JP6508189B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
前述のような黒い付着物による光の取り出しの低下を防ぐために、発光装置においては、発光素子が載置される空間に十分な酸素を供給可能であること、すなわち、発光素子が載置される空間と発光装置の外部との空気の流れがスムーズになるような構成とすることが重要である。
以下、本実施形態に係る発光装置100の構成について説明する。
図1は、本発明の実施形態1に係る発光装置100の概略平面図である。図2は、図1に示す発光装置100のX−X´線における概略断面図である。図3は、本発明の実施形態1に係る発光装置100の概略断面斜視図である。図4は、発光装置100に用いられる、発光素子3、保護素子4及び接着材5が設けられた基板1の概略平面図であり、基板に枠体6と透光性部材7とを有するキャップ8を接合する前の状態の発光装置100を示す。図7は、図1に示す発光装置100のX−X´線における切断部端面図である。図10は、発光装置100の変形例を示す概略平面図である。なお、本明細書中では、断面図及び端面図における上下方向を“高さ方向”、断面図における左右方向、すなわち高さ方向に垂直な方向を“幅方向”と記載することがある。
また、枠体6の内側面6aに、それよりも反射率の高い反射膜6bが設けられていると、さらに発光素子3の光の取り出しを向上させることができる。例えば、反射膜6bとして、Al、Ag等の金属が挙げられる。反射膜6bが金属の場合は、例えば、蒸着、スパッタ等で形成することができる。なお、比較的反射率の高い材料で枠体6を形成する場合は、反射膜6bは設けなくてもよい。これにより、工程数を減らすことができる。
また、枠体6の上面には、透光性部材7が配置・接合しやすいように、凹部や溝が設けられていてもよい。
実施形態1では、図1〜図3に示されるように、透光性部材7は平面視でその外縁が枠体6の外縁と一致している。これにより、例えば平面視で透光性部材7の外縁が枠体6の外縁よりも外側にくる場合に比べて、枠体6と透光性部材7の接合性を維持しやすい。なお、透光性部材7は、図2及び図3に示されるような平板状のほか、凸レンズ状でもよく、表面に凹部や溝等を有していてもよい。
なお、実施形態1では、枠体6と透光性部材7とが接合されたキャップ8を用いたが、枠体と透光性部材とが元々一体に形成されたキャップを用いてもよい。
また、保護素子4は、その上面が第1上面1a以下の高さとなるように第2上面1bに載置される。したがって、発光素子3から該隙間9の間が保護素子4によって遮られることがなく、発光素子3が載置される空間と外部との空気が出入りしやすい構造となっている。これにより、発光装置100の駆動中、発光素子3の表面に黒い付着物が付くことを抑制することができ、当該付着物によって発光素子3の光の取り出しが低下しにくい、信頼性の高い発光装置100を提供することができる。
基板1は、例えば図2に示されるように、正負の配線2aと、それを保持する絶縁性の基材2bと、を有する。正負の配線2a及び基材2bは、その上面に載置される発光素子3の出射光を反射可能な材料からなることが好ましい。
正負の配線2aの材料は、発光素子3と電気的に接続可能なものであれば特に限定されず、当該分野で公知の材料によって形成することができる。例えば、Cu、Ni、Pd、W、Cr、Ti、Al、Ag、Au又はそれらの合金等を用いることができる。正負の配線2aとして、放熱性の観点から、特にCu又はCu合金が好ましい。なお、正負の配線2aの表面には、Ag、Pt、Sn、Au、Cu、Rd、又はこれらの合金や、酸化物の被膜が形成されていてもよい。正負の配線2aは、めっき、スパッタ、その他の公知の方法で形成してもよいし、リードフレーム等を用いてもよい。
なお、基板1上に発光素子3や保護素子4を接合する導電性接着剤又は絶縁性接着剤は、当該分野で公知のものを適宜使用することができる。例えば、導電性接着剤としては、Au−Sn等の半田が挙げられる。
発光素子3は、当該分野で一般的に用いられる発光ダイオード、レーザダイオードであり、例えば、窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP、GaAsなどのIII−V族化合物半導体等、種々の半導体を利用することができる。発光素子3は、少なくとも、発光層を含む半導体層と、正負の電極と、を有する。実施形態1にかかる発光素子3は、正負の電極が同一面上に設けられている。したがって、発光素子3と基板1とをフリップチップ実装することが可能であり、ワイヤによって発光素子3と基板1とを電気的に接続する場合に比べて、発光装置100を小型化することができる。また、フリップチップ実装することで、発光素子3と隙間9との間に、ワイヤやそのボンディング部等を設けなくてもよい。したがって、発光素子3が載置される空間と発光装置100の外部との空気の流れがスムーズになりやすい。
なお、電極を有する面と反対側の面を基板1の第1上面1aと接合し、発光素子3の正負の電極と基板1の正負の配線2aとをワイヤによってそれぞれ電気的に接続してもよい。また、上面に正負いずれか一方の電極を有し、下面に他方の電極を有する発光素子を用いてもよい。
発光素子3は、半導体層を成長させるための成長基板を有していてもよい。成長基板としては、サファイアのような絶縁性基板、SiC、ZnO、Si、GaAs、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。成長基板は、透光性であることが好ましい。なお、成長基板はレーザリフトオフ法等を利用して除去されていてもよい。
保護素子4としては、例えば、ツェナーダイオード、コンデンサ、バリスタ等が挙げられる。特に、保護素子4としてツェナーダイオードを載置することで、駆動における信頼性が高い発光装置100を提供することができる。なお、保護素子4は、基板1の第2上面1bの正負の配線2aにフリップチップ実装されていてもよいし、ワイヤ等で電気的に接続されていてもよい。図2及び図3に示されるように、保護素子4が基板1の第2上面1bにフリップチップ実装されていると、発光装置を小型化することが可能である。また、フリップチップ実装によれば、保護素子4と基板1の正負の配線2aとを電気的に接続するワイヤ等を設けなくてもよいので、発光素子3が載置される空間と外部との空気の流れが遮られにくい。
接着材5は、基板1とキャップ8とを接合可能な材料であれば、特に限定されない。接着材5の材料としては、樹脂、半田、低融点ガラス等が挙げられる。特に、樹脂は、基板1の上面1aに配置しやすいため好ましい。樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられ、特に耐熱性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。半田の材料としては、Au−Sn、Au−In等が挙げられる。半田は、発光素子3の光による劣化が少なく、接合時にセルフアライメント効果によりキャップ8と基板1との位置ズレを補正することが可能である。
キャップ8は、基板1とは別体であり、接着材5によって基板1に接合される。実施形態1では、キャップ8は、枠体6と透光性部材7とを有する。
枠体6の材料は、発光素子3の光を遮光可能であり、基板1及び透光性部材7と接合可能なものであればよい。例えば、無機材料としては、Si等の非金属、Al、Co、W、Fe−Ni合金、Pt、Cu、Cu−W等の金属が挙げられる。有機材料としては、ポリアミド樹脂、ポリフタルアミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。
枠体6は、所望の形状に加工しやすい材料からなることが好ましい。加工しやすい材料としては、Si等が挙げられる。枠体6の加工方法としては、へき開法、エッチング法、金型による成形法等が挙げられる。特に、Siは、枠体6の内側面6aを所望の傾斜面に形成しやすく好ましい。具体的には、Siはその結晶構造から、へき開法により54.7°傾斜した平滑なへき開面を得ることができる。これを、枠体6の内側面6bとすることで、発光素子3の光を透光性部材6に効率的に反射可能な枠体6を容易に形成することができる。
その他、枠体6は、基板1と熱膨張係数の近い材料で構成されると好ましい。これにより、基板1と枠体6との接合時に、部材の熱膨張に起因する割れや破損を抑制することができる。
透光性部材7は、例えば劣化しにくいガラス等であると好ましい。その他、透光性部材7としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの樹脂や、石英等を用いることができる。透光性部材7は、透明であることが好ましいが、白濁などの不透明であってもよい。なお、透光性部材7は、熱膨張係数の小さい材料で形成されると好ましい。また、透光性部材7は、基板1及び枠体6と熱膨張係数の差が少ない材料で形成されると好ましい。これにより、透光性部材7の割れを抑制することができる。
図5Aは、実施形態2にかかる発光装置200aを示す概略断面図である。実施形態1では、下面が略平坦である枠体6を用いたが、下面に凹部を有する枠体を用いてもよい。実施形態2では、図5Aに示されるように、枠体26の下面は、基板21の上面側の第1下面26cと、それよりも高い位置に設けられる第2下面26dと、を有する。第2下面26dは、第1下面26cよりも0.1mm〜0.3mm高い位置に設けることができる。その他の発光装置の構成については、実施形態1と略同様とすることができるため、詳細な説明は省略する。
発光素子23が載置される空間と発光装置200aの外部との間を流れる空気の一部は、基板21の第1上面21aから第2上面21bに沿って流れていく。ここで、第2上面21bに沿って流れる空気は、第1上面21aと第2上面21bの高低差により、その流れの勢いが緩やかになる可能性がある。しかしながら、基板21の第2上面21aの上方に、枠体26の第2下面26dを設け、その部分の基板21と枠体26との間の隙間を広くすることで、空気の流れを活発にすることが可能である。
図6は、発光装置100が実装基板300に実装された発光モジュール1000の一部を示す概略断面図である。発光モジュール1000は、発光装置100の基板1が上側に配置されるように、発光装置100が実装基板300に接合されて使用される。
図8Aは、実施形態4に係る発光装置400を示す概略平面図である。図8Bは、図8Aに示す発光装置400のX−X´線における概略断面図である。図8Cは、発光装置400に用いられる、発光素子43、保護素子44及び接着材45が設けられた基板41の概略平面図であり、基板41に枠体46と透光性部材47とを有するキャップ48を接合する前の状態を示す。発光装置400において、基板41は、その上面において、平面視で発光素子43と接着材45とを結ぶ直線と重なる領域に突起41cを有している。発光装置400は、複数設けられた接着材45のそれぞれに対応して、複数の突起41cが設けられている。突起41cにより発光素子43からの光を上方に反射させることができるので、光取り出し効率の低下を抑制しつつ、発光素子43が発する光が接着材45に直接照射されることによる接着剤45の劣化を防止することができる。その他の発光装置の構成については、実施形態1と略同様とすることができるため、詳細な説明は省略する。
突起41cの上面は、枠体46の下面と同じ高さ又は枠体46の下面よりも高いことが好ましい。これにより、発光素子43が発する光が接着材45に直接照射されにくくなる。
図9Aは、実施形態5にかかる発光装置500を示す概略平面図である。図9Bは、図9Aに示す発光装置500のX−X´線における概略断面図である。図9Cは、図9Aに示す発光装置500に用いられる、発光素子53、保護素子54及び接着材55が設けられた基板51の概略平面図であり、基板51に枠体56と透光性部材57とを有するキャップ58を接合する前の状態を示す。発光装置500において、基板51は、その上面において、平面視で発光素子53と保護素子54とを結ぶ直線と重なる領域に突起51cを有している。その他の発光装置の構成については、実施形態1と略同様とすることができるため、詳細な説明は省略する。
実施例1に示す発光装置100は、平面視で3.5mm×3.5mm、高さ方向の厚みは0.9mmである。実施例1の発光装置100は、AlNからなる基材2bと、Ni/Auからなる正負の配線2aと、を備える基板1を有する。実施例1の基板1は、平面視で3.5mm×3.5mmの矩形状であり、高さ方向の厚みは0.4mmである。基板1の上面は、第1上面1aと、第1上面1bよりも低い第2上面1bとを有し、それぞれの上面に、正負の配線2aが設けられている。
実施例1の第2上面1bは、第1上面1aよりも0.2mm低く設けられている。第2上面1bは、平面視で、例えば基板1の上面の略中央から矩形のいずれか一辺側に寄って設けられており、0.7mm×0.7mmの矩形状である。
300…実装基板
1000…発光モジュール
1、21、41、51…基板
1a、21a、41a、51a…第1上面
1b、21b、41b、51b…第2上面
41c、51c…突起
2a…正負の配線
2b…基材
3、23、43、53…発光素子
4、24、44、54…保護素子
5、25、45、55…接着材
6、26、46、56…枠体
6a、46a…枠体の内側面
6b…反射膜
26c…第1下面
26d…第2下面
7、27、47、57…透光性部材
8、28、48、58…キャップ
9…隙間
Claims (10)
- 第1上面と、前記第1上面よりも低い第2上面と、を有する基板と、
前記第1上面に載置され、紫外光を発する発光素子と、
前記第2上面に載置され、上面が前記第1上面以下に設けられる保護素子と、
前記発光素子よりも外側の前記第1上面に複数設けられた接着材と、
前記接着材によって前記第1上面の一部と接合され、前記発光素子を囲むように、且つ、下面が前記第2上面の上方に配置されるように設けられる枠体と、
前記枠体の上面に接合される透光性部材と、を備え、
前記第1上面と前記枠体の下面との間に、前記発光素子が載置される空間から発光装置の外部に貫通する隙間を有し、
前記接着材によって、前記第1上面と前記枠体の下面との間に前記隙間が設けられる発光装置。 - 前記第1上面と前記枠体の下面との隙間は、10μm〜50μmである請求項1に記載の発光装置。
- 前記枠体の下面は、前記第2上面の上方に位置する領域に、凹部を有する請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記基板は平面視で矩形状であり、
前記接着材は、前記第1上面の角部に設けられている請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、前記基板にフリップチップ実装されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記保護素子は、前記基板にフリップチップ実装されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記枠体の内側面に、反射膜が設けられている請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記基板は、その上面において、平面視で前記発光素子と前記接着材とを結ぶ直線と重なる領域に突起を有している請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記突起は、前記複数設けられた接着材のそれぞれに対応して複数設けられ、
平面視において、複数の前記突起どうしが離間して設けられている請求項8に記載の発光装置。 - 前記基板は、その上面において、前記発光素子と前記保護素子とを結ぶ直線と重なる領域に突起を有している請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。
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