KR20120082190A - 발광소자 패키지 - Google Patents
발광소자 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120082190A KR20120082190A KR1020110003554A KR20110003554A KR20120082190A KR 20120082190 A KR20120082190 A KR 20120082190A KR 1020110003554 A KR1020110003554 A KR 1020110003554A KR 20110003554 A KR20110003554 A KR 20110003554A KR 20120082190 A KR20120082190 A KR 20120082190A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- emitting device
- device package
- shape
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
발광소자 패키지가 개시된다. 개시된 발광소자 패키지는 서로 마주하는 제1면과 제2면을 구비하는 기판; 상기 제1면 상에 배치된 발광칩; 상기 제2면 상에 상기 발광칩을 외부 소자와 전기적으로 연결하기 위해 마련된 전극패드부;를 포함하며, 상기 전극패드부는 상기 제2면의 중심을 지나는 법선을 회전축으로 한 소정 각도에 대해 회전 대칭성이 있는 형상을 가진다.
Description
본 개시는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN접합을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
이러한 LED는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어, 여러가지 용도로 적용이 가능하다.
LED용 패키지는 작고 가벼우면서 또한 고 열방출 특성을 가지고 있어야 한다. 또한, SMD 타입은 세트의 보드나 모듈 보드에 실장시 보드와의 연결을 위해서 솔더링(soldering)을 통한 접속을 하게 되는데, 이 때 접합 패드의 크기, 형상등에 따라서 패키지가 회전하여, +, - 전극 방향에 맞지 않게 되는 경우나, 한쪽으로의 쏠림현상이 나타나 열방출 경로에 영향이 있는 경우등은 잘못된 실장으로서, 불량의 원인이 된다.
실장 불량을 줄일 수 있는 패키지 전극 구조를 가지는 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
일 유형에 따르는 발광소자 패키지는 서로 마주하는 제1면과 제2면을 구비하는 기판; 상기 제1면 상에 배치된 발광칩; 상기 제2면 상에 상기 발광칩을 외부 소자와 전기적으로 연결하기 위해 마련된 전극패드부;를 포함하며, 상기 전극패드부는 상기 제2면의 중심을 지나는 법선을 회전축으로 한 소정 각도에 대해 회전 대칭성이 있는 형상을 가진다.
상기 전극 패드부는, 상기 제2면에 중심부에 마련되고, 상기 회전 대칭성이 있는 형상을 가지는 내측전극과, 상기 내측전극과 이격되어 상기 내측전극을 둘러싸는 형상의 외측전극을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 제1면 상에 상기 내측전극과 전기적으로 연결되는 제1 상부전극 및 상기 외측전극과 전기적으로 연결되는 제2 상부전극이 마련될 수 있고, 이 경우, 상기 기판을 관통하여, 상기 내측전극과 제1 상부전극을 통전하는 제1 도전성비어; 상기 기판을 관통하여, 상기 외측전극과 제2 상부전극을 통전하는 제2 도전성비어;를 더 포함할 수 있다.
상기 외측전극은 서로 이격된 복수의 영역으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2면의 외형은 직사각형이고, 상기 외측전극을 이루는 상기 복수의 영역은 각각 상기 직사각형의 네 모서리부에 배치될 수 있으며, 상기 복수의 영역은 원형, ㄱ자형 또는 삼각형 형상을 가질 수 있다.
또는, 상기 제2면의 외형은 직사각형이고, 상기 외측전극의 상기 복수의 영역은 각각 상기 직사각형의 네 변에 대응하는 위치에 마련되고, 상기 네 변 각각과 나란한 직사각형 형상을 가질 수 있다.
또는, 상기 제2면의 외형은 직사각형이고, 상기 복수의 영역은 각각 상기 직사각형의 모서리에 배치될 수 있다.
상기 제1면 상에 상기 내측전극과 전기적으로 연결되는 제1 상부전극 및 상기 외측전극과 전기적으로 연결되는 제2 상부전극이 마련될 수 있으며, 이 경우, 상기 기판을 관통하여, 상기 내측전극과 제1 상부전극을 통전하는 제1도전성비어; 상기 기판을 관통하여, 상기 복수의 서브전극 각각과 상기 제2 상부전극을 통전하는 복수의 제2비어;를 더 포함할 수 있다.
