CN109980077B - 一种发光元件及其发光装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 73
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 20
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical group [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 alkaline earth metal selenide Chemical class 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N antimony telluride Chemical compound [SbH3+3].[SbH3+3].[TeH2-2].[TeH2-2].[TeH2-2] MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUFGUVLLDPOSBC-XRZFDKQNSA-M cephalothin sodium Chemical compound [Na+].N([C@H]1[C@@H]2N(C1=O)C(=C(CS2)COC(=O)C)C([O-])=O)C(=O)CC1=CC=CS1 VUFGUVLLDPOSBC-XRZFDKQNSA-M 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N copper;sulfanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=S LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015250 liver sausages Nutrition 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002493 microarray Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(2+) Chemical compound [O-2].[Ta+2] JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- NWJUKFMMXJODIL-UHFFFAOYSA-N zinc cadmium(2+) selenium(2-) Chemical compound [Zn+2].[Se-2].[Se-2].[Cd+2] NWJUKFMMXJODIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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Abstract
本发明公开一种发光元件及其发光装置，其中该发光装置包含一载板、一位于载板之上的电性接触、一半导体叠层以及电连接半导体叠层(semiconductor stack)与电性接触的一电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置，尤其是涉及一种包含有一对彼此对称的电极的发光装置。
背景技术
发光二极管(Light-emitting diode；LED)因为兼具节能、寿命长、体积小等诸多优点而在各种照明应用上逐渐取代传统白炽灯及荧光灯。
发光二极管可以进一步通过焊锡等导电材料贴合到一载板上以组合成一发光装置(light-emitting device)。但是在组合连接的过程中，由于导电材料在固化过程中有流动的现象，可能造成位于导电材料上的发光二极管受到流动的导电材料拉扯而产生位移，进而使得发光二极管无法被结合到正确的位置上。
前述的发光装置可以包含一次载体(sub-mount)；一焊料(solder)位于上述次载体上，通过此焊料将发光二极管粘结固定于次载体上并使发光二极管与次载体上的电路形成电连接；其中，上述的次载体可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mountingsubstrate)。
发明内容
本发明公开一种发光装置，包含一发光元件、一载板、一第一接触以及一第二接触。发光元件包含一第一电极与一第二电极。第一接触设置于载板之上并电连接第一电极，第二接触设置于载板之上并电连接第二电极。第一接触与第一电极的轮廓相似，并且第二接触与第二电极的轮廓相似。
本发明公开一种发光装置，包含一发光元件、一载板、一第一接触与一第二接触。发光元件包含一第一电极，以及一被第一电极环绕的第二电极。第一电极具有一第一轮廓，第二电极具有一不同于第一轮廓的一第二轮廓。第一接触设置于载板之上并电连接第一电极，第二接触设置于载板之上并电连接该第二电极，且第二接触具有一第三轮廓。
