TW201526305A - 光電組件模組 - Google Patents

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Chao-Hsiung Chang
Pin-Chuan Chen
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Abstract

一種光電組件模組,包括第一電極和第二電極,所述第一電極與第二電極絕緣設置;一發光二極體和一穩壓二極體反向並聯於所述第一電極和第二電極。在第一電極的邊緣設有第一凹槽,在第二電極的邊緣設有第二凹槽,所述第一凹槽和第二凹槽相對設置並與第一電極和第二電極之間的空隙連通,所述穩壓二極體設置於第一凹槽或第二凹槽的底部,所述第一凹槽和第二凹槽的深度大於等於穩壓二極體的高度。

Description

光電組件模組
本發明涉及一種光電組件模組,尤其涉及具有穩壓二極體和發光二極體的光電組件模組。
發光二極體作為一種新型的光源,目前已廣泛應用於多種場合。請參閱圖1和圖2,在普通光電組件的封裝結構中,為了提高發光二極體20的抗靜電能力,一般通過反向並聯穩壓二極體30來避免靜電損傷,且發光二極體20和穩壓二極體30共同封裝於反射杯50中。然而,隨著光電組件模組的尺寸越來越小,容納發光二極體20的反射杯50的空間也較小,在配合穩壓二極體30的情況下,導致發光二極體20不能設置在反射杯50底部中心,從而引起該光電組件的發光光場的偏移問題,同時穩壓二極體30會吸收部分從發光二極體20發出的光線。
本發明旨在提供一種光電組件模組以克服上述缺陷。
一種光電組件模組,包括第一電極和第二電極,所述第一電極與第二電極絕緣設置;一發光二極體和一穩壓二極體反向並聯於所述第一電極和第二電極。在第一電極的邊緣設有第一凹槽,在第二電極的邊緣設有第二凹槽,所述第一凹槽和第二凹槽相對設置並與第一電極和第二電極之間的空隙連通,所述穩壓二極體設置於第一凹槽或第二凹槽的底部,所述第一凹槽和第二凹槽的深度大於等於穩壓二極體的高度。
本發明所提供的光電組件模組通過在第一電極和第二電極的邊緣分別設置開口相對的第一凹槽和第二凹槽,將穩壓二極體設置於第一凹槽或第二凹槽底部,且第一凹槽和第二凹槽的深度大於等於穩壓二極體的高度,使得穩壓二極體可以埋設在電極內而不影響發光二極體的設置位置,解決了光電組件的發光光場的偏移問題和穩壓二極體對從發光二極體發出的光線的吸收問題。
圖1為習知技術中的光電組件模組的俯視圖。
圖2為圖1中光電組件模組的沿II-II的截面圖。
圖3為本發明提供的光電組件模組的俯視圖。
圖4為圖3中光電組件模組的沿IV-IV的截面圖。
圖5為圖3中的光電組件模組設置封裝層後的一實施例的沿IV-IV的截面圖。
圖6為圖3中的光電組件模組設置反射杯後填充封裝層後的沿IV-IV的截面圖。
圖7為圖3中的光電組件模組設置反射杯後填充第一封裝層和第二封裝層後的沿IV-IV的截面圖。
下面將結合附圖,對本發明作進一步的詳細說明。
請參閱圖3至圖4,一種光電組件模組,包括第一電極110和第二電極120,所述第一電極110與第二電極120絕緣設置。所述第一電極110和第二電極120之間設有間隙101。在所述第一電極110和第二電極120上反向並聯有一發光二極體20和一穩壓二極體30。
所述發光二極體20和穩壓二極體30設計為反向並聯的原理如下:由於二極體具有正嚮導通,反向截止的特性,在正常工作狀態下,在發光二極體20兩端為正向電壓,發光二極體20發出光線,而在電路出現異常時,在發光二極體20兩端可累積大量反向電荷,使得反向電壓增加,從而導致發光二極體20被擊穿,損壞電路。當在發光二極體20兩端反向並聯穩壓二極體30後,穩壓二極體30可導通反向電荷,避免了發光二極體20兩端的反向電壓增加的問題,從而保護了發光二極體20。此反向並聯的方式多用於對發光二極體進行靜電保護。
在本實施例中,所述發光二極體20採用覆晶方式電連接於第二電極120與第一電極110的寬臂110a,並位於光電組件模組的中心。
具體的,所述第一電極110包括寬臂110a、窄臂110b和連接臂110c,所述寬臂110a、窄臂110b和連接臂110c形成“U”型,其中所述連接臂110c電連接所述寬臂110a和窄臂110b,所述寬臂110a和窄臂110b均與連接臂110c垂直。具體的,所述第一電極110的寬臂110a、窄臂110b和連接臂110c可通過焊接的方式連接在一起,也可以通過一體成型的方式形成。所述第二電極120位於第一電極110的“U”型開口內。
所述“寬臂110a與第二電極120之間的距離h的一半”與“寬臂110a的寬度a”之和為連接臂110c的長度c的一半。也就是說,第二電極120的寬度g、窄臂110b的寬度b以及窄臂110b與第二電極120之間的距離f三者之和,與寬臂110a的寬度a相等。這樣設計使得第二電極120與第一電極110的寬臂110a相鄰的邊緣1113、1213位於光電組件模組的中心,便於採用覆晶的方式將發光二極體20定位於光電組件模組的中心,在後續設置透鏡或反射杯時更容易準確的使發光二極體20處於透鏡的光軸或反射杯的中心軸。具體地,所述第一電極110的窄臂110b具有朝向第二電極120的邊緣1112,相對應的,第二電極120具有朝向窄臂110b的邊緣1212。所述寬臂110a具有朝向第二電極120的邊緣1113,相對應的,第二電極120具有朝向寬臂110a的邊緣1213。所述第二電極的兩個邊緣1212、1213構成第二電極120的兩個相對邊緣。
在本實施例中,窄臂110b與第二電極120之間的距離f(即邊緣1112與邊緣1212之間的距離f),以及寬臂110a與第二電極120之間的距離h(即邊緣1113和邊緣1213之間的距離)兩者相等,可以理解在其他實施例中這種設計不是必要的。
所述第一電極110的窄臂110b的邊緣1112和第二電極120的邊緣1212上分別設有第一凹槽111和第二凹槽121。第一凹槽111是由窄臂110b的上表面118向下凹陷,以及由邊緣1112向內凹陷形成的。第二凹槽121是由第二電極120的上表面128向下凹陷,以及由邊緣1212向內凹陷形成的。第一凹槽111和第二凹槽121相對設置,並與窄臂110b和第二電極120之間的間隙101連通。
所述穩壓二極體30設置於第一凹槽111的底部1111或第二凹槽121的底部1211。所述穩壓二極體30與第一電極110和第二電極120電連接。在本實施例中,所述穩壓二極體30打線連接於第二凹槽121的底部1211,導線310的兩端分別電連接穩壓二極體30和第一凹槽111的底部1111。所述第一凹槽111和第二凹槽121的深度大於等於穩壓二極體30的高度。優選的,導線310完全置於窄臂110b的上表面118和第二電極120的上表面128以下,從另一個角度可以說導線310完全容置在第一凹槽111中。在第一電極110和第二電極120上分別設置第一凹槽111和第二凹槽121的原因在於,採用打線連接的方式將穩壓二極體30設置於第二凹槽121中,為避免導線310伸出第一凹槽111和第二凹槽121的頂部吸收發光二極體20發出的光線和避免後續設置透鏡或反射杯時可能造成對導線310的損害。
本發明所提供的光電組件模組通過在第一電極110的窄臂110b的邊緣1112和第二電極120的邊緣1212分別設置開口相對的第一凹槽111和第二凹槽121,將穩壓二極體30設置於第一凹槽111或第二凹槽121,且第一凹槽111和第二凹槽121的深度大於等於穩壓二極體30的高度,使得穩壓二極體可以埋設在電極內而不影響發光二極體的設置位置,解決了光電組件的發光光場的偏移問題和穩壓二極體30對從發光二極體20發出的光線的吸收問題。
進一步的,所述光電組件模組還包括承載所述第一電極110和第二電極120的基板10。所述基板10採用絕緣材料製成。所述絕緣材料可選自環氧模塑封裝層(Epoxy Molding Compound,EMC)和SMC複合材料(Sheet molding compound,SMC)。所述基板10對第一電極110和第二電極120起支持作用和絕緣作用,基板10填充於第一電極110和第二電極120之間的間隙101中的部分結構在視圖中可見,其他部分未示出在視圖中。可以理解地,為方便設置導線310,第一凹槽111和第二凹槽121之間的空隙102並未設置基板10。
更進一步,請參閱圖5,本發明提供的光電組件模組還包括一封裝層40,所述封裝層40覆蓋於光電組件模組上設置有發光二極體20和穩壓二極體30的一面。所述封裝層40填充於第一凹槽111和第二凹槽121以及第一凹槽111和第二凹槽121之間的空隙102。
所述封裝層40包含一設置於所述發光二極體20上方的透鏡41,所述發光二極體20位於透鏡41的光軸M-M。所述透鏡41可包含螢光粉。
在另一些實施例中,如圖6所示,本發明所提供的光電組件模組還包括一設置於基板10上的反射杯50。所述發光二極體20位於基板10之上,反射杯50的底部中心。所述反射杯50、第一凹槽111和第二凹槽121內均填充有封裝層40a,以覆蓋發光二極體20和穩壓二極體30。所述封裝層40a包含螢光粉。
進一步的,如圖7所示,所述封裝層40a可分為第一封裝層401和第二封裝層402。所述第一封裝層401填充於反射杯50內以覆蓋發光二極體20。所述第二封裝層402填充於第一凹槽111和第二凹槽121之間的空隙102以覆蓋穩壓二極體30。所述第一封裝層401包含螢光粉。優選的,為進一步增加光電組件模組的出光效率,第二封裝層402採用白色封裝材料。
本發明之技術內容及技術特點已揭示如上,然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不背離本發明精神之替換及修飾。因此,本發明之保護範圍應不限於實施例所揭示者,而應包括各種不背離本發明之替換及修飾,並為以下之申請專利範圍所涵蓋。
10‧‧‧基板
101‧‧‧間隙
102‧‧‧空隙
110‧‧‧第一電極
110a‧‧‧寬臂
110b‧‧‧窄臂
110c‧‧‧連接臂
111‧‧‧第一凹槽
120‧‧‧第二電極
121‧‧‧第二凹槽
1111、1211‧‧‧底部
1112、1212、1113、1213‧‧‧邊緣
118、128‧‧‧上表面
20‧‧‧發光二極體
30‧‧‧穩壓二極體
310‧‧‧導線
40、40a‧‧‧封裝層
41‧‧‧透鏡
401‧‧‧第一封裝層
402‧‧‧第二封裝層
50‧‧‧反射杯
10‧‧‧基板
110‧‧‧第一電極
110a‧‧‧寬臂
110b‧‧‧窄臂
110c‧‧‧連接臂
111‧‧‧第一凹槽
120‧‧‧第二電極
121‧‧‧第二凹槽
1111、1211‧‧‧底部
1112、1212、1113、1213‧‧‧邊緣
118、128‧‧‧上表面
20‧‧‧發光二極體
30‧‧‧穩壓二極體
310‧‧‧導線

Claims (14)

  1. 一種光電組件模組,包括第一電極和第二電極,所述第一電極與第二電極絕緣設置;一發光二極體和一穩壓二極體反向並聯於所述第一電極和第二電極,其改良在於:在第一電極的邊緣設有第一凹槽,在第二電極的邊緣設有第二凹槽,所述第一凹槽和第二凹槽相對設置並與第一電極和第二電極之間的空隙連通,所述穩壓二極體設置於第一凹槽或第二凹槽的底部,所述第一凹槽和第二凹槽的深度大於等於穩壓二極體的高度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光電組件模組,其中,所述第一電極包括寬臂、窄臂和連接臂,所述寬臂、窄臂和連接臂形成“U”型,所述連接臂電連接所述寬臂和窄臂,所述第二電極設置於第一電極的“U”型開口內。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之光電組件模組,其中,所述“寬臂與第二電極之間的距離的一半” 與“寬臂的寬度”之和等於連接臂長度的一半。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之光電組件模組,其中,所述第一凹槽和第二凹槽分別設置於第一電極的窄臂的邊緣和與窄臂對應的第二電極的一邊緣,所述穩壓二極體設置於第一凹槽或第二凹槽中,且與第一電極和第二電極電連接,所述發光二極體與第一電極的寬臂和第二電極電連接。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光電組件模組,其中,還包括承載第一電極和第二電極的基板。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項之任一項所述之光電組件模組,其中,還包括一封裝層,所述封裝層覆蓋於光電組件模組上設置有發光二極體和穩壓二極體的一面,且填充第一凹槽和第二凹槽之間的空隙。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之光電組件模組,其中,所述封裝層包含一設置於所述發光二極體上方的透鏡,所述發光二極體位於所述透鏡的光軸。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之光電組件模組,其中,所述透鏡包含螢光粉。
  9. 如申請專利範圍第1項至第5項之任一項所述之光電組件模組,其中,還包括一反射杯,所述反射杯設置於光電組件模組上設置有發光二極體和穩壓二極體的一面。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之光電組件模組,其中,所述發光二極體位於反射杯底部中心。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之光電組件模組,其中,還包括封裝層,所述封裝層填充於反射杯內以覆蓋發光二極體和穩壓二極體。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之光電組件模組,其中,所述封裝層包含螢光粉。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之光電組件模組,其中,還包括第一封裝層和第二封裝層,所述第一封裝層為透明封裝層,填充於反射杯內以覆蓋發光二極體,所述第二封裝層為白色封裝材料,填充於第一凹槽和第二凹槽之間的空隙中以覆蓋穩壓二極體。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之光電組件模組,其中,所述第一封裝層包含螢光粉。
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