상기 제2상부전극은 서로 이격된 복수의 영역으로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 상기 기판을 관통하여, 상기 내측전극과 제1 상부전극을 통전하는 제1도전성비어; 상기 기판을 관통하여, 상기 외측전극과 상기 복수의 영역 각각을 통전하는 복수의 제2도전성비어;를 더 포함할 수 있다.
상기 제2면의 외형이 정사각형이고, 상기 내측전극은 90도 회전에 대해 대칭성을 가지는 형상일 수 있으며. 예를 들어, 상기 내측전극은 원형, 마름모 또는 변의 개수가 2N(N은 짝수)인 정다각형 형상을 가질 수 있다.
상기 제2면의 외형은 직사각형이고, 상기 내측전극은 180도 회전에 대해 대칭성을 가지는 형상일 수 있으며, 예를 들어, 상기 상기 내측전극은 원형, 타원형, 마름모 또는 변의 개수가 2N(N은 자연수)인 정다각형 형상을 가질 수 있다.
또한, 일 유형에 따르면, 발광소자 세트보드는 상기 발광소자 패키지; 상기 발광소자 패키지가 마운트되는 랜드부;를 포함한다.
상기 랜드부는 상기 내측전극과 접합되는 내부랜드와, 상기 외측전극과 접속되는 외부랜드를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 외부랜드는 복수개의 영역으로 분리된 형상을 가질 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 패키지 전극 패턴을 개선하여 실장 불량 발생을 최소화하고 있다. 예를 들어, 90도 또는 180도 회전 실장되어도 전기적 불량이 일어나지 않는 형태의 전극 패턴을 가지므로, 검사 공정 추가가 불필요하며, 생산성이 향상된다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 구성을 보이는 단면도이다.
도 2a는 도 1의 발광소자 패키지의 상면도이다.
도 2b는 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 세트보드로서, 도 1의 발광소자 패키지가 세트보드에 실장될 때 세트보드의 랜드부에 대응하는 관계를 보인다.
도 4a 및 도 4b는 발광소자 패키지와 세트보드의 랜드부의 대응관계로서, 각각 발광소자 패키지가 정상 위치 및 180도 회전된 위치에 있는 경우를 보인다.
도 5는 랜드부 형상의 다른 예를 보인다.
도 6 내지 도 9는 도 1의 발광소자 패키지의 상부 전극 형상의 다양한 변형예들을 보인다.
도 10 내지 도 18은 도 1의 발광소자 패키지 하면에 형성된 전극패드부 형상의 다양한 변형예들을 보인다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>
100...발광소자 패키지 110...기판
132...제1 상부전극 134...제2 상부전극
140, 440, 540, 640, 740, 840, 1040, 1140, 1240, 1340...전극패드부
142, 442, 542, 642, 742, 842, 1042, 1142, 1242, 1342...내측전극
144, 444, 544, 644, 744, 844, 1044, 1144, 1244, 1344...외측전극
152...제1 도전성비어 154...제2 도전성비어
160...발광칩 170...와이어
180...커버층 190...제너다이오드
200...세트보드 220...랜드부
222...내부랜드 224...외부랜드
도 2a는 도 1의 발광소자 패키지의 상면도이다.
도 2b는 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 세트보드로서, 도 1의 발광소자 패키지가 세트보드에 실장될 때 세트보드의 랜드부에 대응하는 관계를 보인다.
도 4a 및 도 4b는 발광소자 패키지와 세트보드의 랜드부의 대응관계로서, 각각 발광소자 패키지가 정상 위치 및 180도 회전된 위치에 있는 경우를 보인다.
도 5는 랜드부 형상의 다른 예를 보인다.
도 6 내지 도 9는 도 1의 발광소자 패키지의 상부 전극 형상의 다양한 변형예들을 보인다.