本发明公开一种发光装置，包含一发光元件、一载板、一第一接触与一第二接触。发光元件包含一第一电极，以及一具有一第一轮廓并被第一电极环绕的第二电极。第一接触设置于载板之上并电连接第一电极，具有第二轮廓的第二接触设置于载板之上并电连接第二电极。
附图说明
图1为本发明的一实施例的发光元件侧视图；
图2为图1的发光元件仰视图；
图3为本发明的一实施例的发光装置侧视图；
图4为图3中的载板上视图；
图5为本发明的一实施例的发光元件剖视图；
图6为图5的发光元件仰视图；
图7为本发明的一实施例的发光装置剖视图；
图8为图7中的载板上视图；
图9为本发明的一实施例的发光元件剖视图；
图10为图9的发光元件上视图；
图11为本发明的一实施例的发光装置剖视图；
图12为图11的载板上视图；
图13为本发明的一实施例的发光元件的仰视图；
图14为本发明的一实施例的发光装置剖视图。
符号说明
10、20、30、30’：发光元件；
1000、2000、3000、4000：发光装置；
2：半导体叠层(semiconductor stack)；
201、203：半导体层；
202：发光层；
81：凹槽部；
40、42、60、62、80、82：电极；
6：电极部；
61、610、810：绝缘部；
204、300、301：载板；
101、102、103、104、105、106、107：导电层；
400、420、600、620、800、820：接触；
A、B、107A、107B、107C：区域；
L0、L1：虚拟线；
C1、C2、C3、C4：中心；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8：半径；
具体实施方式
图1为本发明的一实施例的发光元件侧视图。参考图1，发光元件10包含一个半导体叠层(semiconductor stack)2、第一电极40与第二电极42，并且第一电极40与第二电极42彼此物理性分离、不互相接触，可以彼此重叠(但间隔一绝缘层)或不重叠。在一实施例中，一绝缘部形成于第一电极40与第二电极42之间。半导体叠层(semiconductor stack)2包含一第一导电性的第一半导体层(图未示)、一第二导电性的第二半导体层(图未示)、以及一个位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层(图未示)，其中发光层可发出一非同调性光。第一半导体层电连接第一电极40，而第二半导体层电连接第二电极42。
第一导电性的第一半导体层和第二导电性的第二半导体层可作为披覆层(cladding layer)或限制层(confinement layer)，分别提供在发光层中结合以发出光线的电子(electron)和空穴(hole)。第一导电性的第一半导体层、第二导电性的第二半导体层及/或发光层的组成材料可以包括III-Ⅴ族半导体材料，例如AlxInyGa(1-x-y)N或AlxInyGa(1-x-y)P，其中0≤x，y≤1；(x+y)≤1。根据发光层的材料，发光元件10可以发射峰值波长在610nm和650nm之间的红色光、峰值波长在530nm和570nm之间的绿色光、或峰值波长在450nm和490nm之间的蓝色光。
电极40、42由金属材料组成，例如钛、镍、金、铂或铝。在一实施例中，电极40、42是钛/铝/镍/铝/镍/铝/镍/金、钛/铝/钛/铝/镍/金，或钛/铂/铝/镍/铝/镍/金所组成的多层结构，其中最底下的一层是金，用于与外部的元件直接接触。
发光元件10还可以包含波长转换材料(图未示)覆盖半导体叠层(semiconductorstack)2，波长转换材料可以吸收半导体叠层(semiconductor stack)2所发出的第一光线并将其转换成峰值波长或主波长不同于第一光线的第二光线。波长转换材料包含了量子点材料、黄绿色荧光粉、红色荧光粉或蓝色荧光粉。黄绿色荧光粉包含了YAG、TAG，硅酸盐，钒酸盐，碱土金属硒化物，或金属氮化物。红色荧光粉包括氟化物(例如K2TiF6：Mn4+或K2SiF6：Mn4+)、硅酸盐、钒酸盐、碱土金属硫化物、金属氮氧化物、或钨酸盐和钼酸盐的混合物。蓝色荧光粉包括BaMgAl10O17：Eu2+。在一实施例中，第一光线与第二光线混成一白光，白光在CIE1931色度图中具有一色点坐标(x、y)，其中，0.27≤x≤0.285；0.23≤y≤0.26。在一实施例中，白光具有一色温介于2200～6500K(例如2200K、2400K、2700K、3000K、5700K、6500K)且在CIE1931色度图中具有一色点坐标(x、y)位于7阶麦克亚当椭圆(MacAdam ellipse)内。在一实施例中，第一光线与第二光线混成一非白光，例如红光、琥珀光、紫光或者黄光。在一实施例中，第一光线可以几乎全部或大多数被转换成第二光线。
量子点材料可以由核心(core)与外壳(shell)所组成。核心与外壳可以分别由不同的半导体材料组成，其中外壳的材料相较于核心的材料具有较高的能量障壁，可以减少核心的材料在反复放出光线的过程中逸散过多的电子，由此可以减少量子点材料的亮度衰减。核心的材料可选自于由硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、氧化锌(ZnO)、硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、硒化镓(GaSe)、锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)、磷化铝(AlP)、砷化铝(AlAs)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)、碲化锑(SbTe)、硒化锌镉(ZnCdSe)、硫化锌镉硒(ZnCdSeS)、及硫化铜铟(CuInS)所组成的群组。外壳的材料与核心的材料必须相互搭配(例如核心与外壳的材料的晶格常数需要匹配)。具体而言，外壳的材料组成的选择，除了与核心的材料的晶格常数需匹配外，另一个考虑是为了能在核心的外围形成一个高势垒区域，以提升量子产率(quantum yield)。为了能同时满足这两种性质，可通过壳的结构及/或组成的改变，一方面减少核心区与壳的应力，一方面拉高势垒。壳的结构可以是单层、多层或者材料组成渐变的结构。在一实施例中，核心为硒化镉，外壳为单层的硫化锌。在另一实施例中，核心为硒化镉，外壳包含内层的(镉,锌)(硫,硒)及外层的硫化锌。在另一实施例中，核心为硒化镉，外壳包含内层的硫化镉，中间渐变层的Zn0.25Cd0.75S/Zn0.5Cd0.5S/Zn0.75Cd0.25S，与外层的硫化锌。
发光元件10还可以包含载板，载板可用以承载或支撑发光层。在一实施例中，载板为可用于外延成长(epitaxial growth)的基板，基板的材料例如为蓝宝石(sapphire)、氮化镓、硅、碳化硅等，适于在其上形成(例如，外延成长技术)三五族或二六族等可以形成发光层的半导体材料。在另一实施例中，载板并非用于直接形成发光层的成长基板，而是用以置换或支撑成长基板的其他支撑构件(支撑构件例如为材料、组成、或形状不同于成长基板的结构)。
图2为图1的发光元件10的仰视图，其中第一电极40与第二电极42的形状相似，并且以一虚拟线L0为基准左右对称，而第一电极40与第二电极42并不与虚拟线L0重叠。虚拟线L0为一示意用途的虚拟线，并非发光元件10上肉眼可视的具体线段，并且图中的虚拟线L0与发光元件10的几何中心(图未示)重叠。参考图2，半导体叠层(semiconductor stack)2及内部的发光层(未显示)具有一方型的轮廓，发光层可用以提供一具有方型轮廓的光场。在一实施例中，第一电极40与第二电极42之间的最短距离大于150μm。
图3为本发明的一实施例的发光装置侧视图。参考图3，发光装置1000包含一个半导体叠层(semiconductor stack)2、第一电极40与第二电极42、导电层101、102、第一接触400、第二接触420以及载板300。载板300包含有电路(未显示)，电路电连接第一电极40与第二电极42，让外部电源可以通过电路提供电力经导电层101、102以及电极40、42让发光装置1000发光。参考图4，图4显示的是图3中载板300以及位于其上的导电层101、102的相对位置，并省略半导体叠层(semiconductor stack)2、第一电极40与第二电极42。第一接触400与第二接触420形成于载板300的上表面，并通过导电层101、102与半导体叠层(semiconductor stack)2电连接。第一接触400与第二接触420之上的导电层101、102可以具有不同的轮廓，并(相对于虚拟线L0)以非对称的方式形成于第一接触400与第二接触420之上。第一接触400与第二接触420的形状相似，彼此以一虚拟线L0为基准左右对称，而第一接触400与第二接触420并不与虚拟线L0重叠。第一接触400与第一电极40的轮廓相似，第二接触420与第二电极42的轮廓相似。第一接触400与第二接触420可以与载板300上的电路(未显示)电连接。导电层101电连接第一电极40与第一接触400，导电层102电连接第二电极42与第二接触420，并使半导体叠层(semiconductor stack)2被固着于载板300之上。值得注意的是，导电层101、102接触载板300上的第一接触400与第二接触420以及载板300上没有被第一接触400或第二接触420覆盖的区域。导电层101、102与第一接触400与第二接触420之间的接合力，比导电层101、102与载板300上表面没有第一接触400或第二接触420的区域有更强的接合力。导电层与接触之间的良好附着力可以避免制造过程中导电层101、102大量聚集到载板300上没有第一接触400或第二接触420的区域，反而在第一接触400或第二接触420之上没有导电层101、102而造成半导体叠层(semiconductor stack)2与载板300的电路之间的断路。此外，良好的附着力也能避免导电层101、102从第一接触400、第二接触420或载板300的表面剥落，进而避免发光元件10连同导电层101、102与载板300分离的情况。在一实施例中，第一接触400与第二接触420之间的最短距离大于150μm。
图4为图3中的载板300的上视图，参考图4，第一接触400(第二接触420)由分支(区域A)，以及主体(例如区域B)组成。制造过程中，将导电材料覆盖在第一接触400与第二接触420之上，导电材料可以是焊锡或其他具有导电性质的粘着材料。再将发光元件10下压并固着在第一接触400与第二接触420之上，同时导电材料固着后形成导电层101、102。在下压的过程中，由于第一接触400与第二接触420上所覆盖导电材料的量不完全相同、第一接触400与第二接触420上的粗糙度差异或是下压过程中于第一接触400与第二接触420上的施力不相等之类的原因，都会造成导电材料在第一接触400与第二接触420上流动，因而形成如图4所示导电层101、102具有不同形状的情况。因此，本发明利用导电材料与第一接触400、及与第二接触420之间的接合力大于导电材料与载板300之间的接合力的特性，将第一接触400与第二接触420设计成具有区域B与区域A的结构，使得导电材料在下压过程中主要往同样材料并相对载板300的表面具有较大接合力的区域A或区域B流动，避免了导电材料四处流窜(例如流动到没有第一接触400与第二接触420所在的载板300之上)的情况，使得导电材料可以留在第一接触400、第二接触420上与电极40、42之间。
另外，值得注意的是，第一接触400与第二接触420中的分支(例如区域A)的最大宽度比主体(例如区域B)的最大宽度小。使得分支较主体而言吸引较少的导电材料，进而避免导电材料也通过分支而同时接触两个接触400、420形成短路。同时，发光元件10即使在制造过程中因导电层材料的流动而移动位置，也不易因过多的导电材料造成第一接触400与第二接触420同时电连接发光元件10上的同一个电极40或42而短路的情况。
导电材料可以是焊料(solder)或各向异性导电胶(Anisotropic ConductivePaste；ACP)。各向异性导电胶包含含有微锡球的胶或超微阵列式各向异性导电胶(ultra-fine pitch fixed array ACP)等导电性胶材。其中，含有微锡球的胶可以是PAL-ACF(particle-aligned anisotropic conductive film)、ACF(Anisotropic Conductivefilm)、SAP(Self Assembly Anisotropic Conductive Paste)或epoxy solder pate。
图5为本发明的一实施例的发光元件剖视图。发光元件20包含一个半导体叠层(semiconductor stack)2与一个电极部6，电极部6包含一第一电极60、一第二电极62以及第一电极60与第二电极62之间的第一绝缘部61，半导体叠层(semiconductor stack)2的细节请参考前述实施例中的相关段落，为简洁故不另重复说明。电极部6突出于半导体叠层(semiconductor stack)2之上，并具有一大致平坦的表面在远离半导体叠层(semiconductor stack)2的一侧。图6为图5的发光元件仰视图。参考图6，电极部6具有一方型的轮廓，第二电极62与环绕第二电极62的第一绝缘部61形成一同心圆的结构。此同心圆结构在图6的平面图中具有一中心C1。第一电极60、第一绝缘部61与第二电极62都突出于半导体叠层(semiconductor stack)2之外，并且都具有相同的高度以及一大致齐平的最外表面用以电连接其他元件。第二电极62的中心C1大致与发光元件20的几何中心重叠，而第二电极62具有一半径R1，绝缘部61自中心C1算起具有一半径R2。第一电极60与第二电极62通过第一绝缘部61彼此物理性分离、不互相接触，也不彼此重叠，并且各自电连接到半导体叠层(semiconductor stack)2内不同电性的半导体层。第一绝缘部61围绕着第二电极62，并具有与第二电极62同样的轮廓。在一实施例中，第一绝缘部61与第二电极62具有相近的轮廓，例如圆形或椭圆形。在其他实施例中，第一绝缘部61与第二电极62也可以同样具有一四边形、三角形、多边形或一封闭曲线的形状。参考图6，第一电极60的轮廓与半导体叠层(semiconductor stack)2类似，并且第一电极60的最外边缘不与半导体叠层(semiconductor stack)2的最外边缘重叠。发光元件20具有一方型的轮廓，而半导体叠层(semiconductor stack)2以及其中的发光层(未显示)具有与发光元件20相同的轮廓。也就是说，半导体叠层(semiconductor stack)2具有一方型的轮廓，并且发光层(未显示)也具有一方型的轮廓。在一实施例中，第一绝缘部61的最窄宽度大于150μm，避免制作第一电极60与第二电极62的过程中，电极60、62的重叠而造成短路。
绝缘部61的材料可以是氧化物、氮化物或聚合物。氧化物包括氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiOx)、氧化钽(TaOx)或氧化铝(AlOx)。氮化物包括氮化铝(AlNx)或氮化硅(SiNx)。聚合物包括聚酰亚胺或苯并环丁烷(BCB)。在另一个实施例中，绝缘部61包括了重复堆叠的低折射率层和高折射率层的多个次层，以形成一布拉格反射层(DBR)。
图7为本发明的一实施例的发光装置剖视图。图8为图7中的载板300的上视图。图7中，发光装置2000包含一发光元件20通过导电层103固接到载板300之上。参考图8，载板300上设置有第一接触600、第二接触620与隔离第一接触600与第二接触620的第二绝缘部610，第一接触600、第二接触620与第二绝缘部610大致等高而具有一齐平的平面。第一接触600、第二接触620与第二绝缘部610的轮廓在图8的平面图中大致为圆形，并且第一接触600、第二接触620与第二绝缘部610的轮廓形成一同心圆结构，该同心圆结构在图8的平面图中具有一中心C2。第二接触620具有一中心C2与一半径R3，第二绝缘部610自中心C2算起具有一半径R4。在一实施例中，中心C2与载板300的几何中心重叠。在另一实施例中，第二绝缘部610的最窄宽度大于150μm。在一实施例中，载板300上可设置有多个发光元件20。更具体而言，载板300上设置多组由第二绝缘部610隔开的第一接触600与第二接触620，使得每一组第一接触600与第二接触620得以电连接一个发光元件20。如图7所示，发光元件20通过导电层103、104固接到载板300上，发光元件20的第一电极60通过导电层103电连接到第一接触600，第二电极62通过电层104电连接到第二接触620，而第一绝缘部61大致与第二绝缘部610对接。导电层103、104的材料可以是焊料(solder)或各向异性导电胶(AnisotropicConductive Paste；ACP)。参考图7，导电层103、104的边缘形状为弧形。其中，第二电极62的中心C1大致对接到第二接触620的中心C2。本实施例中，第一接触600、第二接触620、第二绝缘部610、第二电极62以及第一绝缘部61都具有圆形的轮廓。其中，第二电极62的半径R1不大于第二绝缘部610的半径R4，避免第二电极62同时与第一接触600及第二接触620电连接。并且第二接触620的半径R3不大于第一绝缘部61的半径R2，避免第一电极60与第二电极62一起与第二接触620电连接。导电层103、104的两侧分别连接发光元件20以及载板300。在载板300的一侧，当导电层103、104与第二绝缘部610相接的时候，导电层103、104与第一接触600、第二接触620之间的接合力较佳地大于导电层103、104与第二绝缘部610之间的接合力。在发光元件20的一侧，当导电层103、104与第二绝缘部610相接的时候，导电层103、104与第一电极60、第二电极62之间的接合力较佳地大于导电层103、104与第一绝缘部61之间的接合力。第一接触600、第二接触620与第二绝缘部610的表面大致齐平，以配合发光元件20的电极部6大致平整的表面。在一实施例中，发光元件20的电极部6具有一包含突起部及/或凹陷部的非平整表面。例如，第二电极62与第一绝缘部61的厚度大于第一电极60的厚度。相对地，载板300的第二接触620与第二绝缘部610的表面则比第一接触600的表面更内凹，以配合电极部6的突出外型；而导电层104也填入载板300内凹的部分，使得第二电极62可以通过导电层104电连接第二接触620，而导电层103可以电连接第一电极60与第一接触600。
图9为本发明的一实施例的发光元件剖视图。发光元件30包含一个载板204、具有第一导电性的第一半导体层201、发光层202、具有第二导电性的第二半导体层203、第一电极80、第二电极82、以及位于第一电极80与第二电极82之间的凹槽部81。第一导电性与第二导电性可以分别是N型与P型、或P型与N型。第一半导体层201包含一凸起的部分201U，发光层202形成在凸起的部分201U之上，并可发出一非同调性光。参考图9，凸起的部分201U大致位于第一半导体层201的中心部分的位置，并且也大致位于发光元件30的中心部分的位置。在一实施例中，第一半导体层201的最上表面为一大致等高的平面，并且发光层202形成于该大致等高的平面上并位在第一半导体层201的中心部分的位置，并且发光层202的中心点(图未示)大致与第一半导体层201的中心点(图未示)对齐。第一半导体层201电连接第一电极80，第二半导体层203电连接第二电极82。图10为图9的发光元件30的上视图。参考图10，第二电极82具有一圆形的轮廓，而环绕在第二电极82之外的凹槽部81具有与第二电极82大致相同的圆形轮廓。第二电极82与环绕第二电极82的凹槽部81形成一同心圆的结构。此同心圆结构在图10的平面图中具有一中心C3。第二电极82具有一半径R5，凹槽部81自中心C3算起具有一半径R6。发光层202与第二电极82的轮廓大致为相同圆形，因此发光元件30具有一圆形发光区域。第一电极80的外轮廓不限于图10中的态样，第一电极80的外轮廓可以是圆形或其他封闭曲线所形成的各种形状。凹槽部81在图10的平面图上具有一大致相等的宽度。凹槽部81内包含有空气。在一实施例中，凹槽部81的最窄宽度大于150μm。在一实施例中，凹槽部81内还包含有绝缘材料，用以电性隔绝第一电极80与发光层202、第二半导体层203以及第二电极82。并且绝缘材料可以是填满整个凹槽部81，或者仅凹槽部81的部分区域被绝缘材料覆盖，例如第一电极80靠近发光层202一侧的侧壁、发光层202靠近第一电极80的侧壁、第二半导体层203靠近第一电极80的侧壁及/或第二电极82靠近第一电极80的侧壁。
在一实施例中，载板204为可用于外延成长(epitaxial growth)的基板，基板的材料例如为蓝宝石(sapphire)、氮化镓、硅、氮化硅等，适于在其上形成(例如，外延成长技术)三五族或二六族等可以形成发光层的半导体材料。在另一实施例中，载板204并非用于直接形成发光层的材料层或成长基板，而是用以置换或支撑成长基板的其他支撑构件(支撑构件例如为材料、结构、或形状不同于成长基板的结构)
参考图10，发光层202与第二电极82的轮廓大致相同而具有一圆形的轮廓以提供一圆形的发光区域，也使得发光层202在各方向上的具有大致相同的光学特性，包括发光强度、发出光线的主波长及/或发出光线的峰值波长。并且圆形的轮廓也有便于制造的好处，例如将发光元件30通过导电层接合到载板的过程中，即使发光元件30从原本预定的位置上旋转了45度，圆形的第二电极82依然能正确对接到载板上的导电区域，并且第一电极80也不会对接到第二电极82该对接的导电区域。相对地，当电极并不具有圆形轮廓的时候，例如图1中的电极40、42，若在接合过程中发光元件10旋转(例如从原本预定的位置旋转45度)，电极40(及/或42)就有机会同时对接到两个接触400与420形成短路而造成发光元件10烧毁。
图11为本发明的一实施例的发光装置剖视图。图12为图11中载板301的上视图。发光装置3000包含一发光元件30通过导电层105、106固接到载板301之上。发光元件30的细节请参考前述实施例中的相关段落。发光装置3000并未于凹槽部81内填入固态材料，因此在第一半导体层201与载板301之间大致填满空气。载板301上设置有第一接触800、第二接触820与隔离第一接触800与第二接触820的第三绝缘部810。第二电极82通过导电层106与第二接触820电连接。第一电极80通过导电层105与第一接触800电连接。导电层105与导电层106彼此不接触，从侧视图观之，导电层105与导电层106的边缘形状为弧形。
参考图12，第一接触800、第二接触820与环绕第二接触820的第三绝缘部810形成一同心圆的结构。此同心圆结构在图12的平面图中具有一中心C4。第二接触820具有一从一中心C4算起的半径R7，第三绝缘部810具有一从一中心C4算起的半径R8。第一接触800、第二接触820与第三绝缘部810大致等高而具有一齐平的平面。在一实施例中，第三绝缘部810的最窄宽度大于150μm。因此在接合发光元件30与载板301时，若发生发光元件30与载板301对位时的偏差，例如放置发光元件30的位置与预定的距离有一距离d的误差，当距离d小于第三绝缘部810的最窄宽度时，发光装置3000仍然能正常运作而不会发生第一电极80与第二接触820误接触，或是第二电极82与第一接触800误接触的情况。在一实施例中，载板301上可设置有多个发光元件30。更具体而言，载板301上设置多组由绝缘部隔开的第一接触与第二接触，使得每一组第一接触800与第二接触820得以电连接一个发光元件30。如图11所示，发光元件30通过导电层105、106固接到载板301上。第一接触800、第二接触820、第三绝缘部810以及第二电极82都具有相近的轮廓，例如一圆形。在其他实施例中，凹槽部81与第二电极82也可以同样具有一四边形、三角形、多边形或一封闭曲线的轮廓。参考第10、11、12图，第二电极82的半径不大于第三绝缘部810的最大半径，避免第二电极82与第一接触800电连接。并且第二接触820的半径不大于凹槽部81的最大半径，避免第一电极80与第二接触820电连接。导电层105、106的两侧分别连接发光元件30以及载板301。在载板301一侧，导电层105与第一接触800之间的接合力，以及导电层106与第二接触820之间的接合力，都大于导电层105或导电层106与第三绝缘部810之间的接合力。在一实施例中，第三绝缘部810与导电层105、106相接触，但第三绝缘部810与导电层105、106之间的接合力，小于导电层105与第一电极80之间的接合力，也小于导电层106与第二电极82之间的接合力。第一接触800、第二接触820与第三绝缘部810的表面大致齐平，以配合发光元件30大致等高的电极80、82。在一实施例中，第一接触800、第二接触820与第三绝缘部810则配合电极80、82的表面型态突起或者凹下，使得接触与电极可以紧密接合。
图13为本发明的一实施例的发光元件仰视图。发光元件30’大致与发光元件30的结构相似，相关描述请参考前述实施例中的相关段落。发光元件30’具有一圆形的轮廓，由图13观之，发光元件30’的第一电极80、第二电极82与凹槽部81的轮廓大致成一同心圆。由于发光元件30’的轮廓以及发光层(图未示)的轮廓都是圆形，使得发光元件30’在各方向上的光学特性大致相同。并且在接合发光元件30’到载板(例如图12中的载板301)的过程中，即使发光元件30’有所旋转，也不会让发光元件30’的第一电极80或第二电极82同时接触到载板(例如图12中的载板301)上的两个不同接触(例如图12中的第一接触800与第二接触820)而短路。
图14为本发明的一实施例的发光装置剖视图。发光装置4000包含一发光元件30通过导电层107固接到载板301之上。发光装置4000与发光装置3000类似，相关的细节请参考前述实施例中的相关段落。值得注意的是，导电层107为一连续层，同时连接第一电极80与载板301，以及第二电极82与载板301。导电层107包含第一区域107A、第二区域107B以及第三区域107C，其中第一区域107A电连接第一电极80与载板301上的第一接触800，第二区域107B电连接第二电极82与载板301的第二接触820，而第一区域107A与第二区域107B彼此以第三区域107C隔绝。更进一步来说，第一区域107A与第二区域107B内包含有足够浓度与数量的导电粒子，由此达到(在一垂直载板301与导电层107相接的表面的方向上)电连接发光元件30与载板301上导电区域的效果。而第三区域107C内则没有导电粒子，或者仅包含有很少量的导电粒子，不足以(在一平行于载板301与导电层107相接的表面的方向上)电性导通第一区域107A与第二区域107B，也不足以(在一垂直载板301与导电层107相接的表面的方向上)导通发光元件30与载板301上导电区域。导电层107内各区域的导电粒子数量/浓度的差异，可以是制造发光装置4000的制造过程中造成的。具体而言，当导电层107的导电材料覆盖于载板301之上的时候，导电材料内的导电粒子起初大致为均匀的分布，但在将发光元件30放置并连接到载板301的过程中，施压或者加热使得导电材料成为导电层107的过程中，第三区域107C中的导电粒子往区域107A及107B移动。也可以是一预先形成的差异，例如预先形成导电层107，让第三区域107C的导电粒子数量/浓度低于区域107A、107B的导电粒子数量/浓度，以达到特定区域的垂直方向的导电效果，并(在一平行于载板301与导电层107相接的表面的方向上)电性隔绝部分区域。在一实施例中，导电层107的高度并不一致，位于第一区域107A与第二区域107B之间的第三区域107C的高度较低。导电层107与导电层105、106类似，从图14观之，导电层107的边缘形状也为一弧形。
以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在于使熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，不能以的限定本发明的权利要求，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种发光装置，其特征在于，包含：
发光元件，具有第一电极以及第二电极，于上视图中，该第一电极与该第二电极的形状互相对称；
载板；
第一接触，设置于该载板之上，并电连接该第一电极；
第二接触，设置于该载板之上，并电连接该第二电极；
第一导电层，连接该第一电极以及该第一接触；以及
第二导电层，连接该第二电极以及该第二接触，
其中，该第一导电层与该第一电极的最外侧边不齐平，该第二导电层与该第二电极的最外侧边不齐平，
其中，于该上视图中，该第一接触与该第一电极的轮廓相似，并且该第二接触与该第二电极的轮廓相似,
其中，该第一电极与该第一接触都包含第一分支与第一主体，且该第二电极与该第二接触都包含第二分支与第二主体，该第一分支与该第二分支之间的距离小于该第一主体与该第二主体之间的距离。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该第一导电层具有一个最大宽度，该最大宽度大于该第一电极并小于该第一接触。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310641532.2A CN116864595A (zh) | 2017-12-25 | 2018-12-25 | 一种发光元件及其发光装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106145576 | 2017-12-25 | ||
| TW106145576 | 2017-12-25 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310641532.2A Division CN116864595A (zh) | 2017-12-25 | 2018-12-25 | 一种发光元件及其发光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109980077A CN109980077A (zh) | 2019-07-05 |
| CN109980077B true CN109980077B (zh) | 2023-06-20 |
Family
ID=67076382
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310641532.2A Pending CN116864595A (zh) | 2017-12-25 | 2018-12-25 | 一种发光元件及其发光装置 |
| CN201811590280.0A Active CN109980077B (zh) | 2017-12-25 | 2018-12-25 | 一种发光元件及其发光装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310641532.2A Pending CN116864595A (zh) | 2017-12-25 | 2018-12-25 | 一种发光元件及其发光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN116864595A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110619825B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-01-04 | 錼创显示科技股份有限公司 | 电极结构、微型发光元件以及显示面板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204315621U (zh) * | 2014-12-30 | 2015-05-06 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led倒装晶片 |
| CN106605306A (zh) * | 2014-08-28 | 2017-04-26 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102237473B (zh) * | 2010-05-07 | 2015-03-11 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| KR20120082190A (ko) * | 2011-01-13 | 2012-07-23 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| CN105428494A (zh) * | 2014-09-02 | 2016-03-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| CN204497261U (zh) * | 2014-11-07 | 2015-07-22 | 惠州雷通光电器件有限公司 | Led封装结构 |
| TWI738324B (zh) * | 2015-02-17 | 2021-09-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體晶片 |
-
2018
- 2018-12-25 CN CN202310641532.2A patent/CN116864595A/zh active Pending
- 2018-12-25 CN CN201811590280.0A patent/CN109980077B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106605306A (zh) * | 2014-08-28 | 2017-04-26 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
| CN204315621U (zh) * | 2014-12-30 | 2015-05-06 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led倒装晶片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109980077A (zh) | 2019-07-05 |
| CN116864595A (zh) | 2023-10-10 |
| TW201929192A (zh) | 2019-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |