TWI495164B - 發光裝置 - Google Patents

Description

發光裝置

本發明係關於一種可利用於顯示裝置、照明器具、顯示器、液晶顯示器之背光光源等之發光裝置，特別係關於一種將半導體發光元件晶片安裝於表面具有配線之安裝基板而成之發光裝置。

先前已發明有一種發光裝置，其係為提高從如LED或LD之半導體發光元件晶片之光取出效率，而於安裝有半導體發光元件晶片之安裝基板上，一體成形作為透鏡而發揮功能之透光性密封構件。如此之發光裝置進一步被研討光取出之高效率化。

例如，專利文獻1中揭示有一種發光裝置，其具有：於包含絕緣性樹脂或陶瓷之基板上配置有Cu配線圖案之安裝基板；搭載於Cu配線圖案上之LED晶片；及覆蓋Cu配線圖案與LED晶片之透光性樹脂；且，於Cu配線圖案與LED晶片之間實施鍍Ag，再者，於露出之基板之上面塗布白色或銀色的樹脂。藉此，提高發光裝置之光取出效率。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-201420號公報

然而，專利文獻1所揭示之發光裝置，雖然利用鍍銀或白色或銀色之塗裝可以高反射率反射從LED晶片向安裝基板照射之各種入射角之光，但不能完全反射來自LED晶片之光。且，利用如上述鍍銀或白色或銀色之塗裝之反射膜，為獲得充分反射而需要膜厚較厚之塗膜，使得製作高精度製品較為困難，此外，由於伴隨有不必要之散射的情況較多而有降低光取出效率之情形。

又，上述發光裝置，在以透過硫氣體之材料構成覆蓋LED晶片之透光性密封構件之情形下，若在高溫高濕度下使用，則鍍銀會隨時間經過而劣化，導致反射功能大幅降低。

因此，本發明之目的係提供一種可靠性高，且可高輸出地發光之發光裝置。

為達成上述目的，本發明之發光裝置之特徵在於具有：安裝基板，其係於基體之上面配置有配線圖案；光反射層，其具有部份配置於前述配線圖案之上面且包含金屬材料之第1層、及包含積層有折射率不同之介電體膜之介電體多層反射膜且覆蓋前述第1層之上面與側面之第2層；發光元件晶片，其係以覆蓋前述光反射層之至少一部份之方式而固定；及透光性密封構件，其密封前述光反射層與前述發光元件晶片。

且，較佳為，前述第2層係覆蓋從前述配線圖案之間露出之前述基體之上面。

又，較佳為，前述第1層係在從前述配線圖案之間露出之前述基體之上面與前述第2層之間，與前述配線圖案相隔而配置。

再者，較佳為，前述光反射層具有覆蓋前述第2層之上面及側面之第3層，前述第3層係由折射率低於前述透光性密封構件之材料構成，且具有可將來自前述發光元件晶片之光全反射之膜厚。

另，較佳為前述第3層包含厚度為300 nm以上之低折射率介電體薄膜。

根據本發明，於高密度照射來自發光元件晶片之光之部位的安裝基板之上面，可將來自發光元件晶片之光的吸收抑制在最小限度，從而可實現光取出效率高的發光裝置。

以下參照附圖說明用以實施本發明之最佳形態。但以下所示之形態僅為例示用以將本發明之技術思想具體化之發光裝置者，而並非限定於以下之形態。

另，本說明書絕非將申請專利範圍所示構件特定於實施形態之構件。尤其是實施形態所記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對配置等，只要無特定記載，並無將本發明之範圍只限定於其之意旨，即其僅為說明例。又，各附圖所示構件之大小或位置關係等為明確說明而有誇張之情形。再者，以下說明中，關於相同名稱、符號係顯示相同或同質之構件，至於其詳細說明則予省略。

以下參照適宜附圖說明本發明之實施形態。

<構成>

參照圖1A至圖4，說明本發明之實施形態之發光裝置之構成。另，圖1B係顯示圖1A所示之發光裝置100之A-A'剖面之模式剖面圖。再者，圖1C係圖1B之點線圓區域之模式放大圖。

如圖1A至圖1C所示，本實施形態之發光裝置100具有：於基體11a之上面配置有配線圖案11b之安裝基板11；配置於供固定配線圖案11b之發光元件晶片14之電極14b之安裝部11b-1與外部連接用電極端子部11b-2以外之上面的光反射層12；於安裝部11b-1安裝有倒裝晶片之發光元件晶片14；及密封光反射層12與發光元件晶片14之透光性密封構件15。尤其，光反射層12具有：包含金屬材料之第1層12a、及包含積層有折射率不同之介電體膜之介電體多層反射膜且覆蓋第1層之上面與側面之第2層12b，且，形成有發光元件晶片14之電極14b之側之面的一部份係與光反射層12之上面的一部份相對。

(安裝基板)

安裝基板11於成為矩形之平面形狀之基體11a上具有配線圖案11b。本實施形態之配線圖案11b係於基體11a之上面側具有供固定發光元件晶片14之電極14b之安裝部11b-1、及與外部電性連接之外部連接用電極端子部11b-2，但不限於此，為謀求小型化，可預先於基體11a設置貫通孔等，亦可於基體11a之下面側設置外部連接用電極端子部。

(基體)

只要基體11a可於其上方固定發光元件晶片14，且可於其上面保持配線圖案11b及光反射層12，其材質無特別限定。其中以陶瓷、乳白色樹脂等具有絕緣性及遮光性材料構成較佳。另一方面，基體11a由於位於可成為熱源之發光元件晶片14附近，因此較佳為熱傳導性優良之材質，且為可向外部放熱之結構。作為該情形之材質，例如可舉出氮化鋁、銅、銅合金、鋁等金屬。將導電性材料作為基體11a使用時，須於基體11a之上面與配線圖案11b之下面之間設置絕緣層。

(配線圖案)

本實施形態之配線圖案11b具有：供固定發光元件晶片14之電極14b之安裝部11b-1、及與外部電性連接之外部連接用電極端子部11b-2。配線圖案11b係將外部之驅動電路與發光元件晶片14電性連接者，只要具有導電性即可，無特別限定，可為與電性連接於發光元件晶片14所使用之接合墊13之連接性及電性傳導性良好者。

配線圖案11b係以包含Ni、Au、Pt、Rh、Ag、Cr、Ti、Cu、W、Mo等金屬之單層、積層體、或合金等構成。為提高與後述光反射層12之密接力，可以Ti或Ni、Cr等覆蓋配線圖案之表面。此時，為易於微細地形成後述之光反射層12之圖案，以令配線之厚度為至少10μm以下較佳，更佳為5μm以下，再更佳為2μm以下。

另，配線圖案11b之層構成、圖案寬度等以考慮對於供 給於發光元件晶片14之電流量不成為高電阻之方式較佳。作為具體之電阻，較佳為300μΩ-cm以下，更佳為3μΩ-cm以下。

配線圖案11b之形成方法，具體而言，係利用蒸鍍或鍍敷法等於基體11a上將配線材料成膜，此時可使用金屬屏蔽、光微影、蝕刻、剝離等形成圖案。

(光反射層)

本發明之光反射層12具有：包含金屬材料之第1層12a、及包含積層有折射率不同之介電體膜之介電體多層反射膜且覆蓋第1層12a之上面與側面之第2層12b，且，部份地配置於配線圖案11b之上面。具體而言，當配置於基體11a之上面之配線圖案11b具有供固定發光元件晶片14之電極14b或遮光性之部位之安裝部11b-1、與發光元件晶片之電極打線接合之引線連接部、及與外部連接之外部連接用電極端子部11b-2中之任一者時，係於除該等以外之配線圖案11b之上面配置光反射層12。光反射層12係配置於比發光元件晶片14更下方，且光反射層12之上面之至少一部份與發光元件晶片14之下面相對。光反射層12之厚度在可使第1層12a與第2層12b分別發揮充分之反射功能，且無損生產性之範圍內即可，並無特別限定。

本實施形態之發光裝置100，由於同一面側具有正負電極14b之發光元件晶片14係與配線圖案11b成倒裝晶片安裝，因此配線圖案11b之上面中，在除經由接合墊13固定發光元件晶片14之電極14b之安裝部11b-1、與外部連接用 電極端子部11b-2以外之區域，配置有光反射層12。光反射層12之發光元件晶片14側之端部係與接合墊13相接，且光反射層12之上面與發光元件晶片14之側面相互交叉。

如此，藉由以覆蓋光反射層12之至少一部份之方式固定發光元件晶片14，可使從發光元件晶片14之側面及電極14b之周邊以高密度照射之光以光反射層12高效率地反射，從而有效地向外部射出。

另，如上所述，上下之面中，於一方之面側具有正負電極且另一方之面為透光性之發光元件晶片14，亦可使發光元件晶片14之電極14b側朝向上方，將另一方之面側作為安裝面而令其與配線圖案11b側相對地固定。例如，配線圖案之上面中，可在除與發光元件晶片之電極打線接合之部位與外部連接用電極端子部以外之區域，配置光反射層，且於光反射層上以透光性接合構件將發光元件晶片固晶。如此，藉由於光反射層上固定發光元件晶片，可使從發光元件晶片之側面及下面以高密度照射之光高效地反射，從而有效地向外部射出。

另一方面，上下之面中，一方之面側具有正負電極，另一方之面係透光性且至少一部份具有遮光性金屬膜之發光元件晶片之情形下，係將光反射層配置於配線圖案之上面中除經由接合構件而與發光元件晶片之金屬膜固定之安裝部與外部連接用電極端子部以外之區域，較佳為將發光元件晶片之金屬膜之部位經由接合構件而與從光反射層之間露出之配線圖案之安裝部固定。藉此，可提高發光元件晶片之放熱性與接合性，且使從發光元件晶片之側面及金屬膜之周邊以高密度照射之光高效率地反射，從而有效地向外部射出。該情形下，將接合構件配置成與光安裝部之上面及光反射層之端部之上面相接較佳。

(第1層)

第1層12a以由Ag、Al、Rh等高反射率金屬構成較佳。另，為提高與基體11a或配線圖案11b之材料的密接力，可於配線圖案11b側預先形成Ti或Ni等金屬。此時第1層亦具備配線之功能。第1層之厚度較佳為50 nm以上2000 nm以下，藉此可在無損生產性之範圍內獲得充分的反射率。

由於第1層12a係由金屬構成，因此基本係反射或吸收光，但不透射光。另一方面，第2層12b或第3層22c具有透光性，且在不反射光時透射。因此，藉由將第1層12a設於第2層12b及第3層22c之下側，作為光反射層12可整體獲得最低限度之反射。

又，第1層12a不一定須與配線圖案一體形成，但將第1層12a與配線圖案一體形成較佳。藉此，與僅配線圖案為通電通路之情形相比，可增大通電通路之體積。藉此可減小電阻，因此可降低發光裝置整體之電阻。

另，如圖4所示，第1層42a以將配線圖案11b之安裝部11b-1以外之上面、與從配線圖案11b之間露出之基體11a之上面相隔地覆蓋較佳。藉此，即使在發光元件晶片14附近之基體11a之露出部，亦可使以高密度照射之光高效率地反射，從而有效地向外部射出。

(第2層)

第2層12b係連續覆蓋上述第1層12a之上面及側面。且，第2層12b之上面的一部份係與發光元件晶片14之半導體積層結構14a之下面相對。如此本發明之第2層，在發光元件晶片14於下面側具有電極14b之情形下，具有防止與配線圖案11b短路之絕緣膜的功能，同時具備防止配線圖案11b之腐蝕或破損之保護膜功能，且適宜地反射來自發光元件晶片14之光的反射膜之功能。

如前所述，較佳為，第2層12b為作為絕緣膜發揮功能，而連續覆蓋第1層12a之上面及側面，然而為作為反射膜發揮功能，至少覆蓋第1層12a之上面即可。

第2層12b包含積層有折射率不同之介電體膜之介電體多層反射膜。介電體多層反射膜係含選自Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al所成群之元素的氧化物或氮化物且將互相折射率不同之至少2個介電體膜積層者。具體而言，其係以各介電體膜中之相當於平均波長之約1/4的膜厚交互積層之多層結構，以在從發光元件晶片14所照射之光波長範圍內具有適宜之反射。藉此，第2層利用在所構成之膜之邊界面之反射光的干涉，可將從發光元件晶片14向第2層12b入射之光中入射角較小之成分比僅第1層12a時更高效率地反射。第2層12b之厚度若在無損生產性之範圍內可獲得充分之反射率，則無特別限定。例如，在第2層12b係由含SiO₂ 之第1介電體膜與含Nb₂ O₅ 之第2介電體膜交互積層而成之情形下，以1以上20以下之週期積層70 nm以上95 nm以下之第1介電體膜、與40 nm以上60 nm以下之第2介電體膜較佳。

由於第2層12b係位於發光元件晶片14之正下方及其附近，因此來自發光元件晶片14之光以較小之入射角從正面方向入射於第2層12b。因此，以入射角較小之光可反射之方式設計第2層12b較佳。具體而言，對於入射角為0度以上10度以下，較佳為入射角為0度以上20度以下，更佳為入射角為0度以上30度以下之光，可將第2層12b之反射率設定為高於第1層12a之反射率。藉此，可提高光反射層12整體之反射率。即，由於第2層12b具有透光性，因此即使是無法在第2層12b反射之入射角之光，亦可使其在設於其下之第1層12a反射。因此，藉由從基體11a依次設置第1層12a及第2層12b，可獲得更佳之光反射。

尤其，在與第2層12b相對之發光元件晶片14之面具有透光性之情形下，較多來自發光元件晶片之光以較小之入射角從正面方向入射於第2層12b，因此如此之構成有效。

又，如圖3及圖4所示，較佳為前述第2層32b、42b連續覆蓋第1層12a、42a、與從配線圖案11b之間露出之基體11a之上面。藉此，可使從發光元件晶片14以至近距離高密度地照射之光更高效率地反射，並有效地朝外部取出。尤其，於配線圖案11b上倒裝晶片式安裝發光元件晶片14之發光裝置中，發光元件晶片14之半導體積層結構14a與從配線圖案11b之間露出之基體11a之上方相對，因此在從配線圖案11b之間露出之基體11a之上方，可比其他區域更以至近距離照射高密度之光，因此使用上述構成可顯著表現出光輸出提高之效果。

(發光元件晶片)

本實施形態之發光元件晶片14係令電極14b與配線圖案11b之安裝部11b-1上相對而固定。發光元件晶片14具備至少具有發光層，更佳為具有於基板上以第1導電型半導體、發光層及第2導電型半導體之順序形成之半導體積層結構14a，並具有設有對於該半導體積層結構供給電流之電極14b之半導體發光元件結構。作為半導體積層結構14a之具體例，具有從基板側依次積層有n型半導體層、發光層及p型半導體層之構成。例如使用氮化物半導體的GaN系化合物半導體，於藍寶石基板上介隔緩衝層、遮罩層、中間層等之底層，而形成1~2 μm左右厚度之n型半導體層、50~150 nm左右厚度之發光層、及100~300 nm左右厚度之p型半導體層。再者，發光元件晶片14不限於該等構成，可使用其他半導體材料而構成，亦可適宜地具備保護層或光反射層等而構成。

另，本實施形態之發光元件晶片14係於半導體積層結構14a之一方之面側具有兩個電極者，但不限於此，亦可於半導體積層結構之上下各面分別具有電極。另，本實施形態中，發光元件晶片14係以使電極14b與配線圖案之安裝部11b-1相對之倒裝晶片式安裝而固定，但不限於此。再者，發光元件晶片14亦可將複數之半導體發光元件結構互相隔開，例如配置成2×2個矩陣狀。

(第3層)

如圖2所示，較佳為，本實施形態之發光裝置200，於上述第2層12b及後述之透光性密封構件15之間具有第3層22c，其包含折射率低於透光性密封構件15之材料且可將從發光元件晶片14出射而透射透光性密封構件15之光進行全反射。第3層22c係配置於比發光元件晶片14更下方，且可將從發光元件晶片14向第3層22c入射之光中，於第1層12a或第2層12b無法充分反射之入射角區域之光成分的一部份(入射角較大之光，即來自橫方向之光)予以全反射。

第3層22c包含折射率低於透光性密封構件15之透明之絕緣材料且為可將從發光元件晶片14出射而透射透光性密封構件15之光的一部份進行全反射的材料即可，並無特別限定，以可藉較薄之厚度形成之無機材料構成較佳。第3層之厚度為300nm以上2000nm以下較佳，藉此，可在無損生產性之範圍內形成，且在使來自發光元件晶片14之光全反射時可不允許衰減波之通過地充分全反射。尤其包含厚度為300nm以上之低折射率介電體薄膜較佳，藉此，除可提高與作為下層之第2層12b之一體性以外，亦可以與第2層12b相同之方法連續形成。

第3層22c係以使來自入射角較大之橫方向的光全反射為目的。因此，在光之入射角為80度以上90度以下，較佳為入射角為70度以上90度以下，更佳為入射角為60度以上90度以下之情形下，可將第3層22c之反射率設定為高於第1層12a之反射率。藉此，可提高光反射層12整體之反射率。即，由於第3層22c具有透光性，因此即使是無法以第3層22c反射之入射角較小之光，亦可使其以設於其下之第2層12b反射。再者，即使是無法以第2層12b反射之入射角之光，亦可使其以設於其下之第1層12a反射。因此，藉由從基體11a依次設置第1層12a、第2層12b、第3層22c，可獲得更佳之光反射。

另，如圖3及圖4所示，較佳為前述第3層32c、42c與前述第2層32b、42b相同，係連續覆蓋第1層12a、42a、及從配線圖案11b之間露出之基體11a之上方。藉此，可使從發光元件晶片14以至近距離高密度照射之光更高效率地反射，並有效地朝外部取出。

(接合構件)

本實施形態之安裝基板11具有倒裝晶片地安裝發光元件晶片14之構成，因此以覆蓋配線圖案11b之上面中安裝部11b-1之上面與第2層12b之一部份之上面的方式，設有作為用以與發光元件晶片14之電極14b連接之接合構件之接合墊13。

(透光性密封構件)

透光性密封構件15只要對於來自發光元件晶片14之光具有透光性即可，無特別限定，考慮對於發光元件晶片14與配線圖案11b之接合構件之應力的緩和或材料之耐光性、光折射率等，可從例如聚烯烴系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯酸酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂(PMMA等)、聚胺酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚降冰片烯樹脂、氟類樹脂、聚矽氧樹脂、改質聚矽氧樹脂、改質環氧樹脂、玻璃環氧樹脂等1種或2種以上等之樹脂、液晶聚合物、玻璃等該領域中通常所使用之材料中選擇。另，透光性密封構件15中可根據目的而設置螢光體或著色劑、光擴散材料。

透光性密封構件15之形狀可以使光取出側之上面側成透鏡狀之方式而形成，亦可為覆蓋發光元件晶片14與安裝基板11之表面之方式塗覆，亦可以複數層形成。又，本實施形態之透光性密封構件15亦填充於發光元件晶片14與安裝基板11之間隙中，但不限於此。

另，本發明之發光裝置亦可具備其他構件。例如，為保護發光元件以避免靜電或過電壓，亦可具備以齊納二極體為代表之靜電保護元件等。

[實施例1]

本實施例之發光裝置100可以下述方法製造。

於具有1 mm厚度之氮化鋁基體11a之上面，依次蒸鍍Ti(0.1 μm)、Cu(0.5 μm)、Ni(1.0 μm)、Au(0.5 μm)、及Cr(0.1 μm)而形成配線層，且為形成複數之發光裝置，而形成複數個期望形狀之配線圖案11b。接著，於各配線圖案11b之上面中，在供安裝各LED晶片14之安裝部以外之區域，依次蒸鍍Ti(0.1 μm)及Al(1.0 μm)，形成第1層12a。其後，以覆蓋第1層12a之表面之方式，交互地蒸鍍3次積層SiO₂ (87.9 nm)與Nb₂ O₅ (51.6 nm)而成之積層體，形成第2層12b。其後，以覆蓋安裝各發光元件晶片14之安裝部11b-1之上面與第2層12b之上面之一部份的方式，形成依次積層Ti(0.1 μm)、Pt(0.2 μm)、及Au(0.5 μm)而成之接合墊13。

其後，於安裝基板11上之各接合墊13上，將發光波長450 nm之InGaN系藍色發光LED晶片14之電極14b分別經由膏狀Au、Sn而暫時固定，且利用氮氛圍之回焊裝置在最高到達溫度320℃下共晶接合。

接著，於具有在各LED晶片14可成形由直徑為8 mm半球透鏡形狀之透光性密封構件15所構成之形狀的壓縮成形機之模具內，配置安裝有各LED晶片14之安裝基板11，且將液狀聚矽氧樹脂滴下至模具，以150℃使其硬化180秒。其後從模具將其取出，再以150℃使其硬化4小時，於安裝基板11上形成密封各LED晶片之複數個透光性密封構件15。最後，將並排有附複數透光性密封構件15之LED晶片14之安裝基板分別切割分離。如此，可獲得如圖1所示之發光裝置。

本實施例之發光裝置100可使從LED晶片14出射且透射透光性密封構件15之光中，對於第2層12b之表面之入射角為0度以上35度以下之光成分以95%以上反射，且可以80%以上反射其他入射角之光成分。

[實施例2]

除了於配線圖案11a之安裝部以外之上方，以覆蓋第2層12b之表面之方式而形成含SiO₂ (500 nm)之第3層22c以外，與實施例1相同地形成發光裝置200。本實施例之發光裝置200可使從LED晶片14出射且透射透光性密封構件15之光中，對於第3層22c之表面之入射角為0度以上35度以下之光成分以95%以上反射，可大致全反射65度以上90度以下之光成分，且可以80%以上反射其他入射角之光成分。

[實施例3]

除了以連續覆蓋第1層12a之上面與從配線圖案11b之間所露出之基體11a之上面的方式形成第2層32b與第3層32c以外，與實施例2相同地形成發光裝置300。本實施例之發光裝置300之光輸出率可比實施例2之發光裝置更加提高約3%。

[實施例4]

除了以與配線圖案11b相隔覆蓋之方式，而於從配線圖案11b之間所露出之基體之上面11a形成第1層42a，且，以連續覆蓋第1層42a之上面與從配線圖案11a之間所露出之基體11a之上面的方式形成第2層42b與第3層42c以外，與實施例3相同地形成發光裝置400。本實施例之發光裝置300之光輸出率可比實施例3之發光裝置更加提高約2%。

[實施例5~實施例8(無圖式)]

除了在以壓縮成形機將透鏡狀透光性密封構件15成形前，於安裝基板11上所並排之各LED晶片14之側面及上面少量塗布熱硬化性之聚矽氧樹脂，黏貼以特定尺寸切出之裝有螢光體的陶瓷板，並以150℃硬化600秒以外，與實施例1~4相同地形成發光裝置。實施例5~8之發光裝置分別具有與實施例1~4相同之效果。

[產業上之可利用性]

本發明之發光裝置係可降低光損失並以高輸出率發光之發光裝置。該等發光裝置亦可利用於各種顯示裝置、照明器具、顯示器、液晶顯示器之背光光源、甚至傳真、影印機、掃描器等之圖像讀取裝置、投影機裝置等。

11．．．安裝基板

11a．．．基體

11b．．．配線圖案

11b-1．．．安裝部

11b-2．．．外部連接用電極端子部

12．．．光反射層

12a、42a．．．第1層

12b、32b、42b．．．第2層

13、33．．．接合墊

14．．．發光元件晶片

14a．．．半導體積層結構

14b．．．電極

15．．．透光性密封構件

22c、32c、42c．．．第3層

100、200、300、400．．．發光裝置

圖1A係顯示本發明之發光裝置之一實施形態之模式平面圖；

圖1B係圖1A之發光裝置之A-A'剖面之模式剖面圖；

圖1C係圖1B之點線圓區域之模式放大圖；

圖2係顯示本發明之發光裝置之一實施形態之一部份的模式平面圖；

圖3係顯示本發明之發光裝置之一實施形態之一部份的模式平面圖；及

圖4係顯示本發明之發光裝置之一實施形態之一部份的模式平面圖。

11a．．．基體

11b-1．．．安裝部

12a．．．第1層

12b．．．第2層

13．．．接合墊

14a．．．半導體積層結構

14b．．．電極

15．．．透光性密封構件

100．．．發光裝置

Claims (7)

1. 一種發光裝置，其特徵在於包含：基體；配線圖案，其配置於前述基體之上面；光反射層，其具有部份配置於前述配線圖案之上面且包含金屬材料之第1層、及包含積層有折射率不同之介電體膜之介電體多層反射膜且覆蓋前述第1層之上面與側面之第2層；發光元件晶片，其係以與前述光反射層之至少一部份相對之方式而固定；及透光性密封構件，其密封前述光反射層與前述發光元件晶片。
2. 如請求項1之發光裝置，其中前述第2層係覆蓋從前述配線圖案間露出之前述基體之上面。
3. 如請求項2之發光裝置，其中前述第1層係於從前述配線圖案間露出之前述基體之上面與前述第2層間，與前述配線圖案相隔而配置。
4. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中，前述光反射層具有覆蓋前述第2層之上面及側面之第3層；前述第3層係由折射率低於前述透光性密封構件之材料所構成，且具有可將來自前述發光元件晶片之光全反射之膜厚。
5. 如請求項4之發光裝置，其中前述第3層係厚度為300nm 以上之低折射率介電體薄膜。
6. 一種發光裝置，其特徵在於包含：基體；光反射層，其具有配置於前述基體之上面且包含金屬材料之第1層、及包含積層有折射率不同之介電體膜之介電體多層反射膜且覆蓋前述第1層之上面之第2層；發光元件晶片，其係以與前述光反射層之至少一部份相對之方式而固定；及透光性密封構件，其係密封前述光反射層與前述發光元件晶片，前述光反射層具有覆蓋前述第2層之上面之第3層；前述第3層係由折射率低於前述透光性密封構件之材料構成，且具有可將來自前述發光元件晶片之光全反射之膜厚。
7. 如請求項6之發光裝置，其中，前述第3層係厚度為300nm以上之低折射率介電體薄膜。