KR20160095363A - 발광 장치 - Google Patents

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토모히로 삼페이
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 형태는 발광 장치에 관한 것이다.
실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 단자 전극과 제2 단자 전극; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 단자 전극과 전기적으로 연결된 하부 전극 및 적어도 둘 이상의 제1 상부 전극과 제2 상부 전극을 포함하는 발광 소자 칩; 및 상기 제1 상부 전극에 배치되고, 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호하는 보호 소자;를 포함하고, 상기 제1 단자 전극과 상기 보호 소자는 제1 와이어를 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제2 단자 전극과 상기 제2 상부 전극은 제2 와이어를 통해 전기적으로 연결된다. 이러한 실시 형태에 따른 발광 장치를 사용하면, 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호할 수 있고, 소형화가 가능하고, 열 저항의 증가를 줄일 수 있다.

Description

발광 장치{LIGHTING DEVICE}
실시 형태는 발광 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 재래식 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
종래에 발광 다이오드를 이용한 발광 장치 중에 정전기 보호 소자를 갖는 발광 장치가 있다.
종래의 정전기 보호 소자를 갖는 발광 장치의 일 예가 일본특허공보 제3911839호(등록일 2007.02.09)에 개시되어 있다.
일본특허공보 제3911839호에 개시된 발광 장치는 정전기 보호 소자로서 실리콘(Si) 다이오드(8)를 사용한다. Si 다이오드(8)는 두 개의 리드(6a, 6b) 사이에 형성된다. Si 다이오드(8)가 두 개의 리드(6a, 6b) 사이에 형성되면, 전체 발광 장치의 열 저항이 증가되는 문제가 있고, Si 다이오드(8)의 높이에 의해서 발광 소자(1)의 접합력 저하가 발생할 수 있는 문제가 있다.
JP 3911839 B2
실시 형태는 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호할 수 있는 발광 장치를 제공한다.
또한, 실시 형태는 소형화가 가능한 발광 장치를 제공한다.
또한, 실시 형태는 열 저항의 증가를 줄일 수 있는 발광 장치를 제공한다.
실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 단자 전극과 제2 단자 전극; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 단자 전극과 전기적으로 연결된 하부 전극 및 적어도 둘 이상의 제1 상부 전극과 제2 상부 전극을 포함하는 발광 소자 칩; 및 상기 제1 상부 전극에 배치되고, 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호하는 보호 소자;를 포함하고, 상기 제1 단자 전극과 상기 보호 소자는 제1 와이어를 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제2 단자 전극과 상기 제2 상부 전극은 제2 와이어를 통해 전기적으로 연결된다.
실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 단자 전극과 제2 단자 전극; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 단자 전극과 전기적으로 연결된 하부 전극 및 상기 제2 단자 전극과 전기적으로 연결된 상부 전극을 포함하는 발광 소자 칩; 및 상기 상부 전극에 배치되고, 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호하는 보호 소자;를 포함하고, 상기 제1 단자 전극과 상기 보호 소자는 제1 와이어를 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제2 단자 전극과 상기 제2 상부 전극은 제2 와이어를 통해 전기적으로 연결된다.
실시 형태에 따른 발광 장치를 사용하면, 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호할 수 있는 이점이 있다.
또한, 소형화가 가능한 이점이 있다.
또한, 열 저항의 증가를 줄일 수 있는 이점이 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 장치를 위에서 바라본 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 장치를 위에서 바라본 평면도이다.
도 4는 보호 소자가 발광 소자 칩(300)에 배치되지 않고 발광 소자 칩(300) 밖에 배치된 발광 장치의 평면도이다.
도 5는 보호 소자(400’)를 기판(100)과 발광 소자 칩(300) 사이에 배치시킨 발광 장치의 단면도이다.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 발광 장치를 위에서 바라본 평면도이다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 장치를 설명한다.
<제1 실시 형태>
도 1은 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 장치를 위에서 바라본 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판(100), 단자 전극(210, 230), 발광 소자 칩(chip)(300), 보호 소자(400), 형광체층(500) 및 반사 부재(700)를 포함한다.
기판(100) 상에는 단자 전극(210, 230), 발광 소자 칩(chip)(300), 보호 소자(400), 형광체층(500) 및 반사 부재(700) 중 적어도 하나 이상이 배치될 수 있다.
기판(100)은 전기 절연성을 갖는 절연 기판일 수 있다. 기판(100)은 고 내열성을 갖는 세라믹(ceramic) 기판일 수 있다. 기판(100)은 질화 알루미늄(AlN)일 수 있고, 열 전도도가 170 (W/mK) 이상일 수 있다.
단자 전극(210, 230)은 기판(100) 상에 배치된다. 단자 전극(210, 230)은 제1 단자 전극(210)과 제2 단자 전극(230)을 포함할 수 있다. 제1 단자 전극(210)과 제2 단자 전극(230)은 기판(100)의 상면(101)에 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 단자 전극(210) 상에는 발광 소자 칩(chip)(300), 보호 소자(400), 형광체층(500) 및 반사 부재(700) 중 적어도 하나 이상이 배치될 수 있다.
제1 단자 전극(210)은 별도의 와이어없이 발광 소자 칩(300)의 하부 전극(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 단자 전극(210)은 제1 와이어(w1)를 통해 발광 소자 칩(300)의 제1 상부 전극(350)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 단자 전극(210)은 제1 와이어(w1)의 일단과 연결된다. 제1 단자 전극(210)은 발광 소자 칩(300)의 하부 전극(미도시)와 제1 상부 전극(350)에 병렬 연결된다.
제2 단자 전극(230) 상에는 반사 부재(700)가 배치될 수 있다.
제2 단자 전극(230)은 제2 와이어(w2)를 통해 발광 소자 칩(300)의 제2 상부 전극(370)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 단자 전극(230)은 제2 와이어(w2)의 일단과 연결된다.
발광 소자 칩(300)은 기판(100) 상에 배치된다. 발광 소자 칩(300)은 제1 단자 전극(210) 상에 배치된다.
발광 소자 칩(300)는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층이 배치된 형태로 구비될 수 있다.
제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층을 포함할 수 있고 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
활성층은 상기 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 활성층의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 활성층은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 도전형 반도체층은 p형 반도체층으로 구현될 수 있고 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편 제1 도전형 반도체층이 p형 반도체층을 포함하고 제2 도전형 반도체층이 n형 반도체층을 포함할 수도있다. 또한 제2 도전형 반도체층 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발광 소자 칩(300)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있고, 반도체 재질 고유의 색을 갖는 빛을 방출할 수 있다.
발광 소자 칩(300)은 적색, 녹색, 청색 등의 가시광을 방출하는 발광 다이오드(Light Emitting Diode) 칩(chip)이거나 자외선 광(Ultraviolet light)를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다.
발광 소자 칩(300)은 하부 전극(미도시)와 적어도 둘 이상의 상부 전극(350, 370)을 포함할 수 있다.
하부 전극(미도시)는 별도의 와이어없이 제1 단자 전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다.
둘 이상의 상부 전극(350, 370)은 제1 상부 전극(350)과 제2 상부 전극(370)을 포함할 수 있다.
제1 상부 전극(350)과 제2 상부 전극(370)은 발광 소자 칩(300)의 상면(310)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 상부 전극(350)과 제2 상부 전극(370)은 발광 소자 칩(300)의 상면(310)에서 인접한 두 개의 모서리 부분 각각 배치될 수 있다.
제1 상부 전극(350)은 제1 와이어(w1)를 통해 제1 단자 전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 상부 전극(350)은 제1 와이어(w1)의 타단과 연결될 수 있다.
여기서, 제1 상부 전극(350)과 제1 와이어(w1)의 타단 사이에는 보호 소자(400)가 배치될 수 있다.
제2 상부 전극(370)은 제2 와이어(w2)를 통해 제2 단자 전극(230)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 상부 전극(370)은 제2 와이어(w2)의 타단과 연결될 수 있다.
보호 소자(400)는 제1 상부 전극(350) 상에 배치된다. 보호 소자(400)는 제1 와이어(w1)의 타단과 연결될 수 있다.
본 명세서 상에서 보호 소자(400)는 발광 소자 칩(300)에 인가될 수 있는 역방향 전압을 단락하거나 발광 소자 칩(300)의 동작 전압보다 높은 소정의 전압 이상의 순방향 전압을 단락시킬 수 있는 소자를 의미한다. 보호 소자(400)는 제너 다이오드일 수도 있고, 트랜지스터에 다이오드가 연결된 것, MOSFET의 게이트와 소스 또는 드레인을 단락한 것, 또는 이들의 복합 소자 및 IC 등을 포함한다.
보호 소자(400)는 발광 소자 칩(300)의 하부 전극(미도시)과 전기적으로 연결된 제1 단자 전극(210)과 제1 와이어(w1)를 통해 전기적으로 연결된다. 보호 소자(400)가 발광 소자 칩(300)의 하부 전극(미도시)과 전기적으로 연결된 제1 단자 전극(210)과 전기적으로 연결되면, 제1 단자 전극(210)에 인가될 수 있는 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩(300)을 보호할 수 있다.
또한, 보호 소자(400)가 발광 소자 칩(300)의 하부 전극(미도시)과 전기적으로 연결된 제1 단자 전극(210)과 전기적으로 연결되면, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 발광면에서 비 발광부의 면적을 줄일 수 있어 발광 장치를 소형화할 수 있다. 구체적으로, 도 3 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 장치를 위에서 바라본 평면도이고, 도 4는 보호 소자가 발광 소자 칩(300)에 배치되지 않고 발광 소자 칩(300) 밖에 배치된 발광 장치의 평면도이다.
도 3에서 형광체층(500)의 상면을 정사각형으로 하고 한 변의 길이를 1 (mm)로 하였을 때, 형광체층(500)의 상면의 면적은 1 (mm2)보다 작은 0.81 (mm2)이다. 형광체층(500)의 상면의 면적이 1 (mm2)보다 작은 이유는 제1 및 제2 상부 전극(350, 370)의 존재 때문이다. 형광체층(500)의 상면의 면적이 0.81 (mm2)일 때, 반사 부재(700)의 가로와 세로를 각각 1.5 (mm)로 설계하였다. 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광면은, 발광부와 비발광부를 포함하는데, 형광체층(500)의 상면이 발광면이고, 반사 부재(700)의 상면이 비발광부이다.
도 4에서 형광체층(500’)의 상면을 정사각형으로 하고 한 변의 길이를 1 (mm)로 하였을 때, 형광체층(500’)의 상면의 면적은 1 (mm2)보다 작은 0.85 (mm2)이다. 이는 도 3의 형광체층(500)의 상면의 면적보다 크다. 이는 도 4의 발광 소자 칩(300’)은 하나의 상부 전극(370)을 갖기 때문이다. 형광체층(500’)의 상면의 면적이 0.85 (mm2)일 때, 반사 부재(700’)의 가로는 1.5 (mm)로 설계할 수 있지만, 세로는 1.5 (mm)보다 큰 1.7 (mm)로 설계될 수 밖에 없다. 그 이유는, 보호 소자(400)의 자리 확보를 위함이다.
도 4와 같이, 보호 소자(400)가 LED 칩에 인접하여 또는 동일 평면 상에 배치되면, 발광부에 대한 비발광부의 비율이 도 3에 도시된 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 발광부에 대한 비발광부의 비율보다 더 크다. 구체적으로는 도 3에 도시된 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 발광부에 대한 비발광부의 비율은 도 4에 도시된 발광 장치의 발광부에 대한 비발광부의 비율보다 대략 11% 정도 더 줄일 수 있다. 따라서, 도 3에 도시된 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치는 소형화가 가능한 이점이 있다.
다시, 도 1을 참조하여 보호 소자(400)를 더 구체적으로 설명한다.
또한, 보호 소자(400)가 발광 소자 칩(300)의 하부 전극(미도시)과 전기적으로 연결된 제1 단자 전극(210)과 전기적으로 연결되면, 열 저항의 증가를 줄일 수 있다. 일본특허공보 제3911839호에 개시된 발광 장치는, 보호 소자인 실리콘 다이오드가 발광 소자와 기판 사이에 배치되기 때문에, 보호 소자가 열 저항을 크게 증가시킨다. 따라서, 발광 소자에서 방출되는 열이 기판으로 전달되기 어렵다. 실제로 도 5에 도시된 바와 같이 보호 소자(400’)를 기판(100)과 발광 소자 칩(300) 사이에 배치시켜 도 1에 도시된 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치와 비교한 결과, 도 5에 도시된 발광 장치는 대략 13.3 (K/W)의 열 저항을 갖고, 도 1에 도시된 발광 장치는 대략 4.8 (K/W)의 열 저항을 가짐을 확인할 수 있었다. 즉, 대략 36% 정도 더 낮은 열 저항 증가의 효과를 얻음을 알 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 형광체층(500)은 발광 소자 칩(300) 상에 배치된다. 형광체층(500)은 발광 소자 칩(300)의 상면(310)에 배치된다. 형광체층(500)은 발광 소자 칩(300)의 상면(310)에 배치된 제1 및 제2 상부 전극(350, 370) 상에는 배치되지 않는다.
형광체층(500)은 발광 소자 칩(300)에서 방출되는 광을 투과시킬 수 있고, 발광 소자 칩(300)에서 방출되는 광의 파장과 다른 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.
형광체층(500)은 유리(glass) 또는 세라믹과 같은 투광성 물질층을 포함할 수 있다.
형광체층(500)은 발광 소자 칩(300)에서 방출되는 광의 파장과 다른 파장을 갖는 광을 방출하기 위해 형광체를 포함할 수 있다. 형광체는 발광 소자 칩(300)에서 방출되는 광에 의해 여기되어 발광 소자 칩(300)에서 방출되는 광의 파장과 다른 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.
형광체층(500)은 발광 소자 칩(300)에서 방출되는 광과 형광체에서 방출되는 광을 함께 밖으로 방출할 수 있다.
형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체를 포함할 수 있다.
황색 형광체는 500nm 이하의 광에 의해 여기되어 530nm부터 580nm 사이에서 주(peak) 파장을 갖는 광을 방출한다. 황색 형광체는 실리케이트계, 가넷계의 야그(YAG), 옥시나이트라이드계 형광체일 수 있다. 황색 형광체는 Y3Al5O12:Ce3+(Ce:YAG), CaAlSiN3:Ce3 +, Eu2 +-SiAlON 계열 중에서 선택된 형광체, 및/또는 BOSE 계열 중에서 선택된 것일 수 있다. 황색 형광체는 또한 원하는 파장의 광 출력을 제공하기 위해 임의의 적합한 레벨로 도핑될 수 있다. Ce 및/또는 Eu가 약 0.1% 내지 약 20% 범위의 도펀트 농도로 형광체에 도핑될 수 있다.
녹색 형광체는 400nm 이하의 광에 의해 여기되어 450nm부터 530nm 사이에서 주 파장을 갖는 광을 방출한다. 녹색 형광체는 실리케이트계, 나이트라이드계, 옥시나이트라이드계 형광체일 수 있다.
적색 형광체는 580nm 이하의 광에 의해 여기되어 600nm부터 650nm 사이에서 주 파장을 갖는 광을 방출한다. 적색 형광체는 나이트라이드계, 설파이드계 형광체일 수 있다. 적색 형광체는 CaAlSiN3:Eu2 +및 Sr2Si5N8:Eu2 +를 포함할 수 있다. 이 형광체는 양자 효율을 150℃ 이상의 온도에서 80% 이상으로 유지할 수 있다. 이용될 수 있는 다른 적색 형광체는 CaSiN2:Ce3 +, CaSiN2:Eu2 +는 물론 Eu2 +-SiAlON 형광체 계열 중에서 선택된 형광체, 및/또는 (Ca,Si,Ba)SiO4:Eu2 +(BOSE) 계열 중에서 선택된 형광체를 포함한다.
반사 부재(700)는 기판(100) 상에 배치된다. 반사 부재(700)는 기판(100)의 상면(101) 상에 배치된다. 반사 부재(700)는 발광 소자 칩(300)과 형광체층(500)의 측면을 둘러싼다. 반사 부재(700)는 발광 소자 칩(300)과 형광체층(500)을 보호한다.
반사 부재(700)는 발광 소자 칩(300)과 형광체층(500)에서 방출되는 광을 위로 반사시킬 수 있다. 이를 위해, 반사 부재(700)는 광을 용이하게 반사시킬 수 있는 백색 재질 또는 거울 재질일 수 있다.
<제2 실시 형태>
도 6은 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 발광 장치를 위에서 바라본 평면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판(100), 단자 전극(210’, 230’), 발광 소자 칩(chip)(300’), 보호 소자(400), 형광체층(500’) 및 반사 부재(700)를 포함한다.
기판(100), 보호 소자(400) 및 반사 부재(700)은 도 1 및 도 2에 도시된 기판(100), 보호 소자(400) 및 반사 부재(700)과 동일하므로 이에 설명은 생략한다.
단자 전극(210’, 230’)은 기판(100) 상에 배치된다. 단자 전극(210’, 230’)은 제1 단자 전극(210’)과 제2 단자 전극(230’)을 포함할 수 있다. 제1 단자 전극(210’)과 제2 단자 전극(230’)은 기판(100)의 상면(101)에 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 단자 전극(210’) 상에는 발광 소자 칩(chip)(300’), 보호 소자(400), 형광체층(500’) 및 반사 부재(700) 중 적어도 하나 이상이 배치될 수 있다.
제1 단자 전극(210’)은 별도의 와이어없이 발광 소자 칩(300)의 하부 전극(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 단자 전극(210’)은 제1 와이어(w1)를 통해 발광 소자 칩(300’)의 상부 전극(350)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 단자 전극(210’)은 제1 와이어(w1)의 일단과 연결된다. 제1 단자 전극(210’)은 발광 소자 칩(300’)의 하부 전극(미도시)과 상부 전극(350)에 병렬 연결된다.
제2 단자 전극(230’) 상에는 반사 부재(700)가 배치될 수 있다.
제2 단자 전극(230’)은 제2 와이어(w2)를 통해 발광 소자 칩(300)의 상부 전극(350)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 단자 전극(230’)은 제2 와이어(w2)의 일단과 연결된다.
발광 소자 칩(300’)은 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 칩(300)과 대비하여, 두 개의 상부 전극이 아닌 하나의 상부 전극(350)을 갖는다는 점에 차이가 있다.
상부 전극(350)은 제1 와이어(w1)를 통해 제1 단자 전극(210’)과 전기적으로 연결되고, 이와 동시에 제2 와이어(w2)를 통해 제2 단자 전극(230’)과 전기적으로 연결된다.
상부 전극(350) 상에는 보호 소자(400)가 배치된다. 보호 소자(400)는 상부 전극(350)가 제1 와이어(w1) 사이에 배치된다.
형광체층(500’)은 도 1 및 도 2에 도시된 형광체층(500)과 대비하여, 크기가 다를 뿐 기능은 동일하다. 형광체층(500’)은 도 1 및 도 2에 도시된 형광체층(500)보다 체적이 더 크다. 이는 발광 소자 칩(300)이 두 개가 아닌 하나의 상부 전극(350)을 갖는 것에 기인한다.
도 6 및 도 7에 도시된 제2 실시 형태에 따른 발광 장치도 도 1 및 도 2에 도시된 제1 실시 형태에 따른 발광 장치와 마찬가지로 보호 소자(400)를 갖기 때문에, 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호할 수 있고, 소형화가 가능하며, 열 저항의 증가를 줄일 수 있다.
이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판
210, 230: 제1 및 제2 단자 전극
300: 발광 소자 칩
400: 보호 소자
500: 형광체층
700: 반사 부재

Claims (4)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 제1 단자 전극과 제2 단자 전극;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 단자 전극과 전기적으로 연결된 하부 전극 및 적어도 둘 이상의 제1 상부 전극과 제2 상부 전극을 포함하는 발광 소자 칩; 및
    상기 제1 상부 전극에 배치되고, 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호하는 보호 소자;를 포함하고,
    상기 제1 단자 전극과 상기 보호 소자는 제1 와이어를 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제2 단자 전극과 상기 제2 상부 전극은 제2 와이어를 통해 전기적으로 연결된, 발광 장치.
  2. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 제1 단자 전극과 제2 단자 전극;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 단자 전극과 전기적으로 연결된 하부 전극 및 상기 제2 단자 전극과 전기적으로 연결된 상부 전극을 포함하는 발광 소자 칩; 및
    상기 상부 전극에 배치되고, 역방향 전압이나 정전기로부터 발광 소자 칩을 보호하는 보호 소자;를 포함하고,
    상기 제1 단자 전극과 상기 보호 소자는 제1 와이어를 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제2 단자 전극과 상기 제2 상부 전극은 제2 와이어를 통해 전기적으로 연결된, 발광 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 소자 상에 배치된 형광체층; 및
    상기 발광 소자와 상기 형광체층의 측면을 둘러싸는 반사 부재;를 더 포함하는, 발광 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 소자 칩은 상기 제1 단자 전극 상에 배치된, 발광 장치.
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