胶体和第二封胶体，所述第一封胶体环绕所述多个第二发光元件，并且所述第二封胶体设置于环绕所述多个第二电极接垫的沟槽内。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其中所述第二波长转换层的上表面与所述第二封胶体的上表面大致上切齐。
10.根据权利要求8所述的发光装置，其中所述第二波长转换层的水平尺寸实质等于所述多个第二发光元件中的每个第二发光元件的水平尺寸。
11.根据权利要求8所述的发光装置，其中所述第一封胶体由光反射性材料形成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762581758P | 2017-11-05 | 2017-11-05 | |
| US62/581,758 | 2017-11-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109994458A CN109994458A (zh) | 2019-07-09 |
| CN109994458B true CN109994458B (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=66632749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811309026.9A Active CN109994458B (zh) | 2017-11-05 | 2018-11-05 | 发光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10784423B2 (zh) |
| CN (1) | CN109994458B (zh) |
| TW (1) | TW201919261A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109282178B (zh) * | 2018-08-24 | 2022-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 灯条及其制备方法、显示装置 |
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| TWI657597B (zh) | 2015-03-18 | 2019-04-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 側照式發光二極體結構及其製造方法 |
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- 2018-11-05 TW TW107139197A patent/TW201919261A/zh unknown
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- 2018-11-05 CN CN201811309026.9A patent/CN109994458B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109994458A (zh) | 2019-07-09 |
| TW201919261A (zh) | 2019-05-16 |
| US20190165232A1 (en) | 2019-05-30 |
| US10784423B2 (en) | 2020-09-22 |
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