도 10 내지 도 18은 도 1의 발광소자 패키지 하면에 형성된 전극패드부 형상의 다양한 변형예들을 보인다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>
100...발광소자 패키지 110...기판
132...제1 상부전극 134...제2 상부전극
140, 440, 540, 640, 740, 840, 1040, 1140, 1240, 1340...전극패드부
142, 442, 542, 642, 742, 842, 1042, 1142, 1242, 1342...내측전극
144, 444, 544, 644, 744, 844, 1044, 1144, 1244, 1344...외측전극
152...제1 도전성비어 154...제2 도전성비어
160...발광칩 170...와이어
180...커버층 190...제너다이오드
200...세트보드 220...랜드부
222...내부랜드 224...외부랜드
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 개략적인 구성을 보이는 단면도이고, 도 2a 및 도 2b는 각각 도 1의 발광소자 패키지(100)의 상면도 및 저면도이다.
도면들을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 서로 마주하는 제1면(110a)과 제2면(110b)을 구비하는 기판(110), 제1면(110a) 상에 배치된 발광칩(160), 제2면(110b) 상에 발광칩(160)을 외부 소자와 전기적으로 연결하기 위해 마련된 전극패드부(140)를 포함한다.
실시예에서 전극패드부(140)는 발광소자 패키지(100)가 외부 소자에 실장될 때, 불량 발생을 최소화할 수 있는 패턴을 갖도록 설계되고 잇다. 이를 위하여, 전극패드부(140)는 제2면(110b)의 중심(C)을 지나는 법선을 회전축으로 한 소정 각도에 대해 회전 대칭성이 있는 형상을 가진다. 이러한 경우, 발광소자 패키지(100)가 상기 소정 각도만큼 오정렬되어 외부 소자에 실장되어도 올바른 실장과 차이가 없어 불량이 되지 않기 때문이다.
전극패드부(140)는 제2면(110b)에 중심부에 마련되고, 상기 회전 대칭성이 있는 형상을 가지는 내측전극(142)과, 내측전극(142)과 이격되어 내측전극(142)을 둘러싸는 형상의 외측전극(144)을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 2b에 도시된 바와 같이, 내측전극(142)이 직사각형 형상을 가지며, 외측전극(144)은 내측전극(142)을 일정한 간격으로 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
또한, 제1면(110a) 상에 내측전극(142)과 전기적으로 연결되는 제1 상부전극(132) 및 외측전극(144)과 전기적으로 연결되는 제2 상부전극(134)이 마련될 수 있고, 이 경우, 상기 기판(110)을 관통하여 내측전극(142)과 제1 상부전극(132)을 통전하는 제1 도전성비어(152)와, 기판(110)을 관통하여 외측전극(144)과 제2 상부전극(134)을 통전하는 제2 도전성비어(154)를 더 포함할 수 있다. 제1 도전성비어(142)나 제2 도전성비어(154)의 개수는 도시된 개수에 한정되지 않는다. 또한, 도면에는, 내측전극(142)과 제1 상부전극(132)이 동일한 형상으로, 외측전극(144)과 제2 상부전극(134)이 동일한 형상으로, 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며, 제1 도전성비어(152)와 제2 도전성비어(154)를 통해 상호간에 전도 경로를 형성할 수 있는 다양한 형상을 가질 수 있다.
발광칩(160)은 화합물 반도체로 이루어진 발광층과 양단에 + 전극, - 전극을 포함하는 구성일 수 있으며, 전압이 인가되면 발광층을 이루는 재질에 따라 소정 컬러의 광이 방출된다. 발광칩(160)은 - 전극이 제1 상부전극(132)과 전기적 연결되도록 제1 상부전극(132)상에 배치되고, 발광칩(160)의 +전극은 제2 상부전극(134)과 와이어(170)를 통해 서로 본딩될 수 있다. 제1 상부전극(132)이 제1 도전성비어(152)를 통해, 내측전극(142)과 통전되고, 제2 상부전극(134)이 제2 도전성비어(154)를 통해 외측전극(144)과 통전되므로, 내측전극(142)과 외측전극(144)은 발광칩(160)을 외부 소자와 전기적으로 연결하고 발광칩(160)의 - 극 + 극에 전압을 인가하는 전극패드부(140)를 이루게 된다. 내측전극(142)은 - 극성, 외측전극(144)은 + 극성을 가지는 배치로 설명되었지만, 발광칩(160)의 전극 설계나 배치에 따라 상기 극성은 서로 바뀔수도 있다.
제1 상부전극(132) 상에는 정전기 등에 의한 발광칩(160)의 손상을 방지하는 반도체 소자로서 제너다이오드(190)가 더 배치될 수 있다.
또한, 발광칩(160)을 보호하고 발광칩(160)에서 방출된 광의 지향성을 조절하기 위한 렌즈 형상의 커버층(170)이 더 형성될 수 있다. 커버층(170)은 도시된 형상에 한정되는 것은 아니며, 렌즈의 역할은 하지 않고 발광칩(160)을 보호하는 역할만을 위해 플랫한 형상을 가질 수도 있다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 세트보드(300)로서, 도 1의 발광소자 패키지(100)가 세트보드(200)에 실장될 때 세트보드(200)의 랜드부(220)에 대응하는 관계를 보인다. 또한, 도 4a 및 도 4b는 발광소자 패키지(100)와 랜드부(220)의 대응관계로서, 각각 발광소자 패키지(100)가 정상 위치 및 180도 회전된 위치에 있는 경우를 보인다.
도 3을 참조하면, 발광소자 세트보드(300)는 발광소자 패키지(100)와 발광소자 패키지(100)가 마운트되는 랜드부(220)가 구비된 세트보드(200)를 포함한다. 랜드부(200)는 발광소자 패키지(100)의 내측전극(142) 및 외측전극(144)의 형상에 각각 대응하는 내부랜드(222)와 외부랜드(224)를 포함한다. 즉, 도시된 바와 같이, 랜드부(220)는 내측전극(142)과 접합되는 내부랜드(222)와, 외측전극(144)과 접합되는 외부랜드(224)를 포함하여 구성될 수 있다.
발광소자 패키지(100) 하면의 내측전극(142), 외측전극(144)의 이러한 형상에 의해, 세트보드(200)에 발광소자 패키지(100)를 실장할 때, 불량이 발생할 가능성은 현저히 줄어들게 된다. 예를 들어, 도 4b와 같이 발광소자 패키지(100)가 180도 회전된 위치로 랜드부(220)에 접합되는 경우에도 도 4a와 같이 정상적인 위치로 발광소자 패키지(100)가 세트보드의 랜드부(220)에 접합되는 경우와 비교할 때, 전기적 극성에 차이가 없기 때문에, 실질적으로는 동일한 정상 접합에 해당하기 때문이다. 도면에서는 발광소자 패키지(100)의 제2면(110b)의 외형이 직사각형 형상인 것을 예시하고 있으나, 정사각형 형상도 가능하며, 이 경우, 90도 회전에 대해서도 대칭성을 갖게 되며, 실장 불량의 요인은 더욱 줄어들게 된다.
도 5는 랜드부(220') 형상의 다른 예를 보인다. 랜드부(220') 형상은 세트보드의 구체적인 디자인, 예를 들어, 단면 PCB 또는 양면 PCB 여부나 솔더링(soldering) 공정 등을 고려하여 다양한 형태를 가질 수 있다. 도시된 바와 같이, 외부랜드(224')는 복수개의 영역으로 분리된 형상을 가질 수 있다. 이러한 형상은 PCB가 단면 PCB인 경우, PCB 설계시 패키지 실장면에서 PCB 상의 패턴들을 내부 랜드(222)와 연결하기 위해서 외부랜드(224')를 분리하기 위한 것이다.
이와 달리, 도 4a 및 도 4b와 같이 외부랜드(224)가 일체형으로 연결된 형상을 가지는 것은 내부랜드(222)에 비어홀을 통해 다른 층으로부터 전류가 인가되도록 설계하는 경우가 될 수 있다.
도 6 내지 도 9는 도 1의 발광소자 패키지(100)의 상면, 즉, 제1면(110a)에 형성된 제1 상부전극(132) 및 제2 상부전극(134) 형상의 다양한 변형예들을 보인다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 상부전극(132)은 네 변 또는 두 변의 중심부에 인입부가 형성된 사각형 형상을 가지며, 제2 상부전극(134)은 상기 인입부에 대응하는 돌출부를 가지는 형상이다. 이러한 인입, 돌출 형상은 예를 들어, 발광칩(160)과 제너다이오드(190)의 와이어 본딩시의 편이성을 고려하여 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9는 발광칩(160)이 플립칩 본딩되는 경우로서, 제1 상부전극(132)은 네 변 또는 두 변의 중심부에 인입부가 형성된 사각형 형상을 가지며, 제2상부전극(134)은 이에 대응하는 돌출부를 가지는 형상이다. 발광칩(160)의 +, - 전극은, 와이어 본딩없이, 제1 상부전극(132), 제2 상부전극(134)에 각각 직접 접합되므로 제1 상부전극(132)의 인입부 길이 또는 제2 상부전극(134)의 돌출부 길이는 도 6, 도 7에 비해 크게 형성되어 있다.
도 10 내지 도 19는 도 1의 발광소자 패키지 하면에 형성된 전극패드부 형상의 다양한 변형예들을 보인다.
도 10의 전극패드부(440)는 내측전극(442)이 원형이고, 외측전극(444)이 원형의 내측전극(442)으로부터 일정 거리로 이격된 링형을 가지고 있다. 제2면(110b)의 외형이 정사각형인 경우, 전극패드부(440)는 90도 회전에 대해 대칭성을 가지는 형태가 된다.
도 11의 전극패드부(540)는 내측전극(542)이 타원형이고, 외측전극(544)이 타원형의 내측전극(542)으로부터 일정 거리로 이격된 타원 링형을 가지고 있다. 전극패드부(540)는 180도 회전에 대해 대칭성을 가지는 형태가 된다.
도 12의 전극패드부(640)는 내측전극(642)이 정육각형이고, 외측전극(644)은 정육각형의 내측전극(642)을 일정 이격 거리로 둘러싸는 형상을 가지고 있다. 전극패드부(640)는 180도 회전에 대해 대칭성을 가진다. 내측전극(642)이 정육각형으로 도시되었으나, 이외에도, 변의 개수가 2N(N은 자연수)인 정다각형 형상 또는 마름모 형상인 경우, 180도 회전에 대해 대칭성을 가지게 된다.
도 13의 전극패드부(740)는 내측전극(742)이 정팔각형이고, 외측전극(744)은 정육각형의 내측전극(742)을 일정 이격 거리로 둘러싸는 형상을 가지고 있다. 제2면(110b)의 외형이 정사각형 형상인 경우, 전극패드부(740)는 90도 회전에 대해 대칭성을 가진다. 내측전극(742)이 정팔각형으로 도시되었으나, 이외에도, 제2면(110b)의 외형이 정사각형이고, 내측전극(741)이 변의 개수가 2N(N은 짝수)인 정다각형 형상인 경우, 90도 회전에 대해 대칭성을 가지게 된다.
도 10 내지 도 13에 도시된 전극패드부(440, 540, 640, 740)는 도 2a 나 도 6 내지 도 9에서 설명한 형상의 제1 상부전극(132) 및 제2 상부전극(134)에 제1 도전성비어(152), 제2 도전성비어(154)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 설명된 전극패드부(440, 540, 640, 740)의 외측전극(444, 544, 644, 744)은 모두 일영역으로 연결된 형태를 가지고 있으므로, 이에 대응하는 제2 상부전극(134)은 도 2a, 도 6 내지 도 9에서 예시한 형상 외에도, 복수의 영역으로 분리된 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 복수의 영역은 각각 제2 도전성비어(154)를 통해 외측전극(444, 544, 644, 744)에 전기적 연결되도록 제2 도전성비어(154)가 구비되게 된다.
도 14 내지 도 18의 전극패드부(840, 1040, 1140, 1240, 1340)는 외측전극(844, 1044, 1144, 1244, 1344)이 서로 이격된 복수의 영역으로 구성된 경우이다. 예를 들어, 전극패드부(840, 1040, 1140, 1240, 1340)가 형성된 제2면의 외형은 직사각형이고, 외측전극(844, 1044, 1144, 1244, 1344)을 이루는 복수의 영역은 각각 상기 직사각형의 네 모서리부, 또는 네 변과 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 외측전극(844, 1044, 1144, 1244, 1344)이 이와 같이 복수의 영역으로 이루어진 경우, 제2 상부전극(134)은 일영역으로 연결된 형태를 가지고 있어야 하며, 복수의 영역 각각이 제2 도전성비어(154)를 통해 제2 상부전극(134)에 연결되도록 제2 도전성비어(154)가 구비되게 된다.
구체적으로 살펴보면, 도 14의 경우, 내측전극(842)은 정사각형의 네 모서리 부분이 대각선 방향으로 돌출된 형태이고, 외측전극(844)은 내측전극(842)과 소정 거리로 이격되고, 제2면(110b)의 네 변에 각각 대응하는 위치에 형성되어 잇다.
도 15의 경우, 내측전극(1042)은 정사각형 형상이고, 외측 전극(1044)은 정사각형 형상의 내측전극(1042)의 네 변에서 각각 이격된 직사각형 형상의 네 영역으로 구성되어 있다.
도 16의 경우, 내측전극(1142)은 정사각형의 네 변 중심부가 돌출된 형태이고, 외측전극은 인접하는 돌출부 사이 영역에 내측전극(1142)으로부터 소정 이격거리로 이격된 'ㄱ'자 형의 복수의 영역으로 구성되어 있다.
도 17의 경우, 내측전극(1242)은 원형이고, 외측전극(1244)은 제2면(110b)의 네 모서리 부근에 원형의 네 영역으로 구성되어 있다.
도 18의 경우, 내측전극(1342)은 마름모 형태이고, 외측전극은 제2면(110b)의 네 모서리 부근에 삼각형 형상의 영역으로 구성되어 있다.
도 14 내지 도 19에서 예시된 전극패드부(840, 1040, 1140, 1240, 1340) 형상은 도 6 내지 도 9에서 설명한 제1 상부전극(132), 제2 상부전극(134)의 형상과 다양하게 조합될 수 있다.
이상 설명한 발광소자 패키지 하면의 전극패드부는 다양한 형상이 설명되었으나, 예시적인 것으로 설명된 형상에 제한되지 않는다. 전극패드부는 설명된 형상 외에도, 소정 회전대칭성을 가지는 다양한 형상이 채용될 수 있다.
이러한 본원 발명인 발광소자 패키지는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
Claims (19)
- 서로 마주하는 제1면과 제2면을 구비하는 기판;
상기 제1면 상에 탑재된 발광칩;
상기 제2면 상에 상기 발광칩을 외부 소자와 전기적으로 연결하기 위해 마련된 전극패드부;를 포함하며,
상기 전극패드부는 상기 제2면의 중심을 지나는 법선을 회전축으로 한 소정 각도에 대해 회전 대칭성이 있는 형상을 가지는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 전극 패드부는,
상기 제2면에 중심부에 마련되고, 상기 회전 대칭성이 있는 형상을 가지는 내측전극과,
상기 내측전극과 이격되어 상기 내측전극을 둘러싸는 형상의 외측전극을 포함하는 발광소자 패키지. - 제2항에 있어서,
상기 제1면 상에 상기 내측전극과 전기적으로 연결되는 제1 상부전극 및 상기 외측전극과 전기적으로 연결되는 제2 상부전극이 마련된 발광소자 패키지. - 제3항에 있어서,
상기 기판을 관통하여, 상기 내측전극과 제1 상부전극을 통전하는 제1 도전성비어;
상기 기판을 관통하여, 상기 외측전극과 제2 상부전극을 통전하는 제2 도전성비어;를 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제3항에 있어서,
상기 외측전극은 서로 이격된 복수의 영역으로 이루어진 발광소자 패키지 - 제5항에 있어서,
상기 제2면의 외형은 직사각형이고,
상기 외측전극을 이루는 상기 복수의 영역은 각각 상기 직사각형의 네 모서리부에 배치된 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 복수의 영역은 원형, ㄱ자형 또는 삼각형 형상인 발광소자 패키지. - 제5항에 있어서,
상기 제2면의 외형은 직사각형이고,
상기 외측전극의 상기 복수의 영역은 각각 상기 직사각형의 네 변에 대응하는 위치에 마련되고, 상기 네 변 각각과 나란한 변을 가지는 사각형 형상을 갖는 발광소자 패키지. - 제5항에 있어서,
상기 제1면 상에 상기 내측전극과 전기적으로 연결되는 제1 상부전극 및 상기 외측전극과 전기적으로 연결되는 제2 상부전극이 마련된 발광소자 패키지. - 제9항에 있어서,
상기 기판을 관통하여, 상기 내측전극과 제1 상부전극을 통전하는 제1 도전성비어;
상기 기판을 관통하여, 상기 복수의 영역 각각과 상기 제2 상부전극을 통전하는 복수의 제2 도전성비어;를 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제3항에 있어서,
상기 제2상부전극은 서로 이격된 복수의 영역으로 이루어진 발광소자 패키지. - 제11항에 있어서,
상기 기판을 관통하여, 상기 내측전극과 제1 상부전극을 통전하는 제1 도전성비어;
상기 기판을 관통하여, 상기 외측전극과 상기 제2상부전그의 상기 복수의 영역 각각을 통전하는 복수의 제2 도전성비어;를 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제2항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2면의 외형이 정사각형이고,
상기 내측전극은 90도 회전에 대해 대칭성을 가지는 형상인 발광소자 패키지. - 제13항에 있어서,
상기 내측전극은 원형, 마름모 또는 변의 개수가 2N(N은 짝수)인 정다각형 형상을 가지는 발광소자 패키지. - 제2항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2면의 외형은 직사각형이고,
상기 내측전극은 180도 회전에 대해 대칭성을 가지는 형상인 발광소자 패키지. - 제15항에 있어서,
상기 내측전극은 원형, 타원형, 마름모 또는 변의 개수가 2N(N은 자연수)인 정다각형 형상인 발광소자 패키지. - 제2항 내지 제12항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지;
상기 발광소자 패키지가 마운트되는 랜드부;를 포함하는 발광소자 세트 보드. - 제17항에 있어서,
상기 랜드부는
상기 내측전극과 접합되는 내부랜드와,
상기 외측전극과 접합되는 외부랜드를 포함하여 구성되는 발광소자 세트보드. - 제15항에 있어서,
상기 외부랜드는 복수개의 영역으로 분리된 형상을 가지는 발광소자 세트보드.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110003554A KR20120082190A (ko) | 2011-01-13 | 2011-01-13 | 발광소자 패키지 |
TW100148251A TW201234683A (en) | 2011-01-13 | 2011-12-23 | Light-emitting device package |
US13/338,922 US20120181569A1 (en) | 2011-01-13 | 2011-12-28 | Light-emitting device package |
EP12150865A EP2477245A2 (en) | 2011-01-13 | 2012-01-12 | Light emitting diode package |
CN2012100103530A CN102593335A (zh) | 2011-01-13 | 2012-01-13 | 发光器件封装件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110003554A KR20120082190A (ko) | 2011-01-13 | 2011-01-13 | 발광소자 패키지 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120082190A true KR20120082190A (ko) | 2012-07-23 |
Family
ID=45464432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110003554A KR20120082190A (ko) | 2011-01-13 | 2011-01-13 | 발광소자 패키지 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120181569A1 (ko) |
EP (1) | EP2477245A2 (ko) |
KR (1) | KR20120082190A (ko) |
CN (1) | CN102593335A (ko) |
TW (1) | TW201234683A (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160095363A (ko) * | 2015-02-03 | 2016-08-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
KR20170112776A (ko) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 어레이 기판, 패널, 및 이를 포함하는 표시장치 |
WO2019125032A1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
KR20190135253A (ko) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140094752A (ko) * | 2013-01-22 | 2014-07-31 | 삼성전자주식회사 | 전자소자 패키지 및 이에 사용되는 패키지 기판 |
CN103972347A (zh) * | 2013-01-24 | 2014-08-06 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光元件的电极垫结构 |
WO2014208495A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置 |
US9153550B2 (en) * | 2013-11-14 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Substrate design with balanced metal and solder resist density |
CN104752369B (zh) * | 2013-12-27 | 2018-02-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 光电元件模组 |
JP6379542B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-08-29 | 日亜化学工業株式会社 | 照明装置 |
US9997676B2 (en) | 2014-05-14 | 2018-06-12 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
TWI557952B (zh) | 2014-06-12 | 2016-11-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光元件 |
TWI657597B (zh) * | 2015-03-18 | 2019-04-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 側照式發光二極體結構及其製造方法 |
US9882096B2 (en) | 2015-03-18 | 2018-01-30 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode structure and method for manufacturing the same |
CN111223975A (zh) | 2015-09-18 | 2020-06-02 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
USD806689S1 (en) * | 2015-10-28 | 2018-01-02 | Aiju Deng | Antenna |
TWI651870B (zh) | 2016-10-19 | 2019-02-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
DE102017114005A1 (de) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Trägerplatte für ein elektronisches Bauteil und elektronisches Bauelement |
USD829695S1 (en) * | 2017-07-10 | 2018-10-02 | Shenzhen BITECA Electron Co., Ltd. | HDTV antenna |
TW201919261A (zh) | 2017-11-05 | 2019-05-16 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光裝置 |
US10777764B2 (en) | 2017-12-25 | 2020-09-15 | Epistar Corporation | Light-emitting element and light-emitting device comprising the same |
CN109980077B (zh) * | 2017-12-25 | 2023-06-20 | 晶元光电股份有限公司 | 一种发光元件及其发光装置 |
JP7299768B2 (ja) * | 2019-06-21 | 2023-06-28 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置、半導体素子搭載用基板、および、その製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5741729A (en) * | 1994-07-11 | 1998-04-21 | Sun Microsystems, Inc. | Ball grid array package for an integrated circuit |
JP4828164B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-11-30 | ローム株式会社 | インタポーザおよび半導体装置 |
WO2006132151A1 (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Rohm Co., Ltd. | インタポーザおよび半導体装置 |
CN101304059B (zh) * | 2007-05-09 | 2010-09-08 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光二极管组件及发光二极管显示装置 |
US8436371B2 (en) * | 2007-05-24 | 2013-05-07 | Cree, Inc. | Microscale optoelectronic device packages |
-
2011
- 2011-01-13 KR KR1020110003554A patent/KR20120082190A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-12-23 TW TW100148251A patent/TW201234683A/zh unknown
- 2011-12-28 US US13/338,922 patent/US20120181569A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-01-12 EP EP12150865A patent/EP2477245A2/en not_active Withdrawn
- 2012-01-13 CN CN2012100103530A patent/CN102593335A/zh active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160095363A (ko) * | 2015-02-03 | 2016-08-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
KR20170112776A (ko) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 어레이 기판, 패널, 및 이를 포함하는 표시장치 |
WO2019125032A1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
KR20190076301A (ko) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
US11355674B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-06-07 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device package |
KR20190135253A (ko) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102593335A (zh) | 2012-07-18 |
EP2477245A2 (en) | 2012-07-18 |
TW201234683A (en) | 2012-08-16 |
US20120181569A1 (en) | 2012-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20120082190A (ko) | 발광소자 패키지 | |
US8921873B2 (en) | Light-emitting device | |
US9941449B2 (en) | Light emitting device | |
JP2003258313A (ja) | Ledチップを使用した発光装置の構造及び製造方法 | |
JP6056336B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5532021B2 (ja) | 発光装置 | |
US10957676B2 (en) | LED package | |
KR100583162B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
JP2015119096A (ja) | 発光装置 | |
US20160343693A1 (en) | Light-emitting apparatus | |
TWI472011B (zh) | 發光二極體封裝結構 | |
TW201526305A (zh) | 光電組件模組 | |
US10020291B2 (en) | LED light emitting device | |
JP5835799B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP6982489B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP5850523B2 (ja) | Ledチップ | |
JP6990177B2 (ja) | Led照明装置及びled照明装置の製造方法 | |
TW201532208A (zh) | 發光元件裝載用基板、及使用該基板的發光裝置 | |
TWM484276U (zh) | Led發光裝置及具有該led發光裝置的燈具 | |
KR101516371B1 (ko) | 접합 홈을 구비하는 칩 원판 및 이를 봉지하기 위한 봉지부재 | |
US20160013166A1 (en) | Light emitting module | |
JP2018032796A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
US9786642B1 (en) | Light emitting diode package substrate and light emitting diode package element | |
KR101653394B1 (ko) | 멀티칩형 led 패키지 | |
TWM484192U (zh) | 發光二極體封裝結構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |