KR20120066973A - 발광 디바이스 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20120066973A
KR20120066973A KR1020100128345A KR20100128345A KR20120066973A KR 20120066973 A KR20120066973 A KR 20120066973A KR 1020100128345 A KR1020100128345 A KR 1020100128345A KR 20100128345 A KR20100128345 A KR 20100128345A KR 20120066973 A KR20120066973 A KR 20120066973A
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쯔요시 쯔쯔이
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삼성엘이디 주식회사
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Abstract

본 발명은 발광 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 발광소자와, 상기 발광소자의 제1 주면 상에 형성된 파장변환부와, 상기 발광소자의 제2 주면 상에 형성된 제1 및 제2 단자 및 적어도 상기 발광소자의 측면 및 상기 파장변환부의 측면을 덮도록 형성된 반사부를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의할 경우, 광이 방출되는 방향에 대하여 백색 광의 색도 산포가 최소화되어 균일한 특성을 보이며, 나아가, 발광 효율이 향상된 발광 디바이스를 얻을 수 있다.

Description

발광 디바이스 및 그 제조방법 {LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 발광 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일 종인 발광 다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 발광 다이오드는 필라멘트에 기초한 발광구조물에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 3족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
일반적으로, 발광 다이오드는 칩 상태나 패키지 상태로 기판에 실장되어 발광모듈로 이용될 수 있으며, 이러한 발광 모듈에는 형광 물질 등이 구비되어 발광 다이오드에서 방출되는 빛과 다른 파장의 빛을 얻을 수도 있다. 이러한 형광 물질에 의하여 백색 발광의 구현이 가능하다. 그런데, 같은 특성을 갖는 발광 다이오드의 경우에도 형광 물질의 적용되는 위치나 두께 등이 일정하지 않아 얻어지는 백색 광의 특성은 달라지므로, 색도 산포가 발생하는 문제가 있다.
본 발명의 일 목적은 광이 방출되는 방향에 대하여 백색 광의 색도 산포가 최소화되어 균일한 특성을 보이며, 나아가, 발광 효율이 향상된 발광 디바이스를 제공하는 것이 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 발광 디바이스를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 발광소자와, 상기 발광소자의 제1 주면 상에 형성된 파장변환부와, 상기 발광소자의 제2 주면 상에 형성된 제1 및 제2 단자 및 적어도 상기 발광소자의 측면 및 상기 파장변환부의 측면을 덮도록 형성된 반사부를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 반사부는 상기 발광소자의 제2 주면까지 덮도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 반사부는 상기 제1 및 제2 단자의 측면을 덮도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 박막 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부의 일면과 상기 반사부의 일면은 서로 공면을 이룰 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 단자의 일면과 상기 반사부의 일면은 서로 공면을 이룰 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 단자는 상기 제2 주면의 상부에서 보았을 때, 중심을 기준으로 대칭을 이루도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 반사부는 수지 및 상기 수지 내에 분산된 반사 필러를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면은,
발광소자의 일면에 제1 및 제2 단자를 형성하는 단계와, 상기 발광소자에서 상기 제1 및 제2 단자의 맞은 편에 위치한 면에 파장변환부를 형성하는 단계 및 적어도 상기 발광소자의 측면 및 상기 파장변환부의 측면을 덮도록 반사부를 형성하는 단계를 포함하는 발광 디바이스 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광소자의 일면에 제1 및 제2 단자를 형성하는 단계는, 발광적층체의 일면에 단위 발광소자당 상기 제1 및 제2 단자를 각각 형성하는 단계 및 상기 발광적층체를 각각의 발광소자 단위로 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 파장변환부를 형성하는 단계는, 상기 단위 발광소자당 하나의 파장변환부를 형성하는 단계 및 상기 단위 발광소자를 대응하는 상기 파장변환부에 부착하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 단위 발광소자당 하나의 파장변환부를 형성하는 단계는, 상기 파장변환부가 일체로 형성된 상태에서 각각의 발광소자 단위로 절단하는 단계 및 상기 절단된 파장변환부를 UV 시트 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 반사부를 형성하는 단계는, 상기 각각의 발광소자에 대하여 일체로 반사부를 형성하는 단계 및 상기 반사부를 각각의 발광소자 단위로 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의할 경우, 광이 방출되는 방향에 대하여 백색 광의 색도 산포가 최소화되어 균일한 특성을 보이며, 나아가, 발광 효율이 향상된 발광 디바이스를 얻을 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 의할 경우, 상기와 같은 발광 디바이스를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 디바이스에서 발광소자의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 디바이스에서 단자 구조의 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1의 발광 디바이스에서 파장변환부와 그 주변 영역을 확대하여 나타낸 것이다.
도 5 내지 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 공정별 단면도이다.
도 12는 본 발명에서 제안하는 발광 디바이스의 사용 예를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1의 발광 디바이스에서 발광소자의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 또한, 도 3은 도 1의 발광 디바이스에서 단자 구조의 예를 개략적으로 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 1의 발광 디바이스에서 파장변환부와 그 주변 영역을 확대하여 나타낸 것이다. 우선, 도 1을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 디바이스(100)는 발광소자(101), 파장변환부(102), 반사부(103) 및 단자(104a, 104b)를 포함하는 구조이다. 각각의 구성 간의 배치 관계를 설명하면, 발광소자(101)가 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는다고 하였을 때, 상기 제1 주면(도 1을 기준으로 상면) 상에는 파장변환부(102)가 형성되며, 상기 제2 주면(도 1을 기준으로 하면) 상에는 제1 및 제2 단자(104a, 104b)가 형성되며, 발광소자(101)의 측면 및 파장변환부(102)의 측면을 덮도록 반사부(103)가 형성된다.
발광소자(101)는 빛을 방출할 수 있는 소자라면 어느 것이나 사용 가능하며, 발광 다이오드(LED)를 이용할 수 있다. 이 경우, 도 2에 도시된 것과 같이, 발광소자(101)는 제1 및 제2 도전형 반도체층(202, 204)과 그 사이에 배치된 활성층(203)을 구비하는 적층 구조이다. 이 경우, 반도체 성장용 기판(201)이 제공될 수 있으며, 경우에 따라 반도체 성장용 기판(201)은 제외될 수도 있다. 본 실시 형태의 경우, 제1 및 제2 도전형 반도체층(202, 204)은 각각 p형 및 n형 반도체층이 될 수 있으며, 또한, 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 이루어질 수 있다. 다만, 질화물 반도체 외에도 GaAs계 반도체나 GaP계 반도체도 사용될 수 있을 것이다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(202, 204) 사이에 형성되는 활성층(203)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조로 이루어질 수 있다. 다중 양자우물 구조의 경우, 예컨대, InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다.
또한, 발광소자(101)는 제2 도전형 반도체층(204)과 오믹 접촉을 형성하는 오믹컨택부(205)를 구비할 수 있으며, 본 실시 형태의 경우, 활성층(203)에서 방출된 빛은 상부, 즉, 기판(201)이 위치하는 방향으로 방출되는 것이 바람직한 점에서, 오믹컨택부(205)는 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등과 같이 반사율이 높은 금속으로 이루어질 수 있다. 다만, 오믹컨택부(205)는 본 발명에서 반드시 필요한 구성은 아니며, 실시 형태에 따라 제외되거나 다른 층으로 대체될 수 있다. 또한, 발광소자(101)는 제1 및 제2 도전형 반도체층(202, 204)과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 전극(206a, 206b)을 구비하며, 제1 및 제2 전극은 (206a, 206b)은 도 1의 발광 디바이스(100)에서 제1 및 제2 단자(104a, 104b)와 각각 연결될 수 있다. 다만, 제1 및 제2 전극(206a, 206b)과 제1 및 제2 단자(104a, 104b)는 서로 독립적으로 존재할 수도 있으나, 일체로 형성될 수도 있을 것이다.
본 실시 형태의 경우, 제1 및 제2 단자(104a, 104b)는 도 3에 도시된 것과 같이, 발광소자(101)에서 상기 제2 주면의 상부에서 보았을 때, 즉, 도 1을 기준으로 하부에서 보았을 때, 중심을 기준으로 대칭을 이루도록 배치될 수 있다. 제1 및 제2 단자(104a, 104b)가 대칭을 이룸에 따라 발광 디바이스(100)를 기판 등에 실장할 경우, 양극 및 음극의 표시를 따로 할 필요가 없으며, 실장 오류를 줄일 수 있다. 이 경우, 도 3에 도시된 형상 외에도 다양한 대칭 형상을 갖도록 제1 및 제2 단자(104a, 104b)를 적절히 배열할 수 있을 것이다.
파장변환부(102)는 발광소자(101)에서 방출된 빛의 파장을 다른 파장으로 변환하는 기능을 하며, 발광소자(101)의 광 방출면 중 적어도 일부, 본 실시 형태에서는 상면에 예컨대, 박막 형태로 형성될 수 있다. 파장변환부(102)가 박막 형태로 제공됨에 따라 비교적 균일한 형상 및 두께를 가질 수 있으므로, 발광 방향에 대하여 백색 광의 색도 편차가 최소화될 수 있으며, 나아가, 서로 다른 디바이스 간의 색도 산포도 줄일 수 있다.
한편, 광 변환 기능을 수행하기 위하여, 파장변환부(102)는 형광체나 양자점(Quantum dot)과 같은 파장 변환 물질을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 파장 변환 물질은 그 자체로만 이루어진 플레이트 구조(예컨대, 세라믹 변환체)를 이루거나 실리콘 수지 등에 분산된 필름 구조 등을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 파장 변환 물질이 형광체이고 발광소자(101)로부터 청색 빛이 방출되는 경우, 적색 형광체로는 MAlSiNx:Re(1≤x≤5)인 질화물계 형광체 및 MD:Re인 황화물계 형광체 등이 있다. 여기서, M은 Ba, Sr, Ca, Mg 중 선택된 적어도 하나이고, D는 S, Se 및 Te 중 선택된 적어도 하나이며, Re는 Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나이다. 또한, 녹색 형광체는 M2SiO4:Re인 규산염계 형광체, MA2D4:Re인 황화물계 형광체, β-SiAlON:Re인 형광체, MA'2O4:Re'인 산화물계 형광체 등이 있으며, M은 Ba, Sr, Ca, Mg 중 선택된 적어도 하나의 원소이고, A는 Ga, Al 및 In 중 선택된 적어도 하나이고, D는 S, Se 및 Te 중 선택된 적어도 하나이며, A'은 Sc, Y, Gd, La, Lu, Al 및 In 중 선택된 적어도 하나이며, Re는 Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나이고, Re'는 Ce, Nd, Pm, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나일 수 있다.
또한, 양자점은 코어(core)와 쉘(shell)로 이루어진 나노 크리스탈 입자로, 코어의 사이즈가 약 2 ~ 100nm 범위에 있다. 또한, 양자점은 코어의 사이즈를 조절함으로 청색(B), 황색(Y), 녹색(G), 적색(R)과 같은 다양한 색깔을 발광하는 형광물질로 사용될수 있으며, II-VI족의 화합물반도체(ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe등), III-V족의 화합물반도체 (GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlAs, AlP, AlSb, AlS 등) 또는 Ⅳ족 반도체(Ge, Si, Pb 등) 중 적어도 두 종류의 반도체를 이종 접합하여 양자점을 이루는 코어(core)와 쉘(shell) 구조를 형성할 수 있다. 이 경우, 양자점의 쉘(shell) 외각에 쉘 표면의 분자 결합을 종료시키거나 양자점의 응집을 억제하고 실리콘 수지나 에폭시 수지 등 수지 내에 분산성을 향상시키거나 또는 형광체 기능을 향상시키기 위해 올레인산(Oleic acid)과 같은 물질을 이용한 유기 리간드(Organic ligand)를 형성할 수도 있다.
반사부(103)는 도 1에 도시된 것과 같이, 적어도 발광소자(101) 및 파장변환부(102)의 측면을 덮도록 형성되며, 발광소자(101)에서 방출된 빛을 상부로 유도하는 기능을 한다. 특히, 발광소자(101) 외에 파장변환부(102)의 측면까지 덮도록 형성되어 발광 효율 향상에 기여할 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 것과 같이, 반사부(103)는 실질적으로 휘도에 기여하지 못하는 측면 방출 광을 상부로 유도할 수 있다. 또한, 반사부(103)는 발광소자(101)의 하면, 즉, 제1 및 제2 단자(104a, 104b)가 형성된 상기 제2 주면을 덮으며, 나아가, 제1 및 제2 단자(104a, 104b)의 측면까지 덮도록 형성되어 빛을 상면 방향으로 더욱 집중시킬 수 있다. 또한, 후술할 바와 같이, 반사부(103)를 몰딩하여 형성할 경우, 파장변환부(102)의 일면과 반사부(103)의 일면은 서로 공면(co-plane)을 이룰 수 있으며, 나아가, 제1 및 제2 단자(104a, 104b)의 일면과 반사부(103)의 일면도 서로 공면을 이룰 수 있다.
이러한 광 반사 기능을 수행하기 위하여 반사부(103)는 광 반사 기능을 수행할 수 있는 어떠한 물질도 사용 가능할 것이나, 발광소자(101) 및 단자(104a, 104b) 등과 접촉하고 있는 점에서 전기절연성 물질로 이루어지는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 반사부(103)는 수지와 저굴절률 수지 내에 분산된 반사 필러를 포함할 수 있다. 이 경우, 반사 필러는 TiO2나 SiO2 등과 같은 광 반사성 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 반사부(103)를 구성하는 상기 수지는 실리콘 수지나 에폭시 수지 등을 사용할 수 있으며, 반사 성능을 높이기 위하여 굴절률은 예컨대, 약 1.5 이하 등으로 낮은 것이 바람직하다.
이하, 상기와 같은 구조를 갖는 발광 디바이스를 제조하는 방법의 예를 설명한다. 도 5 내지 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 공정별 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 제조방법의 경우, 우선, 도 5에 도시된 것과 같이, 발광적층체(101) 상에 단자(104)를 형성한다. 발광적층체(101)는 도 1에서 설명한 발광소자가 서로 연결된 형태로 이해될 수 있으며, 발광적층체(101)를 단위 소자로 분리함으로써 각각의 발광소자가 얻어질 수 있다. 이 경우, 단자(104)는 마스킹 공정과 도금 공정 등을 통하여 각각의 발광소자 단위로 형성될 수 있으며(본 실시 형태의 경우는 3개의 발광소자), 도 1과 달리, 제1 및 제2 단자를 따로 도시하지 않았으나, 단자(104)는 제1 및 제2 단자로 분리된 구조로 이해될 수 있을 것이다. 다음으로, 도 6에 도시된 것과 같이, 발광적층체를 개별 발광소자(101) 단위로 분리한다. 다만, 본 공정을 수행하기 전에 발광적층체의 두께를 줄이는 랩핑(lapping) 공정이 실행될 수 있다. 개별 발광소자(101)로 분리하는 공정의 경우, 예를 들어, 발광적층체를 일부 절단하는 브레이킹 공정 후에 분리용 테이프(300)를 확장(expanding)하여 수행될 수 있을 것이다.
한편, 발광소자(101)를 마련하는 단계와 동시 또는 이와 별도로 파장변환부를 마련하는 공정이 진행될 수 있다. 구체적으로, 도 7에 도시된 것과 같이, 개별 발광소자에 대응하도록 하나 이상의 파장변환부(102)를 마련하며(본 실시 형태에서는 3개), 캐리어 필름(301) 상에 파장변환용 필름, 예컨대, 형광체 필름을 몰딩한 후 이를 개별 발광소자 단위로 다이싱한다. 이후, 도 8에 도시된 것과 같이, UV 시트(302)에 파장변환부(102)를 전사하며, 이는 후속 공정 중 발광소자가 접합된 상태에서 분리가 용이하도록 하기 위한 것이다. 이를 위하여, 파장변환부(102)를 전사한 후 UV 시트(302)에 빛을 조사하는 경화 공정이 실행될 수 있을 것이다.
다음으로, 도 9에 도시된 것과 같이, 박막 형상을 갖는 파장변환부(102)의 일면과 발광소자(101)의 일면이 접합한다. 이 경우, 도시하지는 않았으나, 파장변환부(102)에서 접합 면으로 제공되는 영역에 투광성 접착체를 도포한 후 그 위에 상술한 공정에서 얻어진 발광소자(101)를 접합할 수 있다. 다음으로, 도 10에 도시된 것과 같이, 반사부(103)를 형성하며, 구체적으로, 몰딩 장치(303) 내에 발광소자(101)를 배치한 후 컴프레션(compression) 몰딩 등의 공정으로 반사부(103)를 형성할 수 있다. 이 경우, 반사부(103)는 서로 분리된 상태의 발광소자(101)에 대하여 일체로 형성되며, 도 11에 도시된 것과 같이, 개별 발광소자(101) 단위로 분리됨으로써 발광 디바이스가 완성될 수 있을 것이다. 이후, 완성된 상태의 발광 디바이스는 방출하는 백색 광의 특성에 따라 적절히 랭크(rank) 별로 분류될 수 있을 것이다.
한편, 상기와 같은 구조를 갖는 발광 디바이스는 다양한 분야에서 응용될 수 있다. 도 12는 본 발명에서 제안하는 발광 디바이스의 사용 예를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 도 12를 참조하면, 조광 장치(400)는 발광 모듈(401)과 발광 모듈(401)이 배치되는 구조물(404) 및 전원 공급부(403)를 포함하여 구성되며, 발광 모듈(401)에는 본 발명에서 제안한 방식으로 얻어진 하나 이상의 발광 디바이스(402)가 배치될 수 있다. 이 경우, 발광 디바이스(402)는 그 자체로 모듈(401)에 실장되거나 패키지 형태로 제공될 수도 있을 것이다. 전원 공급부(403)는 전원을 입력받는 인터페이스(405)와 발광 모듈(401)에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부(406)를 포함할 수 있다. 이 경우, 인터페이스(405)는 과전류를 차단하는 퓨즈와 전자파장애신호를 차폐하는 전자파 차폐필터를 포함할 수 있다.
전원 제어부(406)는 전원으로 교류 전원이 입력되는 경우, 전원 제어부는 교류를 직류로 변환하는 정류부와, 발광 모듈(401)에 적합한 전압으로 변환시켜주는 정전압 제어부를 구비할 수 있다. 만일, 전원 자체가 발광 모듈(401)에 적합한 전압을 갖는 직류원(예를 들어, 전지)이라면, 정류부나 정전압 제어부를 생략될 수도 있을 것이다. 또한, 발광 모듈(401)의 자체가 AC-LED와 같은 소자를 채용하는 경우, 교류 전원이 직접 발광 모듈(401)에 공급될 수 있으며, 이 경우도 정류부나 정전압 제어부를 생략될 수도 있을 것이다. 나아가, 전원 제어부는 색 온도 등을 제어하여 인간 감성에 따른 조명 연출을 가능하게 할 수도 있다. 또한, 전원 공급부(403)는 발광 디바이스(402)의 발광량과 미리 설정된 광량 간의 비교를 수행하는 피드백 회로 장치와 원하는 휘도나 연색성 등의 정보가 저장된 메모리 장치를 포함할 수 있다.
이러한 조광 장치(400)는 화상 패널을 구비하는 액정표시장치 등의 디스플레이 장치에 이용되는 백라이트 유닛이나 램프, 평판 조명 등의 실내 조명 또는 가로등, 간판, 표지판 등의 실외 조명 장치로 사용될 수 있으며, 또한, 다양한 교통수단용 조명 장치, 예컨대, 자동차, 선박, 항공기 등에 이용될 수 있다. 나아가, TV, 냉장고 등의 가전 제품이나 의료기기 등에도 널리 이용될 수 있을 것이다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 발광소자 102: 파장변환부
103: 반사부 104: 단자
201: 반도체 성장용 기판 202: 제1 도전형 반도체층
203: 활성층 204: 제2 도전형 반도체층
205: 오믹컨택부 206a, 206b: 제1 및 제2 전극
300: 분리용 테이프 301: 캐리어 시트
302: UV 시트 303: 몰딩 장치

Claims (13)

  1. 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 발광소자;
    상기 발광소자의 제1 주면 상에 형성된 파장변환부;
    상기 발광소자의 제2 주면 상에 형성된 제1 및 제2 단자; 및
    적어도 상기 발광소자의 측면 및 상기 파장변환부의 측면을 덮도록 형성된 반사부;
    를 포함하는 발광 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사부는 상기 발광소자의 제2 주면까지 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사부는 상기 제1 및 제2 단자의 측면을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부는 박막 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부의 일면과 상기 반사부의 일면은 서로 공면을 이루는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 단자의 일면과 상기 반사부의 일면은 서로 공면을 이루는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 단자는 상기 제2 주면의 상부에서 보았을 때, 중심을 기준으로 대칭을 이루도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반사부는 수지 및 상기 수지 내에 분산된 반사 필러를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  9. 발광소자의 일면에 제1 및 제2 단자를 형성하는 단계;
    상기 발광소자에서 상기 제1 및 제2 단자의 맞은 편에 위치한 면에 파장변환부를 형성하는 단계; 및
    적어도 상기 발광소자의 측면 및 상기 파장변환부의 측면을 덮도록 반사부를 형성하는 단계;
    를 포함하는 발광 디바이스 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 발광소자의 일면에 제1 및 제2 단자를 형성하는 단계는,
    발광적층체의 일면에 단위 발광소자당 상기 제1 및 제2 단자를 각각 형성하는 단계 및 상기 발광적층체를 각각의 발광소자 단위로 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 파장변환부를 형성하는 단계는,
    상기 단위 발광소자당 하나의 파장변환부를 형성하는 단계 및 상기 단위 발광소자를 대응하는 상기 파장변환부에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단위 발광소자당 하나의 파장변환부를 형성하는 단계는,
    일체로 형성된 파장변환부를 각각의 발광소자 단위로 절단하는 단계 및 상기 절단된 파장변환부를 UV 시트 상에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 반사부를 형성하는 단계는,
    상기 각각의 발광소자에 대하여 일체로 반사부를 형성하는 단계 및 상기 반사부를 각각의 발광소자 단위로 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스 제조방법.